JPH11317284A

JPH11317284A - 温度制御装置

Info

Publication number: JPH11317284A
Application number: JP12130198A
Authority: JP
Inventors: Masato Suwa; 正登諏訪; Mikio Minonishi; 幹夫箕西; Toshio Yoshimitsu; 利男吉光
Original assignee: Komatsu Ltd
Current assignee: Komatsu Ltd
Priority date: 1998-04-30
Filing date: 1998-04-30
Publication date: 1999-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】被温度制御対象物の温度制御をその全域に亘
って可及的に均一に行うことのできる温度制御装置を提
供することを解決課題とする。【解決手段】本発明では、発熱抵抗線状体（１００）
の曲折部分にスリット状開口（４０）を形成し、当該曲
折部分の幅を減少させるようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基台の上面に敷設
した発熱抵抗線状体に加熱電力を供給することにより、
半導体ウェハ等の被温度制御対象物の温度制御を行うよ
うにした温度制御装置の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造工程においては、塗布した
レジスト膜に残存する溶剤を取り除くために半導体ウェ
ハを加熱するプリベークや、エッチング前にレジストと
基板との密着を容易にするために半導体ウェハを加熱す
るポストベーク等の加熱工程が含まれているとともに、
加熱した半導体ウェハを都度室温レベルまで冷却するク
ーリング等の冷却工程が含まれており、これら各工程の
際に半導体ウェハを効率よく、かつ高精度に温度制御す
ることがスループットを向上させる上で重要となる。特
に、プリベークの次工程が露光であり、またポストベー
クの次工程がエッチングであるので、これらの工程に速
やかに移行できるようにするためには、ウェハの温度分
布にかなり厳しい条件が要求される。

【０００３】上述した加熱工程で用いられるウェハの温
度制御装置としては、ヒータを用いたものがある。この
温度制御装置では、適宜曲折させながらほぼ一様となる
ように単一層状に敷設した発熱抵抗線状体を、ポリイミ
ド樹脂等の絶縁性樹脂で被覆した薄膜ヒータが適用さ
れ、該薄膜ヒータによってウェハを直接的、または間接
的に加熱するようにしている。

【０００４】この場合の薄膜ヒータとしては、加熱面全
面に一括通電される発熱抵抗線状体を配置した一体型の
ものも適用されてはいるが、温度分布をなくす上で有利
となるゾーン分割型のものがより多く適用されている。
すなわち、ゾーン分割型のものは、加熱面が複数の異な
る隣設した加熱ゾーンに分割され、各加熱ゾーン毎に独
立に通電される発熱抵抗線状体を備えており、各加熱ゾ
ーン毎に独立して温度制御を行えるため、温度分布をな
くす上で有利となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に発熱抵抗線状体を適用した温度制御装置では、上述し
た一体型のもの、あるいはゾーン分割型のものに関わら
ず、曲折部分において内方側の経路が外方側の経路に比
べて短くなるため、この内方側により多くの電流が流れ
ることになる。

【０００６】このため、発熱抵抗線状体の曲折部分にあ
っては、内方側がより高温状態となり、幅方向に沿った
温度分布を発生させることになる。

【０００７】しかも、この発熱抵抗線状体の曲折部分に
おける幅方向の電流の偏りは、該曲折部分の実質的な抵
抗値の減少を招来することになり、つまり一様に延在す
る部分に比べて曲折部分の抵抗値を減少させる要因とな
り、この結果、曲折部分での発熱量が不足し、発熱抵抗
線状体にその延在方向に沿った温度分布を発生させるこ
とになる。

【０００８】すなわち、発熱抵抗線状体を適用した従前
の温度制御装置では、温度制御を高精度に行った場合で
あっても、その形状的な理由から温度分布の発生を防止
することができず、被温度制御対象物の温度を均一にす
ることが困難となる。

