JP3204867U - 基板温調装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の反りに対しても基板面内の冷却処理温度のばらつきが生じない構造であり温調プレートを有する基板温調装置を提供する。【解決手段】ベースプレート５４と基板（ウエハＷ）を載置するための円形の中央部プレート５１と該中央部プレートを同心円状に囲む複数のリングプレート５２、５３により構成されるフェースプレートＣＰＬ３ａにおいて、基板の反りと前記フェースプレートの面が近接するようにフェースプレート高さをそれぞれ自在に調整する昇降手段５５、５６、５７を有する。【選択図】図７

Description

本考案は、半導体製造装置およびフラットパネルディスプレー製造装置などの基板にレジスト塗布処理や現像処理などの液処理を行ない、その処理の前後に基板に対して施される冷却処理に使用される基板温調装置に関する。

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程は、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と称する。）などの基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、次いでこのレジスト膜上に所定のパターンを露光した後、当該基板に現像液を塗布して現像処理が行われる。

このレジスト塗布現像処理装置は、塗布現像処理に必要な一連の処理を個別に行う塗布処理ユニットと現像処理ユニットを備えている。塗布処理ユニットは、レジスト液の塗布を行う。現像処理ユニットは、露光後の基板を現像する現像処理を行う。各処理ユニット間のウエハの搬送、並びに各処理ユニットに対するウエハの搬入出には、例えばウエハを保持した状態で搬送可能に構成されている基板搬送装置が用いられている。この中には基板を冷却処理や熱処理を行なう処理装置（ユニット）を備えている。例えば、冷却処理ユニットと加熱処理ユニットを備えている。これらは、レジスト液塗布前に基板の冷却処理を冷却処理ユニットで行い塗布後に基板を加熱してレジスト膜を硬化させる塗布後加熱処理ユニットで行う。また、露光後の基板を所定の温度で加熱処理して冷却処理をするための現像前加熱処理ユニットを備えている。

これら加熱処理ユニットは、加熱処理ユニットに基板を受け渡すときに加熱処理ユニット内に設けられる冷却プレートに受け渡した後に冷却プレートが加熱処理部に基板を保持したまま移動して、加熱処理部のプレートに基板を受け渡す機能も備えている。また加熱処理が終了した基板を冷却プレートによって取り出すと共に基板の冷却を行う様に構成された冷却プレートは加熱処理ユニットとの間で進退移動可能に構成されていることが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−３０３１０４号公報（図４、図５、図１１） 特開２００７−２５８３０３号公報（図４、図１１）

近年、半導体製造プロセスは平面上の微細化と同時に何層にもパターン形成を繰り返して縦方向（厚み方向）に回路を形成する、例えば３Ｄ NANDの製造のようなプロセス処理が行われている。これらの製造をする場合に配線基材、膜の材質の違いなどを有しながら多層配線化のプロセスが行われることにより基板に反りが生じる傾向にある。反りの種類としては凹形状、凸形状などとなり、これら反りの形状を考慮した基板処理が求められる。

例えば、加熱処理装置もその対象となる中の一つであり、冷却プレートから加熱部へ基板の搬入出を行うことのできる加熱処理ユニットの加熱処理が終了後に冷却プレートに載せると温度差により急激な形状変化を生じることがある。例えば、加熱処理でほぼフラットな基板を冷却プレートに載置することで下地膜などの収縮の影響などで凸形状に反ったり、あるいは凹形状に反ったり、処理を行うロットの基板の下地処理によって変わる。また、基板が反ったままで冷却プレートに基板を載置して冷却を行ったとしても冷却温度が面内で不均一のままとなってしまう。さらに所定温度に達せずに搬送装置に受け渡されてしまう懸念もある。

本考案は、上記事情の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、基板の反りに対しても基板面内の冷却処理温度のばらつきが生じない構造を有する温調プレートを有する装置を提供することである。

