JPH0688226A

JPH0688226A - 基板保持装置

Info

Publication number: JPH0688226A
Application number: JP26534292A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Ando; 靖典安東
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1992-09-08
Filing date: 1992-09-08
Publication date: 1994-03-29

Abstract

(57)【要約】【目的】基板と基板台との間の熱伝達手段を改善し
て、基板が大型化しても大きな冷却能力を得ることで
き、しかも雰囲気の真空状態を悪化させる可能性の少な
い基板保持装置を提供する。【構成】この基板保持装置は、基板２を支持する基板
台４と、基板２の周縁部を基板台４に向けて押さえ付け
るクランパー６と、基板台４の表面部に設けられていて
液体金属を溜める液体金属溜め２０と、この液体金属溜
め２０内に、その上に押さえ付けられる基板２の裏面に
密着するように充填された液体金属２２と、基板台４と
基板２との間を液体金属溜め２０の周りにおいてそこか
ら液体金属２２が漏れ出ないようにシールするパッキン
２４と、基板台４の内部に設けられていて冷媒１２が供
給される冷媒通路１０とを備えており、この冷媒通路１
０に冷媒１２を供給することによって、基板台４の温度
を液体金属２２の融点かそれより幾分高めに保つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置、電子
ビーム照射装置等のように、真空中またはその他の雰囲
気中で基板にイオンビーム、プラズマ、電子ビーム等の
エネルギーを有する粒子を入射させる場合に用いられる
基板保持装置に関し、より具体的には、その基板に対す
る冷却能力を改善する手段に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の基板保持装置の従来例を図５お
よび図６にそれぞれ示す。

【０００３】図５の基板保持装置は、基板（例えば半導
体基板、ガラス基板等）２を支持する基板台４と、その
表面に接着された例えばシリコーンゴムのようなゴム状
弾性体８と、図示しないバネの力を利用する等して基板
２の周縁部を基板台４に向けて押さえ付けて基板２の裏
面をゴム状弾性体８に密着させる環状のクランパー６と
を備えている。基板台４の内部には冷媒通路１０が設け
られており、そこに外部から例えば水、フロリナートの
ような冷媒１２を供給して基板台４を冷却するようにし
ている。

【０００４】上記のように保持された基板２に、クラン
パー６の開口部を通してイオンビーム、プラズマ等を照
射して、所要の処理が施される。

【０００５】ゴム状弾性体８を設けるのは、基板２を直
接基板台４に押さえ付けたのでは微視的に見ると両者間
の接触面積が小さくて熱伝達が悪いのを補うためであ
る。

【０００６】イオンビーム等の照射に伴って基板２内に
発生する熱は、ゴム状弾性体８を介して基板台４に伝達
され、更には基板台４内に導入される冷媒１２によって
外部へ排出され、このようにして基板２が冷却される。

【０００７】図６の基板保持装置は、上記ゴム状弾性体
８の代わりに、基板台４の表面部にガス溜め１４を設
け、そこに例えば水素、ヘリウム等のガス１６を供給す
ることで基板２と基板台４との間にガス１６を充填する
ようにしている。１８はガス１６が漏れ出ないようにシ
ールするパッキンである。

【０００８】イオンビーム等の照射に伴って基板２内に
発生する熱は、ガス１６による熱伝導で基板台４に伝え
られ、それ以降は図５の例と同様にして基板２が冷却さ
れる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記図５の
基板保持装置においては、ゴム状弾性体８を設けても、
その表面や基板２の裏面が現実的には完璧な鏡面ではな
く微小な凹凸が多数存在するため、基板２とゴム状弾性
体８間の実効的な接触面積が小さく、そのため十分な冷
却能力が得られないという問題がある。

【００１０】また、クランパー６による基板２の周縁部
の押さえでは、基板２の面内に一様な力をかけることが
できず、より具体的には基板２の中央部にかかる力が弱
く、そのため基板２の中央部ではゴム状弾性体８との接
触面積がより小さくなり、しかもこれは基板２が大型化
するほど甚だしくなるので、基板２が大型化するにつれ
て冷却能力が低下するという問題がある。

