KR101910670B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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준 야마와쿠
치쇼 고시미즈
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 링 부재의 온도를 제어함으로써 기판 이면에의 퇴적물의 부착량을 억제하는 것에 관한 것이다.
용량 결합형 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 배치대(3)의 기판 배치 영역(32)을 둘러싸도록 상기 배치대(3) 상에 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 포커스 링(5)을 설치한다. 또한, 상기 배치대(3)의 상면과 상기 포커스 링(5)의 하면 사이에, 포커스 링(5)을 따라 링형의 절연 부재(6)를 설치하고, 이 절연 부재(6)에 대하여 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 인접하는 위치에 있어서, 상기 배치대(3)의 상면과 상기 포커스 링(5)의 하면 사이에, 이들 상면 및 하면에 밀착되도록 전열 부재(7)를 설치한다. 플라즈마 처리 시에, 포커스 링(5)의 열은 전열 부재(7)를 통해 배치대(3)에 전달되기 때문에, 포커스 링(5)이 냉각되고, 웨이퍼(W)의 이면에의 퇴적물의 부착량을 저감할 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 FPD(Flat Panel Display)용 유리 기판 등의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 하는 기술에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼나 FPD 제조용 유리 기판 등의 반도체 기판의 제조 공정에 있어서는, 기판에 에칭 처리나 성막 처리 등의 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 공정이 있다. 이들 공정을 수행하는 플라즈마 처리 장치에서는, 진공 챔버 내의 배치대에 기판을 배치하고, 이 배치대의 상측 공간에서 처리 가스를 플라즈마화하여, 상기 기판에 대해 플라즈마 처리가 행해진다. 또한, 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이, 배치대(11) 상의 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)(이하,「웨이퍼(W)」라고 함)의 주위에는, 웨이퍼(W) 상에 플라즈마를 가두고 웨이퍼(W) 면 내의 바이어스 전위의 불연속성을 완화하여 면 내에서 균일한 처리를 하기 위해서, 예컨대 실리콘 등의 도전성 부재로 이루어지는 환상의 포커스 링(12)이 설치된다.
상기 배치대(11)에는 도시하지 않은 온도 조절 유로가 설치되고, 플라즈마로부터의 흡열과 배치대(11) 측으로의 방열의 밸런스에 의해, 웨이퍼(W)가 소정 온도로 조정된 상태에서 플라즈마 처리가 행해진다. 한편, 포커스 링(12)은 열적으로 들떠 있는 상태에서 플라즈마에 노출되기 때문에, 웨이퍼(W)보다 온도가 높은 상태가 된다. 그런데, 라디칼 종이나 반응 부(副)생성물은 저온의 부위에 부착되어 폴리머(퇴적물)를 형성하지만, 전술한 바와 같이, 포커스 링(12)보다 웨이퍼(W) 쪽이 저온이기 때문에, 웨이퍼(W)의 엣지부에 폴리머(13)가 형성되기 쉽다. 이 폴리머(13)는 플라즈마 이온에 의한 스퍼터에 의해서 제거되지만, 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 폴리머(13)에는 플라즈마가 조사되지 않아, 상기 스퍼터에 의한 제거는 기대할 수 없다.
상기 폴리머를 제거하는 수법으로서, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에, 포커스 링의 아래에 절연물을 삽입함으로써 웨이퍼(W)와 포커스 링 간의 전위차를 제어하는 구성이 제안되어 있다. 이 구성에서는, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 절연물(14)에 의해 웨이퍼(W)와 포커스 링(12) 간의 전위차를 조정하고, 입사되는 플라즈마 이온의 궤도를 변경하여 웨이퍼(W) 이면에 플라즈마 이온을 유도하며, 이렇게 해서 상기 폴리머(13)를 스퍼터에 의해 제거하고 있다.
이들 구성에 따르면, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된 폴리머를 제거할 수는 있지만, 포커스 링(12)의 온도를 제어할 수는 없기 때문에, 웨이퍼(W) 이면 주연부에의 폴리머의 부착 자체를 억제하지는 못한다. 또한, 조건에 따라서는, 웨이퍼(W)에 부착된 폴리머를 완전히 제거하지 못할 가능성도 있다. 이 경우, 후공정으로써 예컨대 배치(batch) 세정 등으로 폴리머를 박리하지만, 세정액을 통해 디바이스 표면에 부착되어 결함의 원인이 될 우려가 있다. 나아가, 하나의 로트의 웨이퍼(W)를 처리하고 있는 동안, 플라즈마의 조사에 의해서 포커스 링(12)의 온도가 상승하고, 이 온도 변화에 의해 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가는 플라즈마 이온의 궤도가 변화하여, 폴리머를 안정적으로 제거하지 못할 우려도 있다.
특허문헌 3에는, 포커스 링과 전극 블록 사이에, 제1 열전달 매체와 유전체 링과 제2 열전달 매체와 절연 부재를 상하 방향으로 적층하여 설치함으로써, 웨이퍼 베벨부에의 퇴적물의 부착을 억제하는 기술이 제안되어 있다. 이 구성에서는, 유전체 링에 의해, 포커스 링의 전면에 형성되는 시스에 걸리는 전압을 억제함으로써 포커스 링으로의 흡열을 억제하고, 제1 및 제2 열전달 매체에 의해 포커스 링으로부터의 열을 전극 블록에 전달한다. 이렇게 해서, 포커스 링의 온도를 웨이퍼보다 낮게 하여, 웨이퍼 베벨부에의 퇴적물의 부착을 억제한다.
