CN113013054A - 热处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供热处理装置，其无论基板的翘曲的大小如何，都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。热处理装置，其对基板进行热处理，该热处理装置具有：热处理板，在其上表面载置基板，对被载置的该基板进行加热或冷却；以及变形自如的导热构件，至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高，且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆(W)之间，所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。

Description

热处理装置
技术领域
本公开涉及热处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开有如下加热装置，该加热装置具有：载置台，其设有加热板且用于载置基板；抽吸用构件，其用于对处于载置台的上方的基板的下表面进行抽吸而矫正基板的形状；以及升降机构，其使抽吸用构件升降。
专利文献1：日本特开2017-228696号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的技术提供一种热处理装置，该热处理装置无论基板的翘曲的大小如何，都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案是一种热处理装置，其对基板进行热处理，该热处理装置具有：热处理板，在其上表面载置基板，对被载置的该基板进行加热或冷却；以及变形自如的导热构件，至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高，且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆W之间，所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。
发明的效果
根据本公开，能够提供一种热处理装置，该热处理装置无论基板的翘曲的大小如何，都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的作为热处理装置的加热装置的结构的纵剖视图。
图2是热处理装置所具有的导热构件的俯视图。
图3是表示基板被载置于热板上时的导热构件的样子的侧视图。
图4是表示基板被载置于热板上时的导热构件的样子的侧视图。
图5是表示基板被载置于热板上时的导热构件的样子的侧视图。
图6是用于说明导热构件的另一例的侧视图。
图7是概略地表示导热构件的另一例的放大侧视图。
图8是用于说明加热装置的另一例的概略的图。
图9是概略地表示热板的另一例的图。
图10是用于说明加热装置的另一例的概略的图。
图11是用于说明辅助容器的配设位置的另一例的图。
图12是用于说明导热构件的另一例的图，示出本例的导热构件所应用的热板。
图13是用于说明导热构件的另一例的图，示出设于图12的热板上的状态的导热构件。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺的光刻法工序中，为了在半导体晶圆(以下，有时也称为“晶圆”)上形成期望的抗蚀图案而进行各种处理。在上述各种处理中包括：涂布抗蚀液而形成抗蚀膜的涂布处理、将抗蚀膜以规定的图案曝光的曝光处理、将显影液涂布于曝光了的抗蚀膜而进行显影的显影处理、用于对晶圆进行加热的加热处理、对加热后的晶圆进行冷却的冷却处理等。
在进行上述的加热处理、冷却处理这样的热处理时，若在晶圆产生翘曲，则由于载置晶圆并对该晶圆进行加热或冷却的热处理板与该晶圆之间的距离在晶圆面内存在偏差，因此，难以对晶圆进行在面内均匀的热处理。因此，进行以下处理：抽吸晶圆而在对其翘曲进行矫正的状态下使该晶圆吸附于热处理板。例如，在专利文献1中，在加热装置设置载置台和抽吸用构件，该载置台设有加热板且用于载置基板，该抽吸用构件用于对处于载置台的上方的基板的下表面进行抽吸而对基板的形状进行矫正。
然而，在3D NAND型的半导体器件等领域中，近年来，随着在晶圆上形成的膜逐渐变厚，晶圆的翘曲逐渐变大，例如成为数百μm以上。此外，可以预见的是将来形成在晶圆上的膜会变得更厚，晶圆的翘曲会变得更大。如此，在晶圆的翘曲较大时，在利用抽吸力对翘曲进行矫正的情况下，需要较强的抽吸力。
