JPH0271540A - 小物体用の温度調節支持台及びこれによる温度調節方法 - Google Patents

小物体用の温度調節支持台及びこれによる温度調節方法

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JPH0271540A
JPH0271540A JP1113587A JP11358789A JPH0271540A JP H0271540 A JPH0271540 A JP H0271540A JP 1113587 A JP1113587 A JP 1113587A JP 11358789 A JP11358789 A JP 11358789A JP H0271540 A JPH0271540 A JP H0271540A
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JP1113587A
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Daniel Moulene
ダニエル・ムレーヌ
Pierre Gourdon
ピエール・グールドン
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Gourdon Ets
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、集積回路を含む半導体のウニ／％−の如き小
物体に関する温度試験に用いられる温度調節支持台で、
これがプラテンと上記プラテンを受けるベースとを含み
、上記の２つの要素が、組立てられたとき、上記支持台
に設けられた温度センサーを持つ温度／１Ｊ１１定シス
テムからのデータに基づき、上記プラテン」二に置かれ
た物体の温度を調節するするために、上記プラテンを加
熱冷却することの出来る熱流体を流すことが出来る内部
間隙を囲む如き形状をしている、ものに関する。
［従来の技術及びその課題］ 従来から、この種の形の温度調節支持台は、例えばハイ
ブリッド回路の如く、ウエノ１−、チップ、又はこれに
類する電子部品上の集積回路用のプローブ試験装置に関
連して使用されている。試験される部品が支持台の上に
置かれるが、この台は、２つの機能を持ち、その１つが
、この部品を所定の制御された温度にし且つその温度に
保ことであり、他の１つが、調節可能の機械的ブラット
ホームを用い、この試験プローブに対し、この部品を厳
密に正確な位置に置くことである。
一般的に、この種の公知の温度調節支持台にはアルミニ
ュウムのプラテンが用いられている。これには色々な欠
点があり、先ず、たとえ高級な機械で注意深く操作した
としても、小さな許容誤差の中で、このアルミニュウム
製品を作ることが困難である。更に、アルミニュウムは
熱変形に弱く、この支持台の機械的安定性が失われ易い
。又、アルミニュウムは比較的柔らかいので、引続き、
この支持台を分解し再組立てする場合、これらの構成部
品を再加工しなければならない。更に、アルミニュウム
は言うまでもなく金属なので、金属プラテンに高い絶縁
抵抗性を与えることが困難で、その反面〜標遊容Ｑ　（
ｓｔｒａｙ　ｃａｐａｃＨａｎｃｃ　）が高く、この電
子構成部品に行われる電気的Ｍｌ定の品質に影響する。
更にこれらに加えて、この温度調節支持台には、機械的
及び寸法的観点からのみならず、温度調節の均−性及び
誤差の観点からも、高度な正確性が要求される。当面、
この種のアルミニュウム製の支持プラテンによって、所
要の調節特性を得ることは困難である。
本発明の目的は以上説明した全ての欠点を解決すること
である。
［課題を解決するための手段及びその作用］この目的を
達成するために、本発明による温度調節支持プラテンは
電気絶縁性で熱伝導性のセラミック材料から作られ、ベ
ースが、このセラミックプラテンと実質的に等しい熱膨
脹率を持つ材料で作られる。この場合、色々なセラミッ
ク材料を使用することが出来、例えば、窒化アルミニュ
ウム、シリコンカーバイド、又はガラス質、のセラミッ
ク材である。
