JP2001044268A - 半導体ウェーハ処理システムの支持面を復元する方法及びその装置 - Google Patents

半導体ウェーハ処理システムの支持面を復元する方法及びその装置

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JP2001044268A JP2000150614A JP2000150614A JP2001044268A JP 2001044268 A JP2001044268 A JP 2001044268A JP 2000150614 A JP2000150614 A JP 2000150614A JP 2000150614 A JP2000150614 A JP 2000150614A JP 2001044268 A JP2001044268 A JP 2001044268A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャックの性能又は寿命を減少させることな
く支持表面を前処理に復元する。 【解決手段】 基板支持の支持表面を以前の処理状態に
復元する方法及び装置である。方法は劣化した支持表面
に代理基板を供給し、代理基板に接地接続を供給し、支
持表面と基板支持の間に電界を確立し、支持表面に蓄積
された電荷を除去しする段階を備えている。装置は支持
表面に代理基板を有し、接地に接続された処理チャンバ
を備えている。代理基板は半導体ウェーハ又は金属材料
シートである。接地接続は代理基板と接触するプラズマ
と電気接地基準とを打ち当てることにより確立される。
支持表面と代理基板の間に確立された電界は蓄積された
電荷を支持表面から押し出す。蓄積された電荷の除去は
支持表面のチャッキング能力を改善すると共に拡張す
る。主題の方法はまたそれがプラズマ中の非常に高い電
圧を加えられた及び又は反応性種によりアタックされな
い時の支持表面の完全性を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、半導体ウ
ェーハ処理システムの素材支持表面を前の処理状態に復
元する方法及び装置に関し、より詳細には、素材支持表
面に蓄積された電荷を減少させることに関する。
【０００２】
【従来の技術】静電チャックは半導体処理チャンバ内の
基板（すなわち、半導体ウェーハ）を固定することを含
む各種適用で素材を支持するために使用される。静電チ
ャック設計で変わるが、それらはすべてチャックの１以
上の電極に電圧を加える原理に基づいており、素材及び
電極にそれぞれ反対の極性の電荷を誘導するようになっ
ている。反対の電荷間の静電引き付け力はチャックに対
して素材を圧迫し、それにより、素材を保持する。
【０００３】半導体ウェーハ処理機器では、静電チャッ
クは処理チャンバ内に配置された台にウェーハを固定又
は締め付けるために使用される。台は、例えば、ヒー
タ、ヒートシンク、熱伝達ガスポート、追加電極及等の
さらなる機器を備え、温度、電気バイアス及びウェーハ
処理中の他のチャンバの状態を調整し、歩留りを最適化
する。チャンバの一定のタイプ、例えば、誘導結合プラ
ズマ源（ＩＰＳ）のスパッタエッチングチャンバでは、
プラズマはウェーハ処理状態を始めるために使用され
る。そのようなチャンバでは、台はまたＲＦエネルギを
与えられた陰極として機能する。ＲＦエネルギを与えら
れた陽極は通常、チャンバ壁である。チャンバの蓋の外
側表面のさらなるコイルは蓋（石英のような誘電体であ
る蓋）を通ってチャンバに誘導結合するＲＦ電力でエネ
ルギを与えられている。コイルから誘導結合された電力
と共に陽極と陰極の間に発生した電界はチャンバに導入
された反応ガスをイオン化し、プラズマを作り出す。可
視白熱光により特徴づけられるプラズマは陽極及び陰極
反応ガスイオン、中性子及び電子の混合物である。プラ
ズマからのイオンはウェーハに衝撃を与え、所望のパタ
ーンを創り出す（エッチングする）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】陰極として台及びウェ
ーハに電気的にバイアスをかけることはウェーハ処理を
向上させるが、それはまたその後に一定の望ましくない
状態を作り出す。特に、電荷は静電チャックの誘電性支
持表面に蓄積する。これらの電荷の源は主として裏面の
ガスのイオン化である。裏面のガス（又は熱伝達ガス）
は台を通って支持表面の熱伝達ガスポートに汲み上げら
れ、支持とウェーハの間に維持される。このガスはウェ
ーハと支持の間で熱を伝達し、それが支持表面に締め付
けられる時にウェーハの裏面全体に及び均一な温度状態
を維持する。しかし、裏面のガスがイオン化された場
合、幾つかの電子は台のバイアスのため支持表面（例え
ば、静電チャック）に引き付けられ、結局それに蓄積す
る。蓄積した電荷の他の源は静電チャックの縁に誤って
堆積されたプラズマ又は電界放出効果による迷走イオン
であり、ウェーハの裏面から支持表面に電荷を引張る。
【０００５】蓄積された電荷は支持表面のウェーハを保
持するために使用可能なチャッキング力を減少させるの
で有害である。順番に、この状態は不十分な処理状態と
