JP2005012172A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能な熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 熱処理プレート１１の表面には、３個の球体１５が配設されている。この球体１５の上端は、熱処理プレート１１の表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基板Ｗと熱処理プレート１１の表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板Ｗを熱処理プレート１１の球体１５上に載置、支持して、この基板Ｗを加熱するよう構成されている。そして、熱処理プレート１１の上面は、基板Ｗを効率的かつ高精度に加熱するため、０．９以上１．０以下の高い放射率となっている。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体ウエハ等の基板を熱処理プレートにより加熱して処理する熱処理装置に関する。

このような熱処理装置は、例えば半導体製造工程において、基板上に形成されたフォトレジスト膜の露光処理前の加熱処理（プリベーク処理）や露光後の加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）、あるいは、現像後の加熱処理（ポストベーク処理）等に用いられる。

このような熱処理装置は、加熱手段を備えた内蔵した熱処理プレートを処理室内に備え、この熱処理プレートの上面に基板を載置した状態で基板を加熱する構成となっている。このとき、基板と熱処理プレートとの接触により基板の下面にパーティクルが付着することを防止するため、特許文献１に記載されたように、熱処理プレートの上面より微小高さ突出する球体を配設し、熱処理プレート上に、いわゆるプロキシミティギャップと称される微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態で、この基板を加熱する構成が採用されている。
実開昭６３−１９３８３３号公報

熱処理プレート上に微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態で基板を加熱する場合には、熱処理プレートから基板への熱伝達は、熱伝導によるものが主流となる。このときの熱伝達は、熱処理プレートの上面と基板との距離に依存する。一方、熱処理プレートの上面と基板との距離は、基板の反りや、熱処理プレート上面の平面度、あるいは球体等の組立誤差により必ずしも一定とはならない。このため、基板温度の面内均一性が悪化し、基板を精度よく処理することが困難となる。

なお、多数の基板を炉内に搬送し、各基板の上面側と下面側から所定距離離隔した位置に熱処理プレートを配置し、熱処理プレートからの放射熱により基板を加熱するバッチ式の加熱炉装置においては、熱処理プレートの表面を熱放射率の高い材質としたものも提案されている（特開２００１−１２８５６号公報）。このような加熱炉装置によれば、基板を均一に処理することは可能となるが、基板の昇温速度が極めて遅いことから、基板を枚葉処理する熱処理装置にこのような構成を採用することは不可能となる。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能な熱処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、加熱機構を備えた熱処理プレートの上面と微小間隔離隔した位置に基板を支持することにより基板を加熱処理する熱処理装置であって、前記熱処理プレートの上面の放射率が０．４以上となるように表面処理される。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの上面が、前記熱処理プレートの側面よりも高い放射率に表面処理される。

請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの上面が、黒体化処理される。

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの黒体化処理は、前記熱処理プレートの上面に黒体塗料を塗布することにより行われる。

請求項５に記載の発明は、請求項３に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの黒体化処理は、前記熱処理プレートの上面に黒クロムメッキを施すことにより行われる。

請求項６に記載の発明は、請求項２に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの側面が、低い放射率に表面処理される。

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの側面が、鏡面化処理される。

請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの鏡面化処理は、ニッケルメッキを施すことにより行われる。

請求項９に記載の発明は、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの上面の放射率は０．９以上１．０以下である。

請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の熱処理装置において、基板を前記熱処理プレートの上面から１０乃至２００μｍ離隔した位置に支持する支持部材を備える。

請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの上面における基板の外径と同等または基板の外径よりわずかに大きな領域を高い放射率としている。

請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の熱処理装置において、前記加熱機構は、ヒートパイプ構造の加熱機構である。

請求項１３に記載の発明は、加熱機構を備えた熱処理プレートの上面と微小間隔離隔した位置に基板を支持することにより基板を加熱処理する熱処理装置であって、前記熱処理プレートの上面を黒体化処理し、前記熱処理プレートの側面を鏡面化処理するとともに、前記熱処理プレートの上面に、基板を前記熱処理プレートの上面から１０乃至２００μｍ離隔した位置に支持する支持部材を配設したことを特徴とする。

