JP4698025B2 - 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 - Google Patents

Description

【０００１】
（発明の分野）
本発明は、一般に、加工中に誘電体工作物を所定の位置に保持するための静電チャックを含む真空プラズマ・プロセッサに関し、より詳細には、複数のデチャッキング加工ステップの少なくとも１つが工作物のある決定された抵抗の範囲に応じて実行されるそのような方法に関する。
【０００２】
本発明の追加の態様は、静電チャックによって誘電体工作物に印加される電圧が、加工される工作物を締め付けるために十分に高いが、チャックから工作物を解放するのを援助するために工作物加工中に時間に応じて低下するそのようなプロセッサに関する。
【０００３】
本発明の別の態様は、誘電体ガラス工作物用に特に設計された静電チャックが、チャックから工作物を解放するのを援助するために工作物に印加される逆極性電圧を有するそのようなプロセッサに関する。
【０００４】
本発明の別の態様は、静電チャックからの誘電体工作物のデチャッキングが、加工の完了時に工作物抵抗率の大きな増大を防ぐことによって容易になるそのようなプロセッサに関する。
【０００５】
本発明の追加の態様は、誘電体チャックから誘電体工作物を取り外したときに得られる電流パルスの振幅が、チャックによって少なくとも１つの後で加工される工作物に印加される逆デチャッキング電圧の振幅および／または持続時間を制御するデチャッキング方法および装置に関する。
【０００６】
（背景技術）
真空プラズマ・プロセッサは、プラズマ加工される露出表面、すなわちプラズマがエッチングしかつ／またはプラズマが材料を堆積させる表面を有する工作物を保持するための工作物ホルダ、すなわちチャックを含有する真空チャンバを含んでいる。エッチングおよび堆積は、とりわけ、１つまたは複数の適切なガスをチャンバ中に導入すること、およびガスに高周波電界を印加することによって生じるチャンバ中の低インピーダンス・プラズマ中のイオンによって達成される。
【０００７】
工作物温度は、ヘリウムなど不活性伝熱ガスを工作物の裏面に当てることによって制御される。伝熱ガスは、工作物と、水によって冷却されるチャックとの間の熱接触を改善する。一般に、工作物は、電気伝導材料（すなわち金属）、半導体または誘電体ガラス・シートから製造された比較的薄い基板プレートである。工作物は、工作物裏面を押す伝熱ガスの圧力に対して工作物を所定の位置に保持するためにチャックに締め付けられなければならない。
【０００８】
誘電体ガラス・シートの真空プラズマ加工は、フィートで測定される比較的大きい寸法をもつパネルを有するフラット・パネル・ディスプレイで大きな重要性を呈している。１９９５年１０月１３日出願のＳｈｕｆｆｌｅｂｏｔｈａｍ他の同時係属の共通に譲渡される出願第０８／５４２，９５９号「Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｌａｍｐｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｗｏｒｋｐｉｅｃｅｓ ｉｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｓｓｏｒｓ」には、基準電位にある壁を有する真空プラズマ・プロセッサ・チャンバ中で誘電体工作物を静電チャックに締め付けることが開示されている。誘電体ガラス工作物を締め付けるために、低インピーダンス・プラズマは、比較的高い電圧がチャックの金属電極プレートに印加される間にプラズマに露出される工作物の表面上に入射しなければならない。電極は、ほぼ基準電位にある静電荷が低インピーダンス・プラズマによって工作物露出表面に当てられる間、プラズマとはかなり異なる電圧にある。それにより、静電力が工作物とチャックの間に生じて、工作物をホルダに締め付ける。
【０００９】
上述の出願に開示されているモノポーラ電極構成では、ＤＣ電圧（好ましくは負であるが、必ずしも必要ではない）が好ましくは金属電極プレート上の陽極処理層として形成される好ましくは薄い保護絶縁物を介して、金属プレートに、したがって工作物に印加される。負電圧は、ガラスの上面上に定着する正味の正電荷をプラズマから引き付ける。金属電極上の負電荷とガラス基板（すなわち工作物）上の正電荷との間の引き付け力は、ガラスを締め付ける。したがって、電極に印加されるＤＣ電圧と、工作物露出面上のほぼＤＣ基準電圧との間の電圧差によって、チャック上に基板を保持するのに十分な静電締め付け力が工作物の厚さを介して加えられる。
【００１０】
上述の出願に開示されている方法および装置は、フラット・パネル・ディスプレイに使用されるパネルなど、ガラス誘電体工作物の多数の商業状況においてうまく使用されている。ただし、いくつかのフラット・パネル・ディスプレイ製造業者のガラス誘電体工作物を加工する際に、上述の出願の方法および装置を使用したとき、工作物が静電チャックに粘着し、解放すなわちデチャッキングができなかった。デチャッキングは、チャックを介して持ち上げられて工作物の底面に係合するピンを通常含んでいる機械式機構を用いて、チャックから工作物を持ち上げることによって実行される。この機構は、チャックから工作物を解放するためにチャックが工作物に加える力よりも大きい力を工作物に及ぼさなければならない。しかしながら、工作物によって及ぼされる力は、工作物破壊、例えば破断、割れまたは永久的曲げを防ぐために十分に小さくなければならない。
【００１１】
元々、デチャッキングができないのは、静電チャックの誤動作に原因があると考えられていた。しかしながら、満足に機能することが分かっているチャックを有するプロセッサ中に同じガラス工作物を入れたとき、工作物はまだデチャッキングすることができなかった。我々の調査によって、デチャッキングすることができないガラス工作物は、従来技術の静電チャックからうまくデチャッキングされるガラス工作物とは異なる受動的電気特性を有することが分かった。本発明は、とりわけ、フラット・パネル・ディスプレイとして使用される異なるガラス工作物が異なる受動的電気特性、特に抵抗率を有しており、これが静電チャックからのデチャッキングに影響を及ぼすことが分かったことに基づくものである。
【００１２】
過去において、静電チャックから半導体ウエハをデチャッキングする際に問題に遭遇している。ガラス工作物および半導体工作物のためのウエハ・チャッキング構造は、どちらも工作物を担持する絶縁体によって覆われた金属電極を含んでいるという点で類似している。工作物底面およびＪｏｈｎｓｅｎ−ＲａｈｂｅｋＧａｐ（ジョンソン−ラーベック・ギャップ）と呼ばれる絶縁体上面の非接触部分の間の真空中の空間は、異なるタイプの工作物をチャッキングするための機構の分析において考慮される。シリコン・ウエハが静電チャックに粘着された状態になり得るいくつかの状態があるが、ただ１つの方法（ウエハ底面と絶縁層の上面との間に形成されるコンデンサ上に残っている残留電荷）が本発明の背景の議論に関連すると考えられる。
【００１３】
半導体工作物をチャッキングするための機構は、誘電体工作物のそれとはかなり異なる。その機構は、半導体ウエハ用の静電チャックに印加される電圧よりもかなり高い電圧を誘電体工作物用の静電チャックに印加しなければならないような機構である。シリコン・ウエハは電極の上面とウエハの底面の反対の極性の電荷の相互引き付けのために締め付けを行うので、高抵抗率ガラス基板用の静電チャックはシリコン・ウエハ用の静電チャックよりも高い電圧を必要とする。これらの電荷は、チャック電極上の比較的薄い誘電体層によって分離される。一方、ガラス・パネルは、チャック電極上とガラス・パネル上の電荷の相互引き付けによって所定の位置に保持される。これらの電荷は、電極上の誘電体コーティングの厚さよりもはるかに大きいガラス・パネルの厚さによって分離される。比較的低抵抗率の半導体ウエハの電極と底面との間のコンデンサの厚さよりも、電極とチャッキングされる誘電体シートの上面との間のコンデンサを形成する誘電体の厚さのほうが大きいので、ガラス・パネルはウエハよりも大きいチャッキング電圧を必要とする。
【００１４】
半導体ウエハ用のチャックの金属電極に印加される負電圧はプラズマから正電荷を引き付ける。正電荷は、露出したウエハ上面上に止まる。半導体材料は、金属の抵抗率と比較して高い抵抗率を有するが、半導体材料の抵抗率は、フラット・パネル・ディスプレイのガラスなど、誘電体の抵抗率よりもはるかに低い。シリコン・ウエハの最大抵抗率は約１オーム・メートルであり、したがって正電荷がウエハの上面と底面の間を移動するための時定数は約１ミリ秒よりも小さい。１ミリはウエハ加工に必要な一般的な時間よりもはるかに短い時間であるので、ウエハ中のこの電荷移動は瞬時に起こると考えられる。
【００１５】
同様に、高抵抗率ガラス誘電体シートの露出した上面上の電荷は、ガラス中をガラスの上面からガラス底面まで移動する傾向がある。高抵抗率ガラスの抵抗率は（約１オーム・メートルと比較して、約１０¹⁵オーム・メートルよりも大きい）シリコン・ウエハの抵抗率よりもはるかに高いので、高抵抗率ガラス中の電荷移動の時間スケールは約１週間である。高抵抗率誘電体中の電荷移動時間はガラス工作物の代表的な加工時間よりもはるかに長いので、高抵抗率ガラス中の電荷移動は無視することができる。
【００１６】
