JP7432354B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7432354B2 JP7432354B2 JP2019229424A JP2019229424A JP7432354B2 JP 7432354 B2 JP7432354 B2 JP 7432354B2 JP 2019229424 A JP2019229424 A JP 2019229424A JP 2019229424 A JP2019229424 A JP 2019229424A JP 7432354 B2 JP7432354 B2 JP 7432354B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- conductive member
- heat
- substrate
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000006386 memory function Effects 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 116
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本開示は、熱処理装置に関する。
特許文献１には、加熱板が設けられ基板が載置される載置台と、載置台の上方にある基板の下面を吸引して基板の形状を矯正するための吸引用部材と、吸引用部材を昇降させる昇降機構とを有する加熱装置が開示されている。
本開示にかかる技術は、基板の反りの大きさによらず、当該基板に対する熱処理を面内で均一に行うことが可能な熱処理装置を提供する。
本開示の一態様は、基板に対し熱処理を行う熱処理装置であって、その上面に基板が載置され、載置された当該基板を加熱または冷却する熱処理板と、少なくともその外周面が前記熱処理板の上面の周辺の雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、当該熱処理板の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材と、を有し、前記熱伝導部材は、前記熱処理板の上面へ基板を押し付ける力によって、当該基板の形状に対応した形状に変形し、前記熱処理板の使用温度帯において液体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、前記容器の内部は、前記媒体で充填され、前記熱伝導部材の容器よりも高い柔軟性を有する材料で形成された中空の補助容器と、前記熱伝導部材の容器と、前記補助容器とを連通させる連通管と、を有し、前記補助容器及び前記連通管の内部は、前記媒体で充填されている。
本開示によれば、基板の反りの大きさによらず、当該基板に対する熱処理を面内で均一に行うことが可能な熱処理装置を提供することができる。
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）上に所望のレジストパターンを形成するために種々の処理が行われる。上記種々の処理には、レジスト液を塗布してレジスト膜を形成する塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を塗布して現像する現像処理、ウェハを加熱する加熱処理、加熱後のウェハを冷却する冷却処理等が含まれる。
上述の加熱処理や冷却処理といった熱処理の際に、ウェハに反りが生じていると、ウェハが載置され当該ウェハを加熱または冷却する熱処理板と当該ウェハとの距離がウェハ面内でばらつくため、ウェハに対し面内で均一な熱処理を行うことが困難となる。そのため、ウェハを吸引し、その反りを矯正した状態で熱処理板に吸着させることが行われている。例えば、特許文献１では、加熱板が設けられ基板が載置される載置台と、載置台の上方にある基板の下面を吸引して基板の形状を矯正するための吸引用部材と、を加熱装置に設けている。
ところで、３Ｄ ＮＡＮＤ型の半導体デバイス等の分野では、近年、ウェハ上に形成される膜が厚くなってきており、それに伴い、ウェハの反りが大きくなってきており、例えば数百μｍ以上となっている。また、将来的には、ウェハ上に形成される膜がさらに厚くなりウェハの反りはさらに大きくなることが予想される。このようにウェハの反りが大きいと、吸引力によって反りを矯正する場合、強い吸引力が必要となる。
しかし、反りの大きさや反りの態様によっては、吸引力を強くしても反りを矯正しきれないことがあり、また、反りを矯正することによる応力によってウェハが破損してしまうおそれがある。
しかし、反りの大きさや反りの態様によっては、吸引力を強くしても反りを矯正しきれないことがあり、また、反りを矯正することによる応力によってウェハが破損してしまうおそれがある。
そこで、本開示にかかる技術は、基板の反りの大きさや反りの態様によらず、当該基板に対する熱処理を面内で均一に行うことが可能な熱処理装置を提供する。
以下、本実施形態にかかる熱処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図１は、本実施形態にかかる熱処理装置としての加熱装置１の構成を概略的に示す縦断面図である。図２は、熱処理装置が有する熱伝導部材の上面図であり、当該熱伝導部材が熱板上に固定された状態を示している。
例えば加熱装置１は、図１に示すように、筐体１０を有している。筐体１０の側面にはウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
筐体１０内には、上側に位置して上下動自在な蓋体２０と、下側に位置して蓋体２０と一体となって処理室Ｋを形成する熱板収容部２１が設けられている。
例えば加熱装置１は、図１に示すように、筐体１０を有している。筐体１０の側面にはウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
筐体１０内には、上側に位置して上下動自在な蓋体２０と、下側に位置して蓋体２０と一体となって処理室Ｋを形成する熱板収容部２１が設けられている。
蓋体２０は、下面が開口した略筒形状を有し、後述の熱板３０上に後述の熱伝導部材を介して載置されたウェハＷの上面を覆う。蓋体２０の上面中央部には、排気部２０ａが設けられている。処理室Ｋ内の雰囲気は、排気部２０ａから排気される。
熱板収容部２１は、熱処理板としての熱板３０を収容して熱板３０の外周部を保持する環状の保持部材３１と、その保持部材３１の外周を囲む筒状のサポートリング３２を備えている。