セラミック材料で作られたプラテンは、高いＩＥ確度（
１ミクロンのオーダー）で比較的安価に機械加工するこ
とが出来、又寸法的に優れた安定性と低い熱膨脹係数と
を持っている。従って、これら構成部品を機械加工する
場合、高い機械精度が得られ、広い温度範囲に亙って、
このプラテンとベースが同じ熱膨脹率を持つことにより
、この支持台は熱変形が無い。更に、使用する材料の硬
度が非常に高いことにより、プラテンを分解再組立てす
る場合、加工工場に差し戻す必要が無い。更に又、セラ
ミックの絶縁特性により、試験物体と支持台との間の電
気絶縁の問題が解決され、標遊容量が大幅に減少する。
又、セラミック材のこのような特性により、後に説明す
る如く、プラテンの表面に、例えば薄い抵抗箔の如き絶
縁されていない電気部品を設けることが可能である。
妨害にならない範囲に於いて電気伝導性であっても良く
、又金の如き材料で作られた、熱伝導性の層をプラテン
の上表面に設けることが出来る。
支持台が置かれる装置の温度損失を減らすために、即ち
温度調節機能を向上させるために、ベースが、セラミッ
ク材料、好ましくは熱絶縁型のもの、で作られる。これ
と同じ目的で、このベースを色々な部品で形成し、支持
台の熱絶縁性が最も好ましくなるように設計することが
出来る。
最も単純な設計に於いては、このプラテンを平行な２つ
の平面を持つ円板とし、ベースを上述した如く間隙を形
成する皿形にすることが出来る。
特徴として、この内部間隙が、流体に一定の流れ断面を
与えることの出来る管状の熱流体循環システムを含む。
これにより流体又はガスを危険性無しに使用することが
出来、後者の場合は、ガスの圧縮膨張効果により、プラ
テンが部分的温度差を持つ恐れのないようにすることが
出来る。
このチューブシステムは、入口及び出口の両チャンバー
の間に平行に設けられた均一な断面を持つ幾つかのコン
ジットを含むことが出来、又あるいは、これを、二重螺
旋状に設けられた一定断面のコンジットにより形成し、
この２つの隣接する回旋体が熱流体を対向する方向に運
び、プラテンの全ての点に於いて均一な１ｇ度分布が得
られるようにすることが出来る。
本発明のその他の特徴によれば、上述したチューブシス
テムを、直接プラテンの中又はベースの中のいずれか１
方に設けることが出来る。この代りに、円板の中に埋め
込まれたチューブそのものによるが、これに溝を（機械
加工、溝堀、又は鋳込み等により）設けるが、のいずれ
が１方により、間隙の中に置かれる円板にこれをを設け
ることが出来る。この円板の高さは内部間隙の深さより
僅かに小さく、ばねをベースに設け、ベースに付帯する
プラテンの内面に向って円板を押すようにすることが出
来る。これにより、円板の全面に亙って、プラテンと円
板とが熱的に完全に接触するようにする。同様の理由か
ら、この代りに、円板を、少なぐとも部分的に、弾性材
料で作り、又、その厚さを内部間隙の深さより若干大き
くし、この間隙の中に置かれたとき、円板が、ベースに
付帯す７るプラテンの内面に向って押されるようにする
ことが出来る。
特徴として、この支Ｆｊｊ台のプラテンとベースとを、
これらの部品の端部を当接させてしっかりと保持するク
ランプにより、一体にすることが出来る。この代りに、
この２つの部品を互いに糊付けすることも出来る。
好ましくは、この熱７１Ｊｌｊ定システムに、温度セン
サーとして、電気抵抗を設け、その抵抗率がゼロでない
温度係数を持つ如くにする。更に、この支持台は加熱用
電気抵抗を持つことが出来る。この場合、この温度ＡＪ
Ｊ定システムは上記電気抵抗を温度センサーとして用い
、これが、抵抗率がゼロでない温度係数を持つ材料で作
られる。
一般的に言って、支持台に設けられるこの電気抵抗は、
好ましくは、プラテンの内面に蒸着された薄いフィルム
の抵抗である。従って、この抵抗が、温度測定が、加熱
が、又はこの両方の機能が、のいずれを行なうとしても
、試験中の物体を支持するプラテンの外表面に於ける、
調節区域内での温度変動が小さい。これは、プラテンを
形成するセラミック材料の熱イナーシャによるものであ
る。
