JP4598093B2 - 不良検査装置 - Google Patents
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Description
まず、制御装置42を操作してポンプ装置6を駆動し、試料室30の排気(真空処理)を行う。以降の各作業は試料室30内の真空状態を維持したまま行う。
次に、受熱部36Aと受熱部36Bを分離し、大ステージ29を駆動して試料交換位置(図6(C)参照)に移動する。
次に、大ステージ29を駆動し、プローブ粗寄せ位置(図6(A)参照)に移動する。
次に、SEM3を用いて、半導体試料25の測定対象部分及び各プローブ45を観察しながら、各プローブ45をそれぞれ半導体試料25の所定の位置に触針させる。このように、プローブ粗寄せ機構9により、半導体試料25に対するプローブ45の粗寄せを行うことにより、SEM3により観察しながら半導体試料25の所定の位置にプローブ45を触針する時に、SEM3の倍率の調整回数(調整時間)が少なくて済むので、半導体試料25の電気特性測定を効率良く行うことができる。
この状態で、例えば半導体パラメータアナライザ等の電気特性測定装置52が有する通電手段により、所望のプローブ45を介して半導体試料25の所望の位置に電圧、電流を掃引し、それと同時に所望のプローブ45を介して半導体試料25の触針位置の電圧、電流を測定することにより、室温(常温)における半導体試料25の電流電圧特性の波形を得る。電気特性測定装置52は、この電流電圧特性を元に、電流値、電圧値、及び抵抗値等の所望の特性値を算出し、この特性値を電流電圧特性の波形を図示しないディスプレイに表示すると共に、伝送線52aを介して制御装置42に伝送する。制御装置42は、電気特性測定装置52から伝送された特性値を図示しない記憶装置に記憶し、解析することにより、半導体試料25の良否判定を行うと共に、半導体試料25の特性値及び良否判定結果を表示装置44に表示させる。常温における半導体試料25の電流電圧特性の測定が終了したら、半導体試料25への電流、電圧の掃引を停止する。
次に、半導体試料25の温度に対する電気特性(温度特性)を測定するため、制御装置42の入力手段を用いて半導体試料25の目標温度の設定を行う。
半導体試料25の温度が所望の設定温度で安定したら、電気特性測定装置52は、所望のプローブ45を介して半導体試料25の触針位置に電圧、電流を掃引すると同時に所望のプローブ45を介して半導体試料25の触針位置の電圧、電流を測定することにより、所望の測定温度における半導体試料25の電流電圧特性の波形を得る。電気特性測定装置52は、この電流電圧特性を元に特性値を算出し、この特性値と電流電圧特性を図示しないディスプレイに表示すると共に、伝送線52aを介して制御装置42に伝送する。制御装置42は、電気特性測定装置52から伝送された特性値を図示しない記憶装置に記憶し、解析することにより、半導体試料25の良否判定を行うと共に、半導体試料25の特性値及び良否判定結果を表示装置44に表示させる。
半導体試料25の温度特性測定の途中で、プローブ45を形状や用途の異なるプローブに交換したり、破損したプローブ45を正常なプローブに交換したりする場合は、受熱部36Aと受熱部36Bを分離し、大ステージ29を駆動してプローブ交換位置(図6(C)参照)に移動する。プローブ交換位置に移動したら、プローブ交換機構10のプローブ交換装置10aによりプローブ45の交換を行う。その後、大ステージ29を駆動してプローブ粗寄せ位置に移動して、プローブ粗寄せ機構9によりプローブ粗寄せを行い、さらに、観察測定位置に移動して受熱部36Aと受熱部36Bを接続し、SEM3により観察しながら半導体試料25の所定の位置にプローブ45を触針して電気特性測定を行う。
次に、半導体試料25の温度を常温に戻し、大ステージ29を駆動して試料交換位置に移動し、試料交換機構11の試料交換装置11aにより半導体試料25の搬出及び交換を行う。
2 制御部
3 SEM
4 試料駆動装置
5,105 試料測定装置
6 ポンプ装置
7 試料温度調整装置
8 冷却トラップ装置
9 試料粗寄せ機構
10 プローブ交換機構
11 試料交換機構
22 電子ビーム光学系
23 2次電子検出器
24 Zセンサ
25 半導体試料
25a 配線パターン
25b 断線箇所
26 試料ホルダ