【０００９】本発明は、上記実情に鑑みて、被温度制御
対象物の温度制御をその全域に亘って可及的に均一に行
うことのできる温度制御装置を提供することを解決課題
とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段および作用効果】請求項１
に記載の発明では、基台の表面に発熱抵抗線状体を適宜
曲折させながら単一層状に敷設し、該発熱抵抗線状体に
加熱電力を供給することにより、前記基台の表面に搭載
した被温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置に
おいて、前記発熱抵抗線状体の曲折部分に欠損部を形成
し、当該曲折部分の幅を減少させるようにしている。

【００１１】この請求項１に記載の発明では、曲折部分
の幅が狭くなることで、当該曲折部分に流れる電流の幅
方向の偏りが低減し、発熱抵抗線状体の幅方向に沿った
温度分布の発生を減少させることができるとともに、曲
折部分の幅が狭くなることでその抵抗値が増大すること
になるため、当該曲折部分での発熱量の増大を図り、発
熱抵抗線状体の延在方向に沿った温度分布の発生を減少
させることができるようになる。

【００１２】したがって、この請求項１に記載の発明に
よれば、発熱抵抗線状体の温度分布がその全域に亘って
減少することになり、被温度制御対象物の温度制御をよ
り均一に行うことができるようになる。

【００１３】請求項１に記載された欠損部としては、請
求項２に記載の発明のように、前記発熱抵抗線状体の延
在方向に沿って形成したスリット、あるいは請求項５に
記載の発明のように、前記発熱抵抗線状体の側面から形
成した切欠を適用することができ、いずれにおいても上
述した理由から被温度制御対象物の温度制御をより均一
に行うことができるようになる。

【００１４】ここで、請求項２に記載されたスリットと
して、請求項３に記載の発明のように、前記発熱抵抗線
状体の曲折部分を、その幅が内方側から外方側に向けて
順次広くなるように分断するものを適用した場合には、
曲折部分の抵抗値が内方側から外方側に向けて漸次小さ
くなるため、当該曲折部分に流れる電流の幅方向の偏り
が一層低減し、発熱抵抗線状体の幅方向に沿った温度分
布の発生を可及的に防止することができるようになるも
のの、請求項４に記載の発明のように、前記発熱抵抗線
状体の曲折部分を、その幅が互いに等間隔となるように
分断するものを適用するようにしても構わない。

【００１５】請求項６に記載の発明では、基台の表面に
発熱抵抗線状体を適宜曲折させながら単一層状に敷設
し、該発熱抵抗線状体に加熱電力を供給することによ
り、前記基台の表面に搭載した被温度制御対象物の温度
制御を行う温度制御装置において、前記発熱抵抗線状体
をその全長に亘り延在方向に沿って複数に分断し、かつ
これら分断した発熱抵抗線状体を相互に並列に接続させ
るようにしている。

【００１６】この請求項６に記載の発明によれば、発熱
抵抗線状体の幅が狭くなることで、曲折部分での幅方向
の電流の偏りが低減し、発熱抵抗線状体の幅方向に沿っ
た温度分布の発生を減少させることができるとともに、
曲折部分での抵抗値の減少を抑え、発熱抵抗線状体の延
在方向に沿った温度分布の発生を減少させることができ
る。

【００１７】したがって、この請求項６に記載の発明に
よれば、発熱抵抗線状体の温度分布がその全域に亘って
減少することになり、被温度制御対象物の温度制御をよ
り均一に行うことができるようになる。

【００１８】この場合、請求項７に記載の発明のよう
に、前記分断した発熱抵抗線状体を、互いの長さがほぼ
同一となるように前記基台の表面に敷設すれば、分断し
た発熱抵抗線状体からの発熱量も相互に同等となり、被
温度制御対象物の温度制御をより均一に行うことができ
るようになる。

【００１９】請求項８に記載の発明では、請求項１から
請求項７に記載された発熱抵抗線状体として、円板状を
成す基台の上面全域に亘り同心の円弧状に敷設したもの
を適用している。