여기서, 절연체와 열전도체를 적층 구조로 하면, 열전도체와 절연체 간의 접촉면에 기포가 혼입되기 쉽지만, 이 기포의 존재에 의해, 절연체와 포커스 링 사이의 접촉 상태가 변화되어, 포커스 링의 면 내에서 균일하게 전열하는 것이 곤란해진다. 또한, 웨이퍼의 이면측에 부착된 폴리머의 스퍼터 제거는 웨이퍼의 엣지 부분과 포커스 링 간의 전위차에 의해 실현되기 때문에, 포커스 링의 아래 쪽에 설치된 절연체에 의한 미묘한 임피던스 제어가 요구되지만, 절연체와 포커스 링 사이의 기포의 존재에 의해 양자의 접촉 상태가 변화함으로써, 상기 임피던스 제어에도 악영향을 끼칠 우려도 있다. 나아가, 절연체와 열전도체를 적층 구조로 하면, 열전도체가 변형되거나 열전도체와 절연체 사이에 기포가 혼입되기도 하여, 포커스 링의 주연부가 아래 방향 쪽으로 기울어지기 쉽고, 포커스 링의 높이 관리가 곤란해져, 웨이퍼 주연부의 플라즈마 상태의 제어가 불안정하게 되어 버린다.
일본 특허 공개 2005-277369호 공보(도 1, 도 2) 일본 특허 공개 2007-250967호 공보(도 1, 도 2) 일본 특허 공개 2007-258500호 공보(도 1, 단락 0030∼0035)
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 링 부재의 온도를 제어함으로써 기판 이면에의 퇴적물의 부착량을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.
이 때문에, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는, 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되어 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라서 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
상기 절연 부재에 대하여 기판의 직경 방향으로 인접한 위치에서, 상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에, 이들 상면 및 하면에 밀착되고 상기 링 부재를 따라서 설치된 전열 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 플라즈마 처리 장치는, 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되어, 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
상기 절연 부재와 배치대의 상면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되게 설치된 복수 개의 하측 전열 부재와,
상기 절연 부재와 링 부재의 하면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되어 설치된 복수 개의 상측 전열 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 링 부재와 배치대 사이에 전열 부재와 절연 부재를 설치하기 때문에, 플라즈마 조사 시의 링 부재의 온도 상승을 억제할 수 있고, 기판에의 퇴적물의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 기판에 퇴적물이 부착되더라도, 링 부재의 온도 변화에 의한, 기판 이면측으로 돌아 들어가는 플라즈마 이온의 궤도의 혼란이 억제되기 때문에, 기판 이면의 퇴적물의 스퍼터에 의한 제거를 안정적으로 행할 수 있고, 기판 이면에의 퇴적물의 부착량을 저감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 에칭 장치의 제1 실시형태를 도시하는 종단 측면도이다.
도 2는 상기 플라즈마 에칭 장치에 설치된 배치대의 일부를 도시하는 종단면도이다.
도 3은 상기 배치대의 평면도 및 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 작용을 설명하기 위한 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태의 다른 예를 도시하는 종단면도이다.
도 6은 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 제2 실시형태를 도시하는 종단면도이다.
도 7은 도 6의 플라즈마 에칭 장치에 설치되는 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태의 다른 예의 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 평면도이다.
도 10는 본 발명의 제2 실시형태의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 평면도 및 종단면도이다.
도 11은 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 제3 실시형태를 도시하는 평면도 및 부분 사시도이다.
도 12는 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 종단면도이다.
도 13은 본 발명의 플라즈마 에칭 장치의 또 다른 예의 배치대를 도시하는 종단면도이다.
도 14는 본 발명의 효과를 확인하기 위해서 행한 실시예를 도시하는 특성도이다.
도 15는 종래의 배치대를 도시하는 종단면도이다.
이하에서 본 발명에 따른 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치의 일 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 이 플라즈마 에칭 장치(2)를 도시하는 종단면도이며, 이 플라즈마 에칭 장치(2)는 그 내부에 웨이퍼(W)에 플라즈마 처리를 실시하기 위한, 예컨대 알루미늄으로 이루어진 기밀한 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 이 처리 용기(20)의 바닥부의 중앙부에는 배치대(3)가 설치되어 있다. 이 배치대(3)는, 원주체(圓柱體)의 상면부의 주연부가 전체 둘레에 걸쳐 절결되어 있고, 단차부(31)가 형성된 형상, 즉 상면부에서, 주연부 이외의 부분이 원주형으로 돌출된 형상으로 구성되어 있다. 이 돌출된 부위는, 기판인 웨이퍼(W)가 배치되는 기판 배치 영역(32)(이하,「배치 영역」이라고 함)를 이루는 것으로, 이 배치 영역(32)을 둘러싸는 단차부(31)는 후술하는 링 부재의 배치 영역에 해당한다.
