TW293231B - - Google Patents
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Description
293231 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消费合作社印裝 五、· 發明説明 Γ) [產業上之利用領域] 本 發 明 • 是 關 於 根 據 靜 電 吸 著 力 可 將 保 持 於 電 極 上 之 基 板 1 譬 如 說 » 可 將 半 導 照 晶 Η 做 迅 速 > 確 實 且 安 全 脫 離 的 脫 雛 方 法 及 為 了 使 該 脫 離 方 法 有 實 效 之 控 制 外 施 於 靜 電 吸 著 定 位 電 壓 的 · 種 裝 置 0 [先前技術] 根 據 靜 轚 吸 著 的 基 板 固 定 方 法 » 在 基 板 處 理 中 不 會 擾 亂 電 漿 t 而 且 是 VX 均 等 的 力 量 在 基 板 全 面 上 固 定 的 一 棰 方 法 〇 該 方 法 本 質 上 是 逋 合 固 定 大 的 基 板 0 tog 嫌 著 半 導 體 晶 片 大 Ρ 徑 化 的 趙 勢 半 専 體 設 備 之 製 造 工 程 正 廣 泛 受 到 應 用0 [發明所欲解決之問題] 作 為 根 據 靜 霉 吸 著 來 脫 離 固 定 之 基 板 的 方 法 有 在 電 漿 處 理 完 後 將 霣 棰 及 被 處 理 基 板 接 地 使 殘 留 於 裝 在 電 極 上 的 導 電 體 之 霣 荷 放 出 的 技 術 (日本特開平5 -291 1 9 4號公 報 ) > 然 而 > 將 靜 霣 吸 著 之 m 極 及 被 處 理 基 板 同 時 接 地 的 技 術 上 9 基 板 之 背 面 上 存 在 導 電 HI 臊 » 譬 如 二 氧 化 矽 膜 之 情 形 下 > 殘 留 在 該 導 霣 體 膜 的 電 要 達 到 完 全 消 失 » 即 達 到 完 全 放 電 的 程 度 存 在 著 痛 要 相 當 a 時 間 的 問 題 〇 該 放 電 所 需 要 之 時 間 是 依 據 導 電 雔 m 之 m 度 及 體 積 阻 抗 的 時 間 定 數 所 決 定 的 〇 譬 如 說 » 要 將 1 u η m 度 之 二 氧 化 矽 (S i C 2 ) m 形 成 於 背 面 的 6吋半導«晶片利用該項技術使之脫鐮的話大約 需 要 150秒 0 另 外 的 基 板 脫 離 方 法 » 係 在 將 外 施 於 靜 電 H5 著 JL. 用 電 極 上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 A7 B7 五、發明説明(2 ) 之直流電壓設定為零之後,將接板暴露在電漿上使有助於 ‘吸著力之電荷消失的技術也是眾所皆知。但是,由於暴露 在電漿上之故,有招來基板溫度上昇之虞。加上,一旦停 止將直流電壓外施到電極上(設定直流電腔為零)的話,靜 電吸著力一時雖可變為零或幾乎接近零•但是,之後由於 自偏電壓(Self-bias Voltage)之故靜甯吸著力會再次出 現。如圖5及圓6的圈形•靜電吸著力在經過變成零或幾乎 接近零的C點之後,如表示於曲線A般,基於電漿之故在基 板上誘發出自餳«壓造成靜電吸著力的再度出現。因此* 在C點或C點附近有必要進行基板之脫離。但是•從外施直 流電壓停止後到靜霄吸著力變成零(幾乎為零)為止所花的 時間•即b點到c點的時間,實際上並非固定。該期間所花 的時間是依據基板的種類或流程條件而敏感地做變化。而 且,卸下基板的最怡當時機是很難箪握的。在此般理由下 ,Μ該技術要達到迅速、確實且安全脫離基板是相當的困 難。
Us 先 閱· 背 Λ 之· 注 意 事 項一 填 寫焚 本衣 頁 訂 線 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印製