上記課題を解決するために本考案の温調プレートを有する基板温調装置は、基板を載置して所定の温度に温度調整を行う基板の径と同じか少し大きい大きさの温調プレートを有する処理装置であって、基板を載置するための円形の中央部プレートと該中央部プレートを同心円状に囲む複数のリング状プレートとから成るフェースプレートと、前記フェースプレートの下方に配置される前記フェースプレートと略同形のベースプレートと、前記ベースプレートと前記フェースプレートとの間に設けられ、前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとで個別に基板を載置する面の高さを自在に調整するための昇降手段と、前記昇降手段を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とする（請求項１）。

また、前記昇降手段は、流体を受け入れて収縮自在な袋状の流体貯留部で構成され、前記流体貯留部は配管により流体制御器と接続されていることを特徴とする（請求項２）。

前記制御部は、前記流体貯留部に流体を流入させる量を前記流体制御器で制御して前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとの高さを所定の高さに調整することを特徴とする（請求項３）。

このように構成することによって、基板の形状が平坦でない場合もフェースプレートが同心円状に複数に分かれているので、これらの高さを基板の形状に応じて基板裏面と近接するようにフェースプレートの高さを変えることで所望の温度調整が出来る。高さを変える手段として袋状の貯留部を使い内部の流体量を調整することで所望の高さにすることができる。

また、本考案において、本考案の温調プレートを有する基板温調装置の前記制御部は、前記フェースプレートに載置する基板が凸形状に反りを生じている場合に前記中央部プレートを前記複数のリング状プレートよりも高くし、前記複数のリング状プレートのうちで外周側のリング状プレートが他のリング状プレートよりも低くなるように高さを調整する。また、前記制御部は前記フェースプレートに載置する基板が凹形状に反りを生じている場合に前記中央部プレートを前記複数のリング状プレートよりも低くし、前記複数のリング状プレートのうちで外周側のリング状プレートが他のリング状プレートよりも高くなるように高さを調整することを特徴とする（請求項４、請求項５）。

このように構成することによって、基板の凸形状や凹形状に合わせて夫々のプレート面の高さを調整することで所望の温度調整ができる。

また、本考案において、本考案の温調プレートを有する基板温調装置の前記流体制御器は、前記流体の温度調節機能を備え且つ前記配管は流体が前記フェースプレートから循環する配管を成し、前記制御部は前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとを個別の所定温度に温度調節する制御を行うことを特徴とする（請求項６）。

このように構成することによって、フェースプレート面を分割領域ごとに温度調整できるので基板上での温度の面内均一性を上げることができる。

また、本考案において、本考案の温調プレートを有する基板温調装置の前記温調プレートは、基板をプレートに載置して熱処理を行う熱処理プレートとの間で前記基板の受け渡し及び受け取りを行う進退移動可能な移動機構を有していることを特徴とする（請求項７）。

このように構成した温調プレートを熱処理装置との間で基板の授受に使うことで熱処理の完了した基板を均一に速やかに温度調整することができる。

また、本考案において、前記フェースプレートは、基板を吸引して吸着する吸引孔が設けられており前記吸引ラインと接続されていることを特徴とする（請求項８）。

このように構成することによって、確実に基板裏面とそれぞれのフェースプレートとを密着することが出来るので面内均一性が良くなるとともに温度調整時間を短縮できる。

以上に説明したように、本考案の温調プレートを有する基板温調装置は、上記のように構成されており、基板の反りの形状のフェースプレート面を近接または密着させることで基板の面内均一性を向上させる効果が得られる。