但是，根据翘曲的大小、翘曲的形态，有时即使增强抽吸力也无法完全矫正翘曲，此外，由于矫正翘曲所产生的应力，晶圆有可能破损。
因此，本公开的技术提供一种热处理装置，该热处理装置无论与基板的翘曲的大小、翘曲的形态如何，都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。
以下，参照附图对本实施方式的热处理装置的结构进行说明。另外，在本说明书中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记而省略重复说明。
图1是概略地表示本实施方式的作为热处理装置的加热装置1的结构的纵剖视图。图2是热处理装置所具有的导热构件的俯视图，示出该导热构件固定在热板上的状态。
例如，如图1所示，加热装置1具有壳体10。在壳体10的侧面形成有晶圆W的送入送出口(未图示)。
在壳体10内设有：盖体20，其位于上侧且上下移动自如；以及热板收纳部21，其位于下侧且与盖体20成为一体而形成处理室K。
盖体20呈下表面开口的大致筒形状，覆盖隔着后述的导热构件载置于后述的热板30上的晶圆W的上表面。在盖体20的上表面中央部设有排气部20a。处理室K内的气氛从排气部20a被排出。
热板收纳部21具备：环状的保持构件31，其收纳作为热处理板的热板30并保持热板30的外周部；以及筒状的支承环32，其包围该保持构件31的外周。
热板30在其上表面载置有晶圆W，并对被载置的该晶圆W进行加热。该热板30呈具有厚度的圆板形状，在其内部设有对热板30的上表面、即晶圆W的搭载面进行加热的加热器33，能够将热板30调整为设定温度。
此外，在壳体10内的热板30的下方设有作为基板支承构件的升降销40，该升降销40用于从下方支承晶圆W并使其升降。升降销40利用缸等升降驱动机构41升降自如。在热板30的中央部附近形成有在厚度方向上贯穿热板30的贯通孔30a，升降销40能够从热板30的下方上升并穿过贯通孔30a从而向热板30的上方突出。
此外，如图1所示，在加热装置1设有控制部60。控制部60例如是具备CPU、存储器等的计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有用于控制上述的加热器33、升降驱动机构41等驱动系统的动作而实现加热装置1的后述的晶圆处理的程序等。另外，上述程序既可以是存储到计算机能够读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质加载到控制部60的程序。
而且，在加热装置1，于热板30的上表面上设有导热构件50。
导热构件50是至少其外周面的热导率比热板30的上表面附近的气氛、即处理室K内的气氛的热导率高且变形自如的构件。导热构件50覆盖热板30的上表面且设为介于该热板30的上表面和晶圆W的下表面(背面)之间。也就是说，晶圆W隔着导热构件50被载置于热板30的上表面。此外，热板30的热隔着导热构件50向晶圆W传导。
如图2所示，导热构件50以覆盖热板30的大致整个上表面的方式形成为俯视时呈圆形。导热构件50的直径R大于晶圆W的直径，且小于热板30的直径，更具体地说，在晶圆W的直径为300mm，热板30的直径为320mm的情况下，导热构件50的直径R(mm)满足以下的条件(a)。
(a)300＜R＜320
此外，在导热构件50形成有多个(在本例中为三个)沿厚度方向贯穿的供升降销40插通的贯通孔50a。升降销40能够从热板30的下方上升，穿过贯通孔30a，然后穿过贯通孔50a，向导热构件50的上方突出。
导热构件50具有：介质，该介质在热板30的使用温度带中为液体且热导率比处理室K内的气氛的热导率高；和变形自如且中空的容器51，该容器51由热导率比上述气氛的热导率高的材料形成，容器51的内部由上述介质(液体)填充。由此，导热构件50如上述那样成为热导率高且变形自如。另外，填充于容器51的介质不仅热导率比处理室K内的气氛的热导率高，且每单位体积的热容量比处理室K内的气氛的每单位体积的热容量小。
容器51例如是由铝等热导率高的金属形成的袋状的密闭容器。容器51例如是由上述热导率高的金属的薄膜形成。此外，例如在热板30的设定温度为100℃～200℃的情况下，使用水银等作为被封入容器51的介质即液体。
如上所述，由于导热构件50变形自如，因此，在晶圆W隔着导热构件50被载置于热板30的上表面上时，在向热板30的上表面推压晶圆W的力的作用下，导热构件50变形，成为与晶圆W的背面的形状对应的形状。上述推压力例如由作用于晶圆W的重力产生。