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 293231 at R7 經濟部中央梂準局貝工消費合作杜印製 五、 發明说明(3) 1 I 處 理 基 板 的 背 面 上 有 無 導 電 體 9 皆 能 提 供 迅 速 > 確 實 且 安 1 I •全 地 將 靜 霣 吸 著 之 基 板 卸 下 的 基 板 脫 離 方 法 及 為 了 使 該 脫 £. 1 I 離 方 法 有 實 效 性 而 提 供 控 制 外 胞 電 颳 至 靜 電 吸 著 定 位 的 一 請 先 1 1 1 棰 裝 置 〇 閱 讀- 背 1 I [解決問題之手段] 1 I 之· 1 1 本 發 明 為 了 達 成 前 述 之 S 的 > 以 外 施 於 電 極 上 之 直 流 電 注 意 1 I 1 壓 及 因 霣 漿 而 產 生 於 基 板 上 之 負 的 白 偏 電 m 間 的 電 位 差 只 1 再1 填1丨 » 所 誘 發 之靜電吸著力 在 脫 m 保 持 於 電 極 上 的 基 板 之 前 Μ 本 裝 頁 1 » 控 制 直 流 電 壓 在 脫 離 基 板 時 以 基 板 不 破 損 的 情 況 下 設 定 1 其 電 位 差 在 其 霣 位 差 設 定 後 停 止 電 漿 的 產 生 〇 1 1 實 際 上 f 在 利 用 靜 罨 吸 著 力 將 保 持 於 電 極 上 之 基 板 脫 離 1 I 之 ϋ 刖 控 制 直 流 電 壓 若 設 定 基 板 及 電 掻 間 之 電 位 差 於 大 約 訂 I 1 00 VM下的話 基 板 就 可 在 不 破 損 下 脫 離 0 1 1 1 更 理 想 是 在 利 用 靜 電 吸 著 力 將 保 持 於 電 極 上 之 基 板 脫 離 1 1 之 前 就 控 制 直 流 霣 壓 使 電 極 及 基 板 間 之 電 位 差 設 定 為 零 1 1 > 在 設 定 電 位 差 為 零 之 後 停 il: 電 漿 的 產 生 〇 該 電 位 差 是 由 銀 | 外 施 於 霣 極 上 之 直 流 電 壓 t 及 由 電 漿 而 產 生 於 基 板 上 之 負 » 1 I 的 白 偏 霣 m 間 的 差 所 產 生 的 C 該 電 位 差 在 基 板 及 電 極 間 誘 1 1 發靜電吸著力 〇 若 將 該 電 位 差 設 定 為 零 的 話 » 那 麽 儲 存 在 Μ 1 1 基 板 及 電 極 間 的 堪 荷 會 因 為 在 電 漿 Μ Μ i \而 消 失 〇 随 之 t 1 1 在 無 殘 留 霣 荷 的 狀 想 下 > 為 了 爹 停 止 電 漿 產 生 1 1 之 刖 必 須 先 將 基 板 及 電 掻 間 的 電 位 差 設 定 為 零 〇 為 了 將 電 1 位 差 設 定 為 零 $ 最 好 是 在 即 將 停 止 電 漿 產 生 之 前 使 直 流 電 1 壓 等 於 負 的 白 鵂 電 壓 〇 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐} A7 __B7 五、發明説明(4 ) 由於將電極接地之故(電極之電位為零),所K在基板上 •只產生負的自偏®壓而基板在受電掻靜電吸著時’於脫離 基板之前,將直流電壓外施至電極上而設定其電位差為零 ,在®位差設定為零之後停止電漿的產生。此情形’最好 是在即將停止電漿產生之前在電棰上砲加相等於負的自偏 電壓的直流霣壓。 一旦將基板及霣棰間的電位差設定為零的話,稍晩—點 作用於其間之靜«吸著力會變成零。因此’ 基板脫離時 為了預先將受殘留電荷影響之吸著力完全消滅’所Μ在即 將停止甯漿產生之前先將靜爾吸著力設定為零比較好。加 上,從電極上卸下基板之前,停止電漿產生同時停止外施 直流電壓至電捶上較佳。 電漿是使RF(13.56MHz)外胞於相對平行板電極間而產生 。