熱板３０は、その上面にウェハＷが載置され、載置された当該ウェハＷを加熱するものである。この熱板３０は、厚みのある円板形状を有しており、熱板３０の上面すなわちウェハＷの搭載面を加熱するヒータ３３がその内部に設けられており、熱板３０を設定温度に調整できる。
また、筐体１０内における、熱板３０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための基板支持部材としての昇降ピン４０が設けられている。昇降ピン４０は、シリンダ等の昇降駆動機構４１により昇降自在である。熱板３０の中央部付近には、熱板３０を厚み方向に貫通する貫通孔３０ａが形成されており、昇降ピン４０は、熱板３０の下方から上昇して、貫通孔３０ａを通過し、熱板３０の上方に突出できる。
また、加熱装置１には、図１に示すように制御部６０が設けられている。制御部６０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述のヒータ３３や昇降駆動機構４１等の駆動系の動作を制御して、加熱装置１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラム等が格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部６０にインストールされたものであってもよい。
さらに、加熱装置１には、熱板３０の上面上に熱伝導部材５０が設けられている。
熱伝導部材５０は、少なくともその外周面が、熱板３０の上面の周辺の雰囲気すなわち処理室Ｋ内の雰囲気より熱伝導率が高く、変形自在な部材である。熱伝導部材５０は、熱板３０の上面を覆い当該熱板３０の上面とウェハＷの下面（裏面）との間に介在するように設けられている。つまり、熱伝導部材５０を介して、ウェハＷが熱板３０の上面に載置される。また、熱伝導部材５０を介して、熱板３０の熱がウェハＷに伝導する。
熱伝導部材５０は、少なくともその外周面が、熱板３０の上面の周辺の雰囲気すなわち処理室Ｋ内の雰囲気より熱伝導率が高く、変形自在な部材である。熱伝導部材５０は、熱板３０の上面を覆い当該熱板３０の上面とウェハＷの下面（裏面）との間に介在するように設けられている。つまり、熱伝導部材５０を介して、ウェハＷが熱板３０の上面に載置される。また、熱伝導部材５０を介して、熱板３０の熱がウェハＷに伝導する。
熱伝導部材５０は、図２に示すように、熱板３０の上面の略全体を覆うように平面視円形に形成されている。熱伝導部材５０の直径Ｒは、ウェハＷの直径より大きく、熱板３０の直径より小さく、より具体的には、ウェハＷの直径が３００ｍｍ、熱板３０の直径が３２０ｍｍの場合、熱伝導部材５０の直径Ｒ（ｍｍ）は、以下の条件（ａ）を満たす。
（ａ） ３００＜Ｒ＜３２０
（ａ） ３００＜Ｒ＜３２０
また、熱伝導部材５０には、厚み方向に貫通する、昇降ピン４０が挿通される貫通孔５０ａが複数（本例では３つ）形成されている。昇降ピン４０は、熱板３０の下方から上昇して、貫通孔３０ａを通過し、さらに貫通孔５０ａを通過し、熱伝導部材５０の上方に突出できる。
熱伝導部材５０は、熱板３０の使用温度帯において液体であり処理室Ｋ内の雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、上記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器５１と、を有し、容器５１の内部が上記媒体（液体）で充填されている。これにより、熱伝導部材５０は、上述のように熱伝導率が高く変形自在となっている。なお、容器５１に充填される媒体は、処理室Ｋ内の雰囲気より熱伝導率が高いだけでなく、単位体積当たりの熱容量が、処理室Ｋ内の雰囲気より小さい。
容器５１は、例えば、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属で形成された袋状の密閉容器である。容器５１は、例えば、上記熱伝導率の高い金属の薄いフィルムから形成される。また、容器５１に封入される媒体すなわち液体としては、例えば熱板３０の設定温度が１００℃～２００℃の場合、水銀等が用いられる。
容器５１は、例えば、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属で形成された袋状の密閉容器である。容器５１は、例えば、上記熱伝導率の高い金属の薄いフィルムから形成される。また、容器５１に封入される媒体すなわち液体としては、例えば熱板３０の設定温度が１００℃～２００℃の場合、水銀等が用いられる。
上述のように、熱伝導部材５０が変形自在であるため、熱板３０の上面上に熱伝導部材５０を介してウェハＷが載置されたときに、熱板３０の上面へウェハＷを押し付ける力によって、熱伝導部材５０が変形し、ウェハＷの裏面の形状に対応した形状となる。上記押し付ける力は、例えばウェハＷに働く重力により生じる。
熱伝導部材５０の厚さは、当該熱伝導部材５０上にウェハＷが載置されておらず、当該熱伝導部材５０が変形していない、平板状の状態で、１ｍｍ～５ｍｍである。
また、熱伝導部材５０は、熱板３０に固定され、具体的には着脱自在に固定されている。例えば、熱伝導部材５０の容器５１に、孔を有するリブを設け、当該リブを熱板に螺着させることにより、熱伝導部材５０を熱板３０に着脱自在に固定することができる。
なお、容器５１の表面であって貫通孔３０ａに対応する位置に管状の凸部材を設け、凸部材の外周面と貫通孔３０ａの内周面とが係合するようにしてもよい。このときの管状の凸部材の内径は、昇降ピン４０の昇降を阻害しない程度の大きさとされる。上述のように凸部材を設けることにより、容器５１すなわち熱伝導部材５０は、熱板３０に載置した状態において、垂直方向への固定はされないものの、水平方向に関しては固定状態となる。熱板３０の周縁部にウェハＷを載置する際のガイド部材が設けられている場合は、容器５１の周縁の形状を上記ガイド部材の位置や形状に対応するように形成して、容器５１すなわち熱伝導部材５０を水平方向に関して固定状態としてもよい。
さらに、熱伝導部材５０は、例えば、当該熱伝導部材５０の変形の態様によらず、その下面全体が熱板３０に接触するように固定される。なお、熱伝導部材５０の下面の剛性は高くしてもよい。
なお、容器５１の表面であって貫通孔３０ａに対応する位置に管状の凸部材を設け、凸部材の外周面と貫通孔３０ａの内周面とが係合するようにしてもよい。このときの管状の凸部材の内径は、昇降ピン４０の昇降を阻害しない程度の大きさとされる。上述のように凸部材を設けることにより、容器５１すなわち熱伝導部材５０は、熱板３０に載置した状態において、垂直方向への固定はされないものの、水平方向に関しては固定状態となる。熱板３０の周縁部にウェハＷを載置する際のガイド部材が設けられている場合は、容器５１の周縁の形状を上記ガイド部材の位置や形状に対応するように形成して、容器５１すなわち熱伝導部材５０を水平方向に関して固定状態としてもよい。