【００２０】この請求項８に記載の発明によれば、被温
度制御対象物として円板状のもの、たとえば半導体ウェ
ハを適用した場合にも、当該半導体ウェハの温度制御を
均一に行うことができるようになる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、一実施の形態を示す図面に
基づいて本発明を詳細に説明する。図２および図３は、
本発明に係る温度制御装置の一実施形態を概念的に示し
たものである。ここで例示する温度制御装置は、（１）
ウェハ洗浄、（２）レジストコーティング、（３）プリ
ベーキング（１１０〜１３０℃）＋クーリング（２０
℃）、（４）露光、（５）現像、（６）リンス、（７）
ポストベーキング（１２０〜１５０℃）＋クーリング
（２０℃）、（８）エッチングというプロセスを経てレ
ジスト膜を成膜する半導体製造工程において、上述した
プリベーキング＋クーリング、またはポストベーキング
＋クーリングの際に用いられるもので、最初に被温度制
御対象物であるウェハＷを高温に加熱し（ベーキン
グ）、その後このウェハＷを室温まで冷却する（クーリ
ング）というサイクルをウェハ単位に数十秒間隔で繰り
返す制御を行う。すなわち、この温度制御装置は、加熱
の際の目標温度と、冷却の際の目標温度という２つの目
標温度をもっており、加熱・冷却を交互に繰り返す制御
を行うものである。

【００２２】図３に示すように、この温度制御装置は、
図示していないチャンバの内部にベースプレート（基
台）１０を備えている。ベースプレート１０は、アルミ
ニウムやアルミニウム合金、あるいはアルミナ（Ａｌ２
Ｏ３）等の熱伝導率の高い材質によって中空円筒状に
成形したもので、その上面が水平となる状態で上述した
図示していないチャンバの内部に設置されている。

【００２３】また、このベースプレート１０は、底壁の
中央部に唯一の排出口１０ａを有しているとともに、該
底壁における排出口１０ａの周囲に位置する部位に複数
の流入口１０ｂを有しており、上記排出口１０ａが排出
通路２０を通じて蓄熱タンク２１の返入口２１ａに接続
されている一方、複数の流入口１０ｂが供給ポンプ２２
を備える共通の供給通路２３を通じて上記蓄熱タンク２
１の吐出口２１ｂに接続されている。蓄熱タンク２１
は、その内部に温度流体、具体的には、フッ化炭素液
（＝フロリナート：登録商標）、エチレングリコール、
オイル、水等の液体や窒素、空気、ヘリウム等の気体の
中から制御すべき目標温度に応じて適宜選択したものを
貯留し、かつチラータンク２４との間においてこの温度
流体を循環させることにより、当該温度流体を２０℃近
傍の温度に調整維持するものである。なお、図３中の符
号２５は、供給通路２３に介在させた開閉バルブであ
る。

【００２４】一方、上記温度制御装置は、図２および図
３に示すように、ベースプレート１０の上面に、該ベー
スプレート１０の上面とほぼ同一の外径を有した円板状
の薄膜ヒータ３０を配設している。

【００２５】この実施形態で適用する薄膜ヒータ３０
は、その中心部分と外周縁部分とが、第１加熱ゾーンお
よび第２加熱ゾーンに区分けされたゾーン分割型のもの
で、これら第１加熱ゾーンおよび第２加熱ゾーンを各別
に通電制御するための２つの互いに独立した発熱抵抗線
状体１００，２００を備えている。