更に、プラテンの内面の全ｑ効区域を覆う曲がりくねっ
た道に沿って形成された薄いフィルム状の抵抗を用いる
ことによって、１点を源とする部品によって得られるよ
り遥かに有効な測定及び又はより均一な加熱を行なうこ
とが出来る。
特に、マイクロエレクトロニック部品を試験する場合に
於ける如く、プラテンが可能な限り最少の標遊容量でな
ければならない時は、好ましくは、このような電気抵抗
を設けることを取止めて、熱流体のみで温度調節をする
。
本発明は、又、上述した温度調節支持台を用いた温度調
節方法を提供することを目的としており、この支持台が
、プラテンとベースとから成り、これらが組立てられた
とき、これらが内部間隙を形成し、この中に、上記支持
台に係わる温度Ａｌ１１定システムの制御のもとで、上
記プラテンの？ＦＡ度調節。
を行なう熱流体が流れる、如くにしたものである。
この方法は、上記の温度調節が上記の熱流体のみによっ
て行われ、これが温度ｉ４ｐ＋定システムによって与え
られたデータに基づく、上記流体の温度及び又は流量に
よって行われる、ことから成立っている。
１つの変形態様に於いては、上記温度調節支持台に、上
記プラテンの内面に配置される電気抵抗か取付けられ、
これが電源に接続され、ジュール効果によって上記プラ
テンの加熱を行なう一方、その冷却が上記熱流体によっ
て行われ、これにより、」１記支持台に係わる温度／１
１１１定システムの制御のもとで、上記プラテンの温度
調節が行われる。
この場合の方法が、上記７代源が上記抵抗に連続した一
定のＤＣ電圧を掛け、その電圧の値が、上記プラテンに
対して決定された指数温度Ｔｃの関数として選択され、
又、上記プラテンの温度調節が、上記冷却流体の温度及
び又は流量を調節することによって行われる、ことから
成立っている。この方法の主な利点は次の如くである、
即ち、加熱抵抗が、試験する物体に就いて行われる温度
Ａ−１定を妨害する供給電圧の変動に従わないことで、
この変動の中には、集積回路の内側を流れる微少電流が
含まれる。
好ましくは、温度ａ−１定システムによって示される上
記プラテンの温度が、温度指数の上限及び下限値に達し
たとき、上記熱流体のオン／オフ制御を行なうことによ
って、温度制御が行われる。この極く単純な制御モード
は非常に優れた精度を持ち、特に温度測定プローブがプ
ラテンの内面に有る場合、然りである。これは、そのレ
ベルに於ける温度変動が、上述した如く、プラテンの外
面のレベルで減少するからである。
上記熱流体は空気であり、その冷却が渦流形の装置によ
って行われる。
その他の本発明に関する特徴及び利点に就いては、添附
した図面を用い、実施例に於いて説明する。
［実施例］ 第１図に示す温度調節支持台Ｉは、シリコン・ウェハー
又はその他の材料上に形成された集積回路を、それぞれ
の作業温度範囲内で、試験するためのものである。これ
は比較的浅い円筒形をしており、その外面が、シリコン
ウェハーを受取り、支持台１に接続された可撓性のパイ
プ４を介して、吸引装置に繋がる環状の溝３によっても
たらされる吸引によって、これを保持する、ように設計
されている。シリコン集積回路のウェハーが・、微調整
手段６によって位置決めされる接触プローブ５によって
、電気的に試験される一方、この支持台の位置が、これ
を乗せたプラットホームの移動によって調節される。
第２図の断面図に示す如く、この支持台ｌが、平らな皿
形をしたベース１ａと、このベース１ａの上に置かれ、
これと共に内部間隙７を形成するプラテン１ｂとから成
立っている。電気絶縁体であると共に熱良導体でもある
セラミック材料によって、このプラテンが作られており
、又、非常に精密に機械加工された２つの平らな面を持
っている。ベース１ａが断熱性のセラミック材（又はそ
の他の材料）で形成されており、その膨張係数が、上記
のセラミック製のプラテンのそれと実質的に等しい。
間Ｉｇｘ　７の中に、これと同じ直径を持つ円板８が置
かれ、これに、チューブシステム９　（第３図）の同心
固状のスパイラル９ａが形成され、その１端が入口チャ
ンパー１０に、又他の１方の端部が入口チャンパー１１