これらの状況（半導体ウエハと高抵抗率誘電体工作物）の両方において、工作物のチャッキングおよびデチャッキングは、必要な電荷を得るためにチャック電極に印加されるＤＣ電圧の発生源の能力によって決定される（一般に１または２秒未満）時間スケールで行われる。したがって、半導体工作物と高抵抗率ガラス工作物のチャッキングおよびデチャッキングは、工作物の上面と底面の間を移動する電荷の非常に速いまたは非常に遅い時間スケールに依存しない。どちらの場合も、工作物の上面と底面の間の電荷分布は工作物加工時間中に固定であると考えることができる。以下で論じるように、低および中抵抗率（すなわち約１０⁸オーム・メートルと１０¹⁴オーム・メートルの間）を有する誘電体工作物の上面と底面の間の電荷分布は、工作物加工中に固定であると考えることができない。
【００１７】
Ｂｉｒａｎｇらの５，６１２，８５０と同じ開示を有すると思われるＢｉｒａｎｇらの５，４５９，６３２には、モノポーラ・チャック電極に印加されるデチャッキング電圧が、工作物をチャック位置に維持するために使用される電圧の極性と同じ極性を有する半導体ウエハ・デチャッキング方法が開示されている。デチャッキング電圧は、チャックと工作物の間の静電引き付け力を最小限に抑えるためにチャッキング電圧とは異なる大きさを有する。デチャッキング電圧の「最適な」値は経験的に決定される、すなわち工作物が最初にチャックに取り付けられるときに生成される電流パルスの振幅を監視することによって決定される。
【００１８】
工作物を最初にチャックに付けるときに工作物および誘電体の中を流れる電流パルスの振幅を監視することは、ガラス誘電体工作物の加工には適用できない。これは、工作物が最初にチャックに置かれるときに静電チャックと誘電体工作物の間に電流が流れないためである。ガラス・パネルの場合、新しいパネルを最初に静電チャック上に下げたときに、電流パルスは生じない。これは、前に加工された誘電体工作物を静電チャックから取り外したときに、残留粘着電荷がその誘電体工作物とともに離れたためである。
【００１９】
Ｂｉｒａｎｇらの米国特許第５，４９１，６０３に指摘されているように、他の２つのＢｉｒａｎｇらの特許に開示されている方法は、持続時間の非常に短い電気パルスの精密な測定を必要とする。そのような精密な測定手順を回避するために、’６０３特許には、チャックに静電電位を印加し、次いでウエハとチャックの間にガスを導入し、次いでウエハとチャックの間からのガス漏れ率を観測しながらチャックの静電電位を下げることによって、「最適な」電圧を計算する若干複雑な方法が開示されている。最適なデチャッキング電圧は、漏れ率が所定のしきい値を超えたときに起こる静電電位の値としてメモリに記憶される。計算された最適な電圧は、プラズマがオフにされたときかまたはその後にチャックに見かけ上印加される。プラズマがオフにされた後、ウエハがチャックから持ち上げられる。’６０３特許には、加工中にチャックを介して工作物に当てられるガスの流量に応答して、ウエハ加工中にチャックに印加されるチャッキング電圧を制御することは開示されていない。’６０３特許には、チャックによってウエハに加えられる力をプラズマによるウエハ加工中にほぼ一定に維持することは開示されていない。
【００２０】
半導体ウエハ用のモノポーラ・チャックを対象としたＢｉｒａｎｇらの３つのすべての特許では、半導体ウエハは電流を伝導し、工作物と静電チャックの間の残留締め付け力を引き起こす捕獲電荷は、工作物とチャック誘電体層の上面との間の真空ギャップ中に伝導される。半導体ウエハ伝導特性のために、工作物をチャックに保持する捕獲電荷は工作物底面とチャック電極の間に存在する。反対に、ガラス誘電体工作物では、電荷の大部分は、ガラス誘電体工作物の上面と底面の間で、工作物自体の中に捕獲される。
【００２１】
Ｗａｔａｎａｂｅらの米国特許第５，１１７，１２１号には、バイポーラ静電チャックから半導体ウエハを解放する方法が開示されている。半導体ウエハ工作物をバイポーラ・チャックに締め付けるために、所定の振幅と極性とを有するＤＣ電圧を２つのチャック電極の間に印加する。Ｗａｔａｎａｂｅらの工作物は半導体ウエハであるので、捕獲電荷の大部分はウエハ底面とチャック電極の間にある。工作物の対向する面の間に捕獲される電荷はほとんどない。
【００２２】
ＤＣ電圧による締め付けの後、そして工作物をチャックから取り外す前に、第１の電圧の極性と反対の極性を有する第２の電圧をチャック電極に印加して、チャックが半導体工作物に加えている残留引き付け力をなくす。第２の電圧は、第１の極性の電圧の振幅よりも１．５倍から２倍大きい振幅を有する。第２の電圧は、第２の電圧の振幅に反比例する時間期間の間、バイポーラ電極に連続的に印加される。見かけ上、第１および第２の電圧の振幅は経験的に決定される。いずれにせよ、第１および第２の電圧の振幅は、誘電体ガラス工作物の受動的電気インピーダンス特性の分析によっては決定されない。
【００２３】
したがって、本発明の目的は、真空プラズマ・プロセッサ中で工作物を静電的にチャッキングおよびデチャッキングするための新規の改善された方法および装置を提供することである。
【００２４】
本発明の他の目的は、加工中に、チャックが工作物に及ぼす締め付け力が、チャック内をワークピースまで流れる冷却ガスによってワークピースがチャックに対して移動する傾向を克服するのに十分である真空プラズマ・プロセッサ中で、特にフラット・パネル・ディスプレイとして使用されるように構成された誘電体ガラス工作物を静電的にチャッキングおよびデチャッキングするための新規の改善された方法および装置を提供することである。
【００２５】
本発明のさらに他の目的は、工作物が迅速にデチャッキングされるために工作物を処理する能力が増大する、すべてのタイプの誘電体ガラス工作物用の真空プラズマ・プロセッサ中で使用される新規の改善された方法および装置を提供することである。
【００２６】
本発明のさらに他の目的は、工作物の受動的な電気パラメータの分析的分析に基づいて静電チャックからガラス誘電体工作物をデチャッキングする新規の改善された方法および装置を提供することである。
【００２７】
さらに本発明の追加の目的は、静電チャックからのデチャッキング中に工作物から取り除かれるべき電荷の量を決定する新規の改善された方法および装置を提供することである。
【００２８】
（発明の概要）
本発明は、基準電位の金属壁と、電気絶縁体によって覆われた面を有する電極を備える静電チャックを有する真空プラズマ・プロセッサ・チャンバのプラズマによる誘電体工作物の処理に適用可能である。処理は、工作物がチャック上にある間、ＤＣチャッキング電圧を電極に印加した後、実施される。プラズマは、プラズマが照射する工作物の前面が、基準電位とほぼ同じ電位であるように、十分に低い電気インピーダンスを有する。気体ヘリウムなど、プラズマに曝露されていない工作物の背面に供給された熱交換流体は、工作物がプラズマで処理されている間、工作物の温度を制御することを支援する。一般に、熱交換流体は、工作物と、比較的温度の低いチャック（これは流体によって冷却される）の間で、熱を伝導することによって工作物を冷却する。流体は、工作物をチャックに対して移動させる傾向を有する。チャッキング電圧は、工作物に対してチャッキング力を生成し、工作物をチャックに対して移動させる流体の傾向を克服する。
【００２９】
抵抗率を含む、加工物および絶縁体の受動的電気特性は、測定またはサプライヤによって決定され、工作物の加工中に一定なＤＣチャッキング電圧が電極に印加される場合、増大するチャッキング力が工作物に供給される、というものである。チャッキング力は、工作物の照射されている面とチャック電極の間で泳動するプラズマの電荷から生じる。電荷は、工作物の中を通過し、工作物、ジョンソン−ラーベック・ギャップ、および絶縁層に蓄えられる。
【００３０】
本発明のある態様によれば、抵抗率を含む、決定された受動電気特性に依存する１つまたは複数のデチャッキング・プロセスのステップが選択される。選択した１つまたは複数のプロセス・ステップは、加工物に対して増大するチャッキング力を生成する傾向を克服する。次いで、加工物の処理が完了したとき、チャックから加工物を除去することを支援するように、選択した１つまたは複数のデチャッキング・プロセス・ステップが実行される。
【００３１】
誘電体加工物が、低抵抗率または中間抵抗率を有する場合、前記デチャッキング・ステップは、それに応じて選択されなければならない。シリコン・ウエハおよび高抵抗率ガラスの場合のように、チャックの電極電圧は（通常の状況では負であるが、正であることも可能である）、反対の極性の電荷を、プラズマから低抵抗率または中間抵抗率ガラスの照射された上面に引きつける。チャック電極上の電荷と誘電体工作物の間の引力は、工作物の処理中、工作物を適切な位置に保持する。シリコン・ウエハおよび高抵抗率ガラスの場合のように、低抵抗率または中間抵抗率ガラス上の電荷は、ガラスを通過して、上面から底面に移動する傾向を有する。
【００３２】
低抵抗率および中間抵抗率ガラスの抵抗率は、約１０⁸から１０¹⁴オーム・メートルの範囲にあるので、電荷の時定数は、約１から５０００秒の範囲にある。この時定数の範囲は、作業処理時間のおよその長さを含むので、低抵抗率および中間抵抗率ガラス工作物の上面および底面上の電荷分布は、工作物の処理中に変化する可能性がある。
【００３３】
