JPH08274150A - 静電吸着ステージ - Google Patents
静電吸着ステージInfo
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- JPH08274150A JPH08274150A JP7511895A JP7511895A JPH08274150A JP H08274150 A JPH08274150 A JP H08274150A JP 7511895 A JP7511895 A JP 7511895A JP 7511895 A JP7511895 A JP 7511895A JP H08274150 A JPH08274150 A JP H08274150A
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- Japan
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- wafer
- stage
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- esc
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Abstract
(57)【要約】
【目的】静電吸着ステージにおいて、複雑な機構を設け
ることなくウェハ１が離脱し易く搬送アームに円滑に移
載されるようにする。 【構成】ウェハ１の載置面４ｅを膨らむように曲率をも
たせて形成してウェハ１の周辺部に隙間１ａをもたせ、
さらに、ウェハ１の周辺部を吸着する誘電膜４ｄの吸着
力を中央部の誘電膜４ｃのものより弱めることにより、
電荷をディスチャージしウェハ１を載置面からリフトピ
ン２の突き上げにより引離すとき、ウェハ１の周辺部か
ら徐々に中心部に向って載置面から引き剥すようにして
いる。
ることなくウェハ１が離脱し易く搬送アームに円滑に移
載されるようにする。 【構成】ウェハ１の載置面４ｅを膨らむように曲率をも
たせて形成してウェハ１の周辺部に隙間１ａをもたせ、
さらに、ウェハ１の周辺部を吸着する誘電膜４ｄの吸着
力を中央部の誘電膜４ｃのものより弱めることにより、
電荷をディスチャージしウェハ１を載置面からリフトピ
ン２の突き上げにより引離すとき、ウェハ１の周辺部か
ら徐々に中心部に向って載置面から引き剥すようにして
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板であるウェ
ハを吸着保持する静電吸着ステージに関し、特にドライ
エッチング装置などウェハの表面を処理する装置に使用
される静電吸着ステージに関する。
ハを吸着保持する静電吸着ステージに関し、特にドライ
エッチング装置などウェハの表面を処理する装置に使用
される静電吸着ステージに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造工程において、
例えば、微細パターンを高精度に形成することができる
エッチング方法としてガスプラズマ中の反応成分を利用
したプラズマエッチング方法が用いられている。
例えば、微細パターンを高精度に形成することができる
エッチング方法としてガスプラズマ中の反応成分を利用
したプラズマエッチング方法が用いられている。
【０００３】図３はドライエッチング装置の一例におけ
る構成を示す模式断面図である。従来、この種のドライ
エチング装置は、例えば、図３に示すようなＲＩＥエッ
チング装置がある。この装置は、真空容器である反応チ
ャンバ１１内に配置されたカソード電極５とアノード電
極９との間に高周波電源８により１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加し、反応チャンバ１１内に導入した反応
ガス、例えば、塩素ガスあるいは塩化ホウ素ガスをプラ
ズマ化しガスプラズマ１０を形成する。このガスプラズ
マ１０中の活性成分であるイオンやラジカル等を等利用
