JP2003309167A

JP2003309167A - 基板保持装置

Info

Publication number: JP2003309167A
Application number: JP2002113344A
Authority: JP
Inventors: Katsunori Oya; 克典大矢; Hiroto Yamaguchi; 裕人山口; Atsushi Koike; 淳小池; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-04-16
Filing date: 2002-04-16
Publication date: 2003-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の導電性または絶縁性を問わず、基板に
対して大きな冷却効果が得られる基板保持装置を提供す
る。【解決手段】真空雰囲気中で被処理物である基板２を
保持する基板保持装置であって、基板２を冷却するため
の冷却板４と、冷却板４上に配置され、基板２が搭載さ
れるフィルム３と、冷却板４とフィルム３との間に形成
される密封空間５に冷却媒体である気体８を密封するシ
ール手段とを有する構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、イオン注
入装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、
電子ビーム照射装置などにおいて、真空中またはその他
の雰囲気中でイオンビーム、プラズマ、電子ビーム等の
エネルギーを有する粒子が照射される基板を保持するた
めに用いられる基板保持装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板、液晶ディスプレイ用ガラス
基板等の基板表面にイオン注入、エッチング等の処理を
する際、基板に照射されるイオンビームやプラズマ等の
エネルギーによる基板の温度上昇を抑えるために、冷却
板を備えた基板保持装置が提案されている。

【０００３】従来の基板保持装置には、基板を搭載する
ための面を有する、熱伝導率の高い材質である金属によ
る冷却板を備えたものが知られている。この基板保持装
置に備えた冷却板上に基板を載せて上記処理を行うと、
基板から冷却板へこれらの接触面を介して熱が伝達し、
基板の温度上昇を抑制することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した基板
保持装置では、基板および冷却板が互いに変形しにくい
剛体であるため、微視的に見ると基板と冷却板とが点接
触になっており、基板と冷却板との接触面積が小さく、
基板を十分に冷却することができないという問題があっ
た。

【０００５】さらに、基板が熱処理により熱変形する
と、基板と冷却板との間に隙間ができて上記接触面積が
極端に小さくなり、真空中で上述した処理が行われた場
合に基板と冷却板との接触熱伝達が著しく損なわれると
いう問題があった。

【０００６】このような問題に対処するため、従来の基
板保持装置では、基板と冷却板との間にゴム状弾性体を
挟むことで基板と冷却板との接触面積を大きくする方法
が提案されている。なお、このゴム状弾性体には、基板
の裏面で硬化する硬化性シリコンゴムやシート状のシリ
コンゴムなどが使用される。

【０００７】しかし、前者の硬化性シリコンゴムは長期
間高い熱伝導率特性を維持するが、基板裏面の凹凸に応
じて変形して固まるため、繰り返しの使用ができないと
いう問題がある。また、後者のシート状のシリコンゴム
は上記接触面積を増やすために柔らかいシリコンゴムが
用いられ、その結果基板の変形を吸収するために厚いシ
ートが必要とされるため、かえって冷却効果が悪化する
という問題がある。

【０００８】また、上記接触面積を大きくするための別
の基板保持装置として、基板を静電力により冷却板に吸
着させる静電チャックが提案され実施されている。この
静電チャックを用いた装置では、基板裏面を冷却板表面
に形成された誘電体膜に吸着させるため上記接触面積が
大きくなり、十分な冷却効果が得られる。

【０００９】しかし、基板は誘電体膜に蓄えられた電荷
と基板裏面近傍で分極した電荷との静電力によって誘電
体膜に吸着しているため、基板を冷却板から引き剥がす
際に、誘電体膜に蓄えられた電荷を取り除くための時間
が長くかかり、イオン注入、エッチング等の装置の処理
能力が低下するという弊害が生じる。また、基板がＳｉ
ウェハのように導電性を有するものであれば上記静電力
による吸着力が発生するが、ガラスのように絶縁性を有
するものであると静電力が生じないため、基板を誘電体
膜に吸着できないという問題が生じる。