其他,有受到電子迴磁共鳴之影W而產生ECR電漿。另 外,遢有發表於美國專利4,990,229及5,091,049之受螺旋 |之電漿•發表於美國専利5 , 2 2 6 , 9 6 7之受感應 生之電漿。 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 又,外施電懕至靜電吸著宽^的控制裝置具備根據自偏 電壓(Vdc),控制直g電壓用、限度裝置。细言之•具 備:為了使靜S吸著力產生於基板及電極間而外施直流電 懕於電極上的電源;檢測出產生電漿用之高週波電壓最大 值(Vpp)的線路;從高週波電颳之最大值(Vpp)中演算自偏 電壓(Vdc)的線路:及根據其自偏電壓(Vdc)控制由電源辦 出之直流電壓的線路。特別昼輸出控制線路,蒼:即將結索塞 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 293231 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明(5) 板 處理 之前•具有使直滾霣壓相 等於自 偏 m 懕的 功能。 依 據 該功 能使本發明之基板脫離方 法具有 實 效 性。 為了 澜量在霣漿產生時所產生 之自偏 電 m •共 同具備 了 测 最高 理波電屋ft大值(Vp P)之檢出鑲路 ;及由其最大值 (V PP)算出自《1霣 壓(Vdc)之演算 媒路的 功 能 。由 於在靜 霣 吸 著霣 極上使用了導霣》 所Μ 在基板 處 理 中無 法直接 澜 量 自偏 霣壓。但是•由於產生霣 漿用之 高 通 波霣 壓最大 值 (V PP)可測出之故 •所K要 由該最大值( Vp P ) 中求 出自儀 霣 m (Vdc )。一般而 言•在寬 廣的流程條件範圃下 自偏電 屋 (Vdc )及最大值 (V p p )之間以 V d c = aVpp土 b(a 、b為常數)... ..(1) 表示 的一次式會成立。若電極 是以導 霣 Η 材料 做成的 話 • Vdc就能直接拥 出。使用 導鬣嫌霣極並且测出Vdc及Vp Ρ的 聒 ,那 麽常數a、 b躭可先求出, 演算媒 路 依 該(1)式由V ΡΡ 求 出Vd c。若一次 式不成立 的話 •先澜出相對於各個Vpp 的 Vd c ·使對應於Vp P之V d c的 資料先雔存在演算媒路内。 又· 對於直深霣源而言 箱具 偁能截 掉 產 生霣 漿用之 高 通 波的 濾波器。 [作用] 作用 於基板上之靜«吸著力F ,Μ F = K(賦 予«極上之«壓-自 餳霣靨)2 .. (2) 所 設定 U為常數) 0 Η 7 >是沿著時 間的娌进 ,表示基板及霣櫳間之霣懕< 〔上 段 園形 )、及作用 其間之靜 «吸著力(下 段 _ 解)的變化 0 在X期間内•受 到«漿之 影響在基板上誘發自傾霣壓Vdc % 線 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS > A4規格(2丨Ο X 297公釐) 請 先 閱 讀 背 ·& 之 注
I 裝 訂 8 五、發明説明(6 ) 基板上之電懕Vt 壓 ELECTRODE 電位差變成△ V = A7 B7 SUBSTRATE 即外施直流電魈V d。然而 即自餳霜懕Vdc。電極上之電 電極及基板之 V,
Vd-Vdc。根據該 ELECTRODE SUBSTRATE 電位差,靜電吸著力P = K(AV)2 (依(2式))舍作用於基板及 電極間。另外,在此等間齡存馑荷董Q = CA V (C為靜電容量 在Y點上•調整直流電壓並將甯極上之電壓 =V d c ELECTRODE 使得電位差△ V = 0 請 先 閱 讀. 背 Λ 之- 注 意 事 項 經濟部中央梯準局員工消資合作杜印製 設定為Vdc。由於V ELECTRODE 更且靜電吸著力F = 0。靜電吸著力雖然變成'零但是需要稍 許的時間*也可Μ說起因於花在结束電漿中放電的時間。 