してカソード電極５に配置されたウェハ１上の薄膜に所
望のパターンを高精度にエッチングするものである。
る構成を示す模式断面図である。従来、この種のドライ
エチング装置は、例えば、図３に示すようなＲＩＥエッ
チング装置がある。この装置は、真空容器である反応チ
ャンバ１１内に配置されたカソード電極５とアノード電
極９との間に高周波電源８により１３．５６ＭＨｚの高
周波電力を印加し、反応チャンバ１１内に導入した反応
ガス、例えば、塩素ガスあるいは塩化ホウ素ガスをプラ
ズマ化しガスプラズマ１０を形成する。このガスプラズ
マ１０中の活性成分であるイオンやラジカル等を等利用
してカソード電極５に配置されたウェハ１上の薄膜に所
望のパターンを高精度にエッチングするものである。
【０００４】このウェハ１の全面を有効に利用して多数
の半導体素子を形成するために、ウェハの上面の周辺を
機械的に押えて保持するクランプ方式ではなくウェハの
全面を露呈させ保持できるように裏面を吸着する方式に
なっている。このドライエッチング装置の場合は、静電
吸着力を利用しウェハ１を保持する静電吸着ステージ
（以下、ＥＳＣステージと記す）４である。
の半導体素子を形成するために、ウェハの上面の周辺を
機械的に押えて保持するクランプ方式ではなくウェハの
全面を露呈させ保持できるように裏面を吸着する方式に
なっている。このドライエッチング装置の場合は、静電
吸着力を利用しウェハ１を保持する静電吸着ステージ
（以下、ＥＳＣステージと記す）４である。
【０００５】図４は従来のＥＳＣステージの一例を示す
断面図である。図３のＥＳＣステージ４は、図４に示す
ように、１０9 Ω／ｍの絶縁抵抗を有するように導電粉
末を混入させ焼結したアルミナセラミック製の高電気抵
抗体であるステージ本体４ａに３００μｍ程度の厚さの
誘電膜４ｂを施したものである。そして、この誘電膜４
ｂの下にタングステン材のＥＳＣ電極５ａが形成され、
このＥＳＣ電極５ａはカソード電極５を介して図３の高
周波電源８およびＥＳＣ電源７に接続されている。
断面図である。図３のＥＳＣステージ４は、図４に示す
ように、１０9 Ω／ｍの絶縁抵抗を有するように導電粉
末を混入させ焼結したアルミナセラミック製の高電気抵
抗体であるステージ本体４ａに３００μｍ程度の厚さの
誘電膜４ｂを施したものである。そして、この誘電膜４
ｂの下にタングステン材のＥＳＣ電極５ａが形成され、
このＥＳＣ電極５ａはカソード電極５を介して図３の高
周波電源８およびＥＳＣ電源７に接続されている。
【０００６】また、ウェハ１をＥＳＣステージ４より搬
送ライン１２までリフトアップするリフトピン２がステ
ージ本体４ａを通して上下動するように設けられてい
る。さらに、ウェハ１とＥＳＣステージ間の熱伝達効率
を上げるため、ＥＳＣステージ内を通して不活性ガス、
例えば、Ｈｅガスを５ＳＣＣＭ程度をウェハ１の裏面で
の圧力にすると２０Ｔｏｒｒ前後となるように流してい
る。
送ライン１２までリフトアップするリフトピン２がステ
ージ本体４ａを通して上下動するように設けられてい
る。さらに、ウェハ１とＥＳＣステージ間の熱伝達効率
を上げるため、ＥＳＣステージ内を通して不活性ガス、
例えば、Ｈｅガスを５ＳＣＣＭ程度をウェハ１の裏面で
の圧力にすると２０Ｔｏｒｒ前後となるように流してい
る。
【０００７】ウェハ１をＥＳＣステージに吸着するに
は、図３のＥＳＣ電源７により直流電圧で数ボルトから
１５００ボルト程度の電圧を印加する。このとき、被着
物であるウェハ１とステージ本体４ａとは一つのコンデ
ンサを形成する。すなわち、誘電膜４ｂを介して電荷が
蓄積されクーロン力によりウェハ１がＥＳＣステージに
吸着される。
は、図３のＥＳＣ電源７により直流電圧で数ボルトから
１５００ボルト程度の電圧を印加する。このとき、被着
物であるウェハ１とステージ本体４ａとは一つのコンデ
ンサを形成する。すなわち、誘電膜４ｂを介して電荷が
蓄積されクーロン力によりウェハ１がＥＳＣステージに
吸着される。
【０００８】エッチングが終了すると、ＥＳＣステージ