【００１０】したがって、従来の基板保持装置では基板
と冷却板との間の接触面積が小さいため十分な冷却効果
を得られないという課題があり、また、この課題を解決
しようとすると別の問題が新たに発生する。

【００１１】本発明は上記従来技術の課題を解決するた
めになされたものであり、基板の導電性または絶縁性を
問わず、基板に対して大きな冷却効果が得られる基板保
持装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の基板保持装置は、真空雰囲気中で被処理物で
ある基板を保持する基板保持装置であって、前記基板を
冷却するための冷却板と、前記冷却板上に配置され、前
記基板が搭載されるフィルムと、前記冷却板と前記フィ
ルムとの間に形成される密封空間に冷却媒体である気体
を密封するシール手段と、を有する構成である。

【００１３】この場合、気体の圧力は密封空間内で粘性
流となる範囲であってもよい。

【００１４】また、冷却板とフィルムとの間の距離は
０．５ｍｍ以下であってもよく、フィルムは金属であっ
てもよい。

【００１５】上記いずれにおいても、基板をフィルム上
に圧接する、前記基板の外周形状に対応した枠状の基板
押えを有する構成であってもよく、基板をフィルム上に
圧接する、格子状の基板押えを有する構成であってもよ
い。

【００１６】（作用）本発明の基板保持装置は、冷却板
とフィルムとの間に形成される密封空間に冷却媒体であ
る気体が密封され、さらにフィルムに基板が搭載されて
いるため、基板の熱がフィルムおよび気体を介して冷却
板に伝達し、基板の冷却効果が得られる。また、真空雰
囲気と気体との差圧によりフィルムが膨張するため、フ
ィルムと基板との接触面積が大きくなる。

【００１７】また、本発明の基板保持装置は、冷却媒体
となる気体の圧力が密封空間内で粘性流となる範囲であ
るため、気体が連続的な媒質としての性質を持ち、気体
が熱をより伝達しやすい媒体となる。

【００１８】特に、密封空間内の気体の圧力を粘性流と
なる範囲とすることで、その圧力により冷却板とフィル
ムとの間の距離が大きくなるが、この距離を０．５ｍｍ
以下に抑えることで、距離の増大による熱伝達効率の低
下を防止する。

【００１９】また、本発明の基板保持装置は、フィルム
が熱伝導率の高い材質である金属であるため、基板と密
封空間との間の熱伝達効率が向上する。

【００２０】また、本発明の基板保持装置は、基板の外
周形状に対応した枠状の基板押えを有し、この基板押え
が基板をフィルム上に圧接するので、フィルムが膨張す
るとフィルムが基板に十分に接触する。

【００２１】さらに、本発明の基板保持装置は、基板を
フィルム上に圧接する格子状の基板押えを有するので、
フィルムが膨張すると基板のたわみ量を抑制する。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明による基板保持装置は、基
板と冷却板との間にフィルムを介在させ、そのフィルム
を基板裏面に押し付けることにより大きな接触面積が得
られることを特徴とする。

【００２３】まず、本発明の基板保持装置について図面
を用いて詳細に説明する。

【００２４】図１は、本発明の基板保持装置の一実施例
を示す断面図である。

【００２５】図１に示すように、基板保持装置１は、基
板２を搭載する面を有するフィルム３と、基板２の温度
上昇を抑制するための冷却板４と、基板２をフィルム３
上に圧接する基板押え９と、フィルム３と冷却板４との
間に形成される密封空間５と、密封空間５の内部を真空
排気するための排気手段６と、密封空間５に気体８を導
入するための気体導入手段７とを有する構成である。