請求項１４に記載の発明は、請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の熱処理装置において、レジスト液を塗布された基板を加熱処理する。

請求項１乃至請求項１４に記載の発明によれば、加熱機構を備えた熱処理プレートの上面と微小間隔離隔した位置に基板を支持する構成の熱処理装置における熱処理プレートの上面の放射率を０．４以上としたことから、基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能となる。

請求項２に記載の発明によれば、熱処理プレートの上面が、熱処理プレートの側面よりも高い放射率に表面処理されることから、熱処理プレートの側面からの熱放射が抑制され、効率よく基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能となる。

請求項３乃至請求項５に記載の発明によれば、熱処理プレートの上面が、黒体化処理されることから、簡易に熱処理プレートの上面を高い放射率にすることが可能となる。

請求項６に記載の発明によれば、熱処理プレートの側面が低い放射率に表面処理されることから、さらに熱処理プレートの側面からの熱放射が抑制され、さらに効率よく基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能となる。

請求項７および請求項８に記載の発明によれば、熱処理プレートの側面が、鏡面化処理されることから、熱処理プレートの側面からの熱放射が抑制され、さらに効率よく基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能となる。

請求項１０に記載の発明によれば、基板を熱処理プレートの上面から１０乃至２００μｍ離隔した位置に支持する支持部材を備えることから、基板を迅速かつ効率的に加熱することが可能となる。

請求項１１に記載の発明によれば、熱処理プレートの上面における基板の外径と同等または基板の外径よりわずかに大きな領域を高い放射率としたことから、基板をさらに効率的に加熱することが可能となる。

請求項１２に記載の発明によれば、ヒートパイプ構造の加熱機構を使用することから、基板をさらに均一に加熱処理することが可能となる。

請求項１３に記載の発明によれば、熱処理プレートの上面を黒体化処理し、熱処理プレートの側面を鏡面化処理するとともに、熱処理プレートの上面に、基板を熱処理プレートの上面から１０乃至２００μｍ離隔した位置に支持する支持部材を配設することから、さらに熱処理プレートの側面からの熱放射が抑制され、さらに効率よく基板を均一かつ迅速に加熱処理することが可能となる。

請求項１４に記載の発明によれば、レジスト液が塗布された基板を加熱処理することから、特に均一に加熱処理されることを必要とするレジスト塗布後の基板を好適に加熱処理することが可能となる。

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る熱処理装置の側面概要図であり、図２はその斜視図である。なお、図２においては、作動液室１３の図示を省略している。

この熱処理装置は、ヒートパイプ構造を採用することにより、熱容量を小さくしつつ温度分布の面内均一性を高めたものであり、中空構造の熱処理プレート１１と、この熱処理プレート１１の温度を測定するための温度センサ１４とを備える。

この熱処理プレート１１は、その上方にレジスト液を塗布された基板Ｗを載置して熱処理するためのものであり、例えば、胴やアルミニュウム等の伝熱性が良好な金属材料によって中空円筒状に形成されている。また、熱処理プレート１１の表面には、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成された３個の球体１５が配設されている。この球体１５の上端は、熱処理プレート１１の表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基板Ｗと熱処理プレート１１の表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板Ｗを熱処理プレート１１の球体１５上に載置、支持して、この基板Ｗを加熱するよう構成されている。

このプロキシミティギャップの大きさは、基板Ｗを迅速かつ効率的に加熱するため、１０乃至５００μｍとすることが好ましく、１０乃至２００μｍとすることがより好ましい。プロキシミティギャップの大きさを、このように小さくすることが可能となったのは、この発明に係る熱処理装置の後述する構成により、熱放射による加熱の寄与が大きいことから、熱処理プレート１１の上面１００と基板Ｗとの距離に依存しないことによるものである。但し、基板の種類や処理の態様によっては、このプロキシミティギャップの大きさを１０００μｍ程度としてもよい。