４の電荷がディスチャージされリフトピン２が上昇しウ
ェハ１を搬送ライン１２まで持上げ、搬送アーム１３が
移動しウェハ１の下に入り込む。そして、リフトピン２
の下降によりウェハ１は搬送アーム１３に移載される。
４の電荷がディスチャージされリフトピン２が上昇しウ
ェハ１を搬送ライン１２まで持上げ、搬送アーム１３が
移動しウェハ１の下に入り込む。そして、リフトピン２
の下降によりウェハ１は搬送アーム１３に移載される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５は従来のＥＳＣス
テージの課題を説明するためのＥＳＣステージの断面図
である。しかしながら、ウェハ１をＥＳＣステージ４か
ら引離すとき、リフトピン２がウェハ１を突き上げる力
と、ウェハ１の周辺部の残留電荷による吸着力のバラン
スが崩れ、しばしば、ウエハ１が傾き移動する搬送アー
ム１３とウェハ１が衝突しウェハ１を落下させたりウェ
ハ１に割れを生じたり、あるいは搬送アーム１３ですく
い上げられ移載が不完全で搬送途中でウェハ１を落下さ
せたりするという問題があった。
テージの課題を説明するためのＥＳＣステージの断面図
である。しかしながら、ウェハ１をＥＳＣステージ４か
ら引離すとき、リフトピン２がウェハ１を突き上げる力
と、ウェハ１の周辺部の残留電荷による吸着力のバラン
スが崩れ、しばしば、ウエハ１が傾き移動する搬送アー
ム１３とウェハ１が衝突しウェハ１を落下させたりウェ
ハ１に割れを生じたり、あるいは搬送アーム１３ですく
い上げられ移載が不完全で搬送途中でウェハ１を落下さ
せたりするという問題があった。
【００１０】図５で説明した残留電荷による吸着力とリ
フトピン２の上昇とのアンバランスを解消するために、
印加された高周波電力を段階的に小さくし、プラズマ電
位を徐々に下げることによりウェハ１側のマイナス電荷
量を小さくし吸着力を徐々に落す緩和放電を行ない、残
留吸着力がゼロになったときリフトピン２を上昇させウ
ェハ１を上げれば、ウェハ１は斜めになることなく持ち
上げることはできる。しかし、この緩和放電するのに時
間がかかりウェハの搬送時間が長くなるという欠点があ
る。
フトピン２の上昇とのアンバランスを解消するために、
印加された高周波電力を段階的に小さくし、プラズマ電
位を徐々に下げることによりウェハ１側のマイナス電荷
量を小さくし吸着力を徐々に落す緩和放電を行ない、残
留吸着力がゼロになったときリフトピン２を上昇させウ
ェハ１を上げれば、ウェハ１は斜めになることなく持ち
上げることはできる。しかし、この緩和放電するのに時
間がかかりウェハの搬送時間が長くなるという欠点があ
る。
【００１１】図６は従来のＥＳＣステージの課題を説明
するためのＥＳＣステージの断面図である。前述の図５
で説明したウェハの片上りを防止する方法として、図６
に示すように、リフトピン２でウェハ１を突き上げると
同時にウェハ１の周辺部を持ち上げる外周リフト６を設
けることが考えられた。しかしながら、リフトピン２と
外周リフト６の上昇のタイミングが難しくややもすると
タイミングのずれでウェハが跳ね上がり落下することが
多々あり必ずしも得策な方法ではない。しかも、カソー
ド電極５周りの構造が複雑であり外周リフト６を設ける
のに制約を受けるという欠点もあり、設けたとしてもリ
フトピン２と外周リフト６の突出量の微妙な調整を行な
わければならないし、多大な調整時間を要した。
するためのＥＳＣステージの断面図である。前述の図５
で説明したウェハの片上りを防止する方法として、図６
に示すように、リフトピン２でウェハ１を突き上げると
同時にウェハ１の周辺部を持ち上げる外周リフト６を設
けることが考えられた。しかしながら、リフトピン２と
外周リフト６の上昇のタイミングが難しくややもすると
タイミングのずれでウェハが跳ね上がり落下することが
多々あり必ずしも得策な方法ではない。しかも、カソー
ド電極５周りの構造が複雑であり外周リフト６を設ける
のに制約を受けるという欠点もあり、設けたとしてもリ
フトピン２と外周リフト６の突出量の微妙な調整を行な