【００１１】一方、上記図６の基板保持装置において
は、ガス１６の導入による実効接触面積の増加が期待で
きるが、この場合の冷却能力は、基板２と基板台４間の
間隙の大きさ、ガス１６の種類および圧力に依存する。
このガス１６の圧力については、１Ｔｏｒｒ以上でガス
１６の熱伝導率が大きくなることから１Ｔｏｒｒ以上に
上げる必要がある。これは、基板２を処理するための周
りの雰囲気の圧力（例えば１０^-4〜１０^-7Ｔｏｒｒ程
度）に比べてかなり高く、そのため周りの雰囲気中へガ
ス漏れを起こして、雰囲気の真空状態を悪化させ、ひい
ては基板２に対する処理に変化をもたらす可能性が高い
という問題がある。

【００１２】また、基板２が大型化すると、基板２がガ
ス１６から受ける全圧力が非常に大きくなって基板２の
歪みも大きくなり、これが上記基板２と基板台４間の間
隙の拡大につながり、ひいては冷却能力が低下するとい
う問題もある。

【００１３】ちなみに、基板２に対する冷却能力が低い
と、イオンビームの照射等に伴う基板２の温度上昇が過
大になり、それによって例えば、基板２の歪みが増大し
て正確な処理が施せなくなる、基板２の表面にレジスト
膜を設けている場合はそれが変形・変質する、等の不具
合が発生する。

【００１４】そこでこの発明は、基板と基板台との間の
熱伝達手段を改善して、基板が大型化しても大きな冷却
能力を得ることでき、しかも雰囲気の真空状態を悪化さ
せる可能性の少ない基板保持装置を提供することを主た
る目的とする。

【００１５】

【発明の概要】上記目的を達成するため、この発明の基
板保持装置は、簡単に言えば、基板と基板台との間に、
中間媒体として、液体金属を介在させていることを特徴
としている。

【００１６】液体金属は自由な形状になることから、そ
れと基板および基板台との間の密着性が良く、従ってガ
スの場合と同様に実効的な接触面積が増大する。しか
も、液体金属はガスに比べて熱伝導率が２桁程度大き
い。従って、この基板保持装置においては大きな冷却能
力が得られる。

【００１７】また、基板と液体金属との間の密着状況
は、基板のサイズによって特に変化しないので、基板が
大型化しても上記のような大きな冷却能力が得られる。

【００１８】しかも、液体金属は表面張力があるからガ
スに比べて漏れにくく、また仮に漏れても蒸気圧が低い
ので蒸気化しにくい。従って、ガスに比べて雰囲気の真
空度を悪化させる可能性は少ない。

【００１９】

【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る基板保持
装置を示す断面図である。この基板保持装置は、前述し
たような基板２を支持する基板台４と、基板２の周縁部
を基板台４に向けて押さえ付ける前述したようなクラン
パー６と、基板台４の表面部に設けられていて液体金属
を溜める液体金属溜め２０と、この液体金属溜め２０内
に、その上に押さえ付けられる基板２の裏面に密着する
ように充填された液体金属２２と、基板台４と基板２と
の間を液体金属溜め２０の周りにおいてそこから液体金
属２２が漏れ出ないようにシールする例えばＯリング等
のパッキン２４と、基板台４の内部に設けられていて前
述したような冷媒１２が供給される冷媒通路１０とを備
えている。

【００２０】この実施例では、上記クランパー６によっ
て、基板２を基板台４に向けて押さえ付ける基板押圧手
段を構成している。

【００２１】また、上記冷媒通路１０に冷媒１２を供給
することによって、基板台４の温度を液体金属２２の融
点かそれより幾分高めに保つようにしており、これによ
って基板台冷却手段を構成している。基板台４の温度を
液体金属２２の融点かそれより幾分高めに保つのは、液
体金属２２を液体の状態に保ちつつ、できるだけ温度を
下げて基板２との温度差を大きくして冷却能力を大きく
するためである。

【００２２】液体金属２２は、特定のものに限定されな
いが、上記のような理由から、できるだけ融点の低いも
のが好ましい。具体的には、ガリウム（Ｇa）、あるい
はガリウムを主体とする混合物が好適である。

【００２３】ガリウムは融点が２９．７８℃であるの
で、液体金属２２としてこれを用いる場合は、基板台４
は例えば３０〜３５℃程度に保持するのが好ましい。

【００２４】液体金属２２は自由な形状になることか
ら、それと基板２および基板台４との間の密着性が良
く、従ってガスの場合と同様に実効的な接触面積が増大
する。しかも、液体金属２２はガスに比べて熱伝導率が
２桁程度大きい。従って、この基板保持装置において
は、大きな冷却能力が得られる。