さらに、熱処理装置から熱処理直後の基板を温調プレートに載置したときに生じ易い基板の収縮による反り増大を抑えることができる効果が得られる。

本考案に係る基板温調装置を適用したレジスト塗布現像装置の平面図である。 前記レジスト塗布現像装置の斜視図である。 基板の受け渡し機能を有するキャリアブロック側に設けられるクーリングプレート群の構成を示す斜視図である。 基板の受け渡し機能を有するインターフェイス側に設けられるクーリングプレート群の構成を示す斜視図である。 第一実施例に係るクーリングプレートの構造を示す斜視図である。 第一実施例に係るクーリングプレートの細構造を示す断面図である。 クーリングプレートの動作態様を示す概略断面図である。 第二実施例に係る加熱処理装置の全体を説明する平面構成図である 第二実施例に係る加熱処理装置に適用される移動クーリングプレートの構造を示す斜視図である。

以下にこの考案に係る温調プレートを有する基板温調装置が組み込まれるレジスト塗布現像装置の形態と、図１，図２の半導体基板であるウエハＷのレジスト塗布現像装置に適用した場合について説明する。塗布現像装置は、キャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台２１上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア２０から開閉部２２を介して受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、キャリアブロックＳ１の奥側に筐体２４で囲まれた処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア２０に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＳ２は、図２に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うため下層反射防止膜塗布装置が設けられる第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布を行うためレジスト塗布処理装置が設けられる第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うため上層反射防止膜塗布装置の第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５を、下から順に積層して構成されている。

レジスト塗布現像装置は、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５、薬液を塗布する液処理装置（図示せず）と、この液処理装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのこの考案に係る加熱及び冷却系の処理ユニットである加熱処理装置７０と、前記液処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、例えば、ＣＯＴ層Ｂ４ではこれらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ４を備えている。また、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２、ＢＣＴ層Ｂ３とＴＣＴ層Ｂ５においても、同様に搬送アームＡ１（ＤＥＶ層），Ａ３（ＢＣＴ層），Ａ５（ＴＣＴ層）を有している。

例えば、第４のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４を例にとると、各層については、図１に示すように、ＣＯＴユニット３１内にレジストを塗布処理するカップが例えば３個設けられている。そして、搬送アームＡ４の直線搬送を挟む形で加熱及び冷却系の処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４はそれぞれ２段に構成されており、図１の図面では合計８個の処理ユニットが存在することになる。

更に処理ブロックＳ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、受け渡しアームＣによって棚ユニットＵ５の受け渡しユニットとなる３本のピンが立設してなるトラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２に受け渡されて、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する冷却処理ユニットＣＰＬ２（クーリングプレート）に、棚ユニットＵ５の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤによって順次搬送される。また、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１と反対側のインターフェイスブロックＳ３に隣接する位置には棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６は棚ユニットＵ５と同様に構成されており、受け渡しアームＥでウエハＷを各層に昇降可能に構成されている。

なお、棚ユニットＵ５は、図３に示すように、それぞれ２段に配置される、第１のクーリングプレートＣＰＬ１ａ，ＣＰＬ１ｂ、トラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２、第２のクーリングプレートＣＰＬ２ａ，ＣＰＬ２ｂ、第３のクーリングプレートＣＰＬ３ａ，ＣＰＬ３ｂ、第４のクーリングプレートＣＰＬ４ａ，ＣＰＬ４ｂが下から順に積層して構成されている。また、棚ユニットＵ６は、図４に示すように、棚ユニットＵ５と同様に構成されている。すなわち、棚ユニットＵ６は、棚ユニットＵ５の第１〜第４のクーリングプレートＣＰＬ１ａ，ＣＰＬ１ｂ〜ＣＰＬ４ａ，ＣＰＬ４ｂに対応する２段のクーリングプレートＣＰＬ５ａ，ＣＰＬ５ｂ〜ＣＰＬ８ａ，ＣＰＬ８ｂとトラジションステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４を積層して構成されている。