なる。例えば、減少したチャッキング力はウェーハの下
に不均一な裏面ガス圧力を与えることがある。そのよう
な不均一な力はウェーハのずれ又は急激な動きの原因と
なり、不十分なエッチング処理状態又は粒子汚染となる
温度制御を悪化させる。さらに、バッチ処理の過程の
間、支持表面に蓄積された静電電荷の集結のため処理ウ
ェーハのチャックを外すのは益々困難になってきてい
る。そのように、これらの蓄積された電荷を除去する方
法を供給することが必要である。
【０００６】支持表面から電荷を除去する各種方法が使
用可能であり、従来技術において公知である。最も簡単
な方法はチャッキング電極電力を切断し、及び又はチャ
ッキング電極を接地することである。しかし、残存の電
荷は誘電体を通って電極に伝導しないので、この方法も
あまり効果がない。代わりに、これらの残存の電荷は支
持表面に残っている。機械ワイピングは電荷除去の第２
の方法である。しかし、この解決はさらなる機械装置が
処理チャンバに組込まれることを要求し、コストが高く
なり、修理、調整等のメンテナンスサイクルの頻度を増
加させる。
【０００７】チャック表面を後に処理するプラズマは認
められる解決法であり、ウェーハが除去された後、支持
表面を非常にエネルギッシュなプラズマに晒すことを含
んでいる。プラズマが作動する機構は完全には理解され
ていない。１つの考え方はプラズマが蓄積された電荷の
ための電気還路をドレインに供給することである。さら
に別の考え方はプラズマが物理的に支持表面に衝撃を与
え、蓄積された電荷を飛ばすことである。どちらの方法
もプラズマは支持表面から蓄積された電荷を除去する。
常に、プラズマはまた支持表面が作られる材料を攻撃す
ると共に悪化させる。そのため、長く繰り返されたプラ
ズマ処理はチャックの寿命を短縮する。さらに、繰り返
しの衝撃の後、プラズマからの電荷はまた支持表面に蓄
積可能である。表面の電荷を除去する現在実施されてい
る方法は、静電気の寿命を傷つけたり又は短縮させたり
することのない前処理、すなわち、放電又は中性の状態
に支持表面十分に復元することはない。
【０００８】そのため、当技術分野において、支持表面
から残存の電荷を除去するための改善された方法であっ
て、チャックの性能又は寿命を減少させることなく支持
表面を前処理に復元する方法の必要性がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従来技術に伴う不利益は
基板支持の支持表面を復元するための方法及び装置によ
り克服される。方法は変化をもたらした又はその他の方
法で悪化した支持表面に代理基板を供給し、代理基板に
接地接続を供給し、そして、支持表面と代理基板の間に
力を供給し、支持表面に蓄積された電荷を除去する段階
を備えている。代理基板は半導体ウェーハ又は接地に接
続される導体又は半導体材料の板又はシートである。１
つの実施例では、接地接続は代理基板を電気接地基準に
接続するプラズマを打ち当てることにより確立される。
別の実施例では、接地接続は代理基板に付けられた導体
ワイヤ及び電気接地基準により確立される。
【００１０】支持表面と代理基板の間の力は、基板支持
に接続された電源に電圧を加え、支持表面と代理基板の
間に電界を確立することにより創り出される。電源は約
２〜５ＫＶＤＣの範囲の電圧を送出することができる。
この電圧は絶え間なく送出され、特定の時間の長さ（約
３分）の間、波動されることができる。
【００１１】説明した復元処理は各種ウェーハ処理状態
のため支持表面に蓄積する電荷を除去する。支持表面と
代理基板の間に確立された電界は支持表面から蓄積され
た電荷を押し出す。蓄積された電荷の除去は支持表面の
チャッキング性能を改善又は拡張する。主題の方法はま
た、プラズマ内の非常に電圧を加えられた及び又は反応
性種によりアタックされない支持表面材料の完全性を維
持する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図２はウェーハ処理システム（図
示せず）の一部であり、半導体ウェーハ２５０のような
基板を処理するための処理チャンバ２００の断面図を示
している。通常、チャンバは側壁２０２及び蓋２０６に
より囲まれている。底部２１４は側壁２０２に接続し、
完全なチャンバ２００を形成する。側壁２０２はしばし
ば十分な長さと厚さの金属製であり、内部に高真空状態
（ミリトル範囲）を作り出させるようになっている。そ
のような金属の例はステンレス鋼又はアルミニウムであ
る。蓋２０６はドーム形状であり、チャンバ２００上部
に配置されたさらなる囲いの底面を形成している。 特
に、囲い２０４は蓋２０６から立ち上がる囲いの側壁２
０８により規定され、チャンバ側壁２０２、囲いの側壁
２１０及び蓋２０６上部のカバー２１０と整列してい
る。
【００１３】囲い２０４内にはウェーハ処理機能を補助
する１以上の装置であり、温度制御装置２１２及び処理
監視装置２１６を備えているがそれに限定されない。適
当な温度制御装置の例は１９９７年１０月８日に出願さ
れた米国特許出願No.08/947,174に説明され、適当な処