わければならないし、多大な調整時間を要した。
【００１２】従って、本発明の目的は、複雑な機構を設
けることなくウェハが離脱し易く搬送アームに円滑に移
載されるＥＳＣステージを提供することである。
けることなくウェハが離脱し易く搬送アームに円滑に移
載されるＥＳＣステージを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、円板状
の半導体ウェハの載置面に誘電膜が形成される板状の高
電気抵抗体と、この高電気抵抗体の該載置面から前記半
導体ウェハを突き上げる複数のリフトピンとを備える静
電吸着ステージにおいて、前記半導体ウェハの外周辺部
の裏面と前記載置面との間に隙間があるように該載置面
が上に膨らむような曲率をもつ静電吸着ステージであ
る。
の半導体ウェハの載置面に誘電膜が形成される板状の高
電気抵抗体と、この高電気抵抗体の該載置面から前記半
導体ウェハを突き上げる複数のリフトピンとを備える静
電吸着ステージにおいて、前記半導体ウェハの外周辺部
の裏面と前記載置面との間に隙間があるように該載置面
が上に膨らむような曲率をもつ静電吸着ステージであ
る。
【００１４】また、前記半導体ウェハの中心部に対応す
る前記誘電膜の絶縁抵抗を前記半導体ウェハの外周部に
対応する前記誘電膜の絶縁抵抗より大きくなるように形
成されていることが望ましい。
る前記誘電膜の絶縁抵抗を前記半導体ウェハの外周部に
対応する前記誘電膜の絶縁抵抗より大きくなるように形
成されていることが望ましい。
【００１５】
【作用】一般に、表面が処理されたウェハは表面が上に
膨らむように反りが生ずる。この反りは数十ミクロンあ
り、平坦な面にウェハを載置すると、ウェハの中央部は
隙間があり周辺部が面に接触した状態に置かれることに
なる。そして、電荷をチャージさせてウェハを静電吸着
させると、ウェハは反りが矯正された状態で平坦な面に
密着する。しかし、電荷をディスチャージし吸着力を解
くと、ウェハはスプリングバックし中央部に隙間をもつ
元の状態で置かれる。このようなときにリフトピンでウ
ェハを突き上げると、ウェハの周辺部は面と接近してお
り残留電荷による吸着力が強くウェハの中間部を突き上
げるリフトピンの力とバランスがとりにくく、ウェハに
傾むきを起させる。
膨らむように反りが生ずる。この反りは数十ミクロンあ
り、平坦な面にウェハを載置すると、ウェハの中央部は
隙間があり周辺部が面に接触した状態に置かれることに
なる。そして、電荷をチャージさせてウェハを静電吸着
させると、ウェハは反りが矯正された状態で平坦な面に
密着する。しかし、電荷をディスチャージし吸着力を解
くと、ウェハはスプリングバックし中央部に隙間をもつ
元の状態で置かれる。このようなときにリフトピンでウ
ェハを突き上げると、ウェハの周辺部は面と接近してお
り残留電荷による吸着力が強くウェハの中間部を突き上
げるリフトピンの力とバランスがとりにくく、ウェハに
傾むきを起させる。
【００１６】そこで、本発明はこの現象に着目し、電荷
がチャージされない吸着力が作用しないときは、ウェハ
の周辺部は載置面と離間させ中央部のみ接触させるよう
に載置面をウェハの反りより大きな曲率で膨らまし、ウ
ェハを突き上げるときに、複数の突き上げ力に対して中
央に吸着力が反力として作用させウェハに回転モーメン
トを与えないようにし、ウェハの載置面から引き離し時
にウェハが傾くことを無くしたことである。
がチャージされない吸着力が作用しないときは、ウェハ
の周辺部は載置面と離間させ中央部のみ接触させるよう
に載置面をウェハの反りより大きな曲率で膨らまし、ウ
ェハを突き上げるときに、複数の突き上げ力に対して中
央に吸着力が反力として作用させウェハに回転モーメン
トを与えないようにし、ウェハの載置面から引き離し時
にウェハが傾くことを無くしたことである。
【００１７】さらに、より確実にウェハが傾くことなく
載置面から離間するように、ウェハの周辺部の吸着力を
弱くしたことである。
載置面から離間するように、ウェハの周辺部の吸着力を