在晶圆W未被载置于该导热构件50上且该导热构件50呈未变形的平板状的状态下，导热构件50的厚度是1mm～5mm。
此外，导热构件50固定于热板30，具体地说装卸自如地固定于热板30。例如，通过在导热构件50的容器51设置具有孔的肋，且使该肋与热板螺纹结合，能够使导热构件50装卸自如地固定于热板30。
另外，也可以是，在容器51的表面且是与贯通孔30a对应的位置设置管状的凸构件，使凸构件的外周面和贯通孔30a的内周面卡合。此时的管状的凸构件的内径形成为不阻碍升降销40的升降的程度的大小。如上所述，通过设置凸构件，容器51即导热构件50在载置于热板30的状态下，虽然相对于垂直方向没有固定，但在水平方向上成为固定状态。当在热板30的周缘部设置载置晶圆W时的引导构件的情况下，也可以使容器51的周缘的形状形成为与上述引导构件的位置、形状对应，使容器51即导热构件50在水平方向上成为固定状态。
而且，例如，无论导热构件50的变形的形态如何，都使该导热构件50的整个下表面以与热板30接触的方式固定。另外，也可以提高导热构件50的下表面的刚性。
接着，对使用加热装置1进行的晶圆处理进行说明。图3～图5是表示晶圆W被载置于热板30上时的导热构件50的样子的侧视图。
首先，经由设于壳体10的侧面的送入送出口(未图示)使保持着晶圆W的晶圆输送机构(未图示)向壳体10内插入。然后，将晶圆W向热板30的上方输送。接着，使升降销40上升并自热板30上的导热构件50的上表面突出预先设定的距离，而使晶圆W向该升降销40之上交接。另外，在向壳体10送入晶圆W前，将热板30预先加热至设定温度。
在向升降销40交接之后，晶圆输送机构自壳体10抽出，此外，盖体20下降而形成处理室K。并且，使升降销40下降，而使晶圆W向在上表面设有导热构件50的热板30上交接。
在交接至热板30的晶圆W未发生翘曲的情况下，如图3所示，导热构件50虽然在晶圆W的重量的作用下而稍微被压扁，但维持扁平的圆板形状，也就是说，维持沿着晶圆W的背面的形状。
此外，在晶圆W以向上方突出的方式翘曲的情况下，如图4所示，导热构件50在晶圆W的重量的作用下而变形为其周缘部被压扁且其中央部隆起。也就是说，导热构件50变形为其上表面沿着晶圆W的背面。
另一方面，在晶圆W以向下方突出的方式翘曲的情况下，如图5所示，导热构件50在晶圆W的重量的作用下而变形为其中央部被压扁且其周缘部隆起。也就是说，导热构件50在该情况下也变形为其上表面沿着晶圆W的背面。
虽然省略图示，但即使在沿着晶圆W呈复杂的形状的情况下(例如，即使在晶圆W为马鞍形状的情况下)，导热构件50也变形为其上表面沿着晶圆W的背面。
在向热板30上交接了晶圆W之后，在预先设定的时间内，晶圆W隔着导热构件50利用热板30进行加热。
之后，使盖体20上升并且使升降销40上升，然后，使晶圆输送机构向壳体10内插入。接着，使升降销40下降，将晶圆W向晶圆输送机构交接。然后，从壳体10抽出晶圆输送机构，而送出晶圆W。
如以上所述，在本实施方式中，对晶圆W进行加热处理的加热装置1具有：热板30，在该热板30的上表面载置晶圆W，并对被载置的晶圆进行加热；以及变形自如的导热构件50，至少其外周面的热导率比处理室K的气氛的热导率高，且该导热构件50设为覆盖热板30的上表面并介于该上表面和晶圆W之间。而且，导热构件50在向热板30的上表面推压晶圆W的力的作用下变形为与该晶圆W的形状对应的形状。具体地说，如使用图4和图5等进行了说明的那样，即使在晶圆W产生了翘曲，也由于作用于晶圆W的重力等，导热构件50变形，成为其上表面沿着晶圆W的背面的形状。这样，导热构件变形的情况与晶圆W的翘曲的大小、晶圆W的翘曲的形态有关。因而，无论晶圆W的翘曲的大小、形态如何，介于热板30和晶圆W之间且具有高热导率的导热构件50的上表面和晶圆W的背面之间的距离在晶圆面内大致相同。由此，无论晶圆W的翘曲的大小、形态如何，都能够在晶圆面内均匀地进行对该晶圆W的加热处理。本实施方式的技术在晶圆W的翘曲量较小的情况下也有用，但在晶圆W的翘曲量为500μm以上这样较大的情况下尤其有用。此外，本实施方式的技术在对如下的晶圆进行加热处理的情况下尤其有用，难以利用吸附进行矫正的具有向下方突出那样的形状的翘曲的晶圆、具有马鞍形状的翘曲的晶圆。
而且，本实施方式的技术是在热板30的上表面设置导热构件50的技术，由于不需要对热板进行改良，因此，也能够应用于已有的加热装置。
此外，本实施方式的技术不需要进行晶圆W的翘曲的矫正。因此，不会产生因矫正晶圆W的翘曲而使该晶圆W破损的情况。
此外，在本实施方式中，导热构件50装卸自如地固定于热板30。因而，容易对导热构件50、热板30等进行维护。