前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ３は、棚ユニットＵ５の冷却処理ユニットＣＰＬ２ａ、２ｂからウエハＷを受け取って、各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。同様にして、ＢＣＴ層Ｂ２で処理の完了したウエハＷは棚ユニットＵ６の冷却処理ユニットＣＰＬ６ａ，ＣＰＬ６ｂに搬送されて受け渡しアームＥによりＣＯＴ層Ｂ４に対応する冷却処理ユニットＣＰＬ７ａ，ＣＰＬ７ｂに搬送されてＣＯＴ層Ｂ４の搬送アームＡ４によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。

この後は冷却処理ユニットＣＰＬ３ａ，ＣＰＬ３ｂに運ばれ、前述と同様に受け渡しアームＤが受け取り冷却処理ユニットＣＰＬ４ａ，ＣＰＬ４ｂに受け渡されてＴＣＴ層Ｂ５の搬送アームＡ５によって目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットＵ６の冷却ユニットＣＰＬ８ａ，ＣＰＬ８ｂに受け渡されて、受け渡しアームＥによりＴＲＳ３，ＴＲＳ４にウエハＷが受け渡される。このウエハＷをインターフェイスブロックＳ３にある受け渡しアームＦにより露光機Ｓ４に受け渡しをすることになる。露光機Ｓ４から搬出されたウエハＷは受け渡しアームＦが受け取り、ウエハＷを支持するための３ピンが出没可能に構成されてなるＣＰＬ５ａ，ＣＰＬ５ｂに受け渡された後、現像処理がＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２にて行われる。その後、冷却処理ユニットＣＰＬ１ａ，ＣＰＬ１ｂに受け渡されて通過させてキャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣが受け取ってキャリア２０に収納される。

（第一実施例）
本考案の温調プレートを有する基板温調装置は、前述に説明した図３の棚ユニットＵ５と図４の棚ユニットＵ６に構成されるクーリングプレート（ＣＰＬ１ａ〜ＣＰＬ４ｂとＣＰＬ５ａ〜ＣＰＬ８ｂ）に適用される。前述したクーリングプレートＣＰＬ３ａを例にとってウエハＷの受け渡しと構造について説明する。

先ずウエハＷの受け渡しについては、図５に示す。クーリングプレートＣＰＬ３ａは、受け渡しに対応する搬送アームを用い、この搬送アームの基板保持部分に設けられる例えば４箇所のウエハＷ支持片でウエハＷが支持される。クーリングプレートＣＰＬ３ａには、ウエハＷの載置面となるフェースプレート５０に設けられる４箇所の側面凹部５０ａが設けられて搬送アームの支持片と対応して４箇所の支持片が上下に通過可能になっている。ウエハＷの受け渡し時にはウエハＷを載置した搬送アームがクーリングプレートＣＰＬ３ａに向かい上方より下方に移動して側面凹部５０ａを支持片がスルーすることでウエハＷを載置できる。なお、ウエハＷの受け取り時はこの逆手順となる。

次に図５、図６を用いて本考案の適用された基板温調装置の温調プレートの構造を説明する。図５（ａ）はクーリングプレートＣＰＬ３ａのフェースプレート５０の細部を示し、図５（ｂ）はフェースプレート５０の取り付けベースとなるベースプレート５４の細部を示す。フェースプレート５０は、同心円状に複数に分割された例えば３つのフェースプレートから構成され、中心部の円形をした中央部プレート５１と、その中央部プレート５１を同心円状に囲むリング状をした中間部リングプレート５２及び外周部リングプレート５３とからなる。フェースプレート５０の材質は金属で例えばステンレス、アルミやセラミックス製であって良い。このフェースプレート５０の表面には複数のギャップピン（Ｐ１〜Ｐ１７）が設けられておりウエハＷを載置したときにプレート面とウエハＷ裏面との間で例えば１００μｍのギャップが設けられている。

中央部プレート５１と中間部リングプレート５２との間には後述するフェースプレート５０面の高さを変更可能にするための可動領域となる適度な隙間５８と中間部リングプレート５２と外周部リングプレート５３との間に同様な理由から隙間５９が設けられている。これにより中央部プレート５１とリング状の中間部リングプレート５２、外周部リングプレート５３は干渉せずに独立して高さを変更できる構造となっている。