理監視装置の例は１９９７年１０月６日に出願された米
国特許出願No.08/944,240に説明されている。さらに、
囲い２０４内にはＲＦアンテナ２１８がある。ＲＦアン
テナ２１８は渦巻状の方法で蓋２０６の頂部に配置さ
れ、第１ＲＦ電源２２０に接続されている。
【００１４】チャンバ２００の台体２２６は処理の間、
ウェーハ５０を支持している。特に、台体２２６はチャ
ンバ２００の底部２１４を垂直に通過するシャフト２３
０と、シャフト２３０により支持される台ベース２３２
と、台ベース２２８により支持される静電チャック２３
２とを備えている。静電チャック２３２は１以上のチャ
ッキング電極２３４を有し、チャック電極は静電チャッ
クの頂部又は静電チャック内の絶縁材料内部に供給され
る。例えば、本発明の好適な実施例では、チャッキング
電極２３４はポリイミドに密閉されると共に静電チャッ
ク２３２に付着した薄い銅層のような伝導材料とするこ
とができる。チャッキング電極２３４は電圧源により電
圧を与えられ、その電圧源は電源２３６又は図示されて
いない代わりの電源であってもよい。チャッキング電極
２３４とウェーハ２５０の間に確立された電位差は静電
チャック２３２の支持表面２４４に静電気的にウェーハ
５０を引き付けると共に締め付ける。本発明の好適な実
施例では、チャッキング電極２３４は約２００〜２００
０ＶＤＣの範囲で適用された電位差の両極構成で方向付
けされる。特に、両極構成のため、電極２３４はＡ位置
でスイッチ２４６を通って電源２３６に接続され、それ
ぞれの電極２３４に等しく反対のバイアスとなるように
なっている。スイッチ２４６はまたＢ位置を有し、以下
に非常に詳しく説明される表面処理のため単一極構成で
電極を接続する。
【００１５】別の電極２４０はさらなる陰極として動作
し、ウェーハ処理の間、さらなる電力を伝導する。代わ
りに、台体２２６全体は陰極として機能する。電極２４
０（又は台体２２６）は電気的に第２ＲＦ電源２４２に
接続されている。第２ＲＦ電源２４２はウェーハ２５０
をバイアスするのに必要な電力を供給し、処理を改善す
る。
【００１６】作動では、処理ガスはチャンバ２００外部
の処理ガス供給装置２３８を介して反応領域２２２に供
給され、第１ＲＦ電源２２０はＲＦアンテナ２１８に電
圧を加える。アンテナ２１８からの電力は（石英のよう
な誘導エネルギの伝達に適した材料製の）蓋２０６を介
して誘導結合し、チャンバ２００の処理ガス分子をプラ
ズマに加速する。
【００１７】ウェーハ処理（例えば、エッチング処理）
の間、所望の集積回路パターン、その一部分等はウェー
ハ２５０で形成される。エッチング処理の間、前述した
電荷蓄積現象が発生する。それぞれの蓄積された電荷は
それに伴う結合エネルギを有している。結合エネルギは
支持表面２４４から電荷を除去するために克服されなけ
ればならない。処理ウェーハがチャックを外され、静電
チャック２３２から取り除かれた後、表面復元処理が実
行されるべきかどうか、すなわち、過度の量の電荷が支
持表面２４４上に蓄積されていないかどうか、決定がな
される。この決定は各種測定及び又はチャック取り外し
方法に基づくことができ、それらの方法は当技術分野で
公知であり、リフトピンの力、背面ガス圧力又は「フロ
ーバープ（flow burp）」現象、電流検出等を含むがそ
れらに限定されるものではない。例えば、静電チャック
の下のリフトピンが始動し、ウェーハを支持表面２４４
から持上げる時、ウェーハと支持表面の間の接触を解く
ためにピンに要求される力は監視することができる。さ
らに、ウェーハと支持表面の間の熱伝達ガスの流れは監
視可能である。圧力の突然の低下（又はバープ）が起こ
った場合には、これはウェーハの引張られる力がウェー
ハの押される力より小さいことを示すものである。リフ
トピンによる過度の力又は突然で大きい熱伝達圧力差は
ウェーハを損傷し、又は破壊する。支持表面の状態が適
当な動作を抑制するような程度まで退化したとそのよう
なパラメータの分析が判断した場合には、以下の方法は
支持表面を復元すると共に適当なチャック動作を許容す
るのに必要な段階を説明する。
【００１８】本発明の好適な実施例では、ウェーハに加
えられる裏面のガス圧力が監視される。理論的には、背
面のガスはウェーハ２５０と支持表面２４４の間に流さ
れ、熱伝達媒体として作動する。通常の動作圧力は約４
トルである。この背面のガス圧力はウェーハを引張るチ
ャッキング力に等しくなく反対でない場合にウェーハを
支持表面２４４から移動又は急に動かすだろうから、背
面のガス圧力はチャッキング力に相関されることができ
る。４トルの背面のガス圧力は約３．８１ｂｓのチャッ
キング力にほぼ等しい。チャッキング力が蓄積された電
荷の結果として、要求された最小値以下に低下し、ウェ
ーハを保持した場合、ウェーハの動き、又はそのような
ガスのチャンバへの漏れを示す異常又は不安定な背面の
ガス圧力の読みが検出され、（以下に非常に詳しく説明
される）支持表面処理方法が開始されることを示すであ
ろう。
【００１９】図３は主題の復元方法を実行する装置の分
解図を示している。図３の物体の割合及び距離は本発明