熱処理プレート１１は内部に空間を有するヒートパイプ構造のため、昇温時に内部圧力が上昇することに対応して、その強度を補強するため複数本のリム１２が形成されている。そして、熱処理プレート１１の内部空間下方には、一対の作動液室１３が形成されている。この作動液室１３内には、水等の作動液１６が貯留されている。また、この作動液室１３内には、作動液１６を加熱するためのヒータ１７が配設されている。

この熱処理装置においては、ヒータ１７の駆動により作動液１６を加熱することにより、作動液１６の蒸気が熱処理プレート１１の内部空間を移動し、熱処理プレート１１との間で蒸発潜熱の授受を行うことにより、熱処理プレート１１を加熱する構成となっている。熱処理プレート１１との間で蒸発潜熱の授受を実行した作動液１６の蒸気は、再度、作動液１６となって、作動液室１３に回収される。

なお、熱処理プレート１１の下面における一対の作動液室１３の中央部には、フォトレジストの種類等に対応して基板Ｗの熱処理温度を直前の設定温度より低い温度に変更する場合に、熱処理プレート１１を急速に強制冷却するための冷却プレート２１が配設されている。

このような熱処理装置においては、熱処理プレート１１の表面が、銅や銅の表面にニッケルメッキを施したもの、あるいはアルミニュウムから構成された場合、その放射率（ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）は０．１以下となる。熱処理プレート１１の表面の放射率がこのように低い場合には、上述したように、熱処理プレート１１の上面と基板Ｗとの距離の誤差により、基板Ｗの温度の面内均一性が悪化し、基板Ｗを精度よく処理することが困難となる。このため、この熱処理装置においては、熱処理プレート１１の上面の放射率が０．４、より好ましくは０．９以上となるようにしている。

図３は、この発明の第１実施形態に係る熱処理プレート１１の斜視図である。なお、図３においては、作動液室１３および球体１５の図示を省略している。

この第１実施形態に係る熱処理プレート１１においては、その上面１００全域が高い放射率となるようにしている。より具体的には、熱処理プレート１１の上面１００を黒体化処理することにより、高放射率としている。この黒体化処理は、例えば、熱処理プレート１１の上面１００に黒体塗料を塗布することにより行われる。また、この黒体化処理は、熱処理プレート１１の上面１００に黒クロムメッキを施すことにより行われる。このため、簡易に熱処理プレート１１の上面１００を高放射率とすることができる。ここで、この明細書において黒体化処理とは、放射率を１に近付けるように処理することをいう。これらの黒体化処理された熱処理プレート１１の上面１００は、いずれも、その放射率が０．９以上１．０以下となる。なお、熱処理プレート１１の上面から深さ数μｍの領域に対して化学反応を生じさせることにより、熱処理プレート１１の上面を高放射率としてもよい。この化学反応は、酸化処理であり、例えば、熱処理プレート１１がアルミニュウムよりなるときは、硬質アルマイト処理となる。

なお、熱処理プレート１１の表面のうち、その上面１００のみを高放射率としているのは、次のような理由による。すなわち、熱処理プレート１１の表面全域を高放射率とした場合、基板Ｗの加熱に寄与しない熱処理プレート１１の側面や裏面等からも熱エネルギーが多量に放射されることから、ヒートパイプ構造の加熱機構により加熱効率が悪化する。このため、この第１実施形態に係る熱処理プレート１１においては、基板Ｗの加熱に寄与する熱処理プレート１１の上面１００のみを高放射率としているのである。さらに、側面を鏡面化処理して低放射率とすることにより、熱処理プレート１１の上面１００を側面よりも高い放射率になるようにしている。このため、熱処理プレート１１の側面からの熱放射が抑制され、より加熱効率を高めることができる。この鏡面化処理は、例えば、熱処理プレート１１の側面にニッケルメッキを施すことにより行われる。なお、熱処理プレート１１自体を研磨することによって鏡面化処理することとしてもよい。ここで、この明細書において鏡面化処理とは、放射率を０に近付けるように処理することをいう。