弱くしたことである。
【００１８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１９】図１は本発明の一実施例を示すＥＳＣステ
ージの断面図である。このＥＳＣステージは、図１に示
すように、ウェハ１の外周縁部の裏面と載置面４ｅとの
間に隙間１ａがあるように載置面４ｅが上に膨らむよう
な曲率をもたせたことである。すなわち、ウェハ１の中
心より離れたウェハ１の中間周囲部を突き上げるリフト
ピン２より外側に向って隙間１ａが徐々に大きくなるよ
うに載置面４ｅに曲率をもたせて形成している。
ージの断面図である。このＥＳＣステージは、図１に示
すように、ウェハ１の外周縁部の裏面と載置面４ｅとの
間に隙間１ａがあるように載置面４ｅが上に膨らむよう
な曲率をもたせたことである。すなわち、ウェハ１の中
心より離れたウェハ１の中間周囲部を突き上げるリフト
ピン２より外側に向って隙間１ａが徐々に大きくなるよ
うに載置面４ｅに曲率をもたせて形成している。
【００２０】また、ＥＳＣステージ４の中央部の誘電膜
４ｃの絶縁抵抗を１０10Ω／ｍ程度、周辺部の誘電膜４
ｄの絶縁抵抗を１０9 Ω／ｍ程度にし、ウェハ１に対す
る吸着力をウェハ１の中央部を周辺部より強くなるよう
にしてある。なお、これら誘電膜４ｃ，４ｄは、例え
ば、アルミナ粉末に酸化チタンとカルシウムを１０乃至
２０パーセント含ませ焼結したものを用いている。そし
て、絶縁抵抗は銅の混入率によって決めている。
４ｃの絶縁抵抗を１０10Ω／ｍ程度、周辺部の誘電膜４
ｄの絶縁抵抗を１０9 Ω／ｍ程度にし、ウェハ１に対す
る吸着力をウェハ１の中央部を周辺部より強くなるよう
にしてある。なお、これら誘電膜４ｃ，４ｄは、例え
ば、アルミナ粉末に酸化チタンとカルシウムを１０乃至
２０パーセント含ませ焼結したものを用いている。そし
て、絶縁抵抗は銅の混入率によって決めている。
【００２１】また、タングステン膜を各誘電膜４ｃ，４
ｄの下に形成しこれらをＥＳＣ電極５ａとスルーホール
コンタクトを介して接続している。また、ＥＳＣ電極５
ａはカソード電極５と電気的に接続されており、ＥＳＣ
電源によりカソード電極５を通して載置面にマイナス電
荷が供給される。
ｄの下に形成しこれらをＥＳＣ電極５ａとスルーホール
コンタクトを介して接続している。また、ＥＳＣ電極５
ａはカソード電極５と電気的に接続されており、ＥＳＣ
電源によりカソード電極５を通して載置面にマイナス電
荷が供給される。
【００２２】図２は図１のＥＳＣステージの動作を説明
するための経過時間と残留吸着力の関係を示すグラフで
ある。次に、このＥＳＣステージからのウェハの離脱動
作を図１と図２を参照して説明する。
するための経過時間と残留吸着力の関係を示すグラフで
ある。次に、このＥＳＣステージからのウェハの離脱動
作を図１と図２を参照して説明する。
【００２３】まず、図２に示すように、ＥＳＣ電源によ
りＥＳＣ電圧（ＥＳＣ ＤＣ）を印加した後、高周波電
源により高周波電力１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）
を印加しプラズマを生成する。このプラズマ発生により
プラズマ電位（Ｖｄｃ）が生じ、誘電膜４ｃ，４ｄの下
面にマイナス電荷が蓄積し、ウェハ１にはプラズマをと
うしてプラス電荷が蓄積する。これによりウェハ１と誘
電膜４ｃ，４ｄを介して載置面４ｅに吸着され、図１の
隙間１ａが無くなる。このとき、ＥＳＣステージ４の載
置面は曲率をもって形成されていることから、ＥＳＣ電
圧は従来より高めの電圧を印加することになる。
りＥＳＣ電圧（ＥＳＣ ＤＣ）を印加した後、高周波電
源により高周波電力１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）
を印加しプラズマを生成する。このプラズマ発生により
プラズマ電位（Ｖｄｃ）が生じ、誘電膜４ｃ，４ｄの下
面にマイナス電荷が蓄積し、ウェハ１にはプラズマをと
うしてプラス電荷が蓄積する。これによりウェハ１と誘