さらに、熱伝導部材５０は、例えば、当該熱伝導部材５０の変形の態様によらず、その下面全体が熱板３０に接触するように固定される。なお、熱伝導部材５０の下面の剛性は高くしてもよい。
続いて、加熱装置１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図３～図５は、ウェハＷが熱板３０上に載置されたときの熱伝導部材５０の様子を示す側面図である。
まず、筐体１０の側面に設けられた搬入出口（図示せず）を介して、ウェハＷを保持したウェハ搬送機構（図示せず）が筐体１０内に挿入される。そして、ウェハＷが、熱板３０の上方に搬送される。次いで、昇降ピン４０が上昇され、熱板３０上の熱伝導部材５０の上面から予め定められた距離突出し、当該昇降ピン４０の上にウェハＷが受け渡される。なお、ウェハＷの筐体１０への搬入前において、熱板３０は設定温度に予め加熱されている。
まず、筐体１０の側面に設けられた搬入出口（図示せず）を介して、ウェハＷを保持したウェハ搬送機構（図示せず）が筐体１０内に挿入される。そして、ウェハＷが、熱板３０の上方に搬送される。次いで、昇降ピン４０が上昇され、熱板３０上の熱伝導部材５０の上面から予め定められた距離突出し、当該昇降ピン４０の上にウェハＷが受け渡される。なお、ウェハＷの筐体１０への搬入前において、熱板３０は設定温度に予め加熱されている。
昇降ピン４０への受け渡し後、ウェハ搬送機構が筐体１０から抜き出され、また、蓋体２０が下降されて処理室Ｋが形成される。それと共に、昇降ピン４０が下降され、熱伝導部材５０が上面に設けられた熱板３０上に、ウェハＷに受け渡される。
熱板３０に受け渡されたウェハＷに反りが生じていない場合、図３に示すように、熱伝導部材５０は、ウェハＷの重さにより、若干潰れるものの、扁平の円板形状を維持し、つまり、ウェハＷの裏面に沿った形状を維持する。
また、ウェハＷが上方に突出するように反っている場合、図４に示すように、熱伝導部材５０は、ウェハＷの重さにより、その周縁部が潰れ且つその中央部が盛り上がるように変形する。つまり、熱伝導部材５０は、その上面がウェハＷの裏面に沿うように変形する。
一方、ウェハＷが下方に突出するように反っている場合、図５に示すように、熱伝導部材５０は、ウェハＷの重さにより、その中央部が潰れ且つその周縁部が盛り上がるように変形する。つまり、熱伝導部材５０は、この場合も、その上面がウェハＷの裏面に沿うように変形する。
図示は省略するが、ウェハＷが複雑な形状を成すように沿っている場合でも（例えば、ウェハＷが馬鞍形状である場合でも）、熱伝導部材５０はその上面がウェハＷの裏面に沿うように変形する。
また、ウェハＷが上方に突出するように反っている場合、図４に示すように、熱伝導部材５０は、ウェハＷの重さにより、その周縁部が潰れ且つその中央部が盛り上がるように変形する。つまり、熱伝導部材５０は、その上面がウェハＷの裏面に沿うように変形する。
一方、ウェハＷが下方に突出するように反っている場合、図５に示すように、熱伝導部材５０は、ウェハＷの重さにより、その中央部が潰れ且つその周縁部が盛り上がるように変形する。つまり、熱伝導部材５０は、この場合も、その上面がウェハＷの裏面に沿うように変形する。
図示は省略するが、ウェハＷが複雑な形状を成すように沿っている場合でも（例えば、ウェハＷが馬鞍形状である場合でも）、熱伝導部材５０はその上面がウェハＷの裏面に沿うように変形する。
熱板３０上へのウェハＷの受け渡し後、予め定められた時間にわたって、ウェハＷは、熱板３０によって熱伝導部材５０を介して加熱される。
その後、蓋体２０が上昇されると共に昇降ピン４０が上昇され、さらに、ウェハ搬送機構が筐体１０内に挿入される。続いて、昇降ピン４０が下降され、ウェハ搬送機構にウェハＷが受け渡される。そして、ウェハ搬送機構が筐体１０から抜き出され、ウェハＷが搬出される。
以上のように、本実施形態では、ウェハＷに対し加熱処理を行う加熱装置１が、その上面にウェハＷが載置され、載置されたウェハを加熱する熱板３０と、少なくともその外周面が処理室Ｋの雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、熱板３０の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材５０とを有している。そして、熱伝導部材５０が、熱板３０の上面へウェハＷを押し付ける力によって、当該ウェハＷの形状に対応した形状に変形する。具体的には、図４及び図５等を用いて説明したように、ウェハＷに反りが生じていたとしても、ウェハＷに働く重力などにより、熱伝導部材５０が変形し、その上面がウェハＷの裏面に沿った形となる。このように熱伝導部材が変形するのは、ウェハＷの反りの大きさや、ウェハＷの反りの態様によらない。したがって、ウェハＷの反りの大きさや態様によらず、熱板３０とウェハＷの間に介在し且つ高い熱伝導率を有する熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との間の距離が、ウェハ面内で略同一となる。よって、ウェハＷの反りの大きさや態様によらず、当該ウェハＷに対する加熱処理をウェハ面内で均一に行うことができる。本実施形態にかかる技術は、ウェハＷの反り量が小さい場合でも有用であるものの、ウェハＷの反り量が５００μｍ以上と大きい場合に特に有用である。また、本実施形態にかかる技術は、吸着による矯正が困難である、下方に突出するような形状の反りを有するウェハや馬鞍形状の反りを有するウェハに対し加熱処理する場合に特に有用である。
さらに、本実施形態にかかる技術は、熱板３０の上面に熱伝導部材５０を設けるものであり、熱板の改良等が不要であるため、既存の加熱装置にも適用することができる。
さらにまた、本実施形態にかかる技術は、ウェハＷの反りの矯正が不要である。そのため、ウェハＷの反りの矯正によって当該ウェハＷが破損するようなことがない。
さらに、本実施形態にかかる技術は、熱板３０の上面に熱伝導部材５０を設けるものであり、熱板の改良等が不要であるため、既存の加熱装置にも適用することができる。
さらにまた、本実施形態にかかる技術は、ウェハＷの反りの矯正が不要である。そのため、ウェハＷの反りの矯正によって当該ウェハＷが破損するようなことがない。