次に図５（ｂ）のベースプレート５４の構造について説明する。ベースプレート５４は棚ユニットＵ５に設置できる様に取付け部５４ａがベースプレート５４より延伸して所定の箇所に取付けされる。ベースプレート５４は、フェースプレート５０と同形で材質がアルミ製の平板である。ベースプレート５４とフェースプレート５０とは重ね合わされるが間に挟むように昇降手段６２が設けられる。この昇降手段６２は、前述の円形の中央部プレート５１とリング状の中間部リングプレート５２、外周部リングプレート５３の裏面と一致する位置に設けられる。この昇降手段６２は流体を貯留させる袋状に構成されており中央部昇降手段５５と中間部昇降手段５６、外周部昇降手段５７で構成される。これらの間にはフェースプレート５０と同様に隙間５８ａと隙間５９ａが設けられる。

この昇降手段６２を個別に調整することによりフェースプレート５０を凸形状にするために中央部を周縁部より高くしたり、凹形状にするために周縁部を中央部より高くしたりすることが可能であり基板の反り形状に自在に一致させることが出来る。中央部昇降手段５５と中間部昇降手段５６、外周部昇降手段５７にはそれぞれ流体を注入もしくは排出することができるように配管が接続されている。流体には例えば液体となる水、油、気体である窒素、空気などであって良い。

次に図６のフェースプレート５０の各流路構成について説明をする。フェースプレート５０のそれぞれに可動するフェースプレートとなる中央部プレート５１と中間部リングプレート５３及び外周リングプレート５３の平面図との断面構成の位置関係並びにそれぞれに対応する昇降手段とそれに接続される流路配管について示している。断面図ではベースプレート５４とフェースプレート５０との間には、昇降手段６２が袋状の流体貯留式の昇降手段６２として設けられている。この流体貯留式の昇降手段６２は、中央部プレート５１に対応して中央部昇降手段５５が中間部リングプレートに対応して中間部昇降手段５６が外周リングプレート５３に対応して外周昇降手段５７がそれぞれ設けられている。

上述の複数の昇降手段６２には、それぞれ流体を供給するための流路配管がベースプレート５４に設けられて接続されており取付け部５４ａを経由して中央部昇降配管５５ａ、中間部昇降配管５６ａ、外周部昇降配管５７ａと接続されている。中央部昇降配管５５ａ、中間部昇降配管５６ａ、外周部昇降配管５７ａはさらに流体制御器６０に接続されている。この流体制御器６０は、制御部６１との間でデータ信号の授受を行い流体制御器にどの位置の昇降手段に流体をどの位の量の流体を送出するかの流体操作を行っている。なお、流路配管は図面にて各昇降手段に対して１本が図で示されているが送出配管と排出配管の２本で循環させることが可能な流路とすることもできる。

例えば、処理カセットが搬入される前に別の場所でウエハＷに反りの情報が測定装置により取得されている場合や、処理カセットが搬入後に取り出されたウエハＷを測定装置にて測定したデータを制御部６１が最適な昇降高さとなるように高さを設定して流体制御器６０に指令を渡す。例えば、流体制御器６０には温度調整部を内蔵しており、中央部昇降手段５５、中間部昇降手段５６、外周部昇降手段５７へ温度調整をした流体をそれぞれに供給することができる。これにより対応するフェースプレート（５１，５２，５３）の温度を個別に温度を設定することが出来る。さらに基板の種類、反りに応じて温度を自在に変えることができる。もちろん、この場合にはフェースプレート自体に直接サーモモジュールを備えても良い。