に繋がり、このチャンバーがｈｋ射状状隔壁１２よって
隔離されている。チューブシステム９のスパイラル９ａ
ｓ及びチャンバー１０．１１が、上述したスパイラル及
びチャンバーが露出する円板８の全面を覆う円形の板１
３によって隔てられている。
このように形成されたチューブシステムはプラテン１ｂ
の有効面積を完全に覆っており、これは、適切な温度の
熱流体を運ぶためのもので、この流体がベース１ａの縁
部を通ってチャンバー１０に入り、又チャンバー１１か
ら出て行く。円板８と板１３の集合体の間での良好な接
触を保証するために、この円板８と板１３との複合厚さ
を間隙７の深さより若干小さくし、その結果、円板８と
板１３との集合体が、支持台１の軸方向に沿って間隙の
中に少量の遊びを持ち、ベース１ａの底に開けられたハ
ウジングの中に置かれた圧縮ばねにより、この集合体が
プラテンｔｂの内面に向って押されるようにする。
プラテン１ｂの外表面上に置かれたシリコンウェハーの
温度調節が、上記入口チャンパーｌＯに、シリコンウェ
ハー２の標準温度に該当する温度にされた流体を、プラ
テン１ｂの温度７１Ｐｊ定プローブの制御の下で、噴射
することにより、行われる。この流体を選択し、又熱的
に処理することにより、シリコンウェハー２の加熱冷却
が確実に行われる。
この流体は液体（水又はメタノール）又は、好ましくは
、ガス（空気又は窒素）である。この場合、流体が液体
かガスかを問わず、その流れによって、プラテン１ｂの
全有効面積を通じて、均一な温度分布状態が得られる。
これは、チャンバー１０．１１及びチューブシステム９
のコンジットの寸法が丁度ガスの定常流の断面積に符合
し、ガスの；ＡＬ度を局部的に変動させる圧縮膨張が起
らないからである。
電気抵抗（第２及び４図）が、金属（プラチナ、ニッケ
ル、又は金）の薄い層を沈着させることにより、プラテ
ンｉｂの内面に形成される。この抵抗に電流が、可撓性
のチューブ４の中に通された導体を介して、電源１８か
ら送られ、プラテン１ｂの厚さを介してウェハー２を加
熱する。この場合は、支持台１の中に噴射される流体は
、単に、ウェハー２を冷却する働きをするだけである。
従って、冷却されたガスが使用され、その冷却が、好ま
しくは、渦巻き式装置によって行われる。第４図に示す
如く、この抵抗は二重の螺旋形をしており、これがプラ
テン１ｂの全有効面積に亙って延び、これを均一に加熱
する。この抵抗は只１つの例を示したのみで、その他の
形の抵抗により同様に均一な加熱を行なうことが可能で
ある。
このような条件の下で、プラテン［ｂの温度Ｔを特定の
標準温度Ｔｃに保とうとするときは、加熱抵抗１６に、
温度Ｔｃの関数として決定され（計算ｆｆ１）　ｎつそ
の温度に比例する一定値のＤＣ電圧Ｖが掛けられる。冷
却流体が噴射されないときは、プラテン１ｂが環境温度
Ｔａから加熱され、１ａ！度ＴｃをΔＴだけ越すに至る
（第５図）。この上限値に達したことが、プラテン１ｂ
に付けられた温度７１−１定プローブにより検出され、
これにより冷却流体が支持台１の中に噴射され、プラテ
ン１ｂの内面ｉ’Ｒ度が、下限値に該当するＴｃ−ΔＴ
にまで急速に下げられる。次に冷却流体の噴射が止めら
れ、プラテン１ｂの温度が、一定の連続した電圧Ｖが掛
っている電気抵抗１６の影響により、増加方向に反転す
る。即ち、プラテン１ｂの温度が、標準温度Ｔｅを中心
とし、振幅±ΔＴの、鋸歯状の曲線に沿い上下する。こ
の温度は、正確に言えば、加熱抵抗１６と温度測定プロ
ーブの置かれたプラテン１ｂの内面温度である。ウェハ
ー２を支持するプラテン１ｂの外面温度に関しても、こ
の温度は同様に上下するが、その曲線は振幅が上記の場
合より小さく又なだらかである。これは、プラテンを形
成するセラミック材料の熱イナーシャに負うものである
。
実際には、この電圧の値Ｖを選択し、所望の標準温度Ｔ
ｃの区域に於ける昇温率が、冷却流体の無い状態で、１
分当り０．５℃のオーダー程度になるようにする。実験
結果によれば、プラテンの内面に於ける温度調節が、例
えば、±０．５℃以内の場合は、プラテンの外面温度が
±０．１℃程度の狭い範囲に保持される。これは、上述