【００２５】また、上記のようにして閉じ込められた液
体金属２２内では等方的に力がかかるので、基板２のサ
イズにかかわりなく液体金属２２が基板２の裏面に一様
に密着し、従って基板２が大型化しても上記のような大
きな冷却能力が得られる。

【００２６】しかも、液体金属２２は表面張力があるか
らガスに比べて漏れにくく、また仮に漏れても蒸気圧が
低いので蒸気化しにくい。従って、ガスに比べて雰囲気
の真空度を悪化させる可能性は少ない。

【００２７】図２は、この発明の他の実施例に係る基板
保持装置を示す断面図である。この基板保持装置は、図
１の装置に、液体金属溜め２０内の液体金属２２を基板
２の裏面の方へ押し出す押し出し機構２８を付加したも
のである。

【００２８】押し出し機構２８は、この例では、基板台
４の内部に液体金属溜め２０につながるように設けられ
たシリンダ部２５と、そこに挿入されたピストン２６
と、このピストン２６を矢印Ａのように基板２側に向け
て押し出す駆動装置２７とから成る。

【００２９】このような押し出し機構２８を設けると、
基板２を保持する時点では液体金属２２のレベルを液体
金属溜め２０の最上面まで上げておく必要がないので、
液体金属２２を溢れさせる恐れがなく、取り扱い・操作
が容易になる。また、基板２を装着してクランパー６で
保持後は、液体金属２２を押し出してそれを基板２の裏
面に隙間なく確実に密着させることができるので、所定
の冷却能力を確実に安定して得ることができる。

【００３０】ところで、上記液体金属２２が基板２や基
板台４に直接接する場合は、これらの材質の関係によっ
ては、液体金属２２が基板２の裏面や基板台４と反応し
たり、液体金属２２が基板２の裏面に付着してゴミとし
て残る可能性がある。そこで、このような点を更に改善
した実施例を図３および図４にそれぞれ示す。なお、こ
れらの実施例の説明においては、先の図１および図２の
実施例との相違点を主体に説明する。

【００３１】図３の実施例においては、前述したような
液体金属溜め２０の液体金属２２との接触面、更には当
該液体金属溜め２０の周りの部分を覆うように、保護層
３０を設けている。もっとも、液体金属溜め２０の液体
金属２２との接触面以外の部分には、必ずしも保護層３
０を設ける必要はない。また、液体金属溜め２０の上部
を覆うように、フレキシブルなフィルム３２を張ってい
る。

【００３２】保護層３０は、液体金属溜め２０内に充填
される液体金属２２と反応しない物質から成る。具体的
には、この保護層３０は、例えば、基板台４の表面を酸
化または窒化させてできる酸化層または窒化層でも良
い。あるいは、カーボン、ガラス、セラミックス等から
成る薄板を基板台４の表面に貼り付けたものでも良い。

【００３３】フィルム３２も、液体金属溜め２０内に充
填される液体金属２２と反応しない物質から成る。例え
ば、このフィルム３２は、ポリイミド、ポリカーボネー
ト、フッ素樹脂、シリコーンゴム等の有機フィルムから
成る。そしてこのようなフィルム３２を、液体金属溜め
２０の周りの部分に、液体金属２２がそこから漏れ出な
いように接着している。図中の３４はその接着部を示
す。

【００３４】そして、上記のようにして保護層３０で覆
われた液体金属溜め２０とフィルム３２との間に、基板
２を基板台４に向けて押さえ付けた状態でフィルム３２
が基板２の裏面に密着するように、前述したような液体
金属２２を充填している。具体的にはこの実施例では、
基板２を押さえ付ける前はフィルム３２が幾分膨らむよ
うに液体金属２２を充填している。あるいはそのように
する代わりに、またはそのようにすることと併せて、図
２に示したような押し出し機構２８を設けて、液体金属
２２を基板２の裏面の方へ押し出すようにしても良い。
図２に示したような押し出し機構２８を設ける場合は、
そのシリンダ部２５およびピストン２６の液体金属２２
との接触面にも上記のような保護層３０を設ければ良
い。

【００３５】この実施例のようにすれば、フィルム３２
および保護層３０によって、液体金属２２が基板２や基
板台４と直接接するのを防ぐことができるので、液体金
属２２が基板２および基板台４に反応によって影響を与
えたり、液体金属２２が基板２の裏面に付着するのを防
止しつつ、液体金属２２の良好な熱伝導率を利用するこ
とができる。