低抵抗率および中間抵抗率ガラス工作物をチャックするために、ＤＣ電圧を初めに静電チャックの電極に印加した直後には、曝露されたガラス面上に堆積したプラズマの電荷は、基本的に依然として上面上にあり、クランピングは、高抵抗率ガラスのものに類似している。例えば低抵抗率および中間抵抗率ガラス工作物の処理に必要な時間の長さなど、十分に長い時間電圧を電極に印加した後、ガラス工作物の上面と底面の間に、電荷分布のある定常状態が存在する。しかし、チャック絶縁層とジョンソン−ラーベック・ギャップの組み合わせた抵抗が（絶縁層とギャップは、直列回路にあると見なすことができる）、ガラスの抵抗より大きいという我々の観察に基づくと、ほとんどの電荷は工作物の底面にある。したがって、同じ印加チャッキング電圧に対して、長時間電極に通電した後では、短時間電極に通電したときの状況より、クランピング力は大きくなる。これは、長時間電極に通電した後では、短時間電極に通電した状況より、電荷の全量（ガラス上では負、電極上では正）が多いからである。
【００３４】
チャックのクランピング力は、２乗した電荷の量にほぼ比例するので、時間の経過と共に増大するクランピングの効果（すなわち力）は相当なものである。低抵抗率または中間抵抗率ガラスの底面上の電荷の量は、高抵抗率ガラスより大きい。これは、そのような低抵抗率および中間抵抗率ガラスでは、電極とガラスの底面との間の静電容量は、電極とガラスの上面との間の静電容量より大きいという我々の観察による。キャパシタに蓄えられた電荷の量は、キャパシタの静電容量に比例するので（同じ印加された電圧に対し）、初めにチャックの電極に電圧を印加してから、時間が経過するにつれて、低抵抗率または中間抵抗率ガラス工作物に対するクランピング力は、高抵抗率ガラス工作物よりかなり大きくなる。
【００３５】
電荷分布は、低抵抗率または中間抵抗率ガラス工作物の処理中に、はっきり認識できる程度に変化するので、一定のＤＣ電圧を静電チャックに印加する場合、クランピング力は処理中に増大する。高抵抗率ガラス、すなわち１０¹⁵オーム・メートルを超える抵抗率を有するガラスに対しては、チャッキング電圧が電極に印加されるときにプラズマによって照射されたガラスの上面上に堆積した電荷は、電圧をオフにするとき、プラズマによって容易におよび迅速に除去される。したがって、高抵抗率ガラス工作物は、容易におよび迅速にデチャックされる。しかし、低抵抗率および中間抵抗率のガラスに対しては、電極の上面と工作物の底面との間の静電容量および工作物の上面と底面との間の抵抗によって決定された時定数で、工作物の上面から工作物の底面にガラス工作物を通過して伝導された電荷は、通常、同じ時定数で、逆方向にガラスから離れるように伝導される。この時定数は、通常１と５０００秒の間であり、チャックの電極に印加されていた電圧をオフにした後、認識可能な時間の間、低抵抗率および中間抵抗率ガラス工作物を静電チャックに固着させるのに十分な長さである。
【００３６】
可能なデチャッキング・プロセスのステップの１つは、工作物の処理中に、電極と絶縁体を介して誘電体工作物に印加する電圧を、（電圧の極性を反転せずに）低減することを含む。流体が工作物をチャックに対して移動させる傾向を克服するように、電極によって絶縁体を経て工作物に印加される静電力が処理中にかなり高くなるように、電圧は低減される。チャッキング電圧の低減は、複数の決められた時間ごとの複数のステップ、または連続的で、指数関数的であることが好ましく、あるいは冷却流体のフロー・レートをほぼ一定に維持する制御した方式で行われ、これにより、誘電体工作物に印加される静電力は、工作物の処理中、ほぼ一定に維持される。
【００３７】
他のデチャッキング・プロセスのステップは、工作物の処理の完了時に、電極に印加されているＤＣ電圧の極性を反転することを含む。それにより、チャッキング力は、十分に低い値まで低減し、損傷なしにチャックから工作物を取り除くことを可能とする。
【００３８】
第１実施形態によれば、処理が完了したとき、すなわち、処理後にチャックに印加されるＤＣ電圧の極性が、処理中にチャックに印加されていたＤＣ電圧の極性と反対であるとき、チャックに極性を反転した電圧を印加することによって、工作物はデチャックされる。反転電圧の大きさと、反転ＤＣ電圧をチャックに印加する持続期間は、反転電圧がオフになった後は、工作物に対する静電力は十分に低減され、（１）再び工作物をチャックに固着させる、または（２）工作物を損傷する、ということなく、リフティングメカニズムがチャックからガラス工作物を除去することを可能にするというものである。第１実施形態では、第１工作物をチャックから除去するときに、チャックを通って流れる電流の大きさが、１つまたは複数の続いて処理する工作物のために、電極に印加される反転極性電圧の大きさ、および／または反転極性電圧を電極に印加する時間の長さを制御することが好ましい。そのような電流の流れを可能にするために、第１工作物が除去される際に、プラズマがチャンバ内に存在しなければならない。
【００３９】
第２実施形態によれば、処理が完了したとき、反転極性ＤＣ電圧がチャックに印可され、したがって、電圧が依然として印加されている間に、工作物に対する静電力はゼロまで減少し、工作物はチャックから除去される。以下のステップは、工作物に加えられた静電力が十分に減少し、リフティングメカニズムによって工作物をチャックから除去することが可能となった後に実施されることが好ましい：（１）プラズマを消去する、（２）次いでチャンバを真空にする、（３）次いで工作物をチャックから除去する、（４）チャックに印加されていた電圧をほぼゼロまで低減する。チャックに印加されていた電圧をほぼゼロまで低減し、その後、工作物をチャックから除去して、工作物を損傷することを回避することが好ましい。
【００４０】
工作物がチャンバにある間に、ｒ．ｆ．プラズマまたはＤＣタウンセンド放電まで励起されたアルゴンなどの不活性プラズマをチャンバに加えることによって、工作物をチャックから除去した後、誘電体工作物上の電荷を、ほぼゼロまで低減することが好ましい。
【００４１】
誘電体工作物をチャックから除去することは、工作物の処理の完了時に、処理用のプラズマを消去した後、誘電体の抵抗率が著しく増大することを防ぐことによって容易になる。工作物から電荷を除去する比較的短い時定数は、工作物を除去する直前に、誘電体の抵抗率が増大することを防ぐことによって達成される。このために、工作物の処理が完了した後、チャックを介して工作物に伝熱ガスが流れることを停止することによって、工作物の温度が著しく減少することを回避する。
【００４２】
上記および本発明のさらに他の目的、特徴、および利点は、いくつかの特定の実施形態に関する以下の詳細な説明を考慮することによって、特に添付の図面に関連して取り入れられているとき、明らかになるであろう。
【００４３】
（好ましい実施形態の説明）
そこで、図１を参照すると、誘電性基板をエッチングするか、または膜を誘電性基板上に堆積するのに使用できるプラズマ・プロセッサが、電気的に接地される、かつ方形の金属の、できれば陽極酸化アルミニウムの側壁１２によって形成される封止された外面を有するとともに、平行に配管されて構成されることが好ましい真空チャンバ１０を含んで示される。また、真空チャンバ１０は、方形の金属の、できれば陽極酸化アルミニウムの底板１６、および方形の上板構造１８、ならびに誘電性窓構造１９を含む。チャンバ１０のこれらの外面の封止が、従来のガスケット（示されない）によって施される。
【００４４】
プラズマに励起され得る適当なガスが、ガス源（示されない）からライン１５、管接続口２０、および弁２１を経由してチャンバ１０の内部に供給される。チャンバ１０の内部は、側壁１２内の管接続口２２に接続される真空ポンプ（示されない）によって、通常０．５〜１００ミリトルの範囲の圧力で真空状態に維持される。真空チャンバ１０内のガスは、窓１９の直ぐ上に取付けられて、自動的に制御されるリアクタンス（示されない）を含む整合ネットワーク２８を経由してｒ．ｆ．源２６によって励起される、実質的に平らなコイル２４のような適当な電源によってプラズマ状態に励起される。しかし、プラズマ発生のどんな適当な方法でも用いることができることが理解されるべきである。
【００４５】
静電チャック３０が、チャンバ１０内の電気的絶縁シート２９によってチャックから電気的に絶縁された接地金属ベース２７を含む支持構造上に固定されている。ベース２７は底板１６に固定される。チャック３０は、非プラスチック誘電性基板を含む工作物３２、典型としては、フラットパネルディスプレイ装置を形成するために使用される平らなガラス基板シートを選択的に保持するように特別に設計されている。ガラスは、限定された受動的な電気的特徴、例えば限定された誘電率および抵抗率を有するいくつかの異なるタイプのどれかであり得る。ガラスの抵抗率は、小さい、中間の、または大きい範囲のどれかを有することによって特徴づけられて、小さい抵抗率は約１×１０⁸〜約１×１０¹¹オーム・メートル（Ω・ｍ）、中間の抵抗率は約２×１０¹¹〜約１×１０¹⁵Ω・ｍ、そして大きい抵抗率は約１×１０¹⁵Ω・ｍを超える。
【００４６】
抵抗率はガラスの化学的組成および温度に依存し、温度が上昇するにつれて、抵抗率は小さくなる。すべてのガラス工作物の抵抗率は、温度が１０℃上昇する毎に、約２．５分の１になる。ガラス工作物の誘電率は約５．６と７．７の間の範囲にあり、例えば約６．５である。小さい、中間の、または大きい抵抗率範囲におけるガラスの３つの典型的なタイプの誘電率および抵抗率が、表Ｉの３つの行にそれぞれ記載される。