さらにまた、本実施形態では、熱伝導部材５０が着脱自在に熱板３０に固定されている。したがって、熱伝導部材５０や熱板３０等のメンテナンスが容易である。
また、本実施形態では、熱伝導部材５０の容器５１に充填される媒体は、単位体積当たりの熱容量が、処理室Ｋ内の雰囲気より小さい。したがって、熱板３０の設定温度の変更があったときに、変更直後に、熱伝導部材５０の温度を熱板３０と略等しくすることができる。
なお、以上の例では、熱伝導部材５０の容器５１内に充填される媒体として、熱板３０の使用温度帯において液体であり処理室Ｋの雰囲気より熱伝導率が高いものが用いられていたが、これに限られない。例えば、上記媒体は、熱板３０の使用温度帯において気体であり処理室Ｋの雰囲気より熱伝導率が高いものであってもよく、具体的にはヘリウムガス等であってもよい。また、上記媒体は、熱板３０の使用温度帯において粒状の固体であり処理室Ｋの雰囲気より熱伝導率が高いものであってもよく、具体的には、アルミニウム等の金属材料を用いて形成された直径１ｍｍ～１０ｍｍの粒体等であってもよい。
さらに、図６に示すように、熱伝導部材５０は、ウェハＷが載置され変形した後の形状を維持する形状記憶機能を有していてもよい。これにより以下のような効果がある。
ウェハＷの形状は、同じロット内では大きく変わらない。そのため、例えば、同一ロット内の１枚目のウェハＷが載置されたときの熱伝導部材５０の形状が維持されれば、２枚目以降のウェハＷが載置された直後から、当該ウェハＷの裏面と熱伝導部材５０の上面との距離が面内で均一になるため、当該ウェハＷに対する加熱処理をウェハ面内でより均一に行うことができる。
例えば、熱伝導部材５０の容器５１内に充填される媒体として、上述の粒体を用いることで、熱伝導部材５０に形状記憶機能を付与することができる。
ウェハＷの形状は、同じロット内では大きく変わらない。そのため、例えば、同一ロット内の１枚目のウェハＷが載置されたときの熱伝導部材５０の形状が維持されれば、２枚目以降のウェハＷが載置された直後から、当該ウェハＷの裏面と熱伝導部材５０の上面との距離が面内で均一になるため、当該ウェハＷに対する加熱処理をウェハ面内でより均一に行うことができる。
例えば、熱伝導部材５０の容器５１内に充填される媒体として、上述の粒体を用いることで、熱伝導部材５０に形状記憶機能を付与することができる。
図７は、熱伝導部材の他の例を概略的に示す拡大側面図である。
図７の熱伝導部材１００は、容器１０１の上面すなわちウェハ側の面から上方に突出する突起１０２を複数有する。この構成により、熱伝導部材１００とウェハＷの裏面との接触面積を減らすことができる。したがって、熱伝導部材１００とウェハＷとの接触により傷が生じるのを抑制することができる。
なお、突起１０２の熱伝導率は、容器１０１より低くてもよく、具体的には、処理室Ｋの雰囲気と同等であってもよい。これにより、ウェハＷにおける突起１０２との接触点のみ高温となるのを防ぐことができる。
図７の熱伝導部材１００は、容器１０１の上面すなわちウェハ側の面から上方に突出する突起１０２を複数有する。この構成により、熱伝導部材１００とウェハＷの裏面との接触面積を減らすことができる。したがって、熱伝導部材１００とウェハＷとの接触により傷が生じるのを抑制することができる。
なお、突起１０２の熱伝導率は、容器１０１より低くてもよく、具体的には、処理室Ｋの雰囲気と同等であってもよい。これにより、ウェハＷにおける突起１０２との接触点のみ高温となるのを防ぐことができる。
図８は、加熱装置の他の例の概略を説明するための図であり、要部のみを示している。
図８の例の構成は、熱伝導部材５０の容器５１に充填する媒体として、液体や気体を用いる場合、すなわち、流体を用いる場合に、適用することができるものである。
図８の例の構成は、熱伝導部材５０の容器５１に充填する媒体として、液体や気体を用いる場合、すなわち、流体を用いる場合に、適用することができるものである。
図８の例では、熱伝導部材５０の他に、補助容器１１０と連通管１１１とを有する。
補助容器１１０は、熱伝導部材５０の容器５１よりも高い柔軟性を有する材料で形成され容易に変形する中空の部材である。補助容器１１０は例えば樹脂材料から形成される。なお、図の例では、補助容器１１０は２つ設けられているが、補助容器１１０の数は１つであっても３以上であってもよい。また、補助容器１１０は、熱板３０より下側に設けられている。
補助容器１１０は、熱伝導部材５０の容器５１よりも高い柔軟性を有する材料で形成され容易に変形する中空の部材である。補助容器１１０は例えば樹脂材料から形成される。なお、図の例では、補助容器１１０は２つ設けられているが、補助容器１１０の数は１つであっても３以上であってもよい。また、補助容器１１０は、熱板３０より下側に設けられている。
連通管１１１は、各補助容器１１０の内部と熱伝導部材５０の内部とを連通させる部材である。連通管１１１は、少なくともその一部が熱板３０を貫通するように設けられている。なお、連通管１１１が配設される領域は、貫通孔３０ａの形成領域より径方向外側に位置する。
そして、補助容器１１０及び連通管１１１の内部は、前述の流体で充填されている。
本例の構成によれば、熱伝導部材５０を介して熱板３０上にウェハＷを載置したときに熱伝導部材５０が大きく変化し容器５１内の体積が減少しても、同時にウェハＷの重力により補助容器１１０も変形しその内部の体積が増加する。したがって、ウェハＷの載置により熱伝導部材５０の容器５１内から溢れる媒体を、補助容器１１０で吸収することができる。
なお、ウェハＷが熱板３０から取り除かれると、ウェハＷの重力が補助容器１１０に作用しなくなるため当該補助容器１１０はその弾性力により元の形状に戻り、これに伴い、補助容器１１０内の媒体は、熱伝導部材５０の容器５１に戻される。
なお、ウェハＷが熱板３０から取り除かれると、ウェハＷの重力が補助容器１１０に作用しなくなるため当該補助容器１１０はその弾性力により元の形状に戻り、これに伴い、補助容器１１０内の媒体は、熱伝導部材５０の容器５１に戻される。
また、本例の構成によれば、熱伝導部材５０の容器５１に充填する媒体として、熱膨張率が高い流体を用いる場合、容易に変形する補助容器１１０で、熱膨張分の流体を吸収することができる。また、熱収縮分の流体を、容易に変形する補助容器１１０から熱伝導部材５０の容器５１に補充することができる。
なお、上述のように熱膨張分の流体の吸収及び熱収縮分の流体の補充を補助容器１１０で行う場合、熱板３０の使用温度帯における最低温度より低い温度環境で、熱伝導部材５０、連通管１１１及び補助容器１１０への流体の充填が行われる。上記吸収及び補充が熱板３０の使用温度帯で適切に行われるようにするため、である。