した如く、セラミック材料の熱イナーシャによるもので
ある。このことにより、上述した如くパルス・モードで
の調節の正しいことが証明され、この場合の冷却流体の
噴射はほんの短い期間のみである。
サーモカップルの如き別の部品からなる温度測定プロー
ブを設ける代りに、加熱抵抗１６そのものを使用するこ
とが出来る。この場合は、その材料を選択して、その抵
抗率が温度と共に十分に変化する如くにしくこの場合は
金が適当）、電流Ｉを測定することにより、抵抗Ｒ−Ｖ
／Ｉを計算し、抵抗Ｒの正関数である温度を事前の試算
により算出することが出来る。
第６及び７図は、本発明の別の実施例を示し、この場合
も同等の部分には同じ参照符号が用いられている。皿状
に凹んだベース１ａが、セラミックのプラテン１ｂによ
って覆われた状態で示されており、その内面に温度ＪＦ
Ｉ定プローブとしても作用する加熱抵抗１６が置かれて
いる。この凹状のベース１ａがその中に円板８を持つが
、この円板は第１の実施例とは異なった構造をしている
（第２及び３図参照）。ここでは、この円板が２つの層
８ａ、８ｂからなり、更に特定して言うと、層８ａがプ
ラテンの内面に置かれる樹脂又は伝導性の油脂で形成さ
れ、可撓性で断熱性の層８ｂがこれに向合って置がれて
いる。チューブシステム９が２つの層の間に埋め込まれ
たチューブ１７によって形成され、又好ましくは、この
層が熱伝導材料（銅又はアルミニュウム）で作られ、二
重の螺旋を形成し、円盤の全表面を覆い、これが冷却流
体の運搬に用いられる。チューブ１７がこのように特殊
な形をしていることにより、次のような利点が生ずる、
即ち、２つのスパイラル要素９ｂ、９ｃの中の流体の流
れる方向が反対向きであり、その平均温度が全ての場所
で同じで、その結果、ウェハーの全表面を通じて優れた
温度の均一性が得られる。更に、このチューブ１７が流
れの一定な断面を持っているので、第１の実施例と同様
に、ガス状流体を使用するのに最適である。
更に、円盤８のＩゾさがベースＩａの内部間隙の深さよ
り若干大きくなっているので、プラテン１ｂが円盤８を
持つベース１ａの上に取付けられると、円盤８の可撓性
の層８ｂが僅かに押し潰され、その弾力性により、プラ
テン１ｂの内面と接触しているも・う１方の層の面に最
も好ましい状態で圧接される。
この配置により、第２及び３図に示したようなばね１５
のＩｔｕ　＜　、圧縮ばねの使用が不必要となる。
第８及び９図は第６．７図とほとんど同じだが、チュー
ブ１７が若干違っている。この例の場合は、二重の螺旋
が互いに組合わされた２つのスパイラル要素９ｂ、９ｃ
をＦ！ｊち、これらが、それぞれ、円盤８の縁から中心
に向って伸びている。各スパイラル要素の外側端部か他
方の１方の要素の中心端部に繋がれており、これにより
、第７図と同じように、流体が連続した螺旋の中を反対
方向に向って流れる。第８図に示す如く、このスパイラ
ルが円盤８の上側の層８ａの中に埋め込まれている。こ
れが熱伝導材料で作られており、この２つのスパイラル
要素９ｂ、９ｃの接続部分Ｌ７ａが、下側の、断熱材料
で作られた円盤の下側の層の中に置かれている。
更にこれに加えて、第６及び８図に、ベース１ａへのプ
ラテン１ｂの固定手段が示されており、弾性クランプ１
８を用い、この２つの部品の端部が固定されており、こ
の場合、これらの部品の端部にはこれらのクランプを受
は止める如くに設旧されたノツチ即ち連続溝１９が設け
られている。このような固定方法により、従来の螺子止
め方法と比較して、集合体の組立て分解が容品となる。
実際問題として、螺子形の固定システムはその締付はト
ルクの、８節に特別の注意が必要で、特にセラミック部
品の場合難しく、螺子の締付けが強過ぎると、温度変化
による熱膨脹によってセラミック材に割れが入ってしま
う。これに反し本発明による固定システムの場合は、支
持台の厚さ又は幅に対する熱膨脹が自動的に吸収され、
破壊に至ることが無い。使用する機械のプラットホーム
にセラミック材を固定するときも、同じような固定シス
テムを使うことが出来る。
これに代わる方法として、プラテン１ｂとベース１ａと