【００２６】冷却板４は内部に冷却水１１を流すための
配管を備えており、冷却板４の表面温度は冷却水１１に
より常温に保持されている。

【００２７】密封空間５の周囲に位置する冷却板周辺部
４ａ表面には溝部４ｂが設けられ、この溝部４ｂにはフ
ィルム３と冷却板周辺部４ａとにより図の上下方向から
挟まれるＯ−リング１０を備えている。フィルム３と冷
却板４との間に形成される密封空間５は、その周囲を枠
部１３がフィルム３を冷却板４に押し付けて上記Ｏ−リ
ング１０でシールすることにより気密が維持される。な
お、密封空間５の気密を維持するためのシール手段とし
て、ここではフィルム３と冷却板周辺部４ａとの間にO
−リング１０を挟み枠部１３がフィルム３を押し付ける
構成を示しているが、密封空間５の周囲でフィルム３と
冷却板周辺部４ａとを、例えば、接着、融着、溶接し
て、固着した構成にしてもよい。

【００２８】また、図１ではフィルム３の上から枠部１
３が組み付けられる構成を示しているが、密封空間５は
フィルム３裏面と冷却板４との間に形成されればよいの
で、塊状の材料からフィルム３および枠部１３が残るよ
うにフィルム３と枠部１３とを一体部品に加工し、加工
した一体部品と図に示した冷却板４とをO−リング１０
を間に挟んで組み立てて密封空間５が形成されるように
してもよい。密封空間５を形成するためのフィルム３と
冷却板４との組み立て方法については特に制限はない。

【００２９】さらに、図１では冷却板４の表面に設けら
れた凹部に密封空間５が形成される構成を示している
が、表面が平坦な冷却板４上にフィルム３が組み付けら
れる構成にしても、冷却板４とフィルム３との間に生じ
るすき間を排気手段６で真空排気可能に、かつ、このす
き間に気体導入手段７で気体８を導入可能に構成されて
いればよい。

【００３０】密封空間５に封入する気体８は熱伝導率の
高い気体が好適であり、例えば、ヘリウムが利用可能で
ある。また、密封空間５に封入する気体８の圧力は、密
封空間５の気体が連続的な媒質としての性質を持つ粘性
流であることを維持し、かつフィルム３を基板２裏面に
十分に押し付けることを維持する程度でよい。なお、密
封空間５に封入した気体８を粘性流に維持するのは、粘
性流である気体８が熱をより伝達しやすい媒体となり、
密封空間５内の気体８に十分な熱伝達効率が得られるか
らである。

【００３１】ここで、密封空間５に封入した気体８が粘
性流になるかどうかはフィルム３と冷却板４との間の距
離であるギャップ、および気体８の圧力に依存し、密封
空間５内の気体８が粘性流であるためには、上記ギャッ
プが小さくなるほど気体８の圧力を高くしなければなら
ない。気体８がヘリウムの場合、その圧力が2660Pa程度
あれば十分である。また、気体８を冷却媒体として熱伝
達効率を向上させるためには上記ギャップは小さいほど
よく、0.5mm以下であれば上記ギャップの増大による熱
伝達効率の低下を防止し、十分な熱伝達効率が得られ
る。

【００３２】なお、上記ギャップは、フィルム３および
基板２のたわみで表わされるため、フィルム３および基
板２についての強度、大きさ、厚みからなる機械的特性
と、密封空間５内の気体８の圧力とに依存する。したが
って、基板２を搭載した基板保持装置１を真空容器に設
置して真空容器内を減圧すると、密封空間５に封入され
た気体８が、真空容器内との圧力差によりフィルム３お
よび基板２をたわませる。密封空間５はフィルム３の周
囲で上述したシール手段により密封されており、たわみ
量は周囲固定のフィルム３に対する気体８の圧力と真空
容器内圧力との圧力差による等分布荷重により計算され
る。したがって、上記圧力差が大きいほどたわみ量は増
加する。

【００３３】上記圧力差による基板２裏面へのフィルム
３の押し付け力は5000Pa程度が好適であり、基板２とフ
ィルム３との十分な接触により十分な熱伝達が得られ
る。なお、この押し付け力は基板２のたわみ量で計算さ
れる。