このような熱処理プレート１１により基板Ｗを加熱した場合には、熱処理プレート１１による基板Ｗの加熱は、熱放射と、従来と同様の熱伝導との両方により実行される。熱放射による加熱の場合には、熱処理プレート１１の上面と基板Ｗとの距離に依存しないことから、熱処理プレート１１の上面１００と基板Ｗとの距離に誤差が生じていた場合であっても、基板Ｗを精度よく加熱することが可能となる。また、基板Ｗは、熱伝導によっても加熱されるため、基板Ｗを迅速に加熱することが可能となる。

図４は熱処理プレート１１上に基板Ｗを載置した状態を示す平面図であり、図５はそのＡ−Ａ断面図である。

図４および図５に示す熱処理プレート１１は、測定点Ｐ１、Ｐ２の温度を測定するための温度を測定するための図示しないセンサを備える。また、この熱処理プレート１１に備えられる球体１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、その高さを変更可能に構成される。なお、球体１５ｂと球体１５ｃとは、温度測定時において常に同一の高さとなるように構成される。また、球体１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、直径１００ｍｍの円周上にそれぞれの間の距離が３等分される位置に配置される。

基板Ｗは、直径２００ｍｍの円形状を有する。ここで、基板Ｗ上の測定点Ｐ１は、基板Ｗの端から１０ｍｍ内側に設定され、測定点Ｐ２は、測定点Ｐ１に対して基板Ｗの中点を中心として点対称の位置に設定される。この基板Ｗは、球体１５ａ、１５ｂ、１５ｃの配置される円の中点Ｏと基板Ｗの中点とが一致し、さらに、測定点Ｐ１、測定点Ｐ２、および球体１５ａが同一直線上に位置するように載置される。なお、これらの関係からＡ−Ａ断面方向の球体１５ａと球体１５ｂとの間の距離Ａは７５ｍｍであり、測定点Ｐ１と測定点Ｐ２との間の距離Ｂは１８０ｍｍであることが導き出される。

図６は、熱処理プレート１１の基板Ｗの支持高さと、温度差との関係を示すグラフである。

この図６に示す温度差ｄｔは、球体１５ａの上端と球体１５ｂ（または球体１５ｃ）の上端との高さの差（以下、支持高さの差ｄｈという。）を変化させたときの基板Ｗにおける測定点Ｐ１、Ｐ２の温度を測定して得たものである。図６に示すように、熱処理プレート１１の上面１００がアルミニウムからなる場合、熱処理プレート１１の上面１００をアルマイト処理した場合、および、熱処理プレート１１の上面１００を黒体化処理した場合において、それぞれの値をグラフ上にプロットした点を結ぶと略直線状となり、支持高さの差ｄｈと、測定点Ｐ１において測定した温度と測定点Ｐ２において測定した温度との差（以下、温度差ｄｔという。）とはほぼ比例関係にあることが判る。

ここで、実際に使用されるの熱処理プレート１１には、球体１５ａと球体１５ｃとの間の組み立てによる誤差±２０μｍと、熱処理プレート自体のうねりによる誤差±３０μｍとが生じることが想定される。このため、基板Ｗ内において、最大で、｛（＋２０μｍ）＋（＋３０μｍ）｝−｛（−２０μｍ）＋（−３０μｍ）｝、すなわち、１００μｍの誤差が生じることとなる。そこで、測定点Ｐ１、Ｐ２の高さの差をｄＨとすると、Ａ：ｄｈ＝Ｂ：ｄＨが成立することから、測定点Ｐ１、Ｐ２の高さの差ｄＨを１００μｍとするための、支持高さの差ｄｈを求めると、ｄｈ≒４１．６７μｍとなる。