図７はウエハＷの反り状態にフェースプレート５０の形に合わせた場合の図を示す。ウエハＷの反りは最大で３ｍｍ程度だが図は分かり易くするために３ｍｍよりは大きく記載している。図７（ａ）は凸形状反りしたウエハＷの裏面に近接可能に各フェースプレート（５１，５２，５３）の高さを調整している。凹形状反りした場合には図７（ｂ）のようになる。適用例ではフェースプレート５０を３つに分けてリング状のフェースプレート（５２、５３）を２つとしているが、このリング状のフェースプレート（５２，５３）の領域を更に細かく細分化して２以上のリング状にすることによりウエハＷへの近接状態が更に良くなるのは言うまでもない。また、ギャップピン（Ｐ１〜Ｐ１７）の位置もしくはその近傍に例えば直径３ｍｍの孔と大元が減圧（真空）ライン（図示せず）の供給系と接続された吸引孔（図示せず）を複数箇所に設ける（フェースプレート面への構成は図示せず）ことによりウエハＷの裏面を吸着して近接するので温度調整の速度を早くすることができる。

（第二実施例）
次に図８、図９にて加熱処理装置７０に適用される例を説明する。図８は第４ブロックに搭載されている加熱処理装置７０の構成を示しており、搬送アームＡ４の搬送路側より見て奥側に熱板７２があり手前側に熱板７２に向けて進退自在に構成された移動クーリングプレート７１が設けられている。この移動クーリングプレート７１にもウエハＷの受け渡しをする際に搬送アームＡ４の支持片Ａ４ａが上下にスルー可能に４箇所の側面凹部７１ａが設けられている。また熱板７２にはウエハＷを熱板７２の上に載置するため昇降自在な３本のリフトピンである３ピン７３を備え、移動クーリングプレート７１が熱板７２側へ水平移動して熱板７２の直上に移動できるように３ピン７３に干渉させないための２本のスリット８１が設けられている。

ウエハＷの処理について説明する。例えば、搬送アームＡ４に保持されたウエハＷは移動クーリングプレート７１に基板を受け渡して熱板７２側に移動する。次に熱板７２の３ピン７３を上昇させてウエハＷを移動クーリングプレート７１から離間させてから移動クーリングプレート７１を元の位置に退避させる。次に３ピン７３を下降させて熱板７２上へ載置して加熱処理を実行する。加熱処理の完了したウエハＷは逆の動きで移動プレート ７１に載置されてウエハＷを搬送アームＡ４が受取る。

図９にて移動クーリングプレート７１について説明する。前述のクーリングプレートＣＰＬ３ａのフェースプレート５０と類似し同様思想技術の構造をもったフェースプレート８０と同心円状の複数のリング状のフェースプレートで構成するものであり詳細については前述のクーリングプレートＣＰＬ３ａを参照することで理解できるので割愛する。なお、クーリングプレートＣＰＬ３ａと異なる部位はスリット８１ａ、８１ｂの部分でリング形状が一旦切れるのでスリット８１ａとスリット８１ｂの間のフェースプレート片もそれぞれ昇降可能に構成されている。

このフェースプレート８０上面にもクーリングプレートＣＰＬ３ａと同様にギャップピンまたは吸引孔が設けられる。ウエハＷの凹反りまたは凸反りに対するフェースプレート８０の昇降手段の対応は前述の図７（ａ）（ｂ）にて説明した通りである。

この様に加熱処理装置７０の移動クーリングプレート７１に適用することにより、加熱処理を加える前のウエハＷの温度の面内分布を均一にした後に熱処理を行うことが出来るので加熱処理の昇温過度温度の面内分布がばらつかずに目標温度での処理が早く行える。
さらに加熱処理後のウエハＷにおいて移動クーリングプレート７１で反りに合った形状にフェースプレート７０の形を変形させているので均一に冷却が開始されるのでウエハＷの膜の収縮影響もなく反りの助長もない。