【００３４】本発明においては、密封空間５内の気体８
が粘性流であるためには、密封空間５に封入する気体８
の圧力は5000Paより大きい値に設定すればよい。また、
ギャップ間での十分な熱伝達効率を得るためには、最大
たわみ量が0.5mm以下になるように設定すればよい。さ
らに、基板２裏面とフィルム３とに十分な接触を得るた
めには、基板２裏面へのフィルム３の押し付け力が5000
Paより大きくなるように設定すればよい。

【００３５】また、たわみ量はフィルム３および基板２
の上記機械的特性に依存するため、基板２の機械的特性
にあわせてフィルム３の材質、厚みを変更し、気体８の
圧力の設定とは別にたわみ量を制御することが可能であ
る。

【００３６】フィルム３の材質はフッ素樹脂やポリイミ
ドなどからなる樹脂フィルムでもよいが、金属フィルム
の方が熱伝導率、機械的強度および耐熱性が高いので好
適である。金属フィルムは、樹脂フィルムと比べて、熱
伝導率が高いのでフィルムの熱伝達効率を向上させ、機
械的強度および耐熱性が高いので耐久性に優れている。
また、フィルム３の表面性状は基板２との接触面積を増
やすため滑らかな方が好適である。

【００３７】次に、基板押え９の構成について説明す
る。

【００３８】図１には基板押え９の一実施例の断面構造
が示されている。図に示す基板押え９は、その平面形状
が基板２の外周形状に対応した枠状のものである。図に
示す基板押え９に基板２をフィルム３上に圧接させるこ
とにより、フィルム３が膨張したときフィルム３が基板
２裏面に十分に接触し、基板２とフィルム３との間に十
分な熱伝達効率が得られる。また、基板押えは、基板２
を圧接する格子状のものも好適である。この格子状の基
板押えに基板２をフィルム３上に圧接させることによ
り、フィルム３が膨張したとき基板押えが基板２のたわ
み量を抑制し、密封空間５内の気体８を媒体とする熱伝
達効率の低下が防げる。なお、中央付近に穴部を有する
ドーナッツ状の基板に対しては、穴部および外周の形状
に対応した枠状の基板押えも好適である。

【００３９】また、基板押え９も基板２と同様にイオン
またはプラズマ等が照射されるため、基板押え９の温度
が上昇する。温度上昇した基板押え９から熱を枠部１３
を介して冷却板４に伝達させるためには、基板押え９も
熱伝導率の高い材質、例えば、アルミニウムなどの金属
が好適である。さらに、基板２の破損を防ぐため基板２
を押える面に伝熱性の高い樹脂シートを設けることも好
適である。

【００４０】なお、被処理物である基板２の材質は、絶
縁性のガラス、ポリカーボネート等の樹脂、ＳｉやＧａ
Ａｓ等の半導体等である。

【００４１】また、基板２に対する処理には、例えば、
イオン注入、イオンドーピング、イオンビーム照射、プ
ラズマエッチング、スパッタエッチング、イオンビーム
エッチング、電子ビーム照射などがある。その際のイオ
ンおよびプラズマの種類に特に制限はない。

【００４２】次に、上記構成による基板保持装置１の作
用について説明する。なお、以下においては、基板保持
装置１をイオン注入やエッチング等の処理のための基板
処理装置に設置した場合について説明する。

【００４３】図２は、本発明の基板保持装置１を設置し
た基板処理装置の要部構成を示す断面図である。

【００４４】基板処理装置は、基板２を処理するための
真空容器１４に、本発明の基板保持装置１と、基板２に
照射するイオンビームやプラズマ等を発生するためのイ
オン源１５とを備えた構成である。