【００４７】
【表１】

【００４８】
通常、ガラス・シートは、１．１ｍｍの公称厚さ、±０．１ｍｍの厚さ許容差、および非常に滑らかな面を有し、最大ピーク・ツー・ピーク粗さが０．０２ミクロンである。ガラス・シートは、生成された時に、少しそっているか、または波打っていることがある。様々な処理工程、特に堆積を経た後に、ガラス・シートはよりひどくそったり波打ったりするので、チャンバ１０内で基板シート３２をプラズマ処理する間にそれを平らにすることがより必要となる。
【００４９】
通常、工作物３２の温度が、ヘリウム・ガスを適当な源（示されない）から管路３４と弁３５を経てチャック３０を通って工作物の背面、すなわち処理チャンバ１０内でイオンに曝されないガラス基板の面に供給することによって、そして冷却液、例えば水とエチレン・グリコールの混合液を適当な源（示されない）から管路３７と弁３９を経てチャック３０に供給することによって、２５℃と１００℃の間にあるように制御される。通常、工作物３２の背面に加えられるヘリウム・ガスの圧力が５〜１５トルの範囲内に在り、管路３４を通るヘリウム流量が５〜７０ｓｃｃｍの範囲内にある。ヘリウムは、源から、ステムとТ形接続の１つのアームを経て、圧力変換器を通って管路３４中に流れる。Т形接続の他方のアームが、制御開口を有するオリフィスを通してポンプに接続される。すべての実施形態において、工作物の背面に加えられるヘリウムの圧力は、管路３４内の流量調整器によって実質上一定に維持される。すべての冷却液の流量に対して、工作物３２の背面に加えられるガスの圧力は、チャックが静電力を工作物に加えていない場合は、ガラス・シート３２をチャック３０からはがすのに、すなわちチャックに対してシートを動かすのに十分である。ヘリウム・ガスは、工作物とチャック３０の間を伝わる伝導熱によって、工作物３２を冷却する。冷却液が管路３４を経てチャックに流れるので、チャック３０は比較的冷たいヒート・シンクとして作用する。
【００５０】
管路３７を通して流れる冷却液によって、チャックを通って基板３２へ至る熱伝導度が大きい経路が設けられるように、チャック３０は構成される。
【００５１】
工作物３２の背面は、溝のあるチャック面の部分を除いて、チャック３０の平らな面に接する。工作物の露出面が平らになってチャックの平らな面に実質的に平行な面内にあるように、チャック３０は力を工作物に加える。チャックの上に置いた場合に工作物３２がそったり波打ったりしても、そして工作物をチャック３０の平らな面から離れてチャンバ１０内の上方へ曲げようとする管路３４を通って流れるヘリウム・ガスの傾向にもかかわらず、この結果は達成される。また、たとえ工作物の背面がチャック３０の平らな面の溝のない部分に接していても、ヘリウム・ガスが工作物３２の背面のかなりの部分に接するように、チャック３０は構成される。
【００５２】
図２および３に示されるように、静電チャック３０は、導電度の大きい金属（できれば、アルミニューム）板３６として形成される唯一の電極を有し、プログラムによるＤＣ電源３８の高電圧端子４０に接続されて、低域ｒ．ｆ．阻止フィルタ（示されない）を含むモノポーラ・デバイスである。チャンバ１０内のプラズマによる工作物３２の最初の処理中に、端子４０の電圧は、筐体１０の金属壁に接続される電源３８の接地端子４２における電圧に対して、通常数千ボルト、例えば５０００ボルトである。端子４２、チャンバ１０、およびチャンバ内のプラズマは、すべてほぼ同じＤＣ接地（すなわち、基準）電位である。端子４０は接地端子４２の電圧に対して負または正の電圧のいずれかであるように、電圧源３８は構成され得る。チャンバ１０内のプラズマによる工作物３２の処理中に、端子４０の電圧は端子４２に対して負であって、移動度が比較的小さい正イオンを工作物３２の露出面の方へ引き付けることが好ましい。負極性が電源３８に及ぼす有害な影響の可能性を小さくするので、負極性が有利である。
【００５３】
ｒ．ｆ．バイアス電圧が、イオン・エネルギーを制御するためにチャック３０に供給される。この目的のために、ｒ．ｆ．源６０が整合ネットワーク６２および直列ＤＣ阻止コンデンサ１６４を通してチャック３０の板３６に接続される。非常に動かしやすいプラズマ電子が移動度が小さくかつ重いプラズマ・イオンより大いにチャックに引き付けられるので、ＡＣバイアス電圧によって、チャック３０は負のＤＣ電圧に充電される。
【００５４】
板３６の前面、すなわちガラス工作物３２に最も近い板の表面が、できれば板３６の前面を完全に覆う陽極酸化された非脱ガス層として形成される、保護のための電気絶縁体５９によって覆われる。通常、絶縁層５９は、約０．１ｍｍの厚さ、および決定された受動的電気パラメータ、例えば決定されたコンデンサおよび抵抗につながる決定された誘電率および抵抗率を有する。
【００５５】
板３６の残りは、脱ガスしない材料（通常プラスチックではなく、できればセラミック）から作られる誘電性電気絶縁体ボデー４４によって囲まれる。ボデー４４は電極板３６がイオンとチャンバ１０内で電気的に接触するのを防止するので、チャンバ内の電極とイオンの間にかなりのＤＣ電位差がある。この目的のために、絶縁体ボデー４４はくぼみ４６を有する板として成形される。金属板３６は、板の周端がボデー４４のフランジ４８の内壁４７に接するようにくぼみ４６内に配置されて、工作物３２は、基板が板３６の上面を完全に覆うように板３６に対して大きさが調整される。
【００５６】
ヘリウム・ガスがガラス工作物３２の背面のかなりの部分と接触することを可能にするために、板３６の滑らかで平らな上面５３に間隔をおいて配置されて相互に連結した溝５４（図３）が設けられて、これらのすべてはお互いに、かつ管路３４とも流体が流れる関係にある。管路３４は、管路および溝が接続されている中心穴５５を含むチャックによってチャック３０を通して有効に延びる。工作物３２がチャック３０上の所定の位置に締め付けられる場合に、工作物の露出された平らな上面は上面５３に平行な面内で延びる。絶縁体ボデー４４は管路３７に流体の流れが通ずる通路６５を含むので、冷却液は通路を通って流れる。絶縁体ボデー４４および金属板３６は大きい熱伝導度を有し、通路と工作物３２の間の距離が短いので、熱が工作物３２から通路６５内の冷却液に簡単に伝えられる。
【００５７】
動作時、電極３６に接続されるＤＣ電源３８の電圧が、ＤＣ電源がそれに電圧を与える電源（示されない）から切り離されることによって、ゼロである場合に、上述のタイプのガラス誘電性基板工作物３２は絶縁層５９上に配置される。工作物３２は誘電性ボデー４４によって完全に囲まれる層５９上に配置された後に、電源３８はそれに電圧を与える電源に接続される。そして、冷却ガスが、弁３５を開くことによって管路３４に供給される。
【００５８】
工作物３２は、チャック電極３６に電気的に接続されて、チャックを通して縦方向に延びて、チャックの上面より上に揚げられる１組の金属製の縦方向に駆動される持ち上げピン（示されない）に工作物を送り出すロボット・アーム（示されない）によって、チャック３０上に配置される。工作物３２はガラスなので、工作物の底面の電圧は電極３６と持ち上げピンの電圧と関係が無い。ピンが下げられた場合に、工作物３２はそのまま絶縁体５９上にあり、ピンから隔てられる。処理完了後に、小さい締め付け力がチャック３０によって工作物３２に加えられる間に時として、工作物に対してピンを揚げることによって、工作物はチャックから除かれる。そして、ピンは処理された工作物をロボット・アームに戻す。
【００５９】
露出面はチャンバ１０内の実質上基準電位のイオンと接するので、電荷層５８がガラス工作物３２の露出された上面に生ずる。その結果、層５８はチャンバ１０の接地電圧に近い基準電位にある。電源３８がオンされて、スイッチ６１が閉じられる場合に、電流が端子４０から電極３６へ流れて、変位電流が電極３６から絶縁層５９とガラス工作物３２を通って流れて、電流が工作物３２の露出された上面からチャンバ１０内のプラズマを通ってチャンバ壁へ、したがって電源３８の接地端子４２へ流れて、回路を完結する。この電流の流れは、電極３６と工作物３２の上面の間に形成されるコンデンサの誘電体の充電をもたらす。電源３８の電圧は十分に高いので、電極３６と工作物３２の上面の間に形成されるコンデンサの誘電体の電荷が、工作物３２をチャック３０に締め付けるのに十分な工作物３２と電極３６の間の引付け力を生成する。
【００６０】
電源３８の電圧は十分に高いので、工作物３２の厚みを横切る電荷が工作物を横切る誘引力を生成して、工作物（すなわち、基板）を絶縁層５９の上面５３に締め付ける。ガラス誘電性工作物３２を締め付けるのに必要な電源３８の電圧値（通常、５０００ボルトの程度）は、半導体または金属の工作物をモノポーラ静電クランプに締め付けるのに必要な電圧よりかなり大きい。電極板３６から工作物３２と絶縁層５９の厚みを横切って工作物の露出面上の電荷層に至る締め付け圧力を設定するために、高い電圧が必要である。通常、工作物３２に加えられる締め付け力は、管路３４を通して流れるヘリウムによって工作物の背面に加えられる力の約２倍である。
【００６１】
抵抗率が小さい、および中間のガラス工作物の場合は、処理が完了された場合に、電荷および電圧が工作物３２に留まる傾向があり、ピンが工作物をチャック３０から揚げる時に、電荷および電圧は、ガラス工作物に留まる。ガラス工作物３２がチャック３０から完全に離されない時に、そして処理プラズマが電気回路を完結するために存在している時に、電荷はガラス工作物の底面にトラップされて、イメージ電荷がガラス工作物の上面および電極３６の上に生ずる。イメージ電荷は、工作物３２の底面にトラップされた電荷に引付けられるので、イメージ電荷は電極３６上にある。