電膜４ｃ，４ｄを介して載置面４ｅに吸着され、図１の
隙間１ａが無くなる。このとき、ＥＳＣステージ４の載
置面は曲率をもって形成されていることから、ＥＳＣ電
圧は従来より高めの電圧を印加することになる。
【００２４】エッチングを終了し、ＥＳＣ電源（ＥＳＣ
ＤＣ）を切り、高周波（ＲＦ）を切ることによりプラ
ズマ電位（Ｖｄｃ）が徐々に下がり、これに伴ないウェ
ハ１の吸着力も徐々に減少してゆく。この吸着力がウェ
ハ１の反りを戻すための弾性力以下になると、ウェハ１
の周辺部がスプリングバックし、図１のように隙間１ａ
ができる。
ＤＣ）を切り、高周波（ＲＦ）を切ることによりプラ
ズマ電位（Ｖｄｃ）が徐々に下がり、これに伴ないウェ
ハ１の吸着力も徐々に減少してゆく。この吸着力がウェ
ハ１の反りを戻すための弾性力以下になると、ウェハ１
の周辺部がスプリングバックし、図１のように隙間１ａ
ができる。
【００２５】このように、ＥＳＣステージ４の周辺部の
絶縁抵抗を低くしウェハ１が載置面４ｅから周辺部から
剥れ残留吸着力がウェハ１の中央部に残るようにしてい
る。しかも、載置面４ｅをウェハ１の反りよりも大きな
曲率形状に形成し、ウェハがＥＳＣステージに吸着され
た状態からウェハが剥れる際に、接触面がウェハの中心
部に近い位置に移行するようにしてある。
絶縁抵抗を低くしウェハ１が載置面４ｅから周辺部から
剥れ残留吸着力がウェハ１の中央部に残るようにしてい
る。しかも、載置面４ｅをウェハ１の反りよりも大きな
曲率形状に形成し、ウェハがＥＳＣステージに吸着され
た状態からウェハが剥れる際に、接触面がウェハの中心
部に近い位置に移行するようにしてある。
【００２６】そして、ウェハ１の中央部を吸着しようと
する残留吸着力に対しウェハの中心から等しいスパンを
置いてリフトピン２の複数の等しい力で突き上げるの
で、ウェハは傾むくことなく水平に持ち上げられ、搬送
アームがウェハの下に差し込まれ、リフトピン２の下降
によってウェハは搬送アームに移載される。
する残留吸着力に対しウェハの中心から等しいスパンを
置いてリフトピン２の複数の等しい力で突き上げるの
で、ウェハは傾むくことなく水平に持ち上げられ、搬送
アームがウェハの下に差し込まれ、リフトピン２の下降
によってウェハは搬送アームに移載される。
【００２７】なお、ウェハを載置面から離すとき、ウェ
ハの外周部から剥れるので、真空容器内に残留している
活性分子がウェハと載置面との間に入り込み易くなりウ
ェハ面に帯電していた電荷を急速に減少させることにな
り、吸着力の緩和放電時間を短縮させる作用がある。
ハの外周部から剥れるので、真空容器内に残留している
活性分子がウェハと載置面との間に入り込み易くなりウ
ェハ面に帯電していた電荷を急速に減少させることにな
り、吸着力の緩和放電時間を短縮させる作用がある。
【００２８】また、従来例のように、ウェハの外周部を
持ち上げる機構を設ける必要がなく、カソード電極回り
の構造を簡単にすることができる。その結果、清掃分解
等のメンテナンスも容易となる利点もある。
持ち上げる機構を設ける必要がなく、カソード電極回り
の構造を簡単にすることができる。その結果、清掃分解
等のメンテナンスも容易となる利点もある。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハの
載置面を膨らむように曲率をもたせて形成してウェハの
周辺部に隙間をもたせ、さらに、ウェハの周辺部を吸着
する力を中央部より弱めることにより、電荷をディスチ
ャージしウェハを載置面からリフトピンの突き上げによ
り引離すとき、ウェハの周辺部から徐々に中心部に向っ
て載置面から引き剥すことができるので、片寄った力を
ウェハに与えることなくウェハを載置面に対し垂直に持
上げ搬送アームに円滑に移載することができるという効
果がある。
載置面を膨らむように曲率をもたせて形成してウェハの
周辺部に隙間をもたせ、さらに、ウェハの周辺部を吸着
する力を中央部より弱めることにより、電荷をディスチ
ャージしウェハを載置面からリフトピンの突き上げによ