【００４５】減圧した真空容器１４内では、フィルム３
は密封空間５に封入された気体８の圧力により膨張す
る。基板押え９が基板２の外周形状に対応して枠状に基
板２をフィルム３に押し付けているため、膨張したフィ
ルム３が基板裏面に密着し、フィルム３と基板裏面とに
大きな接触面積が得られる。

【００４６】イオン源１５で発生させたイオンビームや
プラズマ等を基板２の表面に照射する処理により基板２
の温度が上昇すると、基板２の熱がフィルム３および気
体８を介して冷却板４に伝達する。

【００４７】本発明の基板保持装置によれば、膨張した
フィルム３が基板裏面に密着して大きな接触面積が得ら
れるため、フィルム３および冷却板４の高い熱伝達効率
を維持でき、基板の効率的な冷却効果が得られる。

【００４８】また、フィルム３の厚み、および気体８の
圧力を基板２の機械的特性に合わせて制御することによ
り、フィルム３と冷却板４とが形成するギャップが所定
の距離以下に保たれ、気体８を媒体にして効率的な熱伝
達が可能であり、かつ基板の効率的な冷却が可能であ
る。

【００４９】なお、図１に示した基板保持装置１では冷
却板４が真空容器１４に固定される構成であるが、真空
容器１４への取付けおよび真空容器１４からの取外しが
可能な構成の基板保持装置１も好適である。

【００５０】図３は、真空容器１４への取付けおよび真
空容器１４からの取外しが可能な基板保持装置１の構成
を示す断面図である。

【００５１】図１に示した構成の場合、密封空間内を排
気手段６により真空排気した後、密封空間５に気体導入
手段７により気体８を所定の圧力まで導入すればよい
が、図３に示す構成の場合では、気体８を密封空間５に
導入した後、図に示す導入バルブ１２ｂを閉めて密封空
間５に気体８を密封し、図３に示さない排気手段および
気体導入手段を取り外すようにしている。この図３の構
成により基板２を搭載した基板保持装置１自体の搬送を
可能としている。

【００５２】また、図１に示した冷却水１１などの冷却
手段を冷却板４側に設ける代わりに真空容器１４側に備
え、真空容器１４の基板保持装置１の取付け位置を上記
冷却手段を用いて常温に保持するようにしてもよい。こ
の場合、図に示す基板保持装置１を搬送して基板処理装
置の真空容器１４に取付けることにより、基板保持装置
１に備えた冷却板４を常温に保持することができる。ま
た、基板保持装置１の取付け位置に熱伝導率の高いゴム
状弾性体を貼り付けて、熱伝達効率を上げるのも好適で
あり、その際の冷却板４の冷却手段に特に制限はない。
また、冷却板４の材質は熱伝導率の高い金属を使用する
のが好適である。

【００５３】

【実施例】次に、本発明の基板保持装置１の実施例につ
いて説明する。以下では、本発明の基板保持装置１を図
２に示した基板処理装置に設置し、基板に表面処理をし
た場合を例にして説明する。

【００５４】（実施例１）実施例１では、図１に示した
基板保持装置１を適用した適用事例１と、この適用事例
１の効果を確認するための比較例１とにおいて、基板温
度を測定したので、その結果について検討する。

【００５５】まず、適用事例１の条件について説明す
る。適用事例１は、図１に示した基板保持装置１を用
い、図２に示したような構成で基板２に表面処理を施す
例である。基板２表面に施す処理はイオンビーム照射で
あり、このときの条件は以下の通りである。基板２：材質コーニング社製ガラス7059 寸法 300mm×300mm×1.1mm 基板２表面アルミニウム膜1μｍフィルム３：材質アルミニウム寸法 340mm×340mm×0.1mm 冷却板４：材質アルミニウム導入気体８：ヘリウム密封空間５圧力：7500Pa 冷却板温度：常温イオンビーム：アルゴン基板２への投入パワー：0.5W/cm² 基板温度測定：基板２裏面に熱電対を接触させ計測次に、比較例１の条件について説明する。比較例１の条
件は上述した適用事例１の条件のうち導入気体８および
密封空間５圧力を除いて他は同じなため、導入気体８お
よび密封空間５圧力の条件についてのみ以下に示す。導
入気体８：なし密封空間５圧力：100Pa次に、基板温度
測定結果について、適用事例１と比較例１とを比較す
る。