の説明を明瞭にするため及びチャンバ構成部品を有する
装置の相互作用を明確に示すため非常に誇張されてい
る。例えば、支持表面２４４に蓄積された陰極電荷３０
４はそれらが現れるより非常に小さくなっている。図１
は主題の復元方法１００を実行する段階を示すフローチ
ャートである。主題の方法及び装置をもっとよく理解す
るため、読者は図１に関連させて図３を参照するように
導かれる。
【００２０】復元方法１００は段階１０２で開始する。
段階１０４では、代理基板３０２が支持表面２４４と接
触しないことが図３より明らかであるが、代理基板３０
２は静電チャック２３２の表面２４４に置かれる。次
に、段階１０６で、代理基板３０２は電気接地基準に接
続される。接地接続は各種公知又は使用可能な方法によ
りなされることができる。例えば、第１の実施例では、
図２のプラズマ２２４は代理基板３０２上方で発火さ
れ、代理基板は代理基板３０２とチャンバ壁２０２又は
他の接地されたチャンバ構成部品の間に導体接続を供給
する。第２の実施例では、接地ワイヤの１端部は代理基
板３０２に取り付けられることができ、別の端部は接地
されたチャンバ構成部品（すなわち、電源の接地電位
側、代理基板３０２の裏面と接触して配置される接地さ
れたリフトピン等）に取り付けられることができる。前
述した接地方法は例示であり、本発明の範囲を限定する
ことを意味しない。さらに、代理基板３０２はチャック
２３２の支持表面２４４を覆うことのできるどのタイプ
の導体又は半導体材料と交換することができる。例え
ば、代理基板は半導体ウェーハと金属材料の板又はシー
トよりなるグループから選択されることができる。
【００２１】接地された代理基板３０２を適所に置い
て、段階１０８は代理基板３０２と支持表面２４４の間
に力を作り出すことにより実行される。本発明の好適な
実施例では、チャック２３２は単一極で高電力処理の電
界に晒される。すなわち、スイッチ２４６はＢ位置に動
かされ、同一極性の電圧が高電圧電源２３６又は他のそ
のような電源を介してチャッキング電極２３４に供給さ
れるようになっている。高電圧電源は処理（すなわち、
チャッキングのための処理）の間に通常使用されるより
非常に大きい電圧（すなわち、処理電圧）、好ましく
は、約２〜５ＫＶＤＣの範囲の電圧を送出することがで
きる。回路は接地と接触する代理基板３０２により完成
される。そのように、強電界の形の力（矢印３０６によ
り示された処理電界）は支持表面２４４と代理基板３０
２の背面の間に確立される。この電界３０６はウェーハ
／支持表面界面全体に亘り非常に均一であり、蓄積され
た電荷を保持する結合エネルギに打ち勝つのに十分強
く、それにより、それらを支持表面２４４から代理基板
３０２及び接地に動かす。理論上の計算は、発生した処
理電界３０６がウェーハを支持表面２４４にチャッキン
グする時に発生する電界の約２〜１０倍で好ましくは５
倍であることを示している。例えば、ほぼ４００ＶＤＣ
のチャッキング電圧は約０．５３ＭＶ／ｃｍの電界強度
を発生し、処理電圧２ＫＶＤＣは約２．６ＭＶ／ｃｍの
電界を発生する。さらに、実験はこの大きさの電界がこ
れらの残存電荷を支持表面から動かせることを明らかに
した。さらに、電界は支持表面に加えられた唯一の力で
あるので、支持表面は、（すなわち、クリーニングプラ
ズマ等から）さらに電荷された粒子により連続して衝撃
を与えられることはなく、支持表面のエッチング又は電
荷の注入に導くことができる。接地された代理基板は高
電圧のための経路を供給し、蓄積された電荷を排出し、
有害な後の処理効果での支持表面のさらなる相互作用に
対するシールドを形成する。
【００２２】図４は主題の装置及び方法により確立され
た回路の電気図を示している。特に、高電圧電源２３６
等は単一極構成でチャッキング電極２３４に接続されて
いる。ほとんど陰極の電荷はたいていの処理状態の間に
支持表面に蓄積されるので、高電圧電源は電極に接続さ
れるその陰極端子と接地に対するその陽極端子とを有し
ている。支持表面と代理基板の裏面の間に存在する小さ
いギャップと同様に電極を絶縁する誘電材料はコンデン
サ４００及び４０２により示された各電極で（ほぼナノ
ファラッドの範囲の）静電容量を作り出す。抵抗４０４
は接地接続で自然に発生する抵抗を示し、ウェーハ、接
地ワイヤ、プラズマ等の抵抗を含むことができる。高電
圧電源は予め定められた特定の時間の長さの間、作動さ
れる。予めの決定は各種状態に基づいていおり、それら
の状態は処理されるウェーハの数、チャッキング電圧及
びチャッキング力とプラズマ状態の退化レベルを含むが
それらに限定されるものではない。本発明の好適な実施
例では、期間は約３分である。代わりに、高電圧源は所
定回数波動（すなわち、入り切り）でき、蓄積された電
荷の除去を成し遂げる。所定時間後、高電圧電源は切ら
れ、代理基板３０２はチャック３０２から取り除かれ
る。その後、ウェーハ処理は正常な方法で継続し、新し
いウェーハがチャンバ２００に導入される。任意に、復
元処理がどのようにうまくいき、及び支持表面２４４が
さらなる処理を要求するかどうかに関して別の決定がな
されてもよい。