이 배치 영역(32)의 상면부에는 절연막에 척 전극(33a)을 배치하여 이루어지는 정전 척(33)이 설치되어 있고, 이 정전 척(33) 위에 웨이퍼(W)가 그 주연부가 돌출한 상태로 배치된다. 상기 척 전극(33a)은 처리 용기(20) 밖에 설치된 직류 전원(34)과 스위치(35)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 정전 척(33)에는 도시하지 않은 복수 개의 토출구가 형성되어 있고, 도시하지 않은 가스 공급부로부터 해당 정전 척(33)과 웨이퍼(W) 사이의 미소 공간에 열매체 가스, 예컨대 He 가스가 공급되도록 되어 있다. 또한, 배치대(3)의 내부에는 도시하지 않은 승강 핀이 설치되어 있고, 도시하지 않은 외부의 반송 아암과 정전 척(33) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하도록 구성되어 있다.
배치대(3)의 내부에는 냉매 통류실(36)이 설치되어 있고, 배치대(3)의 외부에 설치된 냉매 공급부(37)로부터 냉매가 순환 공급되도록 되어 있다. 즉, 냉매 공급부(37)로부터 공급로(36a)를 통해 냉매 통류실(36)에 공급된 냉매는, 배출로(36b)를 통해 배치대(3)의 외부로 배출되고, 냉매 공급부(37)에서 칠러에 의해 소정 온도까지 냉각된 후, 다시 공급로(36a)를 통해 냉매 통류실(36)에 공급된다. 또한, 배치대(3)는 하부 전극을 겸용하며, 고주파 전원부(38)에 정합기(39)를 통해 접속되어 있다. 이 고주파 전원부(38)는 플라즈마 중의 이온을 인입하기 위한 바이어스를 하부 전극에 인가하기 위한 바이어스 전원이다.
한편, 처리 용기(20)의 천장부에는 절연 부재(21)를 통해 상기 배치 영역(32)에 대향하도록 샤워 헤드(4)가 설치되어 있고, 이 샤워 헤드(4)는 공급로(42)를 통해 가스 공급계(41)에 접속되어 있다. 상기 샤워 헤드(4)의 내부에는 버퍼실(43)이 형성되고, 그 하면에는 다수의 토출구(44)가 형성되어 있으며, 가스 공급계(41)로부터 버퍼실(43)에 공급된 처리 가스는 토출구(44)를 통해 배치 영역(32) 측을 향해서 토출되도록 구성되어 있다. 또한, 샤워 헤드(4)는 상부 전극을 겸용하며, 정합기(45)를 통해 플라즈마 생성용 고주파 전원부(46)에 접속된다.
또한, 처리 용기(20)의 바닥부에는 배기 포트(22)가 설치되어 있고, 이 배기 포트(22)에는 밸브(V) 및 압력 조정부(23)가 설치된 배기로(24)를 통해 진공 배기 기구인 진공 펌프(25)가 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(20)의 측벽에는 셔터(26)에 의해 개폐가능한 웨이퍼(W)의 반송구(27)가 마련되어 있다.
상기 배치대(3)의 상면의 주연부에 형성된 단차부(31)의 저면(단차면)에는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 절연 부재(6) 및 전열 부재(7)를 통해 포커스 링(5)이 설치되어 있다. 이 포커스 링(5)은, 배치 영역(32)을 둘러싸도록 배치대(3) 상에 설치되고, 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재를 이루는 것이며, 예컨대 실리콘 등의 도전성 부재에 의해 구성되어 있다. 이 포커스 링(5)의 내주 가장자리는 전체 둘레에 걸쳐 절결되어 단차부(51)가 형성되어 있으며, 웨이퍼(W)의 배치 영역(32)으로부터 돌출한 주연부가 상기 포커스 링(5)의 단차부(51)에 들어가게 되어 있다. 또한, 배치 영역(32)의 외주면(32a)과 포커스 링(5)의 단차부(51)의 하부측 내주면(52) 사이에는 작은 간극이 형성되도록 배치 영역(32) 및 포커스 링(5)의 형상이 설정되어 있다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W)를 배치 영역(32)에 배치하면, 포커스 링(5)이 웨이퍼(W)의 주연부의 이면측으로부터 측방을 둘러싸도록 설치되게 된다.
또한, 상기 배치대(3)의 단차부(31)와 포커스 링(5)의 하면 사이에는, 절연 부재(6)와 전열 부재(7)가 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 늘어서도록 설치된다. 상기 절연 부재(6)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 배치대(3)의 상면과 포커스 링(5)의 하면 사이에서 포커스 링(5)을 따라 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 상기 웨이퍼(W)의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 포커스 링과 웨이퍼(W) 간의 전위차를 조정하는 역할을 한다. 이 예의 절연 부재(6)는, 링형으로 구성되고, 포커스 링(5)의 하면에 접촉하며, 포커스 링(5)의 단차부(51)의 하부 측의 내주면(52)과 배치대(3)의 배치 영역(32)의 외주면(32a) 사이의 간극을 메우도록 설치된다. 이 절연 부재(6)는, 석영 이외에, 예컨대 이산화규소(SiO2)나 세라믹스, 질화알루미늄(AlN), 사파이어 등에 의해 구성할 수 있다.
또한, 상기 전열 부재(7)는, 절연 부재(6)에 대하여 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 인접한 위치이며, 상기 배치대(3)의 상면과 상기 포커스 링(5)의 하면 사이에서 이들 상면 및 하면에 밀착되고 포커스 링(5)을 따라 설치된다. 이 예에서, 전열 부재(7)는 절연 부재(6)에 대하여 상기 웨이퍼(W)의 직경 방향 외측에 설치된다. 이 전열 부재(7)는, 포커스 링(5)을 냉각하여 웨이퍼(W)에 대한 라디칼 종이나 반응 부생성물 등의 부착을 억제하는 효과가 현저해지는 정도의 열전도성을 얻을 수 있는 것으로서, 이 예에서는 열전도성이 높은 재료인, 알루미나를 충전한 고분자 실리콘 겔에 의해 구성된다. 또한, 전열 부재(7)는, 상기 고분자 실리콘 겔 이외에, 실리콘계 수지나 카본계 수지, 불소계 수지 등의 열전도 계수가 높은 재료로 구성할 수 있다.
이 예에서는, 절연 부재(6)의 상면은 전열 부재(7)의 상면의 높이와 일치하도록 구성되고, 이들 절연 부재(6)와 전열 부재(7)의 위에 포커스 링(5)을 배치함으로써, 석영제의 절연 부재(6)에 의해 높이가 규제된 상태에서 포커스 링(5)이 배치대(3)의 단차부(31) 상에 설치된다. 이때, 전열 부재(7)로서, 점착성 있는 탄성체로 이루어지는 알루미나를 충전한 고분자 실리콘 겔을 이용하기 때문에, 그 점착성에 의해 전열 부재(7)와 포커스 링(5) 사이 및 전열 부재(7)와 배치대(3)의 단차부(31) 사이의 밀착성이 확보된다. 또한, 포커스 링(5)이 절연 부재(6)와 전열 부재(7)의 위에 설치된 때에, 웨이퍼(W)와 포커스 링(5) 간의 전위차를 소정의 범위로 조정하고, 포커스 링(5)이 좌우 방향[배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향]으로 기울지 않도록 상하 방향의 크기(높이 L1)나 좌우 방향의 크기(폭 L2, L3)가 각각 설정된다.
상기 플라즈마 에칭 장치(2)는 제어부(100)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 이 제어부(100)는 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 프로그램, 메모리, CPU를 구비하고 있다. 상기 프로그램에는 제어부(100)로부터 플라즈마 에칭 장치(2)의 각 부에 제어 신호를 송신하여 소정의 에칭 처리를 진행시키도록 명령(각 스텝)이 포함되어 있다. 이 프로그램은 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, 하드디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억부에 저장되며 제어부(100)에 인스톨된다.
여기서, 상기 프로그램은 정전 척(33)의 스위치(35), 고주파 전원부(38, 46)의 온/오프, 가스 공급계(41)에 의한 처리 가스의 공급 개시 및 공급 정지, 진공 펌프(25)의 밸브(V)의 개폐 등을 제어하기 위한 프로그램을 포함하고, 제어부(100)의 메모리에 미리 기억된 프로세스 레시피에 따라서 상기 각 부가 제어되도록 구성된다.
계속해서, 전술한 플라즈마 에칭 장치(2)의 작용에 관해서 설명한다. 우선, 셔터(26)를 개방하고, 도시하지 않은 진공 반송실로부터 도시하지 않은 반송 아암에 의해 반송구(27)를 통해 웨이퍼(W)가 처리 용기(20) 내에 반입된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 도시하지 않은 승강 핀과 상기 반송 아암의 협동 작업에 의해 정전 척(33) 상에 전달되어 흡착 유지된다. 계속해서, 셔터(26)를 폐쇄한 후, 진공 펌프(25)에 의해 처리 용기(20) 내를 진공 배기하면서, 가스 공급계(41)로부터 샤워 헤드(4)를 통해 소정의 처리 가스(에칭 가스)를 공급한다.
한편, 고주파 전원부(46)로부터 샤워 헤드(4)에 플라즈마 발생용 고주파 전력을 공급하고 고주파 전원부(38)로부터 배치대(3)에 바이어스용 고주파 전력을 공급하여 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리를 한다.
플라즈마 처리 중에, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)는 플라즈마에 노출되기 때문에 플라즈마로부터 흡열하지만, 전술한 바와 같이, 배치대(3)는 냉매의 순환에 의해 냉각되고 미리 설정된 기준 온도로 유지되고 있기 때문에 웨이퍼(W)의 열이 He 가스를 통해 배치대(3)에 방열되게 된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 플라즈마의 흡열과 배치대(3)에 방열되는 작용 간의 열 밸런스에 의해 소정의 온도로 유지된다.
또한, 포커스 링(5)도 플라즈마에 노출됨으로써 플라즈마로부터 흡열하지만, 포커스 링(5)은 열전도성이 높은 전열 부재(7)를 통해 배치대(3) 상에 설치되어 있고, 전열 부재(7)의 점착성에 의해 포커스 링(5)의 하면과 전열 부재(7)의 상면, 전열 부재(7)의 하면과 배치대(3)의 상면이 각각 밀착해 있기 때문에, 포커스 링(5)의 열은 도 4에 도시한 바와 같이 전열 부재(7)를 통해 배치대(3)에 신속하게 전열되어 간다. 이렇게 해서, 전열 부재(7)에 의해, 후술하는 실시예로부터 분명한 바와 같이, 플라즈마 처리 중에 포커스 링(5)이 냉각되고, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)와 포커스 링(5) 간의 온도차가 없어진다. 이 결과, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부에 라디칼 종이나 반응 부생성물이 선택적으로 진입해 나가는 것이 억제된다. 이와 같이, 플라즈마 처리 중에 포커스 링(5)이 냉각되고, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)와 포커스 링(5) 간의 온도차가 없어지기 때문에, 웨이퍼(W)에 대한 라디칼 종이나 반응 부생성물의 부착을 억제하는 효과가 현저해진다.
또한, 절연 부재(6)에 의해 포커스 링(5)의 전위가 조정되고, 포커스 링(5)의 전위보다 웨이퍼(W)의 전위쪽이 낮아지도록(마이너스로 커지도록) 포커스 링(5)과 웨이퍼(W) 간의 전위차가 조정되기 때문에, 플라즈마 중의 이온이 웨이퍼(W)에 인입된다. 이에 따라, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가도록 플라즈마 중의 이온의 궤도가 제어되어 웨이퍼(W)의 이면에 상기 폴리머가 형성되었다고 해도, 이 폴리머가 스퍼터에 의해 제거된다. 또한, 절연 부재(6)에도 플라즈마가 조사되지만, 이 플라즈마의 스퍼터에 의해, 석영으로 구성된 절연 부재(6)로부터 O 라디칼이 생성되고, 이 O 라디칼에 의해서도, 상기 웨이퍼(W)의 이면에 형성되는 폴리머가 제거된다.
이렇게 해서, 소정 시간 웨이퍼(W)에 대한 에칭 처리를 한 후, 처리 가스의 공급을 정지하고, 고주파 전원부(38, 46)로부터의 고주파 전력의 공급을 정지하고, 진공 펌프(25)에 의한 처리 용기(20) 내의 진공 배기를 정지하여, 웨이퍼(W)를 처리 용기(20)의 외부로 반출한다.
전술한 실시형태에 따르면, 포커스 링(5)의 아래 방향 쪽에 절연 부재(6) 및 전열 부재(7)를 설치하고 있으므로, 플라즈마 처리 중의 포커스 링(5)이 냉각되어 웨이퍼(W)의 이면측 주연부에의 폴리머(퇴적물)의 부착이 억제된다. 이 때, 전열 부재(7)는 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)와 동심원 형태로 설치되어 있기 때문에, 포커스 링(5)이 웨이퍼(W)의 주위 방향에 있어서 거의 균일하게 냉각된다. 또한, 포커스 링(5)의 온도 상승이 억제되고 온도가 안정적이기 때문에, 포커스 링(5)의 온도 변화에 의해 웨이퍼(W)의 이면측으로 돌아 들어가는 플라즈마 중의 이온의 궤도가 변화될 우려가 없다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 이면측에 형성된 폴리머를 스퍼터에 의해 안정적으로 제거할 수 있어, 상기 폴리머의 부착량을 저감할 수 있다.
또한, 절연 부재(6)와 전열 부재(7)는 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 인접하게 설치되고, 포커스 링(5)은 이들 절연 부재(6) 및 전열 부재(7)의 위에 배치된다. 이때, 포커스 링(5)은 석영으로 이루어지는 절연 부재(6)로써 높이가 규정되기 때문에, 포커스 링(5)의 높이가 변화될 우려가 없고, 웨이퍼(W)의 주연부의 플라즈마의 혼란이 억제된다. 또한, 절연 부재(6)와 포커스 링(5) 사이에 전열 부재(7)가 개재되어 있지 않기 때문에, 포커스 링(5)의 아래 방향 쪽의 임피던스가 변화될 우려가 없고, 플라즈마 처리 중의 포커스 링의 전위가 안정된다.
이와 같이, 포커스 링(5)과 배치대(3) 사이에는 절연 부재(6)를 통해 양자를 전기적으로 접속하는 부위와 전열 부재(7)를 통해 양자를 열적으로 접속하는 부위가 별개로 존재하게 된다. 이에 따라, 절연 부재(6)에 의한 전기적인 제어와 전열 부재(7)에 의한 온도 제어가 각각 독립적으로 행해지기 때문에, 이들 제어의 복잡화를 억제할 수 있다. 나아가, 전술한 실시형태에서는, 절연 부재(6)가 배치 영역(32) 측이 되도록 설치되기 때문에, 절연 부재(6)가 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 근방에 위치하고, 이미 설명한 O 라디칼에 의한 폴리머의 제거가 신속하게 진행한다.
이상에 있어서, 본 실시형태에서는, 절연 부재와 전열 부재가 포커스 링(5)과 배치대(3) 사이에서 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 인접하게 설치되면 좋고, 도 5에 도시한 바와 같이, 절연 부재(61)가 전열 부재(71)에 대하여 상기 웨이퍼(W)의 직경 방향의 외측에 설치되도록 배치해도 좋다. 이 예에서는, 전열 부재(71)는 그 내주면(70)이 포커스 링(5)의 단차부(51)의 하부측의 내주면(52)과 상하 방향으로 정렬되도록 설치된다.
계속해서, 본 발명의 제2 실시형태에 관해서 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 이 예는, 절연 부재와 전열 부재가 배치 영역(32)의 외측에 동심원 형태로 설치되는 구성에 있어서, 전열 부재(72)의 좌우 양측[배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향의 양측]에 제1 절연 부재(62a) 및 제2 절연 부재(62b)를 각각 서로 인접하게 설치한 것이다. 이러한 구성은, 절연 부재(62a, 62b) 및 시트형의 전열 부재(72)를 각각 환상으로 형성하고, 배치대(3)의 단차부(31)의 상면에 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향의 내측으로부터 외측을 향하여 제1 절연 부재(62a), 전열 부재(72), 제2 절연 부재(62b)가 이 순서로 나란히 늘어서도록 배열함으로써 형성된다.
이 예에 있어서도, 예컨대 석영으로 구성된 제1 절연 부재(62a) 및 제2 절연 부재(62b)에 의해, 포커스 링(5)이 그 높이 위치가 규제된 상태로 설치된다. 또한, 전열 부재(72)는 점착성을 갖고 있기 때문에, 그 점착성에 의해 포커스 링(5)과 전열 부재(72) 사이 및 전열 부재(72)와 배치대(3) 사이가 각각 밀착된다.
이 구성에 있어서도, 배치대(3)와 포커스 링(5) 사이에, 절연 부재(62a, 62b)와 전열 부재(72)가 좌우 방향으로 인접하게 설치되기 때문에, 포커스 링(5)이 주위 방향을 따라 거의 균일하게 냉각되고, 웨이퍼(W)의 이면측에 부착되는 폴리머의 부착량을 저감할 수 있다. 또한, 전열 부재(72)의 좌우 방향의 양측에 절연 부재(62a, 62b)가 설치되기 때문에, 포커스 링(5)의 높이의 변화를 더욱 억제한 상태로 전열 부재(72)와 포커스 링(5) 및 배치대(3)와의 밀착성을 확보할 수 있다. 나아가, 절연 부재(62a, 62b)에 의한 포커스 링(5)의 전기적 제어와 전열 부재(72)에 의한 포커스 링(5)의 온도 제어를 독립적으로 할 수 있다.
더 나아가, 전열 부재(72)가 절연 부재(62a, 62b)에 의해 둘러싸인 상태이기 때문에, 전열 부재(72)가 플라즈마에 의해 스퍼터되기 어렵게 된다. 이에 따라, 전열 부재(72)의 소모나 열화를 억제할 수 있기 때문에, 포커스 링(5)의 온도 제어를 장기적으로 안정적으로 할 수 있다.
계속해서, 본 실시형태의 변형예에 관해서, 도 8∼도 10을 이용하여 설명한다. 도 8의 예는, 절연 부재(63)와 전열 부재(73)가 배치 영역(32)의 외측에 해당 배치 영역(32)과 동심원 형태로 설치되는 구성에 있어서, 전열 부재(73)를 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 서로 간격을 두고 설치한 것이다. 이 때, 도 8 중 A-A 선을 따른 단면은 도 6에 도시한 바와 같이 구성된다.
이 때, 도 9에 도시한 바와 같이, 절연 부재(64)의 내부에 다수의 전열 부재(74)를 배치 영역(32)과 동심원 형태로 서로 간격을 두고 설치하도록 해도 좋다. 이 때, 도 9 중 B-B 선을 따른 단면은 도 6에 도시한 바와 같이 구성된다.
이들 도 8 및 도 9의 구성은, 예컨대 석영 링에 의해 구성된 절연 부재(63, 64)에 소정 간격을 두고 절결을 형성하고, 이 절결 부위에, 점착성이 있는 탄성체로 이루어지는 전열 부재(73, 74)를 매립함으로써 구성된다. 이때, 전열 부재(73, 74)는, 그 상면이 포커스 링(5)에 밀착하고, 그 하면이 배치대(3)에 밀착하도록 절연 부재(63, 64)에 각각 설치된다.
이들 구성에서도, 절연 부재(63; 64)와 전열 부재(73; 74)는, 배치대(3)와 포커스 링(5) 사이에 전열 부재(73; 74)의 좌우 양측에 절연 부재(63, 64)가 인접하게 설치되기 때문에, 전술한 제2 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 도 10에 도시하는 예는, 절연 부재와 전열 부재가 배치 영역(32)의 외측에 해당 배치 영역(32)과 동심원 형태로 설치되는 구성에 있어서, 절연 부재(65a∼65c)와 시트형 전열 부재(75a, 75b)를 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 적층하도록 설치한 것이다. 이러한 구성은, 도 10의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 석영 링에 의해 구성된 절연 부재(65a∼65c)를 준비하고, 2개의 절연 부재(65a, 65b; 65b, 65c)에 의해 환상의 얇은 시트형 전열 부재(75a; 75b)를 양측으로부터 끼움으로써 구성된다. 전열 부재(75a; 75b)는 그 상면이 포커스 링(5)에 밀착하고 그 하면이 배치대(3)에 밀착하도록 절연 부재(65a∼65c)에 설치된다.
여기서, 상기 전열 부재(75a; 75b)의 상하 양단은 포커스 링(5)과 배치대(3)를 열적으로 접촉시키기 위해서 각각 포커스 링(5)의 하면 및 배치대(3)의 상면 및 하면에 밀착하도록 설치된다. 이때, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 전열 부재(75a; 75b)의 상하 양단이 절연 부재(65a∼65c)의 상면 및 하면으로부터 돌출하도록 설치하고, 포커스 링(5)의 하면 및 배치대(3)의 상면에 상기 돌출한 부분에 대응하는 홈부(50, 30)를 마련하고, 이 돌출 부분 및 홈부(50, 30)를 통해 전열 부재(75a; 75b)를 포커스 링(5) 및 배치대(3)에 밀착시키도록 해도 좋다.
이 구성에 있어서도, 절연 부재(65a∼65c)와 전열 부재(75a, 75b)는 배치대(3)와 포커스 링(5) 사이에서 전열 부재(75)의 좌우 양측에 절연 부재(65)가 인접하도록 설치되기 때문에, 전술한 제2 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
계속해서, 본 발명의 제3 실시형태에 관해서 도 11을 참조하여 설명한다. 이 예는, 절연 부재(66)와 배치대(3) 사이에 복수 개의 하측 전열 부재(76a)를 설치하고, 절연 부재(66)와 포커스 링(5) 사이에 복수 개의 상측 전열 부재(76b)를 설치하는 구성이다. 상기 복수 개의 하측 전열 부재(76a)는, 절연 부재(66)와 배치대(3)의 상면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 포커스 링(5)을 따라 링형으로, 그리고 서로 포커스 링(5)의 직경 방향으로 이격되게 설치된다. 또한, 상기 복수 개의 상측 전열 부재(76b)는, 절연 부재(66)와 포커스 링(5)의 하면 사이에서 양자에 밀착되고, 각각 포커스 링(5)을 따라 링형으로, 그리고 서로 포커스 링(5)의 직경 방향으로 이격되게 설치된다.
구체적으로는, 예컨대 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 예컨대 석영 링으로 이루어지는 절연 부재(66)의 상하에, 복수 라인 예컨대 4 라인의 환상의 시트형 하측 전열 부재(76a) 및 상측 전열 부재(76b)를 부착함으로써 구성되어 있다. 또한, 각각의 전열 부재(76a, 76b)에는, 포커스 링(5)의 직경 방향으로 서로 인접하는 전열 부재(76a, 76b) 사이의 공간을 처리 용기(20) 내의 분위기에 연통시키도록, 복수 개의 절결부(77)가 주위 방향을 따라 형성된다. 이 예에서는 절연 부재(66)의 하측 전열 부재(76a)와 상측 전열 부재(76b)는 상하 방향으로 서로 중복되지 않도록 설치되지만, 이들 전열 부재(76a, 76b)는 상하 방향으로 서로 중복되도록 설치해도 좋다. 또한, 상기 절결부(77)는 하측 전열 부재(76a) 및 상측 전열 부재(76b) 중 적어도 한쪽에 형성하도록 해도 좋다.
이 구성에 있어서는, 플라즈마 처리 중에 포커스 링(5)의 열은 상측 전열 부재(76b) → 절연 부재(66) → 하측 전열 부재(76a) → 배치대(3)의 경로로 이동하기 때문에, 플라즈마 처리 중에 있어서 포커스 링(5)이 냉각된다. 이에 따라, 전술한 제1 실시형태와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부에 대한 폴리머의 부착량을 저감할 수 있다. 또한, 전열 부재(76a, 76b)는 배치 영역(32)과 동심원 형태로 설치되기 때문에, 포커스 링(5)을 주위 방향을 따라 거의 균일하게 냉각할 수 있다.
또한, 전열 부재(76a, 76b)는 절연 부재(66)에 면 접촉시키고 있기 때문에, 접착 시에 절연 부재(66)와 전열 부재(76a, 76b) 사이에 기포가 혼입될 우려가 있다. 이때, 전열 부재(76a, 76b)에는 절결부(77)가 형성되어 있기 때문에, 처리 용기(20) 내를 진공 배기할 때, 이 절결부(77)로부터 기포가 빠져나가고, 그 결과로서, 플라즈마 처리 시에는 절연 부재(66)와 전열 부재(76a, 76b) 사이에 기포가 거의 존재하지 않는 상태로 된다. 이에 따라, 전열 부재(76a, 76b)와 절연 부재(66) 간의 접촉 상태가 면 내[포커스 링(5)의 하면 전체]에 있어서 일정해지기 때문에, 포커스 링(5)의 열이 면 내에서 거의 균일하게 배치대(3) 측으로 이동하여, 포커스 링(5)을 거의 균일하게 온도 조정할 수 있다.
이상에 있어서, 본 발명에서는, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 포커스 링(5)의 하면의 높이 위치가, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 서로 다른 경우도 본 발명의 범위에 포함된다. 또한, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 예컨대 절연 부재(68)와 전열 부재(78)를 상기 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 늘어서 배열한 경우에, 절연 부재(68)의 내부에 전열 부재(78)의 일부가 들어가서, 상기 직경 방향의 일부에서 절연 부재(68)와 전열 부재(78)가 상하 방향으로 적층하는 경우도 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 도 13에 도시한 바와 같이, 배치대(3)의 상면과 포커스 링(5)의 하면 사이에, 상기 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원 형태로 절연 부재(69)를 설치하고, 이 배치대(3)의 외측면과 절연 부재(69)의 외측면과 상기 포커스 링(5)의 외측면에 걸쳐, 이들 외측면에 밀착되게, 포커스 링(5)을 따라 전열 부재(79)를 설치하도록 해도 좋다. 이 구성에 있어서도, 포커스 링(5)의 열은 전열 부재(79)를 통해 배치대(3)에 전달되기 때문에, 플라즈마 처리 시에 포커스 링(5)이 냉각된다. 이때, 전열 부재(79)는 환상으로 구성되더라도 좋고, 배치대(3) 상의 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원 형태로 서로 간격을 두고 설치되더라도 좋다.
(실시예)
도 1의 플라즈마 에칭 장치를 이용하여 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리를 하고, 이 때의 포커스 링(5)의 온도 변화를 측정했다. 이때, 플라즈마 발생용 고주파 전원부(46)로부터 1200W의 고주파 전력을 공급하고, 배치 영역(32) 상의 웨이퍼(W)를 30℃로 설정하며, 처리 가스로서 CF계 가스를 공급해서 5장의 웨이퍼(W)에 대하여 연속으로 플라즈마 처리를 하여, 포커스 링(5)의 온도를 저 코히어런스 광의 간섭을 이용한 온도계로 측정했다(실시예). 또한, 절연 부재(6)로서는 석영 링을 이용하고, 전열 부재(7)로서는 알루미나를 충전한 고분자 실리콘 겔에 의해 두께가 0.5 mm로 형성된 열전도 시트를 이용했다. 또한, 비교예로서, 전열 부재(7)를 설치하지 않은 경우에 대해서도 같은 플라즈마 처리를 하고, 이때의 포커스 링(5)의 온도를 측정했다.
이 결과를 도 14에 도시한다. 비교예, 실시예로부터, 플라즈마 발생의 타이밍에서 포커스 링(5)의 온도가 상승하여 플라즈마로부터 포커스 링(5)에 흡열되는 것이 이해된다. 다만, 실시예에서는, 처리 시간이 경과해도 포커스 링(5)의 온도 변화는 거의 동일하고, 전열 부재(7)를 설치함으로써 포커스 링(5)의 열이 배치대(3)로 이동하고 포커스 링(5)에의 열의 축적이 억제되어, 포커스 링(5)을 약 50℃ 정도로 냉각할 수 있는 것으로 확인되었다. 한편, 비교예에서는, 처리 시간의 경과에 따라 포커스 링(5)의 온도가 상승하고, 플라즈마를 계속해서 조사하면, 포커스 링(5)에 축열되어, 포커스 링(5)이 약 230℃까지 상승하는 것으로 이해된다.
이상에 있어서, 본 발명은 반도체 웨이퍼(W) 이외에 FPD(Flat Panel Display)용 유리 기판 등의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 하는 플라즈마 처리 장치에 관해서도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 에칭 처리 외에 애싱이나 CVD(화학 기상 성장), 플라즈마 트리트먼트 등의 플라즈마 처리를 하는 플라즈마 처리 장치에 적용가능하다.
W: 반도체 웨이퍼
2: 플라즈마 에칭 장치
20: 처리 용기
3: 배치대
31: 단차부
32: 배치 영역
38: 바이어스용 고주파 전원부
4: 샤워 헤드
46: 플라즈마 발생용 고주파 전원부
5: 포커스 링
6, 6a, 6b, 61∼69: 절연 부재
7, 71∼79: 전열 부재

Claims (6)

  1. 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되고, 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
    상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
    상기 절연 부재에 대하여 기판의 직경 방향으로 인접한 위치에서, 상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에, 상기 상면 및 하면에 밀착되고 상기 링 부재를 따라 설치되고, 상기 링 부재의 열을 상기 배치대에 전열하기 위한 전열 부재
    를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연 부재의 상면은 상기 링 부재에 접촉하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 부재는 전열 부재에 대하여 기판의 직경 방향 내측 및 외측의 양쪽에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되고 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
    상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
    상기 절연 부재와 배치대의 상면 사이에서 양자에 밀착되고 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되게 설치된 복수 개의 하측 전열 부재와,
    상기 절연 부재와 링 부재의 하면 사이에서 양자에 밀착되고 각각 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로, 그리고 링 부재의 직경 방향으로 서로 이격되게 설치된 복수 개의 상측 전열 부재
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상측 전열 부재 및 하측 전열 부재 중 적어도 한쪽은, 링 부재의 직경 방향으로 서로 인접하는 전열 부재 사이의 공간을 진공 용기 내의 분위기에 연통시키도록 절결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 진공 용기 내에 설치되며 하부 전극을 겸용하는 배치대의 기판 배치 영역에 기판을 배치하고, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 고주파 전력을 인가해서 처리 가스를 플라즈마화하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 기판 배치 영역을 둘러싸도록 상기 배치대 상에 설치되고 플라즈마의 상태를 조정하기 위한 링 부재와,
    상기 배치대의 상면과 상기 링 부재의 하면 사이에서 상기 링 부재를 따라 상기 배치대 상의 기판의 중심에 대하여 동심원 형태로 설치되고, 기판의 이면측에 플라즈마 중의 이온을 인입하도록 상기 링 부재와 기판 간의 전위차를 조정하기 위한 절연 부재와,
    상기 링 부재의 측면과 절연 부재의 측면과 배치대의 측면 사이에, 이들 측면에 밀착되고, 상기 링 부재를 따라 설치된 전열 부재
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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