27 試料温調部
28 小ステージ
29 大ステージ
30 試料室
30a 待機室
31 架台
32,53 ターボ分子ポンプ
33,54 ドライポンプ
34,35 熱伝達線
36A,36B 受熱部
37,40 熱伝達棒
38,41 冷媒容器
39 トラップ部
42 制御装置
43 電源装置
44 表示装置
44a 不良検査結果画像
45 プローブ
46 プローブホルダ
47 プローブユニット
48 プローブユニットベース
49 ベースステージ
50,51 フィールドスルー
52 電気特性測定装置
55 温度センサ
56 絶縁シート
57 ヒータ
60,61,62,63 ゲートバルブ
70 微小信号増幅装置
71 1次電子線
100,110 不良検査装置
Claims (9)
- 試料を保持する試料ステージと、
前記試料ステージ上の試料を観察する電子光学系と、
前記試料ステージ上の試料に触針するプローブを有するプローブ装置と、
前記プローブを介して試料の触針箇所の電気特性を測定する電気特性測定装置と、
前記試料ステージを駆動する駆動手段と、
前記試料ステージに設けられ、前記試料ステージを加熱するヒータと、
前記試料ステージに接続された第1熱伝導部と、
前記試料ステージ、前記プローブ装置、前記駆動手段、前記ヒータ及び第1熱伝導部を収容する真空容器であって、前記電子光学系により試料を観察し前記電気特性測定装置により試料の電気特性を測定するための観察測定位置、及び前記プローブを交換するプローブ交換位置を内部空間に包含する試料室と、
前記試料ステージが前記観察測定位置にあるときに前記第1熱伝導部に接続し、前記試料ステージが前記プローブ交換位置に移動する際には前記第1熱伝導部から予め分離する第2熱伝導部と、
前記第2熱伝導部に接続された冷媒貯留部とを備えることを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記試料ステージは、前記ヒータとの間に設けられた中間層を備え、
前記中間層は、
前記ヒータに接続された導電部と、
前記導電部と前記試料ステージに接続され、前記導電部と前記試料ステージの間の電流の流れを遮断する絶縁部とを備えることを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記第1熱伝導部と前記第2熱伝導部は、互いに接続した状態で、前記試料の電気特性測定時の前記試料ステージの移動を許容する可動範囲を有することを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記第1熱伝導部は、前記第1熱伝導部から前記第2熱伝導部を分離した場合、前記観察測定位置を離れ、前記プローブ交換位置に移動して前記プローブを交換し、前記観察測定位置に戻るのに要する時間、前記試料の温度を目標温度以下に保つ熱容量を持つことを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記試料の目標温度が常温よりも低い場合、前記試料ステージの加熱と冷却を同時に行うことを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記試料の目標温度が常温よりも低い場合は前記第1熱伝導部と前記第2熱伝導部を接続し、前記試料の目標温度が常温よりも高い場合は前記第1熱伝導部と前記第2熱伝導部を分離することを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記試料の目標温度が常温である場合、前記試料の温度が前記目標温度よりも低い場合は前記第1熱伝導部と前記第2熱伝導部を分離し、前記試料の温度が前記目標温度よりも高い場合は前記第1熱伝導部と前記第2熱伝導部を接続することを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記試料より低い温度に冷却される冷却トラップを有し、前記試料に対する汚染物質を吸着する冷却トラップ装置を備えることを特徴とする不良検査装置。 - 請求項1記載の不良検査装置において、
前記電気特性測定装置により測定された電流に基づく画像を表示する表示装置を備えたことを特徴とする不良検査装置。
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