此外，在本实施方式中，填充在导热构件50的容器51的介质的每单位体积的热容量比处理室K内的气氛的每单位体积的热容量小。因而，在热板30的设定温度产生变更时，能够在变更后马上使导热构件50的温度与热板30的温度大致相等。
另外，在以上的例子中，使用了在热板30的使用温度带中为液体且热导率比处理室K的气氛的热导率高的介质作为填充于导热构件50的容器51内的介质，但不限于此。例如，上述介质也可以是在热板30的使用温度带中为气体且热导率比处理室K的气氛的热导率高的介质，具体地说也可以是氦气等。此外，上述介质也可以是在热板30的使用温度带中为粒状的固体且热导率比处理室K的气氛的热导率高的介质，具体地说，也可以是使用铝等金属材料而形成的直径1mm～10mm的粒子等。
而且，如图6所示，导热构件50也可以具有形状记忆功能，该形状记忆功能维持载置晶圆W而变形所得到的形状。由此，具有以下这样的效果。
晶圆W的形状在相同批次内不会产生太大变化。因此，例如，如果维持导热构件50的在载置相同批次内的第一张晶圆W时的形状，则由于在载置第二张以后的晶圆W之后马上使该晶圆W的背面和导热构件50的上表面的距离在面内成为均匀，因此，能够在晶圆面内更均匀地进行对该晶圆W的加热处理。
例如，通过使用上述的粒子作为向导热构件50的容器51内填充的介质，能够对导热构件50赋予形状记忆功能。
图7是概略地表示导热构件的另一例的放大侧视图。
图7的导热构件100具有多个自容器101的上表面即靠晶圆侧的面向上方突出的突起102。利用该结构，能够减少导热构件100和晶圆W的背面的接触面积。因而，能够抑制由导热构件100和晶圆W的接触而产生损伤。
另外，突起102的热导率也可以比容器101的热导率低，具体地说，也可以与处理室K的气氛的热导率同等。由此，能够防止仅晶圆W的与突起102接触的接触点的部分成为高温。
图8是用于说明加热装置的另一例的概略的图，仅示出主要部分。
图8的例子的结构能够应用于使用液体、气体作为向导热构件50的容器51填充的介质的情况，即，使用流体作为向导热构件50的容器51填充的介质的情况。
在图8的例子中，除了导热构件50以外，还具有辅助容器110和连通管111。
辅助容器110是由具有比导热构件50的容器51的柔软性高的柔软性的材料形成的易于变形的中空的构件。辅助容器110例如由树脂材料形成。另外，在附图的例子中，辅助容器110设有两个，但辅助容器110的数量既可以是一个也可以是三个以上。此外，辅助容器110设于比热板30靠下侧的位置。
连通管111是使各辅助容器110的内部和导热构件50的内部连通的构件。连通管111设为至少其一部分贯穿热板30。另外，配设连通管111的区域位于比贯通孔30a的形成区域靠径向外侧的位置。
而且，辅助容器110和连通管111的内部由上述的流体填充。
根据本例的结构，即使在晶圆W隔着导热构件50被载置于热板30上时导热构件50较大地变化而容器51内的体积减小，辅助容器110也会同时因晶圆W的重力而变形，其内部的体积增大。因而，能够利用辅助容器110吸收因晶圆W的载置自导热构件50的容器51内溢出的介质。
另外，在将晶圆W从热板30取下时，由于晶圆W的重力不再作用于辅助容器110，因此，该辅助容器110由于其弹力恢复为原来的形状，伴随于此，辅助容器110内的介质向导热构件50的容器51返回。
此外，根据本例的结构，在使用热膨胀率较高的流体作为向导热构件50的容器51填充的介质的情况下，能够利用易于变形的辅助容器110吸收与热膨胀对应的量的流体。此外，能够从易于变形的辅助容器110向导热构件50的容器51补充与热收缩对应的量的流体。
另外，在利用辅助容器110进行如上所述的与热膨胀对应的量的流体的吸收和与热收缩对应的量的流体的补充的情况下，在比热板30的使用温度带中的最低温度低的温度气氛下进行流体的向导热构件50、连通管111以及辅助容器110的填充。这是为了使上述吸收和补充在热板30的使用温度带中适当地进行。
图9是概略地表示热板的另一例的图，仅利用截面示出热板。
在例如上述的图8那样的结构中，在辅助容器110的形成材料的弹力较高时等，存在如下情况：仅在作用于晶圆W的重力的作用下，无法利用向热板30的上表面推压晶圆W的力将导热构件50变形为期望的形状。
在这样的情况下，如图9所示，在热板120设置用于对晶圆W进行抽吸的抽吸口121a为佳，以增大向热板120的上表面推压晶圆W的力。由此，能够可靠地使导热构件50变形为期望的形状。
在图9的例子中，抽吸口121a在供升降销40穿过的贯通孔30a开口，经由贯通孔30a对晶圆W进行抽吸。