【００６２】
プラズマがチャンバ１０内にあって工作物の上面を基準電圧に維持する間に、工作物３２はチャック３０から揚げられるにつれて、電極と工作物の底面の間の静電容量が減少するので、電荷は電極３６と工作物の上面の間で移動させられる。その結果、ピンがガラス工作物をチャック３０から揚げた時に、電流パルスが電極３６とガラス工作物３２の底面の間を流れる。
【００６３】
電流パルスの振幅が、板３６と電源３８の端子４０の間に接続される電流計６１によって監視される。ピンが工作物をチャック３０から揚げる時、メータ６１のピーク測定値は工作物３２上の残留電圧および電荷に正比例する。一方、メータ６１によって検知される電流の瞬時振幅が、ピンが工作物３２を揚げ始めてから数マイクロ秒後に開始してパルスが終わる前に終結する所定期間中の間検出される。メータ６１の瞬時出力はこの期間中に積分される。コンピュータ・システム６４はピーク振幅を測定するか、またはメータ６１によって検知される電流の値を積分する。後述のように、コンピュータ・システム６４はメータ６１の測定値に応答して、少なくとも１つの続いて処理される工作物がチャックから除かれる間に、そのようなガラス工作物３２にチャック３０が適用する締め付け力を制御する。
【００６４】
マイクロプロセッサ６６、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）６７、およびリード・オンリー・メモリ（ＲОＭ）６８を含むコンピュータ・システム６４は、電源３８によって導出される経時変化する電圧の振幅、弁２１、３５、および３９の開閉、ならびにｒ．ｆ．電源２６のオン・オフ、および整合ネットワーク２８の無効インピーダンスを制御する。マイクロプロセッサ６６は、ＲОＭ６８に格納されるプログラム、ＲＡＭ６７に格納される信号値、および電流計６１によって検知されるパルスにおける電流の振幅に応答して、弁２１、３５、および３９、高電圧源３８、ならびにｒ．ｆ．源２６を制御する。さらに、マイクロプロセッサ６６は、適当な変換器（示されない）から導出されるような（１）源２６の出力電力、および（２）源に反射されて戻ってくる電力の値に応答して、整合ネットワーク６９のリアクタンスを制御する。源３８、弁２１、３５、および３９、ならびに源２６への電圧の印加を制御するためにＲＯＭ６８へ格納される動作が、下に述べられる。マイクロプロセッサ６６によって実行される動作が、整合ネットワーク２８のリアクタンスの制御を除いて、手動でも実行され得る。
【００６５】
フラットパネルディスプレイ用に使用される様々なタイプのガラス工作物は、ガラス基板３２をチャック３０からデチャックするのに影響を及ぼす様々な受動的な電気特性、例えば、抵抗率および容量を有する。抵抗率が大きいガラス誘電性基板３２は、チャック３０に締め付けられる場合に、源３８によってチャックに印加される電圧がゼロに減少された時、基板から容易に離される。上に示されたように、チャックに印加される高電圧がゼロに減少される場合に、抵抗率が小さい、および中間の誘電性工作物３２がチャック３０から離されないことが分かった。異なる抵抗率が、特にガラス誘電性工作物内に蓄積される電荷に影響を及ぼし、工作物をチャック３０から速やかに除く機能に悪影響を及ぼす。
【００６６】
図４ａ、４ｂおよび４ｃはそれぞれ（ａ）チャック３０（金属プレート３６および絶縁層５９を含む）およびクランプされたガラス誘電体工作物３２の断面図、（ｂ）図４ａの構造の近似等価回路図および（ｃ）図４ａの構造の近似回路図である。図４ａに描かれた構造は、金属プレート３６とガラス３２との間にある包含絶縁体５９に加えて絶縁体の上面とガラス工作物３２の底面との間に真空ギャップを含んでいる。このギャップは、しばしばジョンソン−ラーベック・ギャップと呼ばれるものである。絶縁体５９、ギャップおよびガラス工作物３２はそれぞれｄ_A、ｄ_JRおよびｄ_Gのよく知られている厚さを有している。絶縁体５９、ギャップおよびガラス工作物３２それぞれのＤＣ電源３８に対するインピーダンスは抵抗と並列になったキャパシタとして表わすことができる。このキャパシタと抵抗は図４ｂにおいて、電極プレート３６の上面と絶縁層５９の上面の間のキャパシタンスと抵抗値についてはＣ_A、Ｒ_Aにより、絶縁層５９の上面とガラス工作物３８の底面の間、すなわちジョンソン−ラーベック・ギャップのキャパシタンスと抵抗値についてはＣ_JR、Ｒ_JRにより、そしてガラス工作物３２の上面と底面間のキャパシタンスと抵抗値についてはＣ_G、Ｒ_Gによりそれぞれ表わされる。これらの絶縁体５９、ジョンソン−ラーベック・ギャップおよびガラス工作物３２の並列等価受動回路成分は互いに直列に接続されている。ガラス工作物３２の上面はチャンバ１０においてプラズマのほぼ基準（すなわち接地）電位とされている。絶縁層５９の底面は電極プレート３６および電源の抵抗値に等しい抵抗Ｒ₀を経由してＤＣ電源３８の電源供給電圧（Ｖ_ESC）に接続されている。工作物３２の底面は、処理の間、電源３８の電圧と工作物の暴露表面との間の電圧である。
【００６７】
表Ｉと関連して前述したように、中程度および低い抵抗値のガラス工作物については、ジョンソン−ラーベック・ギャップ抵抗値は絶縁層５９の抵抗値、これは誘電体ガラス工作物３２の抵抗値よりも大きいのであるが、よりもはるかに大きくなる。低および中間抵抗値ガラス誘電体工作物をチャック３０からデチャッキングする時間を含めた対象となる時間規模において、絶縁層５９とジョンソン−ラーベック・ギャップ３０の組合せは絶縁体抵抗値（Ｒ_A）と絶縁体キャパシタンス（Ｃ_A）とほぼ等しい抵抗値とキャパシタンスを有する単一層として扱うことができる。
【００６８】
これは図４ｃに描かれた近似等価回路につながり、ここで絶縁体５９のキャパシタンスＣ_Aと抵抗値Ｒ_Aとの並列組合せは、ガラス工作物３２のキャパシタンスＣ_Gと抵抗値Ｒ_Gとの並列組合せと直列になっている。図４ｃの直列組合せ、すなわち並列のＣ_AとＲ_Aおよび並列のＣ_GとＲ_G、は電源３８の抵抗値、抵抗Ｒ₀と直列になっている。（図４ｃの回路およびその結果となる計算は、工作物３２と絶縁体５９の抵抗値を実際にはそうでないオーミックとして扱うので近似計算となる。しかしながら、図４ｃの回路およびその結果となる計算は、それらが高速および低速の時定数と、電源３８の電圧がチャック３０に印加されなくなったときの電圧極性反転があることを示しているため、充分に有用なほどに正確である。）
電源３８からの電流は経時変化する電圧Ｖ₀、Ｖ_AおよびＶ_Gを発生し、これらはそれぞれ、（１）抵抗Ｒ₀間、（２）金属プレート３６の上面とガラス工作物３２の底面との間（すなわち、絶縁層５９間）、および（３）ガラス工作物３２間の電圧である。プレート３６、絶縁体５９およびガラス誘電体工作物３２を含めた静電チャックに対して電源３８によって印加される電圧は、
Ｖ_ESC＝（Ｖ₀＋Ｖ_G＋Ｖ_A＋Ｖ_plasma）
であって、ここでＶ_plasmaはプラズマがガラス誘電体基板３２の暴露面である上面に印加する電圧である。
【００６９】
ガラス工作物３２に加わるクランプ力は、
Ｆ＝ε₀ｋ² _AＶ² _A（ｔ）Ａ／２ｄ² _A… （１）であり、ここでｋ_Aは絶縁層５９の誘電定数、ε₀は真空誘電率、そしてＡはガラス工作物３２の底面積であって実質的には絶縁層５９上面の面積に等しい。
【００７０】
Ｖ_ESCのステップ電圧変移を生じる電源３６のステップ電圧変化に応答して、Ｖ_A（ｔ）の値は、
Ｖ_A（ｔ）＝Ｃ_A ⁺ｅｘｐ（−Ａ⁺ｔ）＋Ｃ_A ^-ｅｘｐ（−Ａ^-ｔ）＋Ｖ_{A ∞}（２）ここで、
Ａ^±＝（ｆ_Gｒ_G＋ｆ_Aｒ_A±ｓ）／２、
Ｃ_A ^±＝［Ａ^±（Ｖ_{A ∞}−Ｖ_A0）＋ｆ_A（ｒ_AＶ_A0＋Ｖ_G0−Ｖ_ESC＋Ｖ_plasma）］／（±ｓ）、
ｆ_G＝１／（Ｃ_GＲ₀）、ｆ_A＝１／（Ｃ_AＲ₀）、ｒ_G＝（１＋Ｒ₀／Ｒ_G）、ｒ_A＝（１＋Ｒ₀／Ｒ_A）、
ｓ＝ｓｑｒｔ（（ｆ_Gｒ_G−ｆ_Aｒ_A）²＋４ｆ_Gｆ_A）、（ｓｑｒｔは平方根を表わす）、
Ｖ_{A ∞}＝Ｖ₂（ｔ→∞）、Ｖ_A0＝Ｖ_A（ｔ＝０）、Ｖ_G0＝Ｖ_G（ｔ＝０）
時定数τ⁺＝１／Ａ⁺は殆どの場合において１秒以下であって、外部抵抗値Ｒ₀を経由した直列組合せのキャパシタンス（Ｃ_G×Ｃ_A）／（Ｃ_G＋Ｃ_A）への電荷蓄積に対応している。時定数τ⁺は、（Ｖ_G＋Ｖ_A）で規定される等価回路のトータル電圧における変化に支配的であり、工作物３２に対するチャック３０のための適切なターンオン時間である。時定数τ⁺で生じる変化は両方のキャパシタＣ_AおよびＣ_Gを経由した等量チャージ入れ替えの動きを含むものである。
【００７１】
静電チャック３０と誘電体工作物の放電時定数τ^-＝１／Ａ^-は抵抗Ｒ₀、Ｒ_AおよびＲ_Gを経由して直列キャパシタＣ_GとＣ_Aに流れるフリー・フローのチャージについてのものである。放電時定数τ^-は（１）絶縁体５９の抵抗値またはガラス工作物３２の抵抗値の小さい方および（２）絶縁体５９のキャパシタンスまたはガラス工作物３２のキャパシタンスの大きい方の積とほぼ同じである。小さい方の抵抗値および大きい方のキャパシタンスはそれぞれＲ_GとＣ_Aである。中間の抵抗値の工作物においては積Ｒ_GＣ_Aは、殆どの場合、τ⁺よりも大きな程度である。τ^-は、ガラス工作物３２の静電チャック３０に対するクランプ力を徐々に増すことおよび電源３８の電圧がゼロになった後でチャック３０の工作物３２に対する残留クランプ力を減衰させることに通常は支配的な時定数である。