【００２６】すなわち、この薄膜ヒータ３０は、第１加
熱ゾーンに対応する部位、つまり中心部分に、互いに等
間隔の同心円弧となるように適宜曲折させながら単一層
状に敷設した第１発熱抵抗線状体１００と、第２加熱ゾ
ーンに対応する部位、つまり外周縁部分に、互いに等間
隔の同心円弧となるように適宜曲折させながら単一層状
に敷設した第２発熱抵抗線状体２００とを備え、さらに
これら第１発熱抵抗線状体１００および第２発熱抵抗線
状体２００の表面をポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂から
成る被覆層３１によって被覆するとともに、該絶縁被覆
させた第１発熱抵抗線状体１００および第２発熱抵抗線
状体２００の表裏両面に、それぞれポリイミド樹脂等の
絶縁性樹脂によって成形した絶縁層３２を設けたもの
で、溶着シート等の接着手段により、一方の絶縁層３２
を介して上記ベースプレート１０の上面に接着保持され
ている。なお、図には明示していないが、第１および第
２発熱抵抗線状体１００，２００を被覆する被覆層３１
としては、内部にジルコニア（ＺｒＯ２）、チタニア
（ＴｉＯ）、アルミナ等の赤外線放射体の粉体を含ませ
たものを適用するようにしている。

【００２７】第１発熱抵抗線状体１００は、図２からも
明らかなように、その全長に亘り、延在方向に沿って４
本の発熱要素１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ
に分断されており、該４本に分断された発熱要素１００
ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄのそれぞれが第１ゾ
ーン用電極１１０ａ，１１０ｂに並列接続されている。
これら４本に分断された各発熱要素１００ａ，１００
ｂ，１００ｃ，１００ｄは、互いに同一の幅を有し、か
つ互いにほぼ同一の長さを有しており、それぞれの抵抗
値が相互に同一となるように構成している。

【００２８】また、図４（ａ）および（ｂ）の概略図に
示すように、この第１発熱抵抗線状体１００は、同一の
加熱ゾーンに１本の発熱抵抗線状体１００′を敷設した
従前のもの（図４（ｂ）参照）に対し、同一の加熱電力
を供給した場合に同一の発熱量を得るようにするため
に、それぞれの発熱要素１００ａ，１００ｂ，１００
ｃ，１００ｄが下式を満たすように構成している。

【００２９】１／Ｒ＝（１／ｒ１）＋（１／ｒ２）＋
（１／ｒ３）＋（１／ｒ４）ただし、Ｒは、図４（ｂ）に示した発熱抵抗線状体１０
０′の抵抗値、ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４は、図４
（ａ）に示した発熱抵抗線状体１００における各発熱要
素１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄの抵抗値で
あり、ｒ１＝ｒ２＝ｒ３＝ｒ４を満たすものであ
る。

【００３０】第２発熱抵抗線状体２００は、図２に示す
ように、上述した第１発熱抵抗線状体１００のように、
延在方向に沿って分断してはいないものの、当該第１発
熱抵抗線状体１００の各発熱要素１００ａ，１００ｂ，
１００ｃ，１００ｄと同一の幅を有しており、その両端
部が第２ゾーン用電極２１０ａ，２１０ｂに接続されて
いる。

【００３１】さらに、これら第１発熱抵抗線状体１００
の各発熱要素１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ
および第２発熱抵抗線状体２００には、図１に示すよう
に、それぞれの曲折部分にスリット状開口（欠損部）４
０を形成している。スリット状開口４０は、それぞれ第
１発熱抵抗線状体１００の各発熱要素１００ａ，１００
ｂ，１００ｃ，１００ｄおよび第２発熱抵抗線状体２０
０の延在方向に沿って形成したもので、円弧状に一様に
延在する部分に比べて各曲折部分の幅を減少させるとと
もに、内方側の幅Ｄ1 が外方側の幅Ｄ2 よりも狭くなる
ように当該曲折部分を分断する作用を成している。

【００３２】なお、第１および第２発熱抵抗線状体１０
０，２００は、ニッケルクロム合金や鉄クロム合金等の
ように、単位長さあたりの電気抵抗が高い金属、あるい
は合金によって構成したものであり、ニクロム線や鉄ク
ロム線のように予め線状に構成されたものばかりではな
く、平板から所望の形状に打ち抜いたものを適用しても
よいし、マスキングを施した絶縁層３２の上面に溶射、
もしくは電着を施した後、当該マスキングを除去するこ
とによって所望の形状に構成したものを適用しても構わ
ない。