さらに前述と同様の吸引孔をフェースプレート７１に設けることでウエハＷとの密着力が向上して基板を均一に迅速に冷却することができるようになる。

また、上記実施形態では、この考案に係る加熱処理装置７０を半導体のレジスト塗布現像装置システムに適用した場合について説明をしたが、この考案に係る加熱処理装置７０は、ＦＰＤ基板の処理システムや洗浄装置にも適用できることは勿論のことである。

５０ フェースプレート
５１ 中央部プレート
５２ 中間部リングプレート
５３ 外周リングプレート
５４ ベースプレート
５５ 中央部昇降手段
５６ 中間部昇降手段
５７ 外周部昇降手段
６０ 流体制御部
６１ 制御部
６２ 昇降手段
７０ 加熱処理装置
７１ 移動クーリングプレート
７２ 熱板
７３ ３ピン
７４ ギャップピン
８１ スリット

上記課題を解決するために本考案の温調プレートを有する基板温調装置は、基板を載置して所定の温度に温度調整を行う基板の径と同じか少し大きい大きさの温調プレートを有する処理装置であって、基板を載置するための円形の中央部プレートと該中央部プレートを同心円状に囲む複数のリング状プレートとから成るフェースプレートと、前記フェースプレートの下方に配置される前記フェースプレートと略同形のベースプレートと、前記ベースプレートと前記フェースプレートとの間に設けられ、前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとで個別に基板を載置する面の高さを自在に調整するための昇降手段と、前記昇降手段を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする（請求項１）。

また、本考案において、前記フェースプレートは、基板を吸引して吸着する吸引孔が設けられていることを特徴とする（請求項８）。

Claims (8)

1. 基板を載置して所定の温度に温度調整を行う基板の径と同じか少し大きい大きさの温調プレートを有する基板温調装置であって、
   基板を載置するための円形の中央部プレートと該中央部プレートを同心円状に囲む複数のリング状プレートとから成るフェースプレートと、
   前記フェースプレートの下方に配置される前記フェースプレートと略同形のベースプレートと、
   前記ベースプレートと前記フェースプレートとの間に設けられ、前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとで個別に基板を載置する面の高さを自在に調整するための昇降手段と、
   前記昇降手段を制御する制御手段と、
   を備えていることを特徴とする温調プレートを有する基板温調装置。
2. 前記昇降手段は、流体を受け入れて収縮自在な袋状の流体貯留部で構成され、前記流体貯留部は配管により流体制御器と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の温調プレートを有する基板温調装置。
3. 前記制御部は、前記流体貯留部に流体を流入させる量を前記流体制御器で制御して前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとの高さを所定の高さに調整することを特徴とする請求項２に記載の温調プレートを有する基板温調装置。
4. 前記制御部は、前記フェースプレートに載置する基板が凸形状に反りを生じている場合に前記中央部プレートを前記複数のリング状プレートよりも高くし、前記複数のリング状プレートのうちで外周側のリング状プレートが他のリング状プレートよりも低くなるように高さを調整することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の温調プレートを有する基板温調装置。
5. 前記制御部は、前記フェースプレートに載置する基板が凹形状に反りを生じている場合に前記中央部プレートを前記複数のリング状プレートよりも低くし、前記複数のリング状プレートのうちで外周側のリング状プレートが他のリング状プレートよりも高くなるように高さを調整することを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の温調プレートを有する基板温調装置。
6. 前記流体制御器は、前記流体の温度調節機能を備え且つ前記配管は流体が前記フェースプレートから循環する配管を成し、前記制御部は前記中央部プレートと前記複数のリング状プレートとを個別の所定温度に温度調節する制御を行うことを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の温調プレートを有する基板温調装置。
7. 前記温調プレートは、基板をプレートに載置して熱処理を行う熱処理プレートとの間で前記基板の受け渡し及び受け取りを行う進退移動可能な移動機構を有していることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の温調プレートを有する基板温調装置。
8. 前記フェースプレートは、基板を吸引して吸着する吸引孔が設けられており前記吸引ラインと接続されていることを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載の温調プレートを有する基板温調装置。

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