從Υ點到停止電漿的產生(Ζ點)為止,一直是越於外施電胭 之控制裝置來維持霄位差^VzO。 在Z點上,停止電漿的產生。由於在電荷沒有殘留於基’ 板及電極間之狀態下(電荷量Q = 〇)停止電漿產生之故,所 Μ在基板及電極間不會殘存受殘留電荷影響之靜電吸著力 。停止電漿產生後•產生於基板上之自偏電壓會變成零。 更且*停止電漿產生後,即使不切掉直流電源電極上之電 懕也會變成零而看不到。電極上之電壓變成零之理由可Κ 用等價線路棋型來說明。在爾漿產生中,表示在圖8之左 圖般的等價線路横型會成立。14表示rf電源、16表示可變 直流電源。電容器3 1對應於儲存在基板及電極間的電荷量 。電阻30對應電漿。霣源32對應自鵂電壓。但是,在停止 電漿產生後,如圈8之右圖,由於對應電且30及對 應自偏霄壓之霣源32會消失,所K等價會中斷。 填I裝 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS > Α4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 7 0 1 1 由 於 該 中 斷 線 路 使 得 霣 滾 無 法 流 通 » 所 Μ霣壓 便 無 法 雎 加 1 1 •在 霣 極 上 9 但 是 9 即 使 如 園8之右圈所示般在中途中躕之 1 I 配 線 f — 旦直流電源保持在0H的狀態下 *接地 之 搬 送 用 拥 請· 1 器 人 就 會 抓 住 基 板 外 雎 直 流 電 壓 於 霣 極 上。受 到 外 雎 電 m 先 閲 讀· 背 A 之 1 1 I 至 電 欏 上 之 影 響 在 霣 槿 及 基 板 (基板之電壓為零)間舍產生 1 1 I 霣 位 差 〇 依 據 該 η 位 差 利 用 搬 送 機 器 人將基 板 從 霣 極 上 注· $ 1 I 卸 下 時 m 霣 吸 著 力 作 用 於 基 板 上 0 原 因 是,一 旦 接 地 之 搬 ψ 項 再 1 送 機 器 人 及 基 板 接 觸 的 話 電 流 流 動 之 等價嫜 路 躭 會 成 立 填一 寫 、1 裝 之 故 0 為 了 防 止 此 般 問 囲 通 常 在 將 基 板由霣 ·、 極 上 卸 下 之 頁 ·»_ 1 1 、4n 刖 先 行 Μ 掉 直 流 霣 源 0 1 I 假 設 未 將 基 板 及 霣 極 間 之 電 位 差 設 定為零 就 停 止 電 漿 1 1 I 之 產 生 的 話 (即在X期間之後 就 達 到Z點的話), 就 會 變 成 基 1 訂 板 之 霣 壓 V SUBSTRATE = 0 霣極之霣壓V ELECTRODE =0 〇 乍 看 下 1 1 9 如圈7所示般可看成靜霣吸著力F =0 〇 但是* 實 際 上 停 止 1 I 霣 漿 產 生 後 靜 霣 荷 ft Q RESIDUE 會殘留在基板及霣極間 1 1 Ο 贜 之 在 脫 離 基 板 時 殘 存 受 該 殘 留 靜電荷 m « 所 堆 成 之 吸 著 力 F RESIDUE < >靜«荷受到脯存之理由是 >在停止 1 1 霣 漿 產 生 之 前 猫 存 之 靜 霣 荷 沒 有 在 m 漿中放 霣 之 故 〇 然 I 1 I 而 f 對 於 本 發 明 而 言 » 使 齡 存 於 基 板 及 霣極間 之 電 荷 在 電 - 1 1 漿 中 放 霣 之 通 程 可 以 說 是 很 重 要 的 作 業 〇 1 | 根 據 本 發 明 » 在 即 將 结 束 處 理 之 前 控 制連接 於 霣 極 上 之 1 I 直 流 轚 m 9 使 霣 m 之 霣 位 相 等 於 白 钃 霣 壓。當 脫 鐮 基 板 時 1 1 » 靜 電 吸 著 力 維 持 在 零 的 狀 態 0 1 1 [實豳例] 1 I 以 下 乃 根 據 實 施 例 來 說 明 本 發 明 〇 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) -10- B7 五、發明説明(8 ) 請 先 閲 讀. 