なお、上述のように熱膨張分の流体の吸収及び熱収縮分の流体の補充を補助容器１１０で行う場合、熱板３０の使用温度帯における最低温度より低い温度環境で、熱伝導部材５０、連通管１１１及び補助容器１１０への流体の充填が行われる。上記吸収及び補充が熱板３０の使用温度帯で適切に行われるようにするため、である。
図９は、熱板の他の例を概略的に示す図であり、熱板のみ断面で示している。
例えば前述の図８のような構成において補助容器１１０の形成材料の弾性力が高いとき等に、ウェハＷに作用する重力のみでは、熱板３０の上面へウェハＷを押し付ける力で、熱伝導部材５０を所望の形状に変形させることができない場合がある。
このような場合は、図９に示すように、熱板１２０の上面へウェハＷを押し付ける力が増大するようウェハＷを吸引する吸引口１２１ａを熱板１２０に設けるとよい。これによって、確実に熱伝導部材５０を所望の形状に変形させることができる。
例えば前述の図８のような構成において補助容器１１０の形成材料の弾性力が高いとき等に、ウェハＷに作用する重力のみでは、熱板３０の上面へウェハＷを押し付ける力で、熱伝導部材５０を所望の形状に変形させることができない場合がある。
このような場合は、図９に示すように、熱板１２０の上面へウェハＷを押し付ける力が増大するようウェハＷを吸引する吸引口１２１ａを熱板１２０に設けるとよい。これによって、確実に熱伝導部材５０を所望の形状に変形させることができる。
図９の例では、吸引口１２１ａは、昇降ピン４０が通過する貫通孔３０ａに開口しており、貫通孔３０ａを介してウェハＷが吸引される。
また、吸引口１２１ａを一端に有する吸引路１２１の他端には、排気管１２２の一端が接続され、排気管１２２の他端には、排気ポンプ等からなる排気装置１２３が接続されている。
また、吸引口１２１ａを一端に有する吸引路１２１の他端には、排気管１２２の一端が接続され、排気管１２２の他端には、排気ポンプ等からなる排気装置１２３が接続されている。
なお、図９の例の熱板１２０は、前述の図８の補助容器１１０を有する構成以外の構成、例えば、図１の構成に適用してもよい。
図１０は、加熱装置の他の例の概略を説明するための図であり、要部のみを示している。
前述の図８のように、補助容器１１０を設ける場合、図１０に示すように、補助容器１１０を外部から圧縮する圧縮機構１３０を設けてもよい。圧縮機構１３０により、補助容器１１０から熱伝導部材５０の容器５１へ流体を供給することができる。
圧縮機構１３０は、補助容器１１０を覆う圧縮容器１３１と、圧縮容器１３１に一端が接続されたガス供給管１３２と、ガス供給管１３２の他端に接続され当該ガス供給管１３２を介して不活性ガス等のガスを圧縮容器１３１に供給するガス供給源１３３とを有する。
前述の図８のように、補助容器１１０を設ける場合、図１０に示すように、補助容器１１０を外部から圧縮する圧縮機構１３０を設けてもよい。圧縮機構１３０により、補助容器１１０から熱伝導部材５０の容器５１へ流体を供給することができる。
圧縮機構１３０は、補助容器１１０を覆う圧縮容器１３１と、圧縮容器１３１に一端が接続されたガス供給管１３２と、ガス供給管１３２の他端に接続され当該ガス供給管１３２を介して不活性ガス等のガスを圧縮容器１３１に供給するガス供給源１３３とを有する。
本例の構成によれば、以下のような効果がある。
熱板１２０の上面へウェハＷを押し付ける力だけでは、熱伝導部材５０が十分に変形せず、熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との間に空気層が生じ、熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との距離が面内均一とならない場合がある。この場合に、圧縮機構１３０を用いて、補助容器１１０から熱伝導部材５０に流体を供給し熱伝導部材５０を変形させることで、熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との距離をより確実に面内均一にすることができる。
熱板１２０の上面へウェハＷを押し付ける力だけでは、熱伝導部材５０が十分に変形せず、熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との間に空気層が生じ、熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との距離が面内均一とならない場合がある。この場合に、圧縮機構１３０を用いて、補助容器１１０から熱伝導部材５０に流体を供給し熱伝導部材５０を変形させることで、熱伝導部材５０の上面とウェハＷの裏面との距離をより確実に面内均一にすることができる。
図１１は、補助容器の配設位置の他の例を説明するための図であり、要部のみを示している。
図８の例では、補助容器１１０は、熱板３０より下側、すなわち熱伝導部材５０より下側に設けられていたが、補助容器１１０の配設位置はこれに限られない。例えば、図１１に示すように、補助容器１１０は、熱伝導部材５０の側方における熱板３０の上面上に設けられていてもよい。
図８の例では、補助容器１１０は、熱板３０より下側、すなわち熱伝導部材５０より下側に設けられていたが、補助容器１１０の配設位置はこれに限られない。例えば、図１１に示すように、補助容器１１０は、熱伝導部材５０の側方における熱板３０の上面上に設けられていてもよい。
図１２及び図１３は、熱伝導部材の他の例を説明するための図であり、図１２は、本例の熱伝導部材が適用される熱板を示しており、図１３は、図１２の熱板上に設けられた状態の熱伝導部材を示している。
図１２に示すように、熱板３０は、複数の領域Ｒ１～Ｒ５に区画され、領域Ｒ１～Ｒ５それぞれに給電により発熱するヒータ３３が個別に内蔵され、領域Ｒ１～Ｒ５毎に加熱でき、領域Ｒ１～Ｒ５毎に温度設定される場合がある。
この場合、熱伝導部材１４０が、熱板３０の複数の領域Ｒ１～Ｒ５に対応して分割され、領域Ｒ１～Ｒ５毎に分割体１４１を有することで、ウェハＷの反りの大きさによらず、当該ウェハに対する加熱処理を面内で均一に行うことができる。
図１２に示すように、熱板３０は、複数の領域Ｒ１～Ｒ５に区画され、領域Ｒ１～Ｒ５それぞれに給電により発熱するヒータ３３が個別に内蔵され、領域Ｒ１～Ｒ５毎に加熱でき、領域Ｒ１～Ｒ５毎に温度設定される場合がある。
この場合、熱伝導部材１４０が、熱板３０の複数の領域Ｒ１～Ｒ５に対応して分割され、領域Ｒ１～Ｒ５毎に分割体１４１を有することで、ウェハＷの反りの大きさによらず、当該ウェハに対する加熱処理を面内で均一に行うことができる。