【００５６】図４は、適用事例１と比較例１の基板温度
測定結果を示すグラフである。図に示すように適用事例
１では飽和基板温度が100℃以下であった。また、比較
例１では飽和基板温度が200℃近くとなった。

【００５７】適用事例１に対し、比較例１では密封空間
５にヘリウムを封入しておらず、密封空間５は真空容器
１４内の圧力に近い圧力である。したがって、比較例１
では、基板２に対してフィルム３の押し付け力がないの
で、基板２とフィルム３との接触面積が小さく、かつフ
ィルム３と冷却板４との間に冷却媒体となるヘリウムが
ないため、基板２と冷却板４との熱伝達効率が悪く基板
温度が上昇した。

【００５８】これに対して、本発明の基板保持装置１を
適用した適用事例１では、基板２に対してフィルム３が
冷却媒体となるヘリウムの圧力により押し付けられ、か
つフィルム３と冷却板４とのギャップがヘリウムの効率
的な熱伝達が可能な距離であるため、基板温度の上昇を
抑えられた。

【００５９】（実施例２）実施例２では、図３に示した
基板保持装置１を適用した適用事例２と、この適用事例
２の効果を確認するための比較例２とにおいて、基板温
度を測定したので、その結果について検討する。

【００６０】まず、適用事例２の条件について説明す
る。適用事例２は、図３に示した基板保持装置１を用
い、図２に示したような構成で基板２に表面処理を施す
例である。基板２表面に施す処理はイオンビーム照射で
あり、このときの条件は適用事例１と同様の条件であ
る。

【００６１】次に、比較例２の条件について説明する。
比較例２は、図３に示した基板保持装置１で、図２に示
したような構成で基板２に表面処理を施し、このときの
条件は比較例１と同様の条件である。

【００６２】次に、基板温度測定結果について、適用事
例２と比較例２とを比較する。

【００６３】図５は、適用事例２と比較例２の基板温度
測定結果を示すグラフである。図に示すように適用事例
２では飽和基板温度が100℃以下であった。また、比較
例２では飽和基板温度が200℃程度となった。

【００６４】適用事例２に対し、比較例２では密封空間
５にヘリウムを封入しておらず、密封空間５は真空容器
１４の圧力に近い圧力である。したがって、比較例２で
は基板２に対してフィルム３の押し付け力がないので、
基板２とフィルム３との接触面積が小さく、かつフィル
ム３と冷却板４との間に冷却媒体となるヘリウムがない
ため、基板２と冷却板４との熱伝達効率が悪く基板温度
が上昇した。

【００６５】これに対して、本発明の基板保持装置１を
適用した適用事例２では基板２に対してフィルム３が冷
却媒体となるヘリウムの圧力により押し付けられ、かつ
フィルム３と冷却板４とのギャップがヘリウムの効率的
な熱伝達が可能な距離であるため、基板温度の上昇を抑
えられた。

【００６６】また、図３に示した基板保持装置１が、真
空容器１４への取付けおよび真空容器１４からの取外し
が可能な構成であるため、基板保持装置１自体の搬送を
可能とし、搬送工程を含めた基板処理工程の処理能力の
向上が可能である。

【００６７】なお、上記適用事例２において、フィルム
３の厚みと密封空間５の圧力とを変化させ、他の条件は
変えずに基板温度を測定したので、その結果について以
下に説明する。

【００６８】図６は、適用事例２において、フィルム３
の厚みと密封空間５の圧力とを変化させたときの飽和基
板温度測定結果を示す表である。

【００６９】図６に示すようにフィルム３の厚みと密封
空間５の圧力とを変化させることにより、基板温度は変
化し、適用事例２の構成ではフィルム３の厚みは0.05〜
0.1mm程度でよく、さらに気体８の圧力は7500Pa程度が
適当である。