【００３３】また、図２中の符号３３は、サセプタピン
５０を貫通させるためのサセプタピン貫挿孔、符号６０
は、図示していないチャンバの内部において薄膜ヒータ
３０に対向するように配置された反射ミラーである。

【００３４】以下、上記のように構成した温度制御装置
において、ウェハＷの温度を高温状態と室温状態とに交
互に温度制御する場合の動作、すなわち、ウェハＷの温
度を高温にして行うベーキングと、その後ウェハＷの温
度を室温レベルまで冷却するクーリングとを交互に実行
する場合の動作について説明する。

【００３５】まず、この温度制御装置では、起動待機状
態にある場合、供給ポンプ２２を作動させた状態で開閉
バルブ２５をＯＦＦし、蓄熱タンク２１に貯留した温度
流体を自己循環系２６およびチラータンク２４との間に
おいてそれぞれ循環させておく。

【００３６】この起動待機状態においては、蓄熱タンク
２１に貯留されている温度流体が自己循環系２６によっ
て循環されているため、当該蓄熱タンク２１の内部にお
いて温度流体に温度分布が発生する虞れがない。

【００３７】上述した起動待機状態から、レジストを塗
布したウェハＷが搬入され、サセプタピン貫挿孔３３を
介して適宜作動するサセプタピン５０によって当該ウェ
ハＷが薄膜ヒータ３０の上面に載置されると、各電極１
１０ａ，１１０ｂ，２１０ａ，２１０ｂを介して第１お
よび第２発熱抵抗線状体１００，２００にそれぞれ所定
の加熱電力が供給され、これら第１および第２発熱抵抗
線状体１００，２００のそれぞれが発熱状態となる。

【００３８】この状態においては、第１および第２発熱
抵抗線状体１００，２００から発生した熱がウェハＷに
伝達され、該ウェハＷが直ちに高温状態に加熱維持され
ることになり、当該ウェハＷに対するベーキングを行う
ことが可能となる。

【００３９】ここで、上記温度制御装置では、上述した
ように、従前のものに比較して第１および第２発熱抵抗
線状体１００，２００の幅を狭く構成しているため、そ
れぞれの曲折部分において内方側の経路長と外方側の経
路長との差が小さくなり、当該曲折部分における幅方向
の電流の偏りが低減するとともに、この曲折部分での抵
抗値の減少を抑えることができるようになる。

【００４０】さらに、第１および第２発熱抵抗線状体１
００，２００の各曲折部分にスリット状開口４０を設け
ているため、当該曲折部分の幅が円弧状に延在する部分
に比べてさらに狭くなり、上述した電流の偏りを低減す
る、抵抗値の減少を抑えるといった効果が一層顕著とな
る。

【００４１】しかも、上述したスリット状開口４０を形
成することにより、第１および第２発熱抵抗線状体１０
０，２００の曲折部分において、その幅Ｄ1 ，Ｄ2 が内
方側から外方側に向けて順次広くなるように分断してい
るため、つまり曲折部分の抵抗値を内方側がより高くな
るように構成しているため、当該曲折部分に流れる電流
がその内方側に集中する事態を防止することができるよ
うになる。

【００４２】また、第１発熱抵抗線状体１００において
は、分断した発熱要素１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，
１００ｄを、互いの長さがほぼ同一となるように敷設し
ているため、これら発熱要素１００ａ，１００ｂ，１０
０ｃ，１００ｄからの発熱量も相互に同等となる。

【００４３】これらの結果、上記温度制御装置によれ
ば、第１および第２発熱抵抗線状体１００，２００の幅
方向に沿った温度分布の発生、延在方向に沿った温度分
布の発生、さらには各加熱ゾーンにおける温度分布の発
生がいずれも可及的に防止され、ウェハＷを均一に加熱
することができるようになり、当該ウェハＷに対するベ
ーキングを効率よく、かつ高精度に行うことが可能とな
る。

