TW460910B - Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system - Google Patents

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460910 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 k 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（ 域： 本發明t關於製程前半導體曰曰a圓冑王里系統之工作件 支撐表面的回復方法及設備，更特別的是減少工作件支撐 表面上的累積電荷。 發明昔寻： 靜電夾頭是用來使工作件保有多種應用，包含固定於 半導體晶圓製程反應：!：中的基板（即半導體晶圓）。雖然靜 電夾頌設計上有變化，但他們的原理皆基於施一電壓於夾 頭上的-個或數個電極’以分別於工作件及電極上感應相 反極性的電荷。此相反極性間的靜電吸？丨力會將工作件緊 靠夹頭，以保護工作件。 於半導體晶圓處理設備中，靜電夾頭是用來固定或夾 緊晶圓於製程反應室内的晶圓座i，此晶圓座上提供有額 外裝備，例如：加熱器、熱槽、傳熱氣口、附加的電極及 類似裝置以調節溫度、電子偏壓及.其他晶圓製程條件使產 能最佳化。在某些反應室的類型中，例如感應耦合電漿源 (ips)濺鍍蝕刻室t其電漿被用來啟動晶圓處理條件。在這 些反應室中，晶圓座亦有射頻電源陰極的功能’典型的射 頻電源陽極為反應室壁部。於反應室頂蓋外表面上的一附 加線圈’以射頻電源供應電力使其感應耦合式地穿過頂蓋 (頂蓋為介電質，例如石英）並進入反應室内。陽極及陰極 間所產生的電場及來自線圈的感應耦合電源游離導入反 應罜.内的反應氣體以產生電,漿，該具有可見熾熱白光的電 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格 1 n n ---I 11 n n n In § I ^ ^ I n 1 tj i 」.eJI n n n «^1 n n I I n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 460910 A7 B7 五、發明說明（ 衆為…負電反應氣體離子' 巾子及電子的混合，電聚 中的離子揸擊晶圓以產生（蝕刻）~所需的圖案。 =子：壓的晶圓座及晶圓當作陰極可加強晶圓處 。‘，.、而，其後亦將產生一定輕度非預期 以 於靜電夾頭上的介電質支撐表 尤以位 主要是背端氣體的游離，背端氣粬 一屯何源 圓座打入維持在載置二及日圃„上_ 』疋，叹由印 在戰置.及卵圓間支撐表面的熱 口，此氣體於晶圓及載置台間傳 ' 支‘奏面時“整體的均勾溫度條件。但是 * 變成離子化’某此電子將崎轧扯 最終累積於支撐表面上（例如靜 1並 g A , ^ ^ . 夹負）。其餘累積的電荷 /原疋來自於錯誤地堆積於靜 應下Γ曰… 爽頭邊緣或由於場放射效 應下k曰b Η η端吸引至支撐去 面 < 電漿的雜散電子^ 累積電荷是有害的，罔為 挎类品姘+士 . 們曰降低為維持晶圓於支 ^ _ 匕個情況將逐漸形成不良之處 理條件。例如，一個減少的类 ^ ^ . ^ M , 持力將k成晶圓底下不規則 的两响軋體壓力，如此不相同 ^ <力造成晶圓移動或脫離並 扣及溫度控制而形成不良的蚀刿南 蚀刻處理條件或粒子污染。此 外，於批次處理期間，欲取下 匕處理-畢的晶圓，.會因支 払表面上累積靜電電荷的形減 欠的更加困難。因此，提 供-個減少這些累積電荷的方法是必要的。 從支撐表面去除電荷有 Α 丨J的万法可用而且已知於 先丽技術。最簡單的方法是關 、 疋阑閉夹持電極的電源，及/或將 夾持電極接地。然而這是最，無. 政衣的万法，因為殘留電荷 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 29fi^y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---411}--線 ~~^ _經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 60 9 1 〇