【００７２】
２つの時定数τ⁺およびτ^-の効果は図５の波形で示されており、電圧Ｖ_GとＶ_Aがステップにおける時間の関数として、正のステップ変化の後の０＜ｔ＜１２０ｓについてはＶ_ESC＝０ＶからＶ_ESC＝８００Ｖへと変化させ、１２０ｓ後はＶ_ESC＝８００からＶ_ESC＝０へと変化させる。図５において、Ｃ_AはＣ_Gよりも２０倍大きく、Ｒ_AはＲ_Gよりも大きな程度であり、時定数τ⁺は０．０４ｓ、そして時定数τ^-は２０ｓである。これらの構成成分および時定数の値は温度が４０℃、ガラスが特に中間の抵抗値で市販のフラット・パネル・ディスプレイにおいてのものである。絶縁体５９に８００Ｖのレベルが印加され、一方、工作物３２の暴露面が接地電位であるとき、電圧合計（Ｖ_G＋Ｖ_A）は時定数τ⁺で急激に８００Ｖまで増加する。Ｖ_GとＶ_A間での初期の電圧配分は容量による電圧配分比により決定される。最初に８００Ｖ電源をオンにした後、時定数τ^-でガラス工作物と絶縁体の抵抗電圧分割値に向かってＶ_Gは低下してクランプ電圧Ｖ_Aは増大する。ｔ＝１２０ｓになると、ＥＳＣ電圧はオフすなわちＥＳＣ＝０となり、合計電圧は時定数τ⁺で急速にゼロまで低下する。積Ｃ_A×Ｒ_AまたはＣ_G×Ｒ_Gの小さい方のキャパシタＣ_AまたはＣ_Gの電圧は小さい方の時定数τ⁺で極性を変え、それから両方のキャパシタの電圧は長い方の時定数τ^-で減衰する。
【００７３】
フラット・パネル・ディスプレイのメーカーで使用されるさまざまなガラスの抵抗値が（表１に示したように）５桁以上変化するので、時定数τ^-もまた非常に変化し、すべてのタイプのガラスに有効な１つのデチャッキング手法というものは無い。
【００７４】
チャック３０によりクランプされる中程度または低い抵抗値のガラス工作物においてＲ_AＣ_A＞Ｒ_GＣ_Gであるので、絶縁体５９を経由して電極３６によりこのような工作物の底面に加えられるクランプ電圧Ｖ_Aは、一定のＤＣ電圧をもつ電源３８によりチャック３０が電源供給された後は、時間と共に増大する。適切なデチャッキング時間を獲得するためには、工作物をプラズマで処理している間でクランプ電圧Ｖ_Aを、工作物３２が配管３７を通って流れる冷却液の力に対向してそのまま離れないでいるのに充分なほぼ一定の値を維持することが望ましい。これは工作物がクランプされた後に、時間の関数として、電源３８によりチャック３０にかけられる電圧値を低下させることで達成可能である。
【００７５】
理想的には、電源３８に由来するＶ_ESCの値が指数関数的に低下させられ、誘電体、ガラス工作物３２を処理している間においてチャックする電圧Ｖ_Aとチャックする力が実質的に一定に維持される。しかしながら、ＲＯＭ６８に指数関数をプログラムすることおよび高電圧電源の電圧を時間の関数として指数関数的に低下するように制御することは幾分難しい。指数関数的に低下する電圧とそれにより得られる効果は、チャンバ１０内部でプラズマによりガラスの誘電体工作物３２を処理している間において時間間隔をおいて低下する一連のステップ電圧を導き出すように電源３８を制御するためのマイクロプロセッサ６６のプログラムを保存するＲＯＭ６８による大きな範囲まで近似させられる。例えば、処理中の指数関数的低下電圧は、ガラス誘電体工作物３２処理の最初の１５秒間において電源３８がプレート３６に対して最初−１５００Ｖの電圧を印加することに近似させられる。それから、ＲＯＭ６８はマイクロプロセッサ６４を制御して、工作物処理の１５〜４５秒の間、電源３８の出力電圧を−８００Ｖまで低下させる。それから処理時間４５〜７５秒の期間において、ＲＯＭ６８は電源３８の電圧が−６００Ｖとなるようにマイクロプロセッサ６６を制御する。処理時間７５秒が経過した後は、ＲＯＭ６８はマイクロプロセッサ６６に電源３８の出力電圧が−５００Ｖまで低下するようにさせる。持続時間が６０秒の程度の比較的短い処理では、このような処理順序は絶縁体５９に保存されたクランプ・チャージを充分に低くしてそれによりガラス工作物３２が絶縁体から損傷なしに持ち上げられる。中程度の抵抗値のガラス工作物において特にこの処理は応用可能である。高い抵抗値のガラス工作物ではプログラム化した電圧電源を採用する必要はなく、従来技術である一定電圧技術がデチャッキング目的にとって適合している。
【００７６】
さらなる実施形態によると、工作物３２が処理されている間において電源３８の電圧は連続的に制御され、それによりチャック３０が工作物に加えるクランプ力はほぼ一定になる。このような結果は、電源３８の電圧を制御して配管３４を通って工作物３２の裏面に向かって流れるヘリウム冷却剤の流量を一定に、設定値に保つことにより達成され、これによりクランプ力は工作物処理の間において実質的に一定となる。
【００７７】
この目的のために、バルブ３５と開口５５との間のヘリウム配管３４に流量センサ７０が設けられる。センサ７０は、比較的長い時間的間隔、例えば数秒、にわたって平均化されたヘリウム流速に比例して信号を発生する。センサ７０の平均化された出力はチャック３０が工作物３２に加えるチャック力を効果的に示す。この信号はマイクロプロセッサ６６の入力に供給され、そこでＲＯＭ６８に保存された前もって設定した流速信号値と比較される。この比較の結果、マイクロプロセッサ６６が比較的長い時間にわたって一定の制御を電源３８に連続的に供給し、それにより電源電圧は工作物処理の間においてチャック３０が工作物３２に加えるクランプ力をほぼ一定に保つように変化させられる。マイクロプロセッサ６６は、好ましくは、この比較結果から得られるエラー（差異）信号を比例、積分、微分（ＰＩＤ）制御器に印加することにより電源３８の電圧を制御するようにプログラムされている。短い時定数の制御はヘリウム・ガスにより基板３２の裏面で生じるガス圧に応答して従来の圧力センサ（図示せず）により供給される。この圧力センサは、マイクロプロセッサ６６との組合せにより、バルブ３５およびライン３４に供給するヘリウム・ガスの圧力を制御する。
【００７８】
センサ７０の出力信号に応答した電源３８電圧の制御は、ヘリウム流速が（１）チャック３０による工作物３２へのクランプ力の増加に反応して低下し、（２）チャック３０による工作物３２へのクランプ力の減少に反応して増大することの認識に基づいたものである。最初に電源３８がチャック３０に対して一定のＤＣ電圧を印加するとすぐに、工作物３２に加えられるクランプ力は指数関数的に増大し始め、配管３４を通る冷却剤の流速が低下する。低下した流速はセンサ７０により検知され、これによりマイクロプロセッサ６６はチャック力がほぼ一定に維持されるように電源３８がチャック３０に印加するＤＣ電圧を低下させる。工作物３２が処理される時間を通じて、この様に動作が持続する。
【００７９】
多くの中程度および低い抵抗値のガラス工作物において、とりわけ１分以上プラズマで処理されたものにおいて、電源３６により工作物に印加される電圧が時間の関数として低下されていたとしても、処理時間が終了したときに工作物に蓄積されたチャージ量は大きくなりがちであり、ピンによりチャック３０から工作物を取り外すことができないほどである。これらの状況において、工作物の処理が完了した後で、工作物の暴露面の電位がほぼゼロとなるように低パワーのプラズマがチャンバ１０に存在する間において、ＲＯＭ６８はマイクロプロセッサ６６を動作させて電源３８から端子４０に対し、端子４０に供給された極性と反対の極性を有するＤＣ電圧を供給させる。この反対、すなわち逆極性電圧は、電源３６の電圧を処理の間において低下させた後で印加される。
【００８０】
第２の実施形態によると、電源３８により端子４０に印加される逆極性電圧の大きさは＋４０００Ｖのような比較的高い電圧に前もって設定されている。＋４０００Ｖという数値は、処理の間において電源３６が順々に−１５００Ｖ、−８００Ｖ、−６００Ｖそして−５００Ｖとなった状況において適用可能である。逆極性電圧の度合いはＶ_A（電極３６の上面とガラス工作物３２の底面の間の電圧）がゼロとなるように選択され、これがＶ_G（ガラス工作物３２の上面と底面の間の電圧）における実質的な上昇を引き起こす。
【００８１】
逆極性電圧の大きさは、電源３８の電圧のわずか５〜１０％しかキャパシタＣ_Aに加わらないように絶縁体５９とガラス工作物３２の相対的インピーダンスがなるよう留意しながら、この結果を得るに充分なものにするべきである。このデチャッキング法は、通常でのデチャッキング時定数τ^-が非常に長い場合のためのものである。例えば、この非常に長い時定数τ^-は、高温で処理している間においてガラス工作物が固定状態となる場合に起こり得る。高い温度は工作物の抵抗値を低下させ、固定／デチャッキング時定数が低温の場合よりも速くなる原因となる。
【００８２】
しかしながら、処理の後でプラズマが消滅すると低温でのデチャッキングが行なわれ、これははるかに遅い時定数の原因となる。すべてのキャパシタのすべてのチャージを時定数τ^-でゼロまで減衰させるのに非常に長い時間を要するとしても、いずれの特定のキャパシタの電圧でも、他のキャパシタの電圧が上昇する犠牲を払うが、速い時定数τ⁺で速やかにゼロまで低下可能である。しかしながら、この方法は固定した工作物を解放するためのものであり、なぜなら（この等価回路モデルにおいては）電圧Ｖ_Aだけが固定力に直接関与しているからである。このデチャッキング方法について、τ⁺以上の時間のほかは、逆極性電圧を印加するためのどのような特定の時間の長さも存在しない。