を糊付けすることも出来る。又、これらを形成する支持
台の形を円形でなく、方形にすることも出来る。
熱流体がドライガス（例えば空気又は窒素）の場合は、
チューブシステムから流れ出るこのガスを用い、プラテ
ン１ｂの表面に流すようにすると良い。これにより、冷
却を促進するための低温（例えば−５０℃）への追加冷
却を行なっているとき、プラテンの上表面への結露を防
ぐことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による温度調節支持台の概観を示す斜
視図、 第２図は、本発明の１つの実施例で、第３図の線■−■
に沿う支持台断面図、 第３図は、第２図の線■−■に沿う支持台の断面図、 第４図は、本発明による支持台に設けられる加熱抵抗を
、その電源と共に示す、模式図、第５図は、本発明によ
る支持台に適用される温度調節モードを示すグラフ図、 第６及び７図と、 第８及び９図とは、 第２及び ３図と同様に示す図で、 本発明による支持台の第 ２及び第３の実施例を示す図、 である。

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）集積回路を含む半導体のウェハーの如き小物体に
    関する温度試験に用いられる温度調節支持台で、これが
    プラテンと上記プラテンを受けるベースとを含み、上記
    の２つの要素が、組立てられたとき、上記支持台に設け
    られた温度センサーを持つ温度測定システムからのデー
    タに基づき、上記プラテン上に置かれた物体の温度を調
    節するするために、上記プラテンを加熱冷却する熱流体
    を流すことが出来る内部間隙を囲む如き形状をしている
    、ものに於いて、 上記プラテン（１ｂ）が電気絶縁性で熱伝導性のセラミ
    ック材料で作られており、上記ベース（１ａ）が、その
    熱膨脹係数が上記プラテンに用いられたセラミック材料
    のそれに実質的に等しい、材料で作られている、小物体
    用の温度調節支持台。
  2. （２）上記ベース（１ａ）が熱絶縁性のセラミック材料
    で作られている、請求項１記載の温度調節支持台。
  3. （３）上記プラテン（１ｂ）が平らで平行な２つの面を
    形成する円板の形をしており、上記ベース（１ａ）が皿
    状の形をしている、請求項１又は２記載の温度調節支持
    台。
  4. （４）上記内部間隙（７）が熱流体を循環させるための
    チューブ・システム（９）を含み、これにより、上記流
    体に、実質的に均一な断面を持つ流路が与えられる、請
    求項１、２又は３記載の温度調節支持台。
  5. （５）上記チューブ・システム（９）が平行に設け、ら
    れた多数の一定断面のコンジット（９ａ）を含む、請求
    項４記載の温度調節支持台。
  6. （６）上記チューブ・システム（９）が、二重螺旋の形
    で設けられた一定断面の１つのコンジット（１７）によ
    って形成され、この隣接する２つの回旋体が上記熱流体
    を対向する方向に運ぶ如くにする、請求項４記載の温度
    調節支持台。
  7. （７）上記チューブ・システム（９）が、直接、上記プ
    ラテン（１ｂ）の中に、又は上記ベース（１ａ）の中に
    、形成されている、請求項４、５又は６記載の温度調節
    支持台。
  8. （８）上記チューブ・システム（９）が上記内部間隙（
    ７）を有する円板（８）の中に形成されている、請求項
    ４、５又は６記載の温度調節支持台。
  9. （９）上記円板（８）の高さが上記内部間隙（７）の深
    さより僅かに小さく、又、ばね（１５）が上記ベース（
    １ａ）の中に設けられて、上記円板（８）を、上記ベー
    スに従属する上記プラテン（１ｂ）の内面に向って押す
    如くにした、請求項８記載の温度調節支持台。
  10. （１０）上記円板（８）が、少なくとも部分的に、弾性
    材料（８ｂ）で作られており、又その厚さが上記内部間
    隙（７）の深さより若干大きく、これにより、この間隙