り引離すとき、ウェハの周辺部から徐々に中心部に向っ
て載置面から引き剥すことができるので、片寄った力を
ウェハに与えることなくウェハを載置面に対し垂直に持
上げ搬送アームに円滑に移載することができるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すＥＳＣステージの断面
図である。
図である。
【図２】図１のＥＳＣステージの動作を説明するための
経過時間と残留吸着力の関係を示すグラフである。
経過時間と残留吸着力の関係を示すグラフである。
【図３】ドライエッチング装置の一例における構成を示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図４】従来のＥＳＣステージの一例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来のＥＳＣステージの課題を説明するための
ＥＳＣステージの断面図である。
ＥＳＣステージの断面図である。
【図６】従来のＥＳＣステージの課題を説明するための
ＥＳＣステージの断面図である。
ＥＳＣステージの断面図である。
１ ウェハ １ａ 隙間 ２ リフトピン ４ ＥＳＣステージ ４ａ ステージ本体 ４ｂ，４ｃ，４ｄ 誘電膜 ４ｅ 載置面 ５ カソード電極 ６ 外周リフト ７ ＥＳＣ電源 ８ 高周波電源 ９ アノード電極 １０ ガスプラズマ １１ 反応チャンバ １２ 搬送ライン １３ 搬送アーム
Claims (2)
- 【請求項１】 円板状の半導体ウェハの載置面に誘電膜
が形成される板状の高電気抵抗体と、この高電気抵抗体
の該載置面から前記半導体ウェハを突き上げる複数のリ
フトピンとを備える静電吸着ステージにおいて、前記半
導体ウェハの外周辺部の裏面と前記載置面との間に隙間
があるように該載置面が上に膨らむような曲率をもつこ
とを特徴とする静電吸着ステージ。 - 【請求項２】 前記半導体ウェハの中心部に対応する前
記誘電膜の絶縁抵抗を前記半導体ウェハの外周部に対応
する前記誘電膜の絶縁抵抗より大きくなるように形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の静電吸着ステ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7511895A JPH08274150A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 静電吸着ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7511895A JPH08274150A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 静電吸着ステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274150A true JPH08274150A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13566966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7511895A Pending JPH08274150A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 静電吸着ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274150A (ja) |
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1995
- 1995-03-31 JP JP7511895A patent/JPH08274150A/ja active Pending
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