図７は、以上のようにして求められた支持高さの差ｄｈを０．４ｍｍ（４０μｍ）と近似して、図６における熱処理プレート１１の上面１００の放射率と温度差との関係を示すグラフである。

なお、熱処理プレート１１の上面１００がアルミニウムからなる場合の上面１００の放射率は０．１であり、熱処理プレート１１の上面１００をアルマイト処理した場合の上面１００の放射率は０．８であり、熱処理プレート１１の上面を黒体化処理した場合の上面１００の放射率は０．９である。

図７に示すように、熱処理プレート１１の上面１００がアルミニウムからなる場合と、熱処理プレート１１の上面１００をアルマイト処理した場合と、熱処理プレート１１の上面１００を黒体化処理した場合とにおける温度差ｄｔをグラフ上にプロットした点を結ぶと、略直線状となり、支持高さの差ｄｈが生じた場合の放射率と温度差ｄｔとは、ほぼ比例関係にあることが判る。このことから、熱処理プレート１１の上面１００の放射率が高い程、基板Ｗが均一に加熱処理されることがわかる。

この図７に示される直線上において、基板Ｗの温度均一性が良好であると判断される温度差０．５℃となる点の放射率は、０．４である。このため、熱処理プレート１１の上面１００の放射率が０．４以上となるように表面処理されることにより、基板Ｗを均一かつ迅速に加熱処理することが可能となる。

また、近年の温度均一性の要求を満たす温度差は０．３℃以内であるとされている。このため、図６および図７に示すように、その上面１００が放射率が０．９以上となるように黒体化処理された熱処理プレート１１により加熱された場合には、温度差ｄｔが約０．３となり、基板Ｗを近年の温度均一性要求を満たしながら、迅速に加熱処理することが可能となる。

図８は、この発明の第２実施形態に係る熱処理プレート１１の斜視図である。なお、図８においては、作動液室１３および球体１５の図示を省略している。

この第２実施形態に係る熱処理プレート１１においては、その上面１００のうち、基板Ｗの外径よりわずかに大きい領域１０１が高い放射率となるようにしている。より具体的には、第１実施形態の場合と同様、熱処理プレート１１の上面１００を黒体化処理することにより、高放射率としている。この黒体化処理は、例えば、熱処理プレート１１の上面１００に黒体塗料を塗布することにより行われる。また、この黒体化処理は、熱処理プレート１１の上面１００に黒クロムメッキを施すことにより行われる。なお、熱処理プレート１１の上面１００から深さ数μｍの領域に対して化学反応を生じさせることにより、熱処理プレート１１の上面１００のうち基板Ｗの外径より５ｍｍ程度大きい領域１０１を高放射率としてもよい。この化学反応は、第１実施形態と同様、酸化処理であり、例えば、熱処理プレート１１がアルミニュウムよりなるときは、硬質アルマイト処理となる。

このような構成を採用した場合、基板Ｗの加熱に寄与する熱処理プレート１１の上面１００のうち、基板Ｗの外径よりわずかに大きい領域１０１のみを高放射率としていることから、基板Ｗの加熱に寄与しない熱処理プレート１１の表面からの熱エネルギーの放射を防止することができ、第１実施形態に係る熱処理プレート１１にも増して、基板Ｗを効率よく加熱することが可能となる。

この第２実施形態に係る熱処理プレート１１により基板Ｗを加熱した場合には、第１実施形態に係る熱処理プレート１１の場合と同様、熱処理プレート１１による基板Ｗの加熱は、熱放射と、従来と同様の熱伝導との両方により実行される。熱放射による加熱の場合には、熱処理プレート１１の上面１００と基板Ｗとの距離に依存しないことから、熱処理プレート１１の上面１００と基板Ｗとの距離に誤差が生じていた場合であっても、基板Ｗを精度よく加熱することが可能となる。また、基板Ｗは、熱伝導によっても加熱されるため、基板Ｗを迅速に加熱することが可能となる。