【００３６】この実施例のより具体例を示すと、液体金
属２２としてガリウムを用い、基板台４としてアルミニ
ウムを用いた場合、そのままでは基板台４はガリウムと
反応が著しいが、基板台４側の保護層３０として、基板
台４の表面を酸化または窒化させた酸化層または窒化層
を設けた。これにより、基板台４とガリウムとの反応は
無くなり、基板台４として熱伝導率の良好なアルミニウ
ム材を有効に使用することができた。

【００３７】また、液体金属２２としてガリウムを用
い、この上面をフィルム３２として０．５〜１０μｍ厚
のポリイミド、ポリカーボネート等のフィルムで覆っ
た。これにより、液体金属２２と基板２との反応防止だ
けでなく、そのままでは基板２の裏面の粗度に依存して
ガリウムの付着が見られていたのが全く無くなった。

【００３８】更に、液体金属２２としてガリウムを用
い、基板台４側の保護層３０として、カーボン、ガラ
ス、セラミックスの薄板を貼り付けた。これにより、基
板台４とガリウムとの反応は無くなり、基板台４として
熱伝導率の良好な金属材の性質を有効に利用することが
できた。

【００３９】なお、上記のような保護層３０およびフィ
ルム３２を介在させることにより、図１、図２の実施例
のように液体金属２２が直接接する場合に比べれば、若
干の冷却能力の低下は有り得る。しかし、フィルム３２
について見れば、その厚みを極力薄くすることによっ
て、熱伝導の悪化を抑えることができる。また、基板２
の周縁部に圧力を加えても、中に液体金属２２が充填さ
れているから、この液体金属２２によって基板２の裏面
を含めて等方的に圧力が加わるので、図５の従来例のよ
うに単にゴム状弾性体８を介在させる場合に比べれば、
冷却能力は大幅に向上する。

【００４０】また、保護層３０について見れば、それが
基板台４の酸化層や窒化層の場合は、この保護層３０と
基板台４との間に材質の連続性があるので、界面での密
着、不密着が問題になることはなく一つの物として見る
ことができるので、熱伝導の悪化は少ない。また、酸化
層や窒化層の厚みはμオーダーであって非常に薄いの
で、仮にここで少し位熱伝導率が低下しても、大勢に影
響はない。

【００４１】保護層３０がガラス板等の薄板の場合も、
それを極力薄くする、ボルト等の機械的手段を併用して
保護層３０に強制的に圧力を加えてそれを基板台４に密
着させる、あるいは保護層３０と基板台４との間に、ア
ルミニウム、チタン等の金属箔を介在させて両者間を密
着させる、あるいは保護層３０と基板台４との間に接着
剤を介在させて両者間を密着させる、等の手段を併用す
ることにより、熱伝導の悪化を極力抑えることができ
る。

【００４２】図４の実施例においては、基板台４の表面
部に前述したような液体金属溜め２０を設ける代わりに
凹部３８を設け、この部分に、基板台４とその上に押さ
え付けられる基板２との間に挟まれるように、密閉され
たフレキシブルな袋体４０に前述したような液体金属２
２を封入したものを介在させている。この袋体４０は、
例えば接着剤を使用する等して基板台４上に固定されて
いる。

【００４３】この袋体４０は、内部の液体金属２２と反
応しない物質、例えばポリイミド、ポリカーボネート、
フッ素樹脂、シリコーンゴム等の有機フィルムから成
る。またこの袋体４０は、この例では２枚のフレキシブ
ルなシート４２、４４を合わせてその周縁部の接着部４
６で互いに接着して密封した構造をしているが、勿論こ
れ以外の構造としても良い。

【００４４】更にこの実施例では、基板台４を回転式に
すると共にそれを水平に対して傾け（垂直に立てること
も含む）、この基板台４を駆動装置５６によって例えば
矢印Ｂのように回転させるようにしている。基板台４を
回転させる速度は特定の範囲に限定されるものではな
く、例えば、基板２に対するイオン注入等の処理を均一
化するのに必要な回転速度で良い。

【００４５】基板台４を回転式にすることに伴って、基
板台４内の冷媒通路１０へ冷媒１２を導入する手段とし
て、この実施例では軸５０を二重構造にしてその内部に
冷媒１２の往路５２と復路５４とを設けている。但し、
これ以外の構造によって冷媒通路１０に冷媒１２を供給
するようにしても良い。