【００２３】要するに、静電チャック支持表面復元処理
が説明される。ウェーハ処理パラメータは静電チャック
性能が決定され、正常な動作標準以下となるような時ま
で監視される。そのような時に、代理基板は静電チャッ
クの支持表面に置かれ、接地への接続が確立される。そ
の後、静電チャックは所定時間、特定の電力レベルで高
電源でバイアスされる。支持表面と代理基板の間に確立
された処理電界は蓄積された電荷を支持表面から押し出
す。その後、高電源は切られ、代理基板は取り除かれ
る。チャック性能の任意の監視又は試験は実行可能であ
り、又はウェーハ処理が再開可能である。説明した復元
処理は各種ウェーハ処理状態により支持表面に蓄積され
た電荷を除去する。蓄積された電荷の除去はウェーハの
裏面の均一な温度、ウェーハのチャッキング力の減少、
ウェーハに加えられるチャッキングを外す力の増加のよ
うな不十分な処理状態の可能性を減少させる。プラズマ
の非常に電圧を加えらた及び又は反応性種の有害な影響
に晒されないので、主題の方法はまた支持表面材料の完
全性を維持する。
【００２４】本発明の教示を組込んだ各種実施例がここ
に示され、説明されているが、当業者はこれらの教示を
さらに組込んだ多数の他の変更した実施例を容易に創出
することができる。
【図面の簡単な説明】
本発明の教示は添付図面と関連させて詳細な説明を考慮
することにより容易に理解できる。
【図１】主題の発明の方法を実行する段階を示すフロー
チャートである。
【図２】図１に示された方法を使用するチャンバの部分
断面図である。
【図３】主題の方法を実行するための装置の分解立面図
である。
【図４】主題の方法の実施の間の装置及び相互に作用し
合うチャンバの構成部品の回路図である。理解を容易に
するため、形状に共通の同一エレメントを示すため同一
参照符号が使用されている。

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の支持表面を復元する方法であっ
    て、（ａ）支持表面に代理基板を供給し、（ｂ）前記代
    理基板を接地に接続し、（ｃ）支持表面と代理基板の間
    に力を創出し、支持表面に蓄積された電荷を取り除く、
    段階を備えたことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 代理基板は半導体ウェーハ、金属材料板
    及び金属材料シートからなるグループから選択される請
    求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 代理基板を接地に接続する段階は、代理
    基板と接触するプラズマと電気接地基準とを打ち当てる
    ことをさらに備えた請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 代理基板を接地に接続する段階は、代理
    基板への導体ケーブルと電気接地基準とを付けることを
    さらに備えた請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記支持表面と前記代理基板の間に力を
    創り出す段階は、前記基板支持に接続された電源に電圧
    を加え、前記支持表面と前記代理基板との間に電界を確
    立することをさらに備えた請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記電源は約２〜５ＫＶＤＣの範囲の電
    圧を送出可能である請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記電圧は特定の時間の長さの間、送出
    される請求項６に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記特定の時間の長さは約３分である請
    求項７に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記電圧は波動する請求項６に記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】 チャンバ内の静電チャックの支持表面
    に蓄積された電荷を除去する方法であって、（ａ）蓄積
    された電荷を有する支持表面を供給し、（ｂ）前記支持
    表面に代理基板を配置し、（ｃ）前記代理基板を接地に
    接続し、（ｄ）前記支持表面と前記代理基板の間に電界
    を確立し、前記蓄積された電荷を前記支持表面から追い
    払う、段階を備えたことを特徴とする方法。
  11. 【請求項１１】 前記代理基板は、半導体ウェーハ、金
    属材料板及び金属材料シートからなるグループから選択
    される請求項１０に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記代理基板を接地に接続する段階
    は、前記代理基板に接触するプラズマと接地されたチャ
    ンバ構成部品とを打ち当てることをさらに備えた請求項