此外，一端具有抽吸口121a的抽吸路121的另一端与排气管122的一端连接，排气管122的另一端与包括排气泵等的排气装置123连接。
另外，图9的例子的热板120也可以应用于除了具有上述的图8的辅助容器110的结构以外的结构，例如图1的结构。
图10是用于说明加热装置的另一例的概略的图，仅示出主要部分。
如上述的图8所示，在设有辅助容器110的情况下，也可以如图10所示，设置从外部对辅助容器110进行压缩的压缩机构130。利用压缩机构130，能够从辅助容器110向导热构件50的容器51供给流体。
压缩机构130具有：压缩容器131，其覆盖辅助容器110；气体供给管132，其一端与压缩容器131连接；以及气体供给源133，其与气体供给管132的另一端连接，经由该气体供给管132将非活性气体等气体向压缩容器131供给。
根据本例的结构，具有以下这样的效果。
存在如下情况：仅利用向热板120的上表面推压晶圆W的力，导热构件50不会充分地变形而在导热构件50的上表面和晶圆W的背面之间产生空气层，使导热构件50的上表面和晶圆W的背面之间的距离在面内变得不均匀。在该情况下，使用压缩机构130，从辅助容器110向导热构件50供给流体并使导热构件50变形，从而能够更可靠地使导热构件50的上表面和晶圆W的背面之间的距离在面内成为均匀。
图11是用于说明辅助容器的配设位置的另一例的图，仅示出主要部分。
在图8的例子中，辅助容器110设于比热板30靠下侧的位置，即设于比导热构件50靠下侧的位置，但辅助容器110的配设位置不限于此。例如，如图11所示，辅助容器110也可以设于热板30的处于导热构件50的侧方的上表面上。
图12和图13是用于说明导热构件的另一例的图，图12示出应用了本例的导热构件的热板，图13示出设于图12的热板上的状态的导热构件。
如图12所示，存在如下情况：热板30被划分为多个区域R1～R5，在各区域R1～R5单独内置有因供电而发热的加热器33，能够对每个区域R1～R5进行加热，而对每个区域R1～R5进行温度设定。
在该情况下，导热构件140以与热板30的多个区域R1～R5对应的方式被分割，在每个区域R1～R5具有分割体141，从而无论晶圆W的翘曲的大小如何，都能够在面内均匀地进行对该晶圆的加热处理。
以上，对具有用于加热晶圆的热板的加热装置进行了说明，但本公开的技术也能够适用于具有将用于冷却晶圆的冷却板作为热处理板的冷却装置。
应该认为此次所公开的实施方式在全部方面均是例示，而并非限制性的。上述的实施方式只要不脱离权利要求书及其主旨，就可以以各种形态进行省略、置换、变更。
另外，以下这样的结构也属于本公开的技术范围。
(1)一种热处理装置，其对基板进行热处理，
该热处理装置具有：
热处理板，在其上表面载置基板，对被载置的该基板进行加热或冷却；以及
变形自如的导热构件，至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高，且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆W之间，
所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。
根据所述(1)，无论与基板的翘曲的大小、形态如何，都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。
(2)根据所述(1)记载的热处理装置，所述导热构件具有维持变形后的形状的形状记忆功能。
(3)根据所述(1)或(2)记载的热处理装置，所述导热构件具有：
介质，其在所述热处理板的使用温度带中为液体，该介质的热导率比所述气氛的热导率高；以及
变形自如且中空的容器，其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成，
所述容器的内部由所述介质填充。
(4)根据所述(1)或(2)记载的热处理装置，所述导热构件具有：
介质，其在所述热处理板的使用温度带中为气体，该介质的热导率比所述气氛的热导率高；以及
变形自如且中空的容器，其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成，
所述容器的内部由所述介质填充。
(5)根据所述(3)或(4)记载的热处理装置，该热处理装置具有：
中空的辅助容器，其由具有比所述导热构件的容器的柔软性高的柔软性的材料形成；以及
连通管，其使所述导热构件的容器和所述辅助容器连通，
所述辅助容器和所述连通管的内部由所述介质填充。
(6)根据所述(1)或(2)记载的热处理装置，所述导热构件具有：
介质，其在所述热处理板的使用温度带中为粒状的固体，该介质的热导率比所述气氛的热导率高；以及