【００４６】この実施例においては、袋体４０内で液体
金属２２は自由に移動できるため、基板台４を傾けるこ
とによって液体金属２２は自重で下方に移動しようと
し、その結果、この液体金属２２によって基板台４の表
面を押す力と共に基板２を裏面から押す力が発生する。
このような力によって、液体金属２２を内蔵した袋体４
０は基板台４の表面および基板２の裏面に密着させられ
るので、それらの間の実効接触面積が増大し、熱伝達性
能が向上する。

【００４７】但し、内部の液体金属２２によって袋体４
０を基板台４および基板２に押し付ける力は、上部に比
べて下部の方が大きいので、この実施例では基板台４を
回転させることによって、上部に位置する部分と下部に
位置する部分とを順次入れ換えるようにしている。これ
によって、液体金属２２を内蔵した袋体４０の基板台４
および基板２への密着力を時間的に平均化することがで
きるので、基板２の面内において冷却能力を一様化する
ことができる。

【００４８】また、袋体４０によって液体金属２２が基
板２および基板台４に直接接するのを防止しているの
で、液体金属２２が基板２および基板台４に反応によっ
て影響を与えたり、液体金属２２が基板２の裏面に付着
するのを防止しつつ、液体金属２２の良好な熱伝導率を
利用することができる。

【００４９】しかもこの実施例の場合は、基板台４を傾
けて内部の液体金属２２の自重で袋体４０を基板台４お
よび基板２に密着させるようにしているので、図３の実
施例の場合と違って、袋体４０内に液体金属２２を必ず
しも袋体４０全体が膨らむほど入れる必要はない。ま
た、液体金属２２の押し出し機構を設ける必要もない。

【００５０】なお、この実施例においては、液体金属２
２によって基板２の裏面を押す力により基板２の変形が
考えられる。この場合、図６の従来例のようなガス冷却
では、ガス１６の熱伝導率が基本的に小さいため、この
基板２の変形による基板裏面〜基板台表面間距離の広が
りで結果的に熱伝導が悪くなるけれども、この実施例の
ように液体金属２２の場合は、その熱伝導率がガスに比
べて非常に大きいため、基板裏面〜基板台表面間距離の
広がりによる影響は殆ど受けない。

【００５１】この図４の実施例のより具体例を示すと、
１〜１０μｍ厚の２枚のシリコーンゴムシート４２、４
４間に液体金属２２としてガリウムを入れ、周囲の接着
部４６を密閉して袋体４０を構成したものを、基板台４
の表面部に設けられた凹部３８に設置し、ずれないよう
に接着剤で接着した。この凹部３８の深さは１〜５ｍｍ
程度とし、シート４２、ガリウムおよびシート４４の合
計の厚みはこの深さと同程度あるいは０．５ｍｍ程度厚
くした。そして、基板台４を傾ける角度は９０度（垂
直）とし、基板台４を毎分２０〜３０回転の速度で回転
させた。またこのとき、冷媒１２によって、基板台４の
表面部の温度を３０〜３５℃程度に保持した。

【００５２】上記のように基板台４を傾けることによ
り、液体金属２２が基板２の裏面を押す力が発生し密着
力が向上するので、図５の従来例では冷却能力が０．１
〜０．２Ｗ／ｃｍ²程度であったのに対して、上記実施
例では１Ｗ／ｃｍ²以上の冷却能力が得られた。また、
図６の従来例に見られた導入ガスの漏れによる雰囲気の
真空状態の変化は、上記実施例では全く見られなかっ
た。

【００５３】なお、基板台４は、上記各実施例のように
基板２を１枚保持するものであっても良いし、あるいは
大きなディスク状であってその周縁部に複数枚の基板２
を保持するようなもの等でも良い。

【００５４】また、基板押圧手段は、上記各実施例のよ
うな環状のクランパー６以外に、基板２の周縁部を複数
個所で押さえ付けるものでも良い。あるいは、基板台４
をその周縁部がすり鉢状になったディスクにしてそのす
り鉢状の部分に複数枚の基板２を装着し、このディスク
を回転させることによる遠心力で各基板２を基板台４に
押さえ付けるものでも良い。

【００５５】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基板と
基板台との間に中間媒体として液体金属を介在させてお
り、液体金属は自由な形状になることから、それと基板
および基板台との間の密着性が良く、従ってガスの場合
と同様に実効的な接触面積が増大する。しかも、液体金
属はガスに比べて熱伝導率が２桁程度大きい。従って、
この発明の基板保持装置においては大きな冷却能力が得
られる。