    １０に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記代理基板を接地に接続する段階
    は、前記代理基板への導体ワイヤと接地されたチャンバ
    構成部品とを付けることをさらに備えた請求項１０に記
    載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記支持表面と前記静電チャックの間
    に電界を確立する段階は、前記静電チャックに接続され
    た電源に電圧を加えることをさらに備えた請求項１０に
    記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記電源は約２〜５ＫＶＤＣの範囲の
    電圧を送出可能である請求項１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記電圧は特定の時間の長さの間、送
    出される請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記特定の時間の長さは約３分である
    請求項１６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記電圧は波動している請求項１５に
    記載の方法。
  19. 【請求項１９】 処理チャンバ内の静電チャックの支持
    表面を復元するための装置であって、 少なくとも１つの接地されたチャンバ構成部品と、 前記静電チャックの支持表面に配置された代理基板と、 前記代理基板と前記接地されたチャンバ構成部品の間に
    形成された接地経路と、 前記支持表面に蓄積された電荷を除去するための前記代
    理基板と前記静電チャックの支持表面の間の接続と、を
    備えていることを特徴とする装置。
  20. 【請求項２０】 前記代理基板と前記支持表面の間の接
    続は、高電力のＤＣ電源である請求項１９に記載の装
    置。
  21. 【請求項２１】 前記代理基板と前記接地されたチャン
    バ構成部品の間に形成された前記接地経路は前記代理基
    板と前記接地されたチャンバ構成部品とを接触するプラ
    ズマである請求項２０に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 前記代理基板と前記接地されたチャン
    バ構成部品の間に形成された前記接地経路は前記代理基
    板と前記接地されたチャンバ構成部品に取り付けられた
    接地ワイヤである請求項２０に記載の装置。
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Families Citing this family (188)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177023B1 (en) * 1997-07-11 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for electrostatically maintaining substrate flatness
US6488820B1 (en) * 1999-08-23 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing migration of conductive material on a component
US6786935B1 (en) * 2000-03-10 2004-09-07 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system for producing components
US6869880B2 (en) * 2002-01-24 2005-03-22 Applied Materials, Inc. In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features
CN100423179C (zh) * 2002-06-21 2008-10-01 应用材料股份有限公司 用于真空处理系统的传送处理室
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
TWI298895B (en) * 2004-06-02 2008-07-11 Applied Materials Inc Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US7078317B2 (en) * 2004-08-06 2006-07-18 Silicon Genesis Corporation Method and system for source switching and in-situ plasma bonding