以上では、ウェハを加熱する熱板を有する加熱装置について説明したが、本開示にかかる技術は、ウェハを冷却する冷却板を熱処理板として有する冷却装置にも適用することができる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板に対し熱処理を行う熱処理装置であって、
その上面に基板が載置され、載置された当該基板を加熱または冷却する熱処理板と、
少なくともその外周面が前記熱処理板の上面の周辺の雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、当該熱処理板の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材と、を有し、
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の上面へ基板を押し付ける力によって、当該基板の形状に対応した形状に変形する、熱処理装置。
前記（１）によれば、基板の反りの大きさや態様によらず、当該基板に対する熱処理を面内で均一に行うことができる。
（１）基板に対し熱処理を行う熱処理装置であって、
その上面に基板が載置され、載置された当該基板を加熱または冷却する熱処理板と、
少なくともその外周面が前記熱処理板の上面の周辺の雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、当該熱処理板の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材と、を有し、
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の上面へ基板を押し付ける力によって、当該基板の形状に対応した形状に変形する、熱処理装置。
前記（１）によれば、基板の反りの大きさや態様によらず、当該基板に対する熱処理を面内で均一に行うことができる。
（２）前記熱伝導部材は、変形後の形状を維持する形状記憶機能を有する、前記（１）に記載の熱処理装置。
（３）前記熱伝導部材は、
前記熱処理板の使用温度帯において液体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、前記（１）または（２）に記載の熱処理装置。
前記熱処理板の使用温度帯において液体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、前記（１）または（２）に記載の熱処理装置。
（４）前記熱伝導部材は、
前記熱処理板の使用温度帯において気体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、前記（１）または（２）に記載の熱処理装置。
前記熱処理板の使用温度帯において気体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、前記（１）または（２）に記載の熱処理装置。
（５）前記熱伝導部材の容器よりも高い柔軟性を有する材料で形成された中空の補助容器と、
前記熱伝導部材の容器と、前記補助容器とを連通させる連通管と、を有し、
前記補助容器及び前記連通管の内部は、前記媒体で充填されている、前記（３）または（４）に記載の熱処理装置。
前記熱伝導部材の容器と、前記補助容器とを連通させる連通管と、を有し、
前記補助容器及び前記連通管の内部は、前記媒体で充填されている、前記（３）または（４）に記載の熱処理装置。
（６）前記熱伝導部材は、
前記熱処理板の使用温度帯において粒状の固体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、前記（１）または（２）に記載の熱処理装置。
前記熱処理板の使用温度帯において粒状の固体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、前記（１）または（２）に記載の熱処理装置。
（７）前記容器は、アルミニウムから形成されている、前記（３）～（６）のいずれか１に記載の熱処理装置。
（８）前記熱伝導部材は、前記上面から上方に突出する突起を複数有する、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の熱処理装置。
（９）前記熱伝導部材は、前記熱処理板の上面に対し、着脱自在に設けられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の熱処理装置。
（１０）前記熱伝導部材は、基板を支持する基板支持部材が挿通される貫通孔を有する、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の熱処理装置。
（１１）前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の前記複数の領域に対応して分割されている、前記（１）～（１０）のいずれか１に記載の熱処理装置。
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の前記複数の領域に対応して分割されている、前記（１）～（１０）のいずれか１に記載の熱処理装置。
（１２）前記熱処理板は、当該熱処理板の上面へ基板を押し付ける力が増大するよう当該基板を吸引する吸引口を有する、前記（１）～（１１）のいずれか１に記載の熱処理装置。
１ 加熱装置
３０、１２０ 熱板
５０、１００、１４０ 熱伝導部材
Ｗ ウェハ
３０、１２０ 熱板
５０、１００、１４０ 熱伝導部材
Ｗ ウェハ
Claims (11)
- 基板に対し熱処理を行う熱処理装置であって、
その上面に基板が載置され、載置された当該基板を加熱または冷却する熱処理板と、
少なくともその外周面が前記熱処理板の上面の周辺の雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、当該熱処理板の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材と、を有し、
前記熱伝導部材は、
前記熱処理板の上面へ基板を押し付ける力によって、当該基板の形状に対応した形状に変形し、
前記熱処理板の使用温度帯において液体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填され、
前記熱伝導部材の容器よりも高い柔軟性を有する材料で形成された中空の補助容器と、
前記熱伝導部材の容器と、前記補助容器とを連通させる連通管と、を有し、