【００５６】また、基板と液体金属との間の密着状況
は、基板のサイズによって特に変化しないので、基板が
大型化しても上記のような大きな冷却能力が得られる。

【００５７】しかも、液体金属は表面張力があるからガ
スに比べて漏れにくく、また仮に漏れても蒸気圧が低い
ので蒸気化しにくい。従って、ガスに比べて雰囲気の真
空度を悪化させる可能性は少ない。

【００５８】また、液体金属溜めの液体金属との接触面
を保護層で覆い、かつ液体金属溜めの上部をフレキシブ
ルなフィルムで覆うことにより、このフィルムおよび保
護層によって、液体金属が基板や基板台と直接接するの
を防ぐことができるので、液体金属が基板および基板台
に影響を与えたり、液体金属が基板の裏面に付着するの
を防止しつつ、液体金属の良好な熱伝導率を利用するこ
とができる。

【００５９】また、液体金属溜め内の液体金属を基板の
裏面の方へ押し出す押し出し機構を更に設けることによ
り、液体金属を基板の裏面に隙間なく確実に密着させる
ことができるので、所定の冷却能力を確実に安定して得
ることができるようになる。

【００６０】また、基板と基板台との間に、密閉された
フレキシブルな袋体に液体金属を封入したものを介在さ
せ、かつ基板台を傾けて回転させることにより、上記と
同様に液体金属が基板および基板台と反応したり基板裏
面に付着するのを防止することができる。しかも、基板
台を傾けることにより、液体金属が基板の裏面を押す力
が発生し密着力が向上するので、上記のような液体金属
を押し出す押し出し機構を設けなくても、大きな冷却能
力を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る基板保持装置を示す
断面図である。

【図２】この発明の他の実施例に係る基板保持装置を示
す断面図である。

【図３】この発明の更に他の実施例に係る基板保持装置
を示す断面図である。

【図４】この発明の更に他の実施例に係る基板保持装置
を示す断面図である。

【図５】従来の基板保持装置の一例を示す断面図であ
る。

【図６】従来の基板保持装置の他の例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

２基板４基板台６クランパー１０冷媒通路１２冷媒２０液体金属溜め２２液体金属２４パッキン２８押し出し機構３０保護層３２フィルム４０袋体５６駆動装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を支持する基板台と、基板をこの基
板台に向けて押さえ付ける基板押圧手段と、前記基板台
の表面部に設けられていて液体金属を溜める液体金属溜
めと、この液体金属溜め内に、その上に押さえ付けられ
る基板の裏面に密着するように充填された液体金属と、
前記基板台と基板との間を前記液体金属溜めの周りにお
いてそこから液体金属が漏れ出ないようにシールするパ
ッキンと、前記基板台の温度を前記液体金属の融点かそ
れより幾分高めに保つ基板台冷却手段とを備えることを
特徴とする基板保持装置。
【請求項２】基板を支持する基板台と、基板をこの基
板台に向けて押さえ付ける基板押圧手段と、前記基板台
の表面部に設けられていて液体金属を溜める液体金属溜
めと、少なくともこの液体金属溜めの液体金属との接触
面を覆っていて、当該液体金属溜め内に充填される液体
金属と反応しない物質から成る保護層と、前記液体金属
溜めの上部を覆うと共に当該液体金属溜めの周りの部分
に液体金属がそこから漏れ出ないように接着されてお
り、かつ当該液体金属溜め内に充填される液体金属と反
応しない物質から成るフレキシブルなフィルムと、前記
液体金属溜めとこのフィルムとの間に、基板を基板台に
向けて押さえ付けた状態で当該フィルムが基板の裏面に
密着するように充填された液体金属と、前記基板台の温
度を前記液体金属の融点かそれより幾分高めに保つ基板
台冷却手段とを備えることを特徴とする基板保持装置。
【請求項３】前記液体金属溜め内の液体金属を基板の
裏面の方へ押し出す押し出し機構を更に備える請求項１
または２記載の基板保持装置。
【請求項４】基板を支持する回転式の基板台であって
水平に対して傾けられたものと、この基板台を回転させ
る駆動装置と、基板を前記基板台に向けて押さえ付ける
基板押圧手段と、前記基板台上に、当該基板台と押さえ
付けられた基板との間に挟まれるように設けられてい
て、内部の液体金属と反応しない物質から成る密閉され
たフレキシブルな袋体に液体金属を封入したものと、前
記基板台の温度を前記液体金属の融点かそれより幾分高
めに保つ基板台冷却手段とを備えることを特徴とする基
板保持装置。