【００４４】上述したベーキングが終了すると、今度
は、第１および第２発熱抵抗線状体１００，２００に対
する加熱電力の供給が停止されるとともに、開閉バルブ
２５がＯＮされ、蓄熱タンク２１に貯留された２０℃近
傍の温度流体が供給通路２３および排出通路２０を通じ
てベースプレート１０の中空部に循環供給される。

【００４５】この状態においては、薄膜ヒータ３０およ
びベースプレート１０を介してウェハＷの熱が温度流体
に放熱され、該ウェハＷが直ちに室温レベルに冷却維持
されることになり、当該ウェハＷに対するクーリングを
行うことが可能となる。

【００４６】以上のようにして、クーリングが終了する
と、ウェハＷが新たなウェハＷと交換され、この新たな
ウェハＷに対して上記と同様にベーキングおよびクーリ
ングが行われる。

【００４７】ここで、上述した動作の間、第１および第
２発熱抵抗線状体１００，２００には、自身の熱変形に
より、あるいはベースプレート１０との熱膨張率の相違
に起因する面外方向への変形により、それぞれの曲折部
分に集中し、当該曲折部分にクラックを招来する虞れが
ある。

【００４８】しかしながら、上記温度制御装置によれ
ば、仮に第１および第２発熱抵抗線状体１００，２００
の曲折部分にクラックが発生した場合にも、この曲折部
分に形成したスリット状開口４０によってその進行が阻
止されることになるため、これら第１および第２発熱抵
抗線状体１００，２００が断線してしまうという最悪の
事態を阻止することができるようになり、その信頼性を
向上させることができるようになる。

【００４９】なお、上述した実施形態では、半導体製造
工程においてウェハＷの温度制御を行うための温度制御
装置を例示しているが、その他の被温度制御対象物の温
度制御を行うものにももちろん適用することが可能であ
る。この場合、被温度制御対象物としては、必ずしも円
板状を成している必要はなく、また必ずしも冷却側の手
段を備えている必要もない。さらに、２つの互いに独立
した発熱抵抗線状体を具備するゾーン分割型のものを例
示しているが、唯一の発熱抵抗線状体に一括通電するよ
うにした一体型のものであっても同様の作用効果を期待
することができる。

【００５０】また、上述した実施形態では、発熱抵抗線
状体の曲折部分に形成する欠損部として、スリット状開
口を例示しているが、本発明ではこれに限定されない。
たとえば、図５に示すように、欠損部として発熱抵抗線
状体１００，２００の側面から切欠４１を形成するよう
にしても同様の作用効果を期待することができる。この
場合、発熱抵抗線状体１００，２００に形成した切欠４
１は、上述したクラックの進行を阻止する機能を有して
いないが、その形状に起因して応力が集中する事態その
ものを抑えること、つまりクラックの発生を抑えること
ができるため、第１実施形態と同様に、第１および第２
発熱抵抗線状体１００，２００が断線してしまうという
最悪の事態を阻止することができるようになり、その信
頼性を向上させるという作用効果を期待することができ
る。

【００５１】なお、発熱抵抗線状体の曲折部分にスリッ
トを設ける場合に上述した実施形態では、当該曲折部分
を２つに分断するものを例示しているが、図６および図
７に示すように、発熱抵抗線状体１００，２００をスリ
ット４２，４３によって３以上の複数に分断するように
しても構わない。この場合、図１に示した実施形態およ
び図６に示した変形例のように、発熱抵抗線状体１０
０，２００の曲折部分において、その幅が内方側から外
方側に向けて順次広くなるように分断し、曲折部分の抵
抗値を内方側がより高くなるように構成すれば、当該曲
折部分に流れる電流がその内方側に集中する事態を積極
的に防止することができるようになるものの、図７に示
すように、曲折部分の幅が互いに同一となるように分断
することも可能である。