【００７０】なお、上述したように基板の機械的特性に
よってフィルム３の厚みおよび気体８の圧力は最大たわ
み量の計算により適宜設定されるため、本発明は本適用
事例の数値に限定されるものではない。

【００７１】

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。

【００７２】本発明の基板保持装置は、冷却板とフィル
ムとの間に形成される密封空間に冷却媒体である気体が
密封され、さらにフィルムに基板が搭載されているた
め、基板の熱がフィルムおよび気体を介して冷却板に伝
達し、基板への冷却効果が得られる。また、真空雰囲気
と気体との差圧によりフィルムが膨張するため、フィル
ムと基板との接触面積が大きくなり、基板とフィルムと
の間の熱伝達効率が向上する。

【００７３】したがって、本発明においては、静電チャ
ックまたはゴム状弾性体を必要とすることなく基板から
冷却板への熱伝達効率が高く、効率的な基板の冷却が可
能である。また、基板は導電性、絶縁性を問わず冷却可
能である。この結果として、イオン注入装置、スパッタ
リング装置、ドライエッチング装置、電子ビーム照射装
置などのように、真空中またはその他の雰囲気中で基板
にイオンビーム、プラズマ、電子ビーム等のエネルギー
を有する粒子を照射する場合において、基板の温度上昇
を抑えながら基板処理可能な基板保持装置を提供でき
る。

【００７４】さらに、本発明の基板保持装置自体が、真
空容器への取付けおよび真空容器からの取外しが可能な
構成であるため、基板保持装置を搬送工程に容易に取り
込め、基板処理工程の処理能力の向上が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板保持装置の一実施例を示す断面図
である。

【図２】本発明の基板保持装置を設置した基板処理装置
の要部構成を示す断面図である。

【図３】真空容器への取付けおよび真空容器からの取外
しが可能な本発明の基板保持装置の形態を示す断面図で
ある。

【図４】本発明において基板温度の上昇を抑制した適用
事例１の測定結果を示すグラフである。

【図５】本発明において基板温度の上昇を抑制した適用
事例２の測定結果を示すグラフである。

【図６】本発明においてフィルムの厚みおよび密封空間
の圧力を変化させたときの基板温度測定結果を示す表で
ある。

【符号の説明】

１基板保持装置２基板３フィルム４冷却板４ａ冷却板周辺部４ｂ溝部５密封空間６排気手段７気体導入手段８気体９基板押え１０ O−リング１１冷却水１２ａ排気バルブ１２ｂ導入バルブ１３枠部１４真空容器１５イオン源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小池淳東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者金井正博東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA06 AA09 AA24 CA05 CA10 JA01 JA06 5F031 CA02 CA04 CA05 HA02 HA03 HA23 HA38 MA31 MA32 PA13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空雰囲気中で被処理物である基板を保
持する基板保持装置であって、前記基板を冷却するための冷却板と、前記冷却板上に配置され、前記基板が搭載されるフィル
ムと、前記冷却板と前記フィルムとの間に形成される密封空間
に冷却媒体である気体を密封するシール手段と、を有す
ることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】気体の圧力は、密封空間内で粘性流となる範囲であることを特徴とする
請求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】冷却板とフィルムとの間の距離は、０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の
基板保持装置。
【請求項４】フィルムは、金属であることを特徴とする請求項１ないし請求項３の
いずれか１項記載の基板保持装置。
【請求項５】基板をフィルム上に圧接する、前記基板
の外周形状に対応した枠状の基板押えを有することを特
徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載の
基板保持装置。
【請求項６】基板をフィルム上に圧接する、格子状の
基板押えを有することを特徴とする請求項１ないし請求
項４のいずれか１項記載の基板保持装置。