前記補助容器及び前記連通管の内部は、前記媒体で充填されている、熱処理装置。 - 基板に対し熱処理を行う熱処理装置であって、
その上面に基板が載置され、載置された当該基板を加熱または冷却する熱処理板と、
少なくともその外周面が前記熱処理板の上面の周辺の雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、当該熱処理板の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材と、を有し、
前記熱伝導部材は、
前記熱処理板の上面へ基板を押し付ける力によって、当該基板の形状に対応した形状に変形し、
前記熱処理板の使用温度帯において気体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填され、
前記熱伝導部材の容器よりも高い柔軟性を有する材料で形成された中空の補助容器と、
前記熱伝導部材の容器と、前記補助容器とを連通させる連通管と、を有し、
前記補助容器及び前記連通管の内部は、前記媒体で充填されている、熱処理装置。 - 前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の前記複数の領域に対応して分割されている、請求項１または２に記載の熱処理装置。 - 基板に対し熱処理を行う熱処理装置であって、
その上面に基板が載置され、載置された当該基板を加熱または冷却する熱処理板と、
少なくともその外周面が前記熱処理板の上面の周辺の雰囲気より熱伝導率が高く、且つ、当該熱処理板の上面を覆い当該上面とウェハＷとの間に介在するように設けられる、変形自在な熱伝導部材と、を有し、
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の上面へ基板を押し付ける力によって、当該基板の形状に対応した形状に変形し、
前記熱処理板は、複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であり、
前記熱伝導部材は、前記熱処理板の前記複数の領域に対応して分割されている、熱処理装置。 - 前記熱伝導部材は、
前記熱処理板の使用温度帯において粒状の固体であり前記雰囲気より熱伝導率が高い媒体と、
前記雰囲気より熱伝導率が高い材料から形成された、変形自在且つ中空の容器と、を有し、
前記容器の内部は、前記媒体で充填されている、請求項４に記載の熱処理装置。 - 前記容器は、アルミニウムから形成されている、請求項１～３、５のいずれか１項に記載の熱処理装置。
- 前記熱伝導部材は、変形後の形状を維持する形状記憶機能を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の熱処理装置。
- 前記熱伝導部材は、前記上面から上方に突出する突起を複数有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の熱処理装置。
- 前記熱伝導部材は、前記熱処理板の上面に対し、着脱自在に設けられている、請求項１～８のいずれか１項に記載の熱処理装置。
- 前記熱伝導部材は、基板を支持する基板支持部材が挿通される貫通孔を有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の熱処理装置。
- 前記熱処理板は、当該熱処理板の上面へ基板を押し付ける力が増大するよう当該基板を吸引する吸引口を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019229424A JP7432354B2 (ja) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 熱処理装置 |
| KR1020200169704A KR20210079193A (ko) | 2019-12-19 | 2020-12-07 | 열처리 장치 |
| CN202011456717.9A CN113013054A (zh) | 2019-12-19 | 2020-12-11 | 热处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019229424A JP7432354B2 (ja) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021097192A JP2021097192A (ja) | 2021-06-24 |
| JP7432354B2 true JP7432354B2 (ja) | 2024-02-16 |
Family
ID=76383568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019229424A Active JP7432354B2 (ja) | 2019-12-19 | 2019-12-19 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7432354B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210079193A (ja) |
| CN (1) | CN113013054A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313901A (ja) | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Komatsu Ltd | 静電チャック |
| WO2003052804A1 (fr) | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Nikon Corporation | Appareil porte-substrat, appareil d'exposition et procede de production d'un dispositif |
| JP2003309167A (ja) | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Canon Inc | 基板保持装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63193448A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-10 | Nissin Electric Co Ltd | 試料保持装置 |