【００８３】
キャパシタＣ_A に亘って加わる電圧がゼロまで低下した後、マイクロプロセッサ６６がバルブ２１を閉じてｒ．ｆ．電源をオフに切り換えることによりチャンバ１０内のプラズマはオフにされる。その後、マイクロプロセッサ６６はポンプ（図示せず）を動作させてチャンバ１０を圧力１ミリトール以下（好ましくは、少なくとも１ミリトールより小さい程度）になるまで排気し、この間、電極３６はまだ電源３８に接続されている。これによりプラズマを経由してのチャンバ壁１２との回路は切断される。それから、マイクロプロセッサ６６は電源３８の電圧がゼロまで低下するよう指示を出す。電圧Ｖ_Aの値はゼロのままであり、電圧Ｖ_Gの値は比較的大きいままである。
【００８４】
その後、マイクロプロセッサ６６は持ち上げピンにガラス工作物３２をチャック３０から取り外すよう指示を出す。電圧Ｖ_G（ガラス工作物３２の上面と底面の間の電圧）はピンが工作物をチャック３０から持ち上げた後でも高いままである。それから、マイクロプロセッサ６６はチャンバ１０の中で不活性プラズマを形成することにより、電圧Ｖ_Gの値を実質的にゼロまで引き下げる操作を実行する。このプラズマは、好ましくは、不活性なイオン化可能ガス、例えばアルゴンをチャンバ１０に導入し、電源２６からマッチング・ネットワーク２８とコイル２４を経由してｒ．ｆ．電界をこのガスに印加することにより形成される。選択肢の１つとして、持ち上げられた工作物３２のチャージはチャンバ１０内でＤＣタウンゼント放電を点火することにより除去される。
【００８５】
これらのステップは電極３２に印加された電源３６のチャック電圧がゼロまで低下する前に工作物３６をチャック３０から取り外すように再配置することが可能である。キャパシタＣ_Aの電圧がほぼゼロになるのに充分な長さの時間について逆極性電圧がオンにされたとき、ピンがチャック３０からガラス工作物３２を持ち上げる。電源３８の電圧が前もってゼロまで低下していない場合、電源の電圧はそれからゼロに下げられる。
【００８６】
第１の逆極性実施形態では、逆極性電圧はプレート３６に対して電源３８により、実質的に同じチャージがキャパシタＣ_AとＣ_Gに存在するようになる、すなわちキャパシタＣ_A（絶縁層５９の底面と工作物３６の底面の間の容積により規定される）およびキャパシタＣ_G（工作物３２の底面と上面の間の容積により規定される）のチャージ・バランスができるまで供給される。キャパシタＣ_AとＣ_Gにほぼ同じチャージが存在するとき、キャパシタＣ_A両端の電圧Ｖ_AはＶ_A＝Ｖ_GＣ_G／Ｃ_Aとなる。ＲＯＭ６８は、Ｖ_A＝Ｖ_GＣ_G／Ｃ_Aのときにマイクロプロセッサ６６が端子４０における電源３８の電圧を端子４２のグラウンド電位まで低下させるようにプログラムされている。端子４０の電圧がゼロまで低下した後に、電圧Ｖ_AおよびＶ_Gは短い時定数τ⁺で速やかにゼロまで減衰する。
【００８７】
Ｒ_G、Ｒ_A、Ｃ_GおよびＣ_Aの決定された数値を基にして、異なる抵抗値とキャパシタンスを有するガラス工作物についてＶ_Aの値が算出される。Ｖ_Aの算出された値から、工作物の処理が完了した時点における端子４０の逆極性電圧の多様な数値についてチャージ・バランス条件に到る時間が算出される。これらの時間はＲＯＭ６８に保存され、電源３８が端子４０を経由してプレート３６に印加する逆電圧の時間長を制御するためにマイクロプロセッサ６６に供給される。例えば、印加された逆電圧が４，０００ボルトである場合、Ｃ_GとＣ_Aにおけるチャージの等化は、ある特定のガラス工作物において５３秒で達成される。５３秒で、このような工作物３２の上面と下面との間の電圧はおよそ−３，８３０ボルトとなり、その間に絶縁体５９の下面と工作物の下面との間のクランプ電圧はおよそ−１７０ボルトとなる。チャージの等化が生じると、マイクロプロセッサ６６は電源３６の電圧をゼロに低下させ、クランプ電圧Ｖ_Aが放電して速やかにゼロとなる。その後、持ち上げピンが工作物３２をチャック３０から取り外す。
【００８８】
チャージ・バランスの実施形態は特に、低い抵抗値のガラス工作物に対して適用可能である。逆極性電圧は工作物の固定を防止するために時間的に充分な長さで残される。チャージ・バランスをとる逆極性の実施形態は放電時定数τ^-と結びついている。
【００８９】
このチャージ・バランスをとる実施形態において電圧は逆極性プロセスの開始時において電圧比｜Ｖ_ESC｜／Ｖ_Aをほぼ等化する。この比｜Ｖ_ESC｜／Ｖ_Aはキャパシタンス比Ｃ_A／Ｃ_Gと同じ高さとなり得る。したがって、チャージ・バランスをとる逆極性処理はデチャッキングの時間の長さを１０または２０倍の因数で減少させる。低い抵抗値のガラス工作物において、これは、ほぼ１，０００秒にとって代わって、約５０秒で工作物が解放されることを意味する。しかしながら、このチャージ・バランス逆極性処理は中程度の抵抗値をもつガラス工作物については過度に長い。
【００９０】
第１の逆極性実施形態における逆極性電圧は、好ましくは、工作物３２がチャック３０から持ち上げられるときのキャパシタＣ_A（絶縁体５９の下面と工作物３２の下面との間）のクランプ・チャージの量により制御された大きさを有している。個々のバッチにおけるガラス工作物の受動的電気パラメータは同一であり、かつ抵抗値は工作物温度の関数であるため、工作物がチャック３０から持ち上げられるときの個々の工作物のためのキャパシタＣ_Aのチャージ量が、好ましくは、電源３８によってチャック３０に印加される次回の処理工作物のための逆極性電圧の大きさを制御する。実際に、個々の工作物がチャック３０から取り外されるときのキャパシタＣ_Aのチャージ量は、次回のいくつか（例えば、約１０個まで）の工作物３２をチャック３０から取り外すときの逆極性電圧の大きさおよび／または持続時間を制御するために使用可能である。
【００９１】
工作物３２をチャック３０から持ち上げるときのキャパシタＣ_Aのチャージ量をモニタするために、不活性ｒ．ｆ．プラズマがチャンバ１０内で生じている間において持ち上げピンが工作物３２をチャック３０から取り外すときに端子４０とチャック３０のプレート３６を通って流れる電流パルスに電流計６１が応答する。この不活性ｒ．ｆ．プラズマは、プラズマ処理が完了して処理プラズマが消された後にチャンバに適用される。マイクロプロセッサ６６がこのピーク電流パルスの大きさまたはメータ６１により検出された積分電流に応答して、１つまたは複数の引き続いて実施される逆極性電圧ステップの間において印加されるチャージ量を制御する。最後にメータ６１が逆電圧チャージを制御したときに関連する逆極性電圧によって印加されたチャージ差異の量は、前に検出したメータ６１の読みに関連した電流メータ６１の検出と逆比例する。
【００９２】
第１の実施形態では、メータ６１の読みは、逆極性電圧の大きさおよび／または逆極性電圧が電源３８によってチャック３０に印加される時間の長さを制御する。理想的には、基板が完全にデチャッキングされた場合、電流は流れない。最新のピーク電流の量がその直前のピーク電流に相関して増加した場合、マイクロプロセッサ６６は印加逆電圧の大きさおよび／または逆電圧が印加される時間の長さを増大させる。しかしながら、最新のピーク電流の量がその直前のピーク電流に相関して減少した場合、マイクロプロセッサ６６は印加逆電圧の大きさおよび／または逆電圧がチャック３０に印加される時間の長さを減少させる。
【００９３】
中程度および低い抵抗値の誘電体ガラス工作物の電気抵抗は、表１（前述）により示したように、工作物温度に著しく依存する。図６は代表的な中程度抵抗値のガラスについてその放電時定数τ^-を温度の関数としてプロットしたものである。ガラス工作物の温度が１０℃上昇する毎に抵抗値はおよそ２．５倍減少しているため、温かいガラス工作物は冷たいガラス工作物よりもチャックに対する同じ初期的力によって早くデチャッキングされる傾向がある。この減少の利点を活用するため、工作物温度は、デチャッキングが完了するまで、高いレベルでほぼ一定に保つかまたは工作物処理の完了時からいくらか上昇させられる。
【００９４】
工作物３２を処理している間、プラズマは工作物温度を８０℃といった比較的高い値まで上昇させる。８０℃において、ガラス工作物３２は、さらに低い２０℃のような温度のガラスよりも顕著に低い抵抗値を有する。しかしながら、工作物３２の処理が完了することに伴なって、ＲＯＭ６８はマイクロプロセッサ６６に信号を送り、処理ガス供給配管にあるバルブ２１を閉じさせ、ｒ．ｆ．電源２６を切ってチャンバ１０のプラズマを消させる。プラズマが消されるために工作物３２の温度は低下傾向を示す。
【００９５】
工作物処理が完了した後に工作物３２を高い温度に維持するため、ＲＯＭ６８は信号を送ってマイクロプロセッサ６６に、プラズマが消えるのと実質的に同時にヘリウム冷却ライン３４にあるバルブ３５を閉じさせる。ヘリウムがチャックに流入しなくなると工作物３２とチャック３０の熱的接触は殆どないので、工作物は処理終了時の比較的高い温度と低い抵抗値を保っている。この低い抵抗値は逆極性処理の間における工作物３２のチャック３０からのデチャッキングを促進する。
【００９６】