US7375946B2 (en) * 2004-08-16 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US7524750B2 (en) 2006-04-17 2009-04-28 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD
US20080142483A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills
US7939422B2 (en) * 2006-12-07 2011-05-10 Applied Materials, Inc. Methods of thin film process
US8900471B2 (en) 2009-02-27 2014-12-02 Applied Materials, Inc. In situ plasma clean for removal of residue from pedestal surface without breaking vacuum
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8741778B2 (en) 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US8497211B2 (en) 2011-06-24 2013-07-30 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation for PSG gapfill
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9232626B2 (en) 2013-11-04 2016-01-05 Kla-Tencor Corporation Wafer grounding using localized plasma source
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
CN105530750A (zh) * 2014-09-29 2016-04-27 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆导静电装置
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
KR102322767B1 (ko) * 2017-03-10 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 기판과 스테이지 간의 분리 기구가 개선된 기판 처리 장치 및 그것을 이용한 기판 처리 방법
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10510575B2 (en) 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10763150B2 (en) * 2017-09-20 2020-09-01 Applied Materials, Inc. System for coupling a voltage to spatially segmented portions of the wafer with variable voltage
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
JP7096079B2 (ja) * 2018-06-15 2022-07-05 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置の再生装置
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06103683B2 (ja) * 1990-08-07 1994-12-14 株式会社東芝 静電吸着方法
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
KR0164618B1 (ko) * 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
JP3257180B2 (ja) * 1993-09-21 2002-02-18 ソニー株式会社 成膜方法
TW288253B (ja) * 1994-02-03 1996-10-11 Aneruba Kk
US5459632A (en) * 1994-03-07 1995-10-17 Applied Materials, Inc. Releasing a workpiece from an electrostatic chuck
US5880924A (en) * 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000071664A (ko) 2000-11-25
US6099697A (en) 2000-08-08
TW460910B (en) 2001-10-21

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