、發明說明（ 並不會經由介電質導通至電極上 皮樘”， —找田電何反而留在 決、.， Γ刮拭疋第二種電荷去除方法，但這個解 ,万法需要將額外的機械裝置整合於 汾也丨 、表粗反應直中，胳禮 Μ t程反應室變的昂貴並增加 循環頻率。 ，周整及其相關的維護 電漿後處理夹頭表面是—辨浐 本认a 、. 疋獲仵認同之解決方法’立包 。砼卯圓移除後暴露支撐表於 被 牙最面於—具高能量之電漿中。但 其电漿工作的機制並非完全了解。 罕積#丼 ϋ 相叹派-法疋電漿提供 支：：…子回復管道以排出，另—派想法是 支‘表面以㈣累積電荷。不 自支撑表面移除累積電荷。不變的3 Τ万法-漿都可 了不k的疋，電漿亦攻擊及劣仆 用以構成支撐表面的材.料。延長 始拓+ _ . 延长忒重複的電漿處理因此會 的：頭的哥命減’此外，於重複撞擊之後，來 :電：亦會累積於支揮表,面之上。目前普遍去除表面電荷 的：法並不會將支撐表面充分地回復至前處理的狀 供電有或中性’且不會損壞或縮短靜W壽命期限。 因此’於此技術中需要猶你 ^ 而妥種從鉍電夾頭之支撐表面去 除殘餘電荷的改進方法，使立支撐矣二 .> ± ，、叉牙表面回復至無損夾頭功 效或壽命期限的前處理狀況。 發明目的方戈述： 、先前技術有關的缺點被一回復基板載置台支撐表面 的万法及設備所克i，其方法包含數個步驟，提供一替代 基板於已作用或已退化之支?.撐表面，提供一接地連結之替 第5頁 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -----r 11 1 ^---------線牙入 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 私紙張尺度·中關家標準（CNSM4規~^1〇 x 297么f A7

460910 五、發明說明（ 代基板及提供一介於座措本 及替代基板之間的力量以 去除支撐表面的累積電荷， 芏 此替代基板是一丰壤鞞H圚弋 是一接地的平板或一片導+士 牛導虹印圓或 A夺电或半導體材由 中，接地連結是藉由衝擊電嚷上 '^ 板於-電子接地基準。於另it的’其電聚連接替代基 接附於替代基板與電子接地：：：’接地連結是由-的。 Α準上的導電電線所建立 此介於支撐表面及替代基板 連接於替代基板的電力源所物，以產生一； 面及替代基板料.電場。此電力源可傳遞' = 5KVDC的電壓，此電壓可於一 固4 2- .. 疋時間内（大約3分鐘、 以穩足或脈衝方式傳遞。 '重) 詳細去除累積於支撐表面電荷 何的回覆過程因不同沾 晶圓處理條件而不同。產生於去勺 … 座生於又‘表面及替代基板間的雷 %將推離支撐表面上的任一累積雷 览 , %何。去除累積電荷可汝 吾和延長支撐表面的夾持能力，此方 疋 万法亦維持支撢表 料的芫整，讓它免於電漿中高能及/ 付 或具反應性物質的攻 擊。 \ 圖式簡單說明： - 將後續的說明配合下列圖式’將可 丁 J以對於本發明的 示有容易地了解，其中： 第1圖是一描述執行本發明方法步驟的流程圖： 第2圖是使用第1圖所顯帝方法中反應室的 |刀衔剖 第6肓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ·,-I ·11111111 — ------------------------—- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 460910 A7 _B7_ 五、發明說明（） 面視圖_; 第3圖是一執行本方法設備之爆炸正視圖；以及 第4圖是一於執行本發明時設備及反應反應室元件之 代表電路圖。 > 為幫助了解，盡可能使用相同參考號碼以指定圖示中 共有的相同元件， 圖號對照說明： 100 .回 復 方 法 200 製 程 反 應 室 202 側壁 204 園 繞 空 間 206 頂 蓋 208 圍 繞 侧 壁 2 10 封 蓋 2 12 溫 度 控 制 設 備 214 底 座 216 處 理 監 控 設 備 218 射 頻 天 線 .220 第 — 射 頻 電 力源 222 反 應 區 224 frft*· 漿 226 晶 圓 座 组 合 228 .晶 圓 座 基 底 230 幸由 心 232 靜 夾 頭 234 夾持 電 極 236 電 源 供 應 器 23 8 處 理 氣 體 供應器 240 極 242 第 二 射 頻 電力源 • 244 支 撐 表 面 246 開 關 250 半 導 體 晶 圓 302 替 代 基 板 304 負 電 荷 306 處 理 電 場 400 % 容 器 402 電 容 器 ? 404 阻 器 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) {: 訂---------線— ·{----- ^ 4609 1 0 A7 _ 五、發明說明（）. 發明詳細說明^_ 第2圖描述製程反應室2〇〇的橫剖面視圖，其為處理 例如半導體晶圓2 5 0基板之晶圓處理系統（未顯示）的一部 份a典型的反應室以側壁2 0 2及頂盍2 0 6所圍繞，底座2 1 4 連接側壁202組成完整的反應室200。側壁202通常以足 夠強度及厚度的金屬所組成使其内部可產生一高度真空 (毫托範圍），此類金屬例如為不鏽鋼或鋁。頂蓋2 0 6為半 球形狀並形成位於反應室200上方一额外圍繞空間204的 底部表面，特別是圍繞空間2〇4是由矗立於頂蓋206上與 反應室側壁202排成一列之園繞侧壁208及圍繞侧壁208 與頂蓋206上方之封蓋210所定義界限而成。 圍繞空間204内部是一個或多個設備’其協助晶圓處 理功能，包含但不僅止於溫度控制設備2 1 2及處理監控設 備2 1 6一個合適的溫度控制設備實例描述於1 997年1 0 月.8日申請之美國專利申請案號〇8/9 47，174，另一合適的 處理監控設備描述於1 9 9 7年1 〇月6日申請之美國_專利申 請案號08/944,240。除此之外位於圍繞空間204内部有一 射頻天線2 1 8，'此射頻天線2 1 8以線圈方式配置於頂蓋2 0 6 之頂部，與第一射頻電力源220連接。 反應室200内的晶圓座组合—226於處理過程中支輝晶 圓250,特別是晶圓座组合226包含一垂直通過反應室200 底座2 1 4的軸心23 0、一軸心2 3 0支撐的晶圓座基底22 8 及一晶圓座基底228所支撐的靜電夾頭232。靜電夾頭232 有一.個或數個夾持電極234?.，其由靜電爽頭頂端或内部的 / t 第8頁 本紙張尺度埠用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂---------線.----------------------- 4 β〇9 1 Ο A7 B7 玉、發明說明（ 絕緣材料提供。例如於本發明之 、 極234可能是一導 較佳實她例中，夾持電 ^ 电材科例如一以聚醯亞胺僉 益附著於靜電失頭2 山封<4銅層 Z爽待4極2 3 4以一泰厫·R丄仏 其電壓源可為電源供應器236 %壓源加此’ 器一產生於夾持電碴23…間未“的交流電源供應 電夾頭232之支撐类& 1的电位差使靜 於太吸附並靜電夾持著晶圓㈤。 一"“ ·Α 甲失待極234以-雙極組態及 fe圍大沩為2〇〇至2〇〇〇直流 別是 '-雙極組能為…差予以極化。特 -、為*極2)4透過開關246於"A„位置時 連接電源23 6，如此於每—個電㉟234上將有—相等且反 ㈣偏壓。«叫也有— "B"位置以連接為表面處理之 單極組態電極，較詳盡.之解釋於後。 另一個電極24〇於晶圓處理的過程中擔任另—附加的 陰極以導通另-附加電力源。或I ’整個晶圓座组合226 可作為一陰極，電極24〇(或是晶圓座组合226)連接於第二 射頻電力源242，此第二射頻電力源242提供—偏壓晶圓 2 5 0以改善製程所需的電力。 運作中’處理氣體由位於反應室200外面的處理氣體 供應器23 8供應於反應區222，且第一射頻電力源22〇為 射頻天線2 1 8加能。來自天線2 1 8的電力感應耦合式地穿 過頂蓋2〇6(其由適當的材料建構而成以利感應能量傳 導，例如石英）以離子化及加速反應室2 〇 〇内的處理氣體分 子成為電漿224。 於晶圓處理過程中（例如蝕刻處理）一個預設的積體電 第9頁_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ' . 丁 -，II n n 1· (H ^ · n n tn 線Λ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 460910 A7 B7 五、發明說明（ 路圖案或其一部份等類似圖案形成於晶圓250上。於蝕刻 處理過程’產生前述電荷累積的現象。每—個累積電荷皆 有-個相關的束缚力，&束缚能量必須克服，以自支標表 面244上移除電荷。當已處理的晶圓已解開夾持並從靜電 炎頭移走’需對於表面回復處理執行與否作一決定，也就 疋說，一些不當數量的殘留電荷已累積於支撐表面244 上。這個決足乃基於先前技術已知不同的測量及/或解開夹 持万法’ &包含但不限於提升銷之力 '背端氣體壓力或是 成場不連續”（flQw burp)現象、電流檢查等之類。例如， 當位.於靜電夾頭下方的提升銷啟動將晶圓自支撐表面244 提昇&升销所需切斷晶圓與支撐表面之間接觸的力量可 被1控此外，介於晶.圓及支撐表面間熱傳導氣流可被監 控假如產生壓力（或流場不連續）驟降，則代表晶圓上.下 拉的靜電力比晶圓上往上推的氣體壓力為小。提升銷的多 餘力量或是突然且大量的埶傳屦六 f的熟得禮力差會損害或毁壞晶 圓。假如任何這些參數的分析可推 ™又得表面的情況已降 級至禁止正當操作的程度，接下來 ^ _ 万去將描述回復支撐 表面及允許正常失持操作所需的步驟。 於本發明之—較佳實施例中’ ^ , &晶圓上之背端氣體 壓力被監控》理想上，背端氣，體於晶圓 、，. Z50及支撐表面244 4間流動以作為熱傳媒介，正常操作 F嗓力大約為4Torr， 假如沒有一個相等且反向的爽持力將 L 购圓扛下，此背端氣 體壓力可將晶圓從支撐表面244移走 .& 4冲離，因此背端氣 體壓力與夾持力有關。一個?,4托的背 β 體壓力大約等於 第10頁 c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 297公爱） -K 1 n^-.nJ I i n n .^1 I T Γ— 1) n n 1 I n n n i I I n n i fj n n n 1— *^1 1 460910 A7 —-- ---B7 五、發明說明（） —個3.8磅的夾持力，假如夹持力 抒乃由於累積電荷作用而降 級至低於維持晶圓之最低要求值，Η 曰0圓移動或背端氣體進 入反應室之氣孔讀值顯示不規則咬 J 4不穩疋的壓力現象被 偵測出，則必須開始支撐表面處理 〜！万法（詳述於後）。 第3圖描述執行回復方法的裝罢抱1 叩震置爆炸圖，為求清楚地 描述本發明及反應室裝置元件間的相互作用，第3圖中物 體的比例及距離被過度的擴大，例如累積於支撐表面之負 電荷3 0 4就遠比顯示的為小。第1固θ ι， 禾1圖是一描述執行本回復 方法；I 0 0步驟的流程圖，為求對太 ^ > 3了本万法及設備更多的了 解’讀者可直接配合著第1圖觀看第3圖， 回復方法1 0 0起始於步騾1 〇 2。 哪於步騾1 〇4，一替代 基板302放置於靜電夹頭232之岁芦本工〜 心夂存表面2 44之上，顯示 於第3圖’此替代基板302不與支樘矣&— 只夂谭表面244接觸。其次， 於步騾106，替代基板302與一電子妓u甘.佳土 • ^ %于接地基準連接，此接 地連結可以用已知或可得的不同方法達成。例如，於第— 實，例中，第2圖的電漿224可於替代基板3〇2之上點燃， 其提供替代基板302與反應室側壁2〇2或其他反應室接地 元件之間的-導通連結。於第二實施例中，接地電線之一 端可接於替代基板302,另—端可接於反應室接地元件上 (例如電源的接地電位端 '接地提升銷與替代基板3 〇2之背 端接觸等之類）。前述接地的方法是—範例且並不限制本發 明的範圍。.此外，替代墓板3〇2可被任何形式可以涵蓋夾 頭232之支撐表面244的導電或半導體材料所取代，例如 替代.基板可選自一组半導體晶圓及—金屬材料平板或一 第11頁 本紙張尺顧肖中_祕準（CNS)A4規格⑽χ挪公楚 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----Γ I I I ^ ' — — — — — I— I I ^ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 46091〇 A7 B7 五、發明說明（） 片金屬材料所組成之群集。 於接地替代基板302安置後’執行步驟1〇8並於替代 基板3〇2及支撐表面244之間形成-力量。於本發明之— 較佳實施例中'夾頭、232被以單極模式施以一高能、，處理,, 電場。也就是說，開關246移至"B”位置使相同極性之電 壓經由问壓電源供應器236或其他電源供應器施於夾持電 極234上。此高壓電源供應器可傳遞一個比一般處理過程 中（即夹持）所使用更大的電壓（即為，，處理，，電壓）並最好於 大約3-5KVDC的範圍中。當替代基板3〇2接地後完成此 電路。如此’一個具有強大電場（此，，處理，,電場以箭頭3〇6 表示）的力量於支撐表面244與替代基板302背端之間形 成。此電場306於整個晶圓/支撐表面介面間分布十分規則 而且其強度足以克服驅離支撐表面244上累積電荷的束縛 A量’並驅離到替代基板3 0 2及到接地端。理論計算上顯 不此產生的"處理"電場3 06大約為夾持晶圓於支撐表面

244之電場2至10倍且最好是5倍。例如一大約為400VDC 之夹持電壓所產生的電場強度大約是〇.53 MV/cm，且—" 處理"電壓2KVDC所產生的電場大約為2.6MV/cm。此外， 實驗顯示此強度的電場真可驅離這些支撐表面的殘留電 荷。而且，由於電場是唯一施加於支撐表面的力量，支撐 表面不會持續被更多的帶電粒子（也就是從一，，乾淨電衆，' 或之類）撞擊，其帶電粒子可能導致蝕刻支撐表面或植入電 荷。接地的替代物基板提供高壓源一通道以排放累積電荷 而且.形成一遮罩以對抗其與支樓表面不良之棱處理效應 第12頁 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---—L----訂---------'(. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 460910 A7 B7 五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 間的進一步交互作用。 第4圖描述本設備與方法所建立電路的電子圖示。特 別的是，高壓電源23 6或其它之類以單極組態連接於夾持 電極234。因於一般晶圓處理過程的狀況中，大部分負兩 荷累積於支撐表面上，高壓電源將其負端連接至電極上並 將其正端接地。介電質材料絕緣電極及存在於支撐表面與 替代基板302背端之間的小細缝，在每一個電容器4〇〇及 402所代表的電極形成一電容（大約為十億分之一法拉第 範圍）。‘電阻器404所代表之電阻是自然產生於接地連結及 可能晶圓、接地線、電漿等之類所包含之阻抗。高壓電源 供應器啟動的特定時間長度是預弄呔含μ , 定頂无夬疋的。此預定是基於 多個條件包含但不限於.晶圓處理之數目、夾持電壓 '爽持 力量退化的程度及電隸件等不同的狀況。於本發明之— 較佳實施例中，其所需之時間大約為3分鐘^ ,古壓吟 源可用敎次數之脈衝方式（例如開關開及^以移:: 電荷。於預定時間之後，關閉高壓 .、，、積 #供應益且替代物甚 版3 02自夾頭232移走。—個新爆 % 说 入反應宣2〇〇的晶圓繼 續接著正常方式的晶圓處理。或者， v'fe .. 眾針對回復過程成：εΛ 的程度及支撐表面244是否需要額外 知理另作一決定。 總之，本發明描述一靜電夹頭 入'得我面回指虚理夺。 序：監控晶圓處理參數直到靜電爽 知里叙 ^ 員的功效已低於一正當 搡作標準，於此時，-替代基板則置於 ：、.吊 面並建立一接地連結，爾後靜電失 X頑的支彳牙表 負於—預定時間中及_ 特足能量水準下以一高電源喺壓，.於 、之镩表面及替代基板 _；____第13頁 本纸張尺度ί射随家標準（CNS；)A4規格（士 χ挪公愛 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :------r---訂- 線 — ·{--- 4 6091 0 A7 B7 支、發明說明（ 間形成”處理”電壓將支撐表面的任一累積電荷推離。再關 閉高壓電源並將替代基板移走。可選擇性執行夾頭功效之 功能性監控或測試’或是恢復晶圓處理。此已描述的回# 程序會依據不同之晶圓處理條件以移除累積於支樓表 的電荷。移除累積電荷會減少可能之不良晶圓處理條件 例如晶圓背端不均勻的溫度'晶圓夾持力之減少、 解開夾持力之增加等。本方法亦維持支撑表面 晶圓 上 材料的A 性使其不受高能及/或電漿中反應物質的7W 4 元整 J不艮景> 響。 s兔然在此已顯示及詳述由於本發明奴.s __ 月数導下所組人 成的不同實施例，習知技藝者仍可以輕县Λ Λ ^ 刃的組合這妆泰.， 以設計出許多其他不同的實施例。 1敢導 ---1 i —--------{ -----,1---tl----I---* 線 (請先閲讀背面之注音^事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第14頁 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 46091〇

   1. 一種回復基板支撐 夂3牙《支撐表面的方，法，其至少包含 步驟： (a) 提供一支撐表面上之替代基板； (b) 連接該替代基板於接地端；以及 ⑷於該支撐表面及該替代基板間形成—力量以移除 該支標表面之累積電荷。 … 2. 如申請專利範圍帛i項所述之方法，其中上述之替代基 板選‘自一半導體晶圓、—金屬材料平板及一片金屬材料 所组成之群集。 3 .如申請專利範園第丨.項所述之方法，其中上述連接該替 代基板至接地端的步驟更包含衝擊電漿以連接該替代基 板與電子接地基準 . 4 -如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述連接該替 代基板至接地端的步驟更包含附著—導線連接該替代基 板與電子接地基準。 .如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述於該支撐 表面及該替代基板間形成一力量更包含增加—連接於該 替代基板的電力源，以產生一介於該支撐表面及該替代 基板間的電場。 第15頁 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 < 1 I I — II — I i ^ ---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6091 0 as B8 CS D8 、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中上述之電力源 可傳遞一範圍約2-5KVDC的電壓。 7. 如申請專利範圍第6項所_述之方法，其中上述之電壓可 於一特定時段傳遞。 8. 如申請專利範園第7項所述之方法，其中上述之特定時 段太約3分鐘。 9. 如申請專利範圍第6項所述之方法.，其中上述之電壓是 脈波。 10. —種移除反應室内靜電夾頭支撐表面之累積電荷的方 法，其至少包含以下步琴： (a) 提供含有累積電荷的支撐表面； (b) 放置一替代基板於該支撐表面上； (c) 連接該替代基板於接地端； (d) 於該支撐表面與該替代基板間形成一電場將該累 積電荷自該支撐表面移除。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中上述之替代 基板是由一半導體晶圓、一金屬材料平板及一片金屬材 料所组成之群集。 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂· — -----^ 1 j、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 460910 | D8 申請專利範圍 12.如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中上述連接替 代基板於接地端更包含衝擊連接該替代基板及反應室接 地元件之電漿》 13 .如申請專利範圍第丨〇項所述之方法’其中上述連接替 代基板於接地端更包含接附—導線於該替代基板及反應 室接地元件。 14. 如申請專利範園第10項所述之方法’其中上述於該支 撐表面與該靜電夹頭間形成一電場的步驟更包含將連接 於該靜電夾頭之電源加能。 15. 如申請專利範園第14項所述之方法，其中上述之電源 可傳遞一範圍约2-5KVDC的電壓° 16. 如申請專利範園第15項所述之方法，其中上述之電壓 可於一特定時段傳遞。 17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中上述之特定 時段大约3分鐘。 ， 1 8 .如申請專利範圍第1 5項所述之方法，其中上述之電壓 是脈波。 第17貫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   460910 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 1 9 . 一種製程反應室内回復靜電夾頭支撐表面之設備，其至 少包含： 至少一反應室接地元件； 一置放於該.靜電夾頭之支撐表面上的替代基板； —介於該替代基板與該反應室接地元件之接地通 路；以及 一介於該替代基板與該靜電夾頭之支撐表面的連結 以移除該支撐表面之累積電荷。 20 .如申請專利範圍第1 9項所述之設備，其中上述介於該 替代基板與該支撐表面之連結是一高能直流電源供應 .器。 . 2 1.如申請專利範圍第20頊所述之設備，其中上述介於該 替代基板與該反應室接地元件之接地通路是連接該替代 基板與該反應室接地元件的電漿。 22.如申請專利範圍第20項所述之設備，其中上述介於該 替代基板與該反應室接地元件之接地通路是一接附該替 代基板與該反應室接地元件之接地電線。 第18肓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 i釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線I. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製