变形自如且中空的容器，其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成，
所述容器的内部由所述介质填充。
(7)根据所述(3)～(6)中任一项记载的热处理装置，所述容器由铝形成。
(8)根据所述(1)～(7)中任一项记载的热处理装置，所述导热构件具有多个从所述上表面向上方突出的突起。
(9)根据所述(1)～(8)中任一项记载的热处理装置，所述导热构件装卸自如地设于所述热处理板的上表面。
(10)根据所述(1)～(9)中任一项记载的热处理装置，所述导热构件具有供用于支承基板的基板支承构件插通的贯通孔。
(11)根据所述(1)～(10)中任一项记载的热处理装置，所述热处理板被划分为多个区域，能够在每个该区域进行温度设定，
所述导热构件以与所述热处理板的所述多个区域对应的方式被分割。
(12)根据所述(1)～(11)中任一项记载的热处理装置，所述热处理板具有对该基板进行抽吸的抽吸口，以增大向该热处理板的上表面推压基板的力。

Claims (12)

1.一种热处理装置，其对基板进行热处理，其中，
该热处理装置具有：
热处理板，在其上表面载置基板，对被载置的该基板进行加热或冷却；以及
变形自如的导热构件，至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高，且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆(W)之间，
所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中，
所述导热构件具有维持变形后的形状的形状记忆功能。
3.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述导热构件具有：
介质，其在所述热处理板的使用温度带中为液体，该介质的热导率比所述气氛的热导率高；以及
变形自如且中空的容器，其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成，
所述容器的内部由所述介质填充。
4.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述导热构件具有：
介质，其在所述热处理板的使用温度带中为气体，该介质的热导率比所述气氛的热导率高；以及
变形自如且中空的容器，其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成，
所述容器的内部由所述介质填充。
5.根据权利要求3所述的热处理装置，其中，
该热处理装置具有：
中空的辅助容器，其由具有比所述导热构件的容器的柔软性高的柔软性的材料形成；以及
连通管，其使所述导热构件的容器和所述辅助容器连通，
所述辅助容器和所述连通管的内部由所述介质填充。
6.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述导热构件具有：
介质，其在所述热处理板的使用温度带中为粒状的固体，该介质的热导率比所述气氛的热导率高；以及
变形自如且中空的容器，其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成，
所述容器的内部由所述介质填充。
7.根据权利要求3所述的热处理装置，其中，
所述容器由铝形成。
8.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述导热构件具有多个从所述上表面向上方突出的突起。
9.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述导热构件装卸自如地设于所述热处理板的上表面。
10.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述导热构件具有供用于支承基板的基板支承构件插通的贯通孔。
11.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述热处理板被划分为多个区域，能够在每个该区域进行温度设定，
所述导热构件以与所述热处理板的所述多个区域对应的方式被分割。
12.根据权利要求1或2所述的热处理装置，其中，
所述热处理板具有对该基板进行抽吸的抽吸口，以增大向该热处理板的上表面推压基板的力。
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