| JPS63263741A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hitachi Ltd | 板状物の固定機構 |
| JP3141208B2 (ja) * | 1991-06-03 | 2001-03-05 | 富士通株式会社 | ドライエッチング装置のウェハ保持盤 |
| JPH10335439A (ja) * | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック |
| JP6711168B2 (ja) | 2016-06-23 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置装置及び基板載置方法 |
-
2019
- 2019-12-19 JP JP2019229424A patent/JP7432354B2/ja active Active
-
2020
- 2020-12-07 KR KR1020200169704A patent/KR20210079193A/ko active Search and Examination
- 2020-12-11 CN CN202011456717.9A patent/CN113013054A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313901A (ja) | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Komatsu Ltd | 静電チャック |
| WO2003052804A1 (fr) | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Nikon Corporation | Appareil porte-substrat, appareil d'exposition et procede de production d'un dispositif |
| JP2003309167A (ja) | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Canon Inc | 基板保持装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210079193A (ko) | 2021-06-29 |
| CN113013054A (zh) | 2021-06-22 |
| JP2021097192A (ja) | 2021-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4025030B2 (ja) | 基板の処理装置及び搬送アーム | |
| KR101590661B1 (ko) | 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 | |
| KR102503838B1 (ko) | 기판 가열 장치 | |
| JP6711168B2 (ja) | 基板載置装置及び基板載置方法 | |
| US10964564B2 (en) | Heating treatment apparatus and heating treatment method | |
| JP2009194242A (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
| JP6964005B2 (ja) | 熱処理装置、熱板の冷却方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| TW202135202A (zh) | 用於處理基板的方法與設備 | |
| JP3180048U (ja) | 熱処理装置 | |
| JP7432354B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR102050107B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리판의 냉각 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| JP7190977B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP7141318B2 (ja) | 加熱装置および加熱方法 | |
| JP3898895B2 (ja) | 加熱処理装置及び加熱処理方法 | |
| JP2014022497A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP2000114343A (ja) | 基板処理方法および基板搬送装置 | |
| JP3803487B2 (ja) | 基板冷却装置および基板冷却方法 | |
| JP5559736B2 (ja) | 基板加熱装置、これを備える塗布現像装置、及び基板加熱方法 | |
| TW202129741A (zh) | 冷卻裝置、冷卻方法及半導體封裝之製造方法 | |
| JP6211886B2 (ja) | 加熱処理方法及び加熱処理装置 | |
| JP4164256B2 (ja) | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 | |
| JP2885502B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4781165B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2010074185A (ja) | 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法 | |
| CN111048445B (zh) | 加热板冷却方法及基板处理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220920 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230928 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240109 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7432354 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |