JPH0790582A - 基板保持装置 - Google Patents
基板保持装置Info
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- JPH0790582A JPH0790582A JP17479593A JP17479593A JPH0790582A JP H0790582 A JPH0790582 A JP H0790582A JP 17479593 A JP17479593 A JP 17479593A JP 17479593 A JP17479593 A JP 17479593A JP H0790582 A JPH0790582 A JP H0790582A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板と基板台との間の熱伝達手段を改善し
て、基板が大型化しても均一かつ大きな冷却能力を得る
ことができ、しかも取り扱いが簡単であり、更に故障発
生時の真空装置への影響の少ない基板保持装置を提供す
る。 【構成】 この基板保持装置は、基板２を支持するため
のものであって冷媒１６によって冷却される基板台１４
と、基板２の周縁部をこの基板台１４に向けて押さえ付
ける基板押さえ１８と、基板台１４上に当該基板台１４
と基板２との間に挟まれるように設けられていて、フレ
キシブルな袋２２内にシリコーングリースを主成分とす
る真空用グリース２４を封入して成る冷却パッド２０と
を備えている。
て、基板が大型化しても均一かつ大きな冷却能力を得る
ことができ、しかも取り扱いが簡単であり、更に故障発
生時の真空装置への影響の少ない基板保持装置を提供す
る。 【構成】 この基板保持装置は、基板２を支持するため
のものであって冷媒１６によって冷却される基板台１４
と、基板２の周縁部をこの基板台１４に向けて押さえ付
ける基板押さえ１８と、基板台１４上に当該基板台１４
と基板２との間に挟まれるように設けられていて、フレ
キシブルな袋２２内にシリコーングリースを主成分とす
る真空用グリース２４を封入して成る冷却パッド２０と
を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、電子
ビーム照射装置等のように、真空中またはその他の雰囲
気中で基板にイオンビーム、プラズマ、電子ビーム等の
エネルギーを有する粒子を入射させる場合に用いられる
基板保持装置に関し、より具体的には、その基板に対す
る冷却能力を改善する手段に関する。
置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、電子
ビーム照射装置等のように、真空中またはその他の雰囲
気中で基板にイオンビーム、プラズマ、電子ビーム等の
エネルギーを有する粒子を入射させる場合に用いられる
基板保持装置に関し、より具体的には、その基板に対す
る冷却能力を改善する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体、液晶ディスプレイ等の基板に表
面に、イオン注入、エッチング等の処理を施す際に、イ
オンビームやプラズマ等によって基板に投入される電力
による基板の温度上昇を抑えるために、従来から次のよ
うな基板保持装置が提案されてい。
面に、イオン注入、エッチング等の処理を施す際に、イ
オンビームやプラズマ等によって基板に投入される電力
による基板の温度上昇を抑えるために、従来から次のよ
うな基板保持装置が提案されてい。
【０００３】 図４に示すように、凸状曲面を持つ基
板台４上に基板２を配置し、基板押さえ８によって基板
２の周縁部を基板台４に向けて押さえ付ける構造の基板
保持装置。基板台４は、内部に冷媒通路５を有してい
て、そこに外部から冷却水のような冷媒６を流すことに
よって冷却される。
板台４上に基板２を配置し、基板押さえ８によって基板
２の周縁部を基板台４に向けて押さえ付ける構造の基板
保持装置。基板台４は、内部に冷媒通路５を有してい
て、そこに外部から冷却水のような冷媒６を流すことに
よって冷却される。
【０００４】 上記とほぼ同じ構造だが、基板台４
と基板２との間に、例えばシリコーンゴム等から成るフ
レキシブルなシートを挟むことにより、基板２と基板台
４間の接触面積を改善し、熱抵抗の減少を図った構造の
基板保持装置。
と基板２との間に、例えばシリコーンゴム等から成るフ
レキシブルなシートを挟むことにより、基板２と基板台
４間の接触面積を改善し、熱抵抗の減少を図った構造の
基板保持装置。
【０００５】 冷却された基板台と基板との間にガス
を介在させることにより、熱伝達の改善を図った構造の
基板保持装置。
を介在させることにより、熱伝達の改善を図った構造の
基板保持装置。
【０００６】 フレキシブルなシート面を持つ基板台
上に基板を配置し、水、真空ポンプ油等の流体を加圧し
てフレキシブルなシート面を基板の裏面に密着させるこ
とにより、基板に対する接触面積を改善し、熱抵抗の減
少を図った構造の基板保持装置。
上に基板を配置し、水、真空ポンプ油等の流体を加圧し
てフレキシブルなシート面を基板の裏面に密着させるこ
とにより、基板に対する接触面積を改善し、熱抵抗の減
少を図った構造の基板保持装置。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の基板保持装置
においては、基板サイズに冷却能力が依存し、基板２が
大型化すると、基板台４に対する接触圧にムラを生じる
ため、基板面内での一様な冷却能力を得ることが困難に
なるという問題がある。
においては、基板サイズに冷却能力が依存し、基板２が
大型化すると、基板台４に対する接触圧にムラを生じる
ため、基板面内での一様な冷却能力を得ることが困難に
なるという問題がある。
【０００８】上記の基板保持装置においても、の基
板保持装置の場合と同様の問題がある。
板保持装置の場合と同様の問題がある。
【０００９】上記の基板保持装置においては、介在さ
せるガス圧を数Ｔｏｒｒ以上に保持する必要がある。ま
た、ガス自体の熱伝導率が固体および液体のそれに比べ
て著しく小さいため、熱伝導が基板台と基板間の距離に
大きく依存する。従って、基板が大型化すると、それに
伴う基板の平面度の低下により、冷却能力の一様性が低
下すると共に、ガスによって基板全面に加わる圧力が増
加し、基板周縁部を押さえ付ける力が十分でなくなるた
めガス漏れを生じ、かつガス圧を維持することが困難に
なる。その結果、基板に対する冷却能力が低下し、かつ
漏れ出したガスがプラズマ中あるいはイオンビーム中に
混入するという問題が生じる。
せるガス圧を数Ｔｏｒｒ以上に保持する必要がある。ま
た、ガス自体の熱伝導率が固体および液体のそれに比べ
て著しく小さいため、熱伝導が基板台と基板間の距離に
大きく依存する。従って、基板が大型化すると、それに
伴う基板の平面度の低下により、冷却能力の一様性が低
下すると共に、ガスによって基板全面に加わる圧力が増
加し、基板周縁部を押さえ付ける力が十分でなくなるた
めガス漏れを生じ、かつガス圧を維持することが困難に
なる。その結果、基板に対する冷却能力が低下し、かつ
漏れ出したガスがプラズマ中あるいはイオンビーム中に
混入するという問題が生じる。
【００１０】上記の基板保持装置においては、フレキ
シブルなシート面で、周りの真空雰囲気と圧力の加わっ
た流体とを仕切る必要があり、基板がない状態でのシー
ト面の破れ防止のための圧力管理が難しく、そのための
制御系が複雑になる。また、シート面が破れると流体が
真空雰囲気中に多量に漏れ出すため、真空ポンプ等の真
空装置が受ける被害は大きい。従ってこの基板保持装置
は実用化が困難である。
シブルなシート面で、周りの真空雰囲気と圧力の加わっ
た流体とを仕切る必要があり、基板がない状態でのシー
ト面の破れ防止のための圧力管理が難しく、そのための
制御系が複雑になる。また、シート面が破れると流体が
真空雰囲気中に多量に漏れ出すため、真空ポンプ等の真
空装置が受ける被害は大きい。従ってこの基板保持装置
は実用化が困難である。
【００１１】そこでこの発明は、基板と基板台との間の
熱伝達手段を改善して、基板が大型化しても均一かつ大
きな冷却能力を得ることができ、しかも取り扱いが簡単
であり、更に故障発生時の真空装置への影響の少ない基
板保持装置を提供することを主たる目的とする。
熱伝達手段を改善して、基板が大型化しても均一かつ大
きな冷却能力を得ることができ、しかも取り扱いが簡単
であり、更に故障発生時の真空装置への影響の少ない基
板保持装置を提供することを主たる目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の基板保持装置は、基板を支持するための
ものであって冷媒によって冷却される基板台と、基板の
縁をこの基板台に向けて押さえ付ける基板押さえと、前
記基板台上に当該基板台と基板との間に挟まれるように
設けられていて、フレキシブルな袋内にシリコーングリ
ースを主成分とする真空用グリースを封入して成る冷却
パッドとを備えることを特徴とする。
め、この発明の基板保持装置は、基板を支持するための
ものであって冷媒によって冷却される基板台と、基板の
縁をこの基板台に向けて押さえ付ける基板押さえと、前
記基板台上に当該基板台と基板との間に挟まれるように
設けられていて、フレキシブルな袋内にシリコーングリ
ースを主成分とする真空用グリースを封入して成る冷却
パッドとを備えることを特徴とする。
【００１３】
【作用】流動性の媒体である真空用グリースをフレキシ
ブルな袋内に封入した冷却パッドを基板台と基板との間
に挟み込むことにより、冷却パッド内の真空用グリース
は等方的な圧力になるように自由に変形する。その結
果、冷却パッドは基板の面内で一様な厚みとなり、均一
な冷却能力を得ることができる。
ブルな袋内に封入した冷却パッドを基板台と基板との間
に挟み込むことにより、冷却パッド内の真空用グリース
は等方的な圧力になるように自由に変形する。その結
果、冷却パッドは基板の面内で一様な厚みとなり、均一
な冷却能力を得ることができる。
【００１４】また、冷却パッドの表面は、基板や基板台
の凹凸に応じた変形をするので、基板面および基板台面
に対する接触面積が大きく、従って非常に大きい冷却能
力が得られる。
の凹凸に応じた変形をするので、基板面および基板台面
に対する接触面積が大きく、従って非常に大きい冷却能
力が得られる。
【００１５】しかも、基板と冷却パッドとの間の密着状
況は、基板のサイズによって特に変化しないので、基板
が大型化しても均一かつ大きな冷却能力が得られる。
況は、基板のサイズによって特に変化しないので、基板
が大型化しても均一かつ大きな冷却能力が得られる。
【００１６】また、袋内に真空用グリースを封入するこ
とにより、袋が十分薄くても、基板が置かれていない状
態での圧力管理は不要である。なぜなら、封入した真空
用グリースは気体ではないので、袋の内外での大きな圧
力差を生じることはなく、そのような圧力差によって袋
が破損することはないためである。従って、取り扱いが
著しく簡単になる。
とにより、袋が十分薄くても、基板が置かれていない状
態での圧力管理は不要である。なぜなら、封入した真空
用グリースは気体ではないので、袋の内外での大きな圧
力差を生じることはなく、そのような圧力差によって袋
が破損することはないためである。従って、取り扱いが
著しく簡単になる。
【００１７】また、流動性の媒体として真空用グリース
を使用しているので、万一、冷却パッドの袋が破損して
も真空装置への影響は殆どない。なぜなら、真空用グリ
ースは蒸気圧が低いので、真空雰囲気中に漏れ出ても蒸
発せずに漏れ出た場所に止まっているからである。
を使用しているので、万一、冷却パッドの袋が破損して
も真空装置への影響は殆どない。なぜなら、真空用グリ
ースは蒸気圧が低いので、真空雰囲気中に漏れ出ても蒸
発せずに漏れ出た場所に止まっているからである。
【００１８】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る基板保持
装置を示す断面図である。この基板保持装置は、基板２
を支持するための基板台１４と、基板２の縁を基板台１
４に向けて押さえ付ける基板押さえ１８と、基板台１４
上に、当該基板台１４と押さえ付けられた基板２との間
に挟まれるように設けられた冷却パッド２０とを備えて
いる。
装置を示す断面図である。この基板保持装置は、基板２
を支持するための基板台１４と、基板２の縁を基板台１
４に向けて押さえ付ける基板押さえ１８と、基板台１４
上に、当該基板台１４と押さえ付けられた基板２との間
に挟まれるように設けられた冷却パッド２０とを備えて
いる。
【００１９】基板台１４は、内部に冷媒通路１５を有し
ていて、そこに外部から冷却水、代替フロン等の冷媒１
６を流すことによって冷却される。
ていて、そこに外部から冷却水、代替フロン等の冷媒１
６を流すことによって冷却される。
【００２０】基板台１４は、この実施例では基板２を１
枚保持するものであるが、大きなディスク状であってそ
の周縁部に複数枚の基板２を保持するようなもの等でも
良い。
枚保持するものであるが、大きなディスク状であってそ
の周縁部に複数枚の基板２を保持するようなもの等でも
良い。
【００２１】基板押さえ１８は、この実施例では環状を
してして基板２の周縁部を押さえ付けるものであるが、
基板２の縁を複数個所で押さえ付けるもの等でも良い。
してして基板２の周縁部を押さえ付けるものであるが、
基板２の縁を複数個所で押さえ付けるもの等でも良い。
【００２２】冷却パッド２０は、フレキシブルな袋２２
内に、シリコーングリースを主成分とする真空用グリー
ス２４を封入したものである。
内に、シリコーングリースを主成分とする真空用グリー
ス２４を封入したものである。
【００２３】袋２２は、例えばフッ素樹脂フィルム、ポ
リイミドフィルム等から成るフレキシブルなシートを袋
状に密閉することによって作られている。
リイミドフィルム等から成るフレキシブルなシートを袋
状に密閉することによって作られている。
【００２４】真空用グリース２４は、蒸気圧が低く、真
空雰囲気中に入れても蒸発せず、従って雰囲気の真空度
低下をもたらさないグリースである。
空雰囲気中に入れても蒸発せず、従って雰囲気の真空度
低下をもたらさないグリースである。
【００２５】冷却パッド２０は、基板台１４上でずれな
いように、接着剤等を用いて基板台１４上に固定してお
くのが好ましい。
いように、接着剤等を用いて基板台１４上に固定してお
くのが好ましい。
【００２６】上記基板保持装置においては、流動性の媒
体である真空用グリース２４をフレキシブルな袋２２内
に封入した冷却パッド２０を基板台１４と基板２との間
に挟み込むことにより、冷却パッド２０内の真空用グリ
ース２４は等方的な圧力になるように自由に変性する。
その結果、冷却パッド２０は基板２の面内で一様な厚み
となり、均一な冷却能力を得ることができる。
体である真空用グリース２４をフレキシブルな袋２２内
に封入した冷却パッド２０を基板台１４と基板２との間
に挟み込むことにより、冷却パッド２０内の真空用グリ
ース２４は等方的な圧力になるように自由に変性する。
その結果、冷却パッド２０は基板２の面内で一様な厚み
となり、均一な冷却能力を得ることができる。
【００２７】また、冷却パッド２０の表面は、基板２や
基板台１４の凹凸に応じた変形をするので、基板面およ
び基板台面に対する接触面積が大きく、従って非常に大
きい冷却能力が得られる。
基板台１４の凹凸に応じた変形をするので、基板面およ
び基板台面に対する接触面積が大きく、従って非常に大
きい冷却能力が得られる。
【００２８】しかも、基板２と冷却パッド２０との間の
密着状況は、基板２のサイズによって特に変化しないの
で、基板２が大型化しても均一かつ大きな冷却能力が得
られる。
密着状況は、基板２のサイズによって特に変化しないの
で、基板２が大型化しても均一かつ大きな冷却能力が得
られる。
【００２９】また、袋２２内に真空用グリース２４を封
入することにより、袋２２が十分薄くても、基板２が置
かれていない状態での圧力管理は不要である。なぜな
ら、封入した真空用グリース２４は気体ではないので、
袋２２の内外での大きな圧力差を生じることはなく、そ
のような圧力差によって袋２２が破損することはないた
めである。従って、取り扱いが著しく簡単になる。
入することにより、袋２２が十分薄くても、基板２が置
かれていない状態での圧力管理は不要である。なぜな
ら、封入した真空用グリース２４は気体ではないので、
袋２２の内外での大きな圧力差を生じることはなく、そ
のような圧力差によって袋２２が破損することはないた
めである。従って、取り扱いが著しく簡単になる。
【００３０】また、流動性の媒体として真空用グリース
２４を使用しているので、万一、冷却パッド２０の袋２
２が破損しても、真空ポンプ等の真空装置への影響は殆
どない。なぜなら、真空用グリース２４は蒸気圧が低い
ので、真空雰囲気中に漏れ出ても蒸発せずに漏れ出た場
所に止まっているからである。
２４を使用しているので、万一、冷却パッド２０の袋２
２が破損しても、真空ポンプ等の真空装置への影響は殆
どない。なぜなら、真空用グリース２４は蒸気圧が低い
ので、真空雰囲気中に漏れ出ても蒸発せずに漏れ出た場
所に止まっているからである。
【００３１】この基板保持装置によれば、上記のよう
に、基板が大型化しても均一かつ大きな冷却能力を得る
ことができるので、半導体、液晶ディスプレイ等の基板
表面に、イオン注入、エッチング等の処理を施す際に、
イオンビームやプラズマによって基板に投入される電力
による基板の温度上昇を効果的に抑えることができる。
その結果、従来の半導体処理プロセスで使用される種々
の処理プロセスを、高い処理速度の下で使用することが
できる。
に、基板が大型化しても均一かつ大きな冷却能力を得る
ことができるので、半導体、液晶ディスプレイ等の基板
表面に、イオン注入、エッチング等の処理を施す際に、
イオンビームやプラズマによって基板に投入される電力
による基板の温度上昇を効果的に抑えることができる。
その結果、従来の半導体処理プロセスで使用される種々
の処理プロセスを、高い処理速度の下で使用することが
できる。
【００３２】例えば、イオン注入時のイオン電流密度を
上げることによる注入時間の短縮が可能になる。また、
基板の温度上昇を抑えることで、レジストの使用が可能
であり、また、イオン注入部の不要な多結晶化を抑制す
ることができる。また、高速のエッチングのためにプラ
ズマ密度を増加させることもできる。基板の温度上昇が
大きいと、レジストの使用ができず、そのためにメタル
をレジストの代わりに用いると、イオン注入の前工程お
よび後工程を変えなければならず、また素子の構造も変
えなければならないが、この基板保持装置を用いればレ
ジストの使用が可能であるので、そのような前後工程や
素子構造を変えることなく処理能力の向上を図ることが
できる。
上げることによる注入時間の短縮が可能になる。また、
基板の温度上昇を抑えることで、レジストの使用が可能
であり、また、イオン注入部の不要な多結晶化を抑制す
ることができる。また、高速のエッチングのためにプラ
ズマ密度を増加させることもできる。基板の温度上昇が
大きいと、レジストの使用ができず、そのためにメタル
をレジストの代わりに用いると、イオン注入の前工程お
よび後工程を変えなければならず、また素子の構造も変
えなければならないが、この基板保持装置を用いればレ
ジストの使用が可能であるので、そのような前後工程や
素子構造を変えることなく処理能力の向上を図ることが
できる。
【００３３】次に、この発明のより具体的な実施例を、
従来例と比較しながら説明する。
従来例と比較しながら説明する。
【００３４】図２は、投入電力に対するガラス基板（無
アルカリガラス、厚さ１．１ｍｍ）の温度を熱電対で測
定した結果を示すものであり、このときの飽和温度ΔＴ
は、図３に示すように、温度上昇カーブに対する初期の
立上がり時の接線Ｌ1 と飽和時の接線Ｌ2 との交点の温
度と初期温度との差を表している。
アルカリガラス、厚さ１．１ｍｍ）の温度を熱電対で測
定した結果を示すものであり、このときの飽和温度ΔＴ
は、図３に示すように、温度上昇カーブに対する初期の
立上がり時の接線Ｌ1 と飽和時の接線Ｌ2 との交点の温
度と初期温度との差を表している。
【００３５】図２中の実施例は、厚さ０．０５ｍｍのフ
ッ素樹脂シートで作製した袋内に、シリコーングリース
を主成分とする真空用グリースを封入した冷却パッド
を、図１に示すように基板台と基板間に挟んだものであ
る。このとき、袋内に空気が残らないように、袋の一部
から真空排気を行った後、真空用グリースを封入した。
また、一様に延べた状態での冷却パッドの厚さは約５ｍ
ｍであった。この冷却パッドを使用したときの飽和温度
ΔＴは、電力密度が０．４８Ｗ／ｃｍ2 のイオンビーム
照射で約４０℃であった。
ッ素樹脂シートで作製した袋内に、シリコーングリース
を主成分とする真空用グリースを封入した冷却パッド
を、図１に示すように基板台と基板間に挟んだものであ
る。このとき、袋内に空気が残らないように、袋の一部
から真空排気を行った後、真空用グリースを封入した。
また、一様に延べた状態での冷却パッドの厚さは約５ｍ
ｍであった。この冷却パッドを使用したときの飽和温度
ΔＴは、電力密度が０．４８Ｗ／ｃｍ2 のイオンビーム
照射で約４０℃であった。
【００３６】図２中の従来例１は、図４に示したように
凸状曲面を持つ基板台を用いたものであり、このときの
飽和温度ΔＴは、電力密度が０．４８Ｗ／ｃｍ2 のイオ
ンビーム照射で約１７０℃であった。
凸状曲面を持つ基板台を用いたものであり、このときの
飽和温度ΔＴは、電力密度が０．４８Ｗ／ｃｍ2 のイオ
ンビーム照射で約１７０℃であった。
【００３７】図２中の従来例２は、流動性媒体として代
替フロンを封入した、市販の電子機器用の冷却パッド
を、図１と同様に基板台と基板間に挟んだものである。
このときの飽和温度ΔＴは、電力密度が０．４２Ｗ／ｃ
ｍ2 のイオンビーム照射で約５５℃であった。
替フロンを封入した、市販の電子機器用の冷却パッド
を、図１と同様に基板台と基板間に挟んだものである。
このときの飽和温度ΔＴは、電力密度が０．４２Ｗ／ｃ
ｍ2 のイオンビーム照射で約５５℃であった。
【００３８】このように、上記実施例の基板保持装置に
よれば、従来例１に比べて遙かに、また従来例２に比べ
てもかなり、冷却能力が向上していることが分かる。し
かも、実施例で使用している真空用グリースの方が、従
来例２で使用している代替フロンよりも漏れにくく、ま
た漏れた場合の真空装置への影響が小さいという利点も
ある。
よれば、従来例１に比べて遙かに、また従来例２に比べ
てもかなり、冷却能力が向上していることが分かる。し
かも、実施例で使用している真空用グリースの方が、従
来例２で使用している代替フロンよりも漏れにくく、ま
た漏れた場合の真空装置への影響が小さいという利点も
ある。
【００３９】他の実施例としては、図２で説明した実施
例のフッ素樹脂シートに換えて厚さ０．１ｍｍの耐熱性
ポリイミドシートを用いた冷却パッドを使用した。結果
は、図２の実施例と誤差の範囲で同等であった。
例のフッ素樹脂シートに換えて厚さ０．１ｍｍの耐熱性
ポリイミドシートを用いた冷却パッドを使用した。結果
は、図２の実施例と誤差の範囲で同等であった。
【００４０】更に他の実施例として、フッ素樹脂シート
については０．０５〜０．２ｍｍ、ポリイミドシートに
ついては０．０１〜０．１ｍｍの範囲内で厚さを変化さ
せて評価を行った。袋内に封入した真空用グリースは、
図２の実施例のものと同じである。袋を形成するシート
の厚さをこのような範囲内で変化させても、冷却能力に
特に差異は見られなかった。
については０．０５〜０．２ｍｍ、ポリイミドシートに
ついては０．０１〜０．１ｍｍの範囲内で厚さを変化さ
せて評価を行った。袋内に封入した真空用グリースは、
図２の実施例のものと同じである。袋を形成するシート
の厚さをこのような範囲内で変化させても、冷却能力に
特に差異は見られなかった。
【００４１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、フレキ
シブルな袋内にシリコーングリースを主成分とする真空
用グリースを封入して成る冷却パッドを、基板台と基板
との間に介在させるようにしており、冷却パッド内の真
空用グリースは等方的な圧力になるように自由に変形す
るので、冷却パッドは基板の面内で一様な厚みとなり、
均一な冷却能力を得ることができる。
シブルな袋内にシリコーングリースを主成分とする真空
用グリースを封入して成る冷却パッドを、基板台と基板
との間に介在させるようにしており、冷却パッド内の真
空用グリースは等方的な圧力になるように自由に変形す
るので、冷却パッドは基板の面内で一様な厚みとなり、
均一な冷却能力を得ることができる。
【００４２】また、冷却パッドの表面は、基板や基板台
の凹凸に応じた変形をするので、基板面および基板台面
に対する接触面積が大きく、従って非常に大きい冷却能
力が得られる。
の凹凸に応じた変形をするので、基板面および基板台面
に対する接触面積が大きく、従って非常に大きい冷却能
力が得られる。
【００４３】しかも、基板と冷却パッドとの間の密着状
況は、基板のサイズによって特に変化しないので、基板
が大型化しても均一かつ大きな冷却能力が得られる。
況は、基板のサイズによって特に変化しないので、基板
が大型化しても均一かつ大きな冷却能力が得られる。
【００４４】また、冷却パッドの袋内に封入した真空用
グリースは気体ではないので、袋の内外での大きな圧力
差を生じることはなく、そのような圧力差によって袋が
破損することはないため、取り扱いが著しく簡単にな
る。
グリースは気体ではないので、袋の内外での大きな圧力
差を生じることはなく、そのような圧力差によって袋が
破損することはないため、取り扱いが著しく簡単にな
る。
【００４５】また、流動性の媒体として真空用グリース
を使用しているので、万一、冷却パッドの袋が破損して
も真空装置への影響は殆どない。
を使用しているので、万一、冷却パッドの袋が破損して
も真空装置への影響は殆どない。
【図１】この発明の一実施例に係る基板保持装置を示す
断面図である
断面図である
【図２】投入電力に対する基板の飽和温度の測定結果の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図３】飽和温度の定義を示す図である。
【図４】従来の基板保持装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
２ 基板 １４ 基板台 １５ 冷媒通路 １６ 冷媒 １８ 基板押さえ ２０ 冷却パッド ２２ 袋 ２４ 真空用グリース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 21/3065 21/68 Ｎ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を支持するためのものであって冷媒
によって冷却される基板台と、基板の縁をこの基板台に
向けて押さえ付ける基板押さえと、前記基板台上に当該
基板台と基板との間に挟まれるように設けられていて、
フレキシブルな袋内にシリコーングリースを主成分とす
る真空用グリースを封入して成る冷却パッドとを備える
ことを特徴とする基板保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17479593A JPH0790582A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 基板保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17479593A JPH0790582A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 基板保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790582A true JPH0790582A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=15984808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17479593A Pending JPH0790582A (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 基板保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0790582A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101311301A (zh) * | 2007-05-23 | 2008-11-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 一种用于溅镀式镀膜机台的承载台 |
| JP2009242901A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置及び方法 |
| US20100066979A1 (en) * | 2007-02-28 | 2010-03-18 | Nec Display Solutions, Ltd. | Projection display device |
| US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
| US8273670B1 (en) | 2006-12-07 | 2012-09-25 | Novellus Systems, Inc. | Load lock design for rapid wafer heating |
| US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| US8920162B1 (en) | 2007-11-08 | 2014-12-30 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
| US9835388B2 (en) | 2012-01-06 | 2017-12-05 | Novellus Systems, Inc. | Systems for uniform heat transfer including adaptive portions |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| CN111334763A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 成膜装置 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP17479593A patent/JPH0790582A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
| US8273670B1 (en) | 2006-12-07 | 2012-09-25 | Novellus Systems, Inc. | Load lock design for rapid wafer heating |
| US20100066979A1 (en) * | 2007-02-28 | 2010-03-18 | Nec Display Solutions, Ltd. | Projection display device |
| US8562143B2 (en) * | 2007-02-28 | 2013-10-22 | Nec Display Solutions, Ltd. | Projection display device with cooling unit |
| CN101311301A (zh) * | 2007-05-23 | 2008-11-26 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 一种用于溅镀式镀膜机台的承载台 |
| US8920162B1 (en) | 2007-11-08 | 2014-12-30 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
| JP2009242901A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Shibaura Mechatronics Corp | スパッタリング装置及び方法 |
| US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| US9835388B2 (en) | 2012-01-06 | 2017-12-05 | Novellus Systems, Inc. | Systems for uniform heat transfer including adaptive portions |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| US11075127B2 (en) | 2016-08-09 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| CN111334763A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 成膜装置 |
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