第２の実施形態について逆極性処理が完了した後でかつピンがチャック３０の上に工作物３２を配置させる間、前述したように、工作物３２の上面と底面の間のチャージは低パワーの不活性プラズマを数秒間オンにすることで除去される。工作物３２のチャージは、バルブ２１を経由してアルゴンや酸素などのイオン化可能なガスを数ミリトールの圧力でチャンバ１０内部に導入し、ガラス工作物面間でＤＣタウンゼント放電を生起させることにより一掃することもまた可能である。第１の逆電圧実施形態において、ピンが工作物を持ち上げている間にプラズマがオンにされて工作物の上面と底面との間のチャージを除去する。
【００９７】
本発明の特定の実施形態について説明および描写を行なってきたが、特定して描写および説明した実施形態の詳細における変形が、添付の特許請求の範囲に規定したように本発明の精神および範囲を逸脱することなく為し得ることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ガラスの誘電性シート工作物をその部位に保持する静電チャックを含む真空プラズマ・プロセッサの概略図である。
【図２】 ガラスの誘電性シート工作物と組み合わされて、特に図１のプロセッサで使用されるように構成されたモノポーラ静電チャック実施形態の側断面図である。
【図３】 ガラスの誘電性シート工作物をその部位に有しない、図２に示される構造の上面図である。
【図４ａ】 ガラスの誘電性工作物を締め付けるモノポーラ静電チャックの横断面図である。
【図４ｂ】 工作物を締め付けるチャックの等価回路を示す図である。
【図４ｃ】 工作物を締め付けるチャックの概略の等価回路を示す図である。
【図５】 抵抗率が中間であるガラス工作物の締め付けを含む本発明の実施形態を説明するのに役立つ波形を示す図である。
【図６】 典型的な抵抗率が中間であるガラス工作物の場合における、温度の関数としての放電時定数（τ^-）の近似の等価グラフを示す図である。
【図７】 処理中にチャックに印加される電圧が冷却液の流量を一定に維持するように制御される本発明の特徴の部分略図である。

Claims (19)

1. 基準電位にある金属壁と、絶縁体で覆われた電極をもつ静電チャックとを有する真空プラズマ・プロセッサ・チャンバ中で誘電体工作物を加工する方法であって、前記電極と前記工作物との間に前記絶縁体が介在するように前記工作物を前記チャックに取付けることと、前記工作物が前記チャック上にある間に前記電極にＤＣチャッキング電圧を印加することと、前記チャンバ中で前記工作物をプラズマで加工することとを含み、プラズマは、プラズマに露出される前記工作物の前面が前記基準電位とほぼ同じ電位になるように十分に低い電気インピーダンスを有し、プラズマに露出されない前記工作物の裏面に伝熱流体を供給することによって、前記工作物がプラズマによって加工される間に前記工作物の温度を制御することを含み、前記伝熱流体は、前記工作物の前記裏面に力を加え、その力が前記工作物を前記チャックから離す作用を生ずるように方向付けられていることにより、前記工作物を前記チャックに対して移動させる傾向を有し、前記チャッキング電圧が前記工作物に対してチャッキング力を生じて前記工作物を前記チャックに対して移動させようとする前記流体の傾向を克服し、前記工作物および前記絶縁体の組合せは抵抗率を含む決定された受動的電気特性を有し、また、前記工作物の抵抗率が少なくとも１×１０ ⁸ Ω・ｍであり、これにより、チャッキング電圧によって供給されるチャッキング電荷が前記誘電体工作物の加工中に前記工作物の露出される面から前記工作物の露出されない面まで前記工作物の中を通って徐々に伝導され、その結果、前記工作物の加工中に一定のＤＣチャッキング電圧が前記電極に印加される場合に前記工作物へのチャッキング力の増大を生じる傾向があり、該工作物の前記チャックからのデチャッキングを容易にするための複数のタイプの異なるデチャッキング進行ステップのうちから、前記決定された受動的電気特性に基づいて少なくとも１つのデチャッキング進行ステップを選択し、該選択された少なくとも１つのデチャッキング進行ステップを実行することを含む方法。
2. 前記デチャッキング進行ステップのうちの１つが、前記工作物の加工中に前記電極に印加されるＤＣチャッキング電圧を低下させることを含み、前記電極に印加される前記低下されたＤＣチャッキング電圧は、前記工作物を前記チャックに対して移動させる流体の傾向を克服している状態を維持するものである、請求項１に記載の方法。
3. 前記デチャッキング進行ステップのうちの１つが、前記工作物の加工の完了時に前記電極に印加されるＤＣ電圧の極性を逆にし、次いで前記工作物を前記チャックから取り外すことを含む請求項１または２の何れかに記載の方法。
4. 前記デチャッキング進行ステップのうちの１つが、プラズマによる前記工作物の加工が完了した後、前記デチャッキングが完了するまで、前記工作物の温度を前記工作物の抵抗率が室温時抵抗率よりも少なくとも１桁低くなるのに十分な高い温度に維持することを含む請求項１、２または３の何れかに記載の方法。
5. 前記デチャッキング進行ステップのうちの１つが、前記工作物の加工の完了時に、そして前記デチャッキングが完了するまで、前記工作物の温度を制御することを含み、前記工作物の温度の制御は、前記工作物の加工中に、そして前記デチャッキングが完了するまで、前記工作物の温度が加工中の前記工作物または前記工作物上に形成される構造に悪影響を及ぼす値まで上昇しないように行われる、請求項１、２または３の何れかに記載の方法。
6. 前記工作物のプラズマ加工が完了した後で、（ａ）プラズマを消滅させるステップと、（ｂ）次いでチャンバ圧力を下げるステップとが実施され、チャンバ圧力が低下した後で、全てのデチャッキング進行ステップが完了すると、（ｃ）前記チャックから前記工作物を取り外すステップと、（ｄ）前記チャックに印加される電圧をほぼゼロまで下げるステップとが実行される請求項１、２、３、４または５の何れかに記載の方法。
7. 前記工作物が前記チャックから取り外される前に、前記チャックに印加される電圧がほぼゼロまで低下する請求項１、２、３、４または５の何れかに記載の方法。
8. 前記工作物が前記チャックから取り外された後で、前記チャックに印加される電圧がほぼゼロまで低下する請求項１、２、３、４または５の何れかに記載の方法。
9. 前記工作物が前記チャックから取り外された後で、前記工作物から電荷を除去することをさらに含む請求項１、２、３、４、５、６、７または８の何れかに記載の方法。
10. 前記チャンバ中のガスをプラズマに励起することによって、前記工作物から電荷を除去することをさらに含む請求項１、２、３、４、５、６、７または８の何れかに記載の方法。
11. 前記工作物が前記チャックから取り外されているときに前記チャック中を流れる電流の振幅を監視することと、監視される電流振幅に応じて、続いて加工される少なくとも１つの工作物について前記電極に印加される逆極性電圧を制御することをさらに含み、前記続いて加工される少なくとも１つの工作物が前記チャックから取り外されるときに、前記続いて加工される少なくとも１つの工作物に前記チャックによって加えられる力がほぼゼロになるような振幅および持続時間を有するように、前記逆極性電圧が制御される請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０の何れかに記載の方法。
12. 前記逆極性電圧の振幅と持続時間の少なくとも一方が、監視される電流振幅に応じて制御される請求項１１に記載の方法。
13. 前記工作物が加工された後、そして前記工作物が前記チャンバ中にある間に、前記チャンバ中に放電を確立することによって前記工作物から電荷をほぼ除去することをさらに含む請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１または１２の何れかに記載の方法。
14. 前記放電がＡＣ電源によって励起されるプラズマである請求項１３に記載の方法。
15. 前記放電が前記工作物の前記前面と裏面との間におけるＤＣタウンゼント放電であり、ＤＣタウンゼント放電は、前記チャンバ中にイオン化可能ガスを導入することにより生じる請求項１３に記載の方法。
16. 前記工作物の加工中に前記工作物の裏面に流れる前記流体の流量を監視することを含み、前記工作物の加工中に前記電極と前記絶縁体とを介して前記工作物に加えられる静電力を制御するために、前記工作物の加工中に監視される前記流量に応じて、前記工作物の加工中に前記電極に印加されるＤＣチャッキング電圧の振幅を制御することをさらに含む請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４または１５の何れかに記載の方法。
17. 前記伝熱流体流量が前記工作物の加工中にほぼ一定のままであるように、ＤＣチャッキング電圧振幅が、監視される前記流量によって制御される請求項１６に記載の方法。
18. 前記工作物がガラスであり、かつ最高約１０¹⁴Ω・ｍの抵抗率を有する請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６または１７の何れかに記載の方法。
19. 請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７または１８の何れかに記載の方法を実行するプラズマ加工装置。

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