【００５２】また、図８および図９に示すように、発熱
抵抗線状体１００，２００にスリット状開口４４，４５
と切欠４６，４７とを形成するようにすれば、上述した
両者の効果を併せ持つ温度制御装置を提供することが可
能となる。

【００５３】さらに、上述した実施形態では、発熱抵抗
線状体をその全長に亘り延在方向に沿って複数に分断
し、さらにこの分断した発熱抵抗線状体の曲折部分に欠
損部を設けるようにしているため、両者の相乗効果から
被温度制御対象物の温度制御をより一層均一にすること
が可能になるものの、いずれか一方のみを適用するよう
にしても構わない。なお、発熱抵抗線状体をその全長に
亘り延在方向に沿って分断する場合に上述した実施形態
では、４つの発熱要素に分断するようにしているが、２
以上であれば、いくつに分断するようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る温度制御装置の第１実施例を示す
要部拡大図である。

【図２】本発明に係る温度制御装置の一実施形態を示し
た平面図である。

【図３】図２に示した温度制御装置の断面側面図であ
る。

【図４】図２に示した温度制御装置と従来技術との相違
を説明するためのものであり、（ａ）が図２に示した温
度制御装置の概略図、（ｂ）が従来の温度制御装置の概
略図である。

【図５】本発明に係る温度制御装置の第２実施例を示す
要部拡大図である。

【図６】本発明に係る温度制御装置の第３実施例を示す
要部拡大図である。

【図７】本発明に係る温度制御装置の第４実施例を示す
要部拡大図である。

【図８】本発明に係る温度制御装置の第５実施例を示す
要部拡大図である。

【図９】本発明に係る温度制御装置の第６実施例を示す
要部拡大図である。

【符号の説明】

１０…ベースプレート、４０，４２，４３，４４，４５
…スリット、４１，４６，４７…切欠、１００，２００
…発熱抵抗線状体、Ｗ…ウェハ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基台の表面に発熱抵抗線状体を適宜曲折
させながら単一層状に敷設し、該発熱抵抗線状体に加熱
電力を供給することにより、前記基台の表面に搭載した
被温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置におい
て、前記発熱抵抗線状体の曲折部分に欠損部を形成し、当該
曲折部分の幅を減少させることを特徴とする温度制御装
置。
【請求項２】前記欠損部は、前記発熱抵抗線状体の延
在方向に沿って形成したスリットであることを特徴とす
る請求項１記載の温度制御装置。
【請求項３】前記スリットは、前記発熱抵抗線状体の
曲折部分を、その幅が内方側から外方側に向けて順次広
くなるように分断するものであることを特徴とする請求
項２記載の温度制御装置。
【請求項４】前記スリットは、前記発熱抵抗線状体の
曲折部分を、その幅が互いに等間隔となるように分断す
るものであることを特徴とする請求項２記載の温度制御
装置。
【請求項５】前記欠損部は、前記発熱抵抗線状体の側
面から形成した切欠であることを特徴とする請求項１記
載の温度制御装置。
【請求項６】基台の表面に発熱抵抗線状体を適宜曲折
させながら単一層状に敷設し、該発熱抵抗線状体に加熱
電力を供給することにより、前記基台の表面に搭載した
被温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置におい
て、前記発熱抵抗線状体をその全長に亘り延在方向に沿って
複数に分断し、かつこれら分断した発熱抵抗線状体を相
互に並列に接続させたことを特徴とする温度制御装置。
【請求項７】前記分断した発熱抵抗線状体を、互いの
長さがほぼ同一となるように前記基台の表面に敷設した
ことを特徴とする請求項６に記載の温度制御装置。
【請求項８】前記発熱抵抗線状体は、円板状を成す基
台の上面全域に亘り同心の円弧状に敷設したものである
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項
に記載の温度制御装置。