上述した第２実施形態においては、熱処理プレート１１の上面１００のうち基板Ｗの外径より５ｍｍ程度大きい領域１０１を高放射率としているが、基板Ｗの外径と同等の領域を高放射率としてもよい。

また、上述した第１、第２実施形態においては、基板Ｗを効率的に加熱するため、熱処理プレート１１の上面１００のみを高い放射率としているが、加熱機構による加熱能力が高い場合等においては、熱処理プレート１１の上面１００以外の部分を高い放射率としてもよい。

この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の側面概要図である。 この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の斜視図である。 この発明の第１実施形態に係る熱処理プレート１１の斜視図である。 熱処理プレート１１上に基板Ｗを載置した状態を示す平面図である。 図４におけるＡ−Ａ断面図である。 熱処理プレート１１の基板Ｗの支持高さと、温度差との関係を示すグラフである。 支持高さの差ｄｈ０．４ｍｍにおける、熱処理プレート１１の上面１００の放射率と温度差との関係を示すグラフである。 この発明の第２実施形態に係る熱処理プレート１１の斜視図である。

符号の説明

１１ 熱処理プレート
１３ 作動液室
１４ 温度センサ
１５ 球体
１６ 作動液
１７ ヒータ
２１ 冷却プレート
１００ 上面
１０１ 領域
Ｗ 基板
Ｏ 球体１５ａ、１５ｂ、１５ｃが配置される円の中点
Ｐ１ 測定点
Ｐ２ 測定点
Ａ 球体１５ａと球体１５ｂとの間の距離
Ｂ 測定点Ｐ１と測定点Ｐ２との間の距離
ｄｈ 支持高さの差
ｄＨ 測定点Ｐ１と測定点Ｐ２との高さの差

Claims (14)

1. 加熱機構を備えた熱処理プレートの上面と微小間隔離隔した位置に基板を支持することにより基板を加熱処理する熱処理装置であって、
   前記熱処理プレートの上面の放射率が０．４以上となるように表面処理された熱処理装置。
2. 請求項１に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの上面が、前記熱処理プレートの側面よりも高い放射率に表面処理された熱処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの上面が、黒体化処理された熱処理装置。
4. 請求項３に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの黒体化処理は、前記熱処理プレートの上面に黒体塗料を塗布することにより行われる熱処理装置。
5. 請求項３に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの黒体化処理は、前記熱処理プレートの上面に黒クロムメッキを施すことにより行われる熱処理装置。
6. 請求項２に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの側面が、低い放射率に表面処理された熱処理装置。
7. 請求項６に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの側面が、鏡面化処理された熱処理装置。
8. 請求項７に記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの鏡面化処理は、ニッケルメッキを施すことにより行われる熱処理装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の熱処理装置において、
   前記熱処理プレートの上面の放射率は０．９以上１．０以下である熱処理装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の熱処理装置において、
    基板を前記熱処理プレートの上面から１０乃至２００μｍ離隔した位置に支持する支持部材を備えた熱処理装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記熱処理プレートの上面における基板の外径と同等または基板の外径よりわずかに大きな領域を高い放射率とした熱処理装置。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の熱処理装置において、
    前記加熱機構は、ヒートパイプ構造の加熱機構である熱処理装置。
13. 加熱機構を備えた熱処理プレートの上面と微小間隔離隔した位置に基板を支持することにより基板を加熱処理する熱処理装置であって、
    前記熱処理プレートの上面を黒体化処理し、前記熱処理プレートの側面を鏡面化処理するとともに、
    前記熱処理プレートの上面に、基板を前記熱処理プレートの上面から１０乃至２００μｍ離隔した位置に支持する支持部材を配設したことを特徴とする熱処理装置。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の熱処理装置において、 レジスト液が塗布された基板を加熱処理する熱処理装置。
    

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