    に挿入されたとき、上記円板が、上記ベース（１ａ）に
    従属する上記プラテン（１ｂ）の内面を押すようになる
    、請求項８記載の温度調節支持台。
  11. （１１）上記プラテン（１ｂ）が、これら２つの要素の
    縁を押すクランプによって、上記ベース（１ａ）に結合
    されている、請求項１から１０のいずれか１つに記載の
    温度調節支持台。
  12. （１２）上記プラテン（１ｂ）及び上記ベース（１ａ）
    が糊付けにより互いに結合されている、請求項１から１
    ０のいずれか１つに記載の温度調節支持台。
  13. （１３）上記温度測定システムの温度センサーが電気抵
    抗であり、その抵抗率がゼロでない温度係数を持つ、請
    求項１から１２のいずれか１つに記載の温度調節支持台
    。
  14. （１４）電気加熱抵抗（１６）を含む、請求項１から１
    ２のいずれか１つに記載の温度調節支持台。
  15. （１５）上記温度測定システムの上記温度センサーが、
    上記電気加熱抵抗（１６）で、これが、その抵抗率がゼ
    ロでない温度係数を持つ材料で作られている、請求項１
    ３又は１４記載の温度調節支持台。
  16. （１６）取付けられる上記電気抵抗が、上記プラテン（
    １ｂ）の内面に沈積された薄いフィルムの抵抗である、
    請求項１３、１４又は１５記載の温度調節支持台。
  17. （１７）上記請求項１から１３及び１６のいずれか１つ
    による温度調節支持台を用いた温度調節方法で、上記温
    度調節支持台が、プラテンとベースとから成り、これら
    が組立てられたとき、これらが内部間隙を形成し、この
    中に、上記支持台に係わる温度測定システムの制御のも
    とで、上記プラテンの温度調節を行なう熱流体が流れる
    、如くにした方法に於いて、上記の温度調節が上記の熱
    流体のみによって行われ、これが温度測定システムによ
    って与えられたデータに基づく、上記流体の温度及び又
    は流量によって行われる、温度調節支持台を用いた小物
    体の温度調節方法。
  18. （１８）記請求項１４から１６のいずれか１つによる温
    度調節支持台を用いた温度調節方法で、上記温度調節支
    持台が、プラテンとベースで、これらが組立てられて、
    熱流体が流れる内部間隙を形成する、ものと、上記プラ
    テンの内面に配置される電気抵抗で、これが電源に接続
    され、ジュール効果によって上記プラテンの加熱を行な
    う一方、その冷却が上記熱流体によって行われ、これに
    より、上記プラテンの温度調節が、上記支持台に係わる
    温度測定システムの制御のもとで、行われる、ものとか
    ら成る、方法に於いて、上記電源（１８）が上記抵抗（
    １６）に連続した一定のＤＣ電圧（Ｖ）を掛け、その電
    圧の値が、上記プラテン（１ｂ）に対して決定された指
    数温度Ｔｃの関数として選択され、又、上記プラテンの
    温度調節が、上記冷却流体の温度及び又は流量を調節す
    ることによって行われる、温度調節支持台を用いた小物
    体の温度調節方法。
  19. （１９）温度測定システムによって示される上記プラテ
    ン（１ｂ）の温度が、温度指数の上限及び下限値に達し
    たとき、上記熱流体のオン／オフ制御を行なうことによ
    って、温度制御が行われる、請求項１８記載の温度調節
    方法。
  20. （２０）上記熱流体が空気であり、その冷却が渦流形の
    装置によって行われる、請求項１７、１８又は１９記載
    の温度調節方法。
  21. （２１）上記熱流体がドライ・ガスで、上記流体の排ガ
    スが上記プラテン（１ｂ）の表面に吹付けられ、その表
    面上の結露を防ぐ如くにする、請求項１７から２０のい
    ずれか１つに記載の温度調節方法。
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