背 1¾ 之. 注 意 事 項 再 填 I裝 頁 圖1是裝入外施電懕控制板乾式蝕刻法裝 置的第1»施例。圖1是真空容器•在該真空容器内安裝了 基板23,例如相對安裝著裝載半導體晶片之台2和相對電 極3。在真空容器1内,連接導入蝕刻氣體之管4和真空泵( 無圖解)。 如圖2所示,基板裝載台2是Η貫穿舆空容器1之底壁的 高週波外施霣播5為主賭。高週波外施電掻5除了其上面其 餘週圍皆Μ涵嫌材料6覆蓋著。絕緣材料6之側面是Μ密封 \ 訂 線 11包住。絕緣材料6之上面覆Μ著用合成樹脂製成的外蓋 10。在高通波外施霣極5之上面,安裝了厚度約300wb厚 的専電雔8。専電818中埋設了做靜電吸著用的電極7。導 電體8是Μ含有氧化鈦之氧化紹為主要成分。高週波外施 電棰5及靜電吸著用電極7之間介著専電性元件9’故直流 連接。於高週波外施電極5上突出外側之部分,裝有使冷 卻水在高週波外施電極5内之通路(無圖解)上循瑁用之入 口及出口 1 2。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 高週波外豳甯槿5上·介著整合線路13連接rf (13.56MHz)電源14。更且,高週波外施電極5上,介著高 週波截波器線路15,連接著做靜電吸著用的直流電源16° 直流霄源1 6之_出電ffi是依诚_出控制線路1 7而變化。又 .高週波外施®極5及接地間,連接著專為檢測出高週波 外施電極5及接地間之高週波锵壓最大值(Vpp)的檢出線路 1 8。該檢出線路1 8之輸出信號傳輸到演算自偏電颳(V d c ) 之演算線路19上。而該演算跺路19之輸出信號輸入到輸出 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 控制線路1 7上。. 圖3是Μ裝入外施霣壓之控制裝置的ECR電漿進行基板處 理的ECR裝置的第2實施例。舆空容器1上,介著専波管F1 連接微波(2.45GHz)S源20。於真空容器1之外側上,安裝 了環狀線圈22;使磁埸(875高士)能外施在真空容器1内。 其他之構成因和圄1、2之情況相同•所Μ在同一元件上使 用同一符號。 在上述各實施例方面•於舆空容器1内介著管4専入過程 氣艚的同時做真空排氣;並將過程氣饉的壓力設定在固定 的壓力,較佳的話可設定在10- 3 Torr〜10 - 6 Torr間。 在固定壓力下介著微波電源20使ECR電漿在真空容器1內產 生。利用該ECR1I漿在裝載於台2的基板23上進行表面處理 *例如,進行蝕刻法處理及保存處理等。 當處理該電漿時•介著基板23及導電賭8使電位差產生 於和靜霄吸著用《極7之間並將基板23固定在基板裝載台2 上。由於在基板23上產生負的自偏電壓Vdc所Μ要利用(a) 將電極7接地(接地霣位)、(b)由負的自偏電壓Vdc絕對值 後形成較大的負直流電位或(c)由負的自偏電JEVdc形成較 高的直流電位(最好是正電位)來使其產生電位差。因Μ輸 出控制線路1 7控制直流甯源1 6之輸出電壓所以能調整電位 差。因此,根據該電位差使得基於前述(2)式之靜電吸著 力在基板23上發生作用。由於該靜電吸著力之故*基板23 被強推至基板装載台2上。因為基板23緊貼著基板裝載台2 上,在電漿處理中基板2 3靠循環於高週波外施電極5內之通 -=—1-2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4说格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 線 A7 293231 B7 五、發明説明(10) 路上的冷卻水冷卻之。 在即將结束固定的®漿處理之前·將處理終了之信號送 至輸出控制線路17上,將直流锺源16之輸出電壓相等於以 檢出線路18及演算線路19求出之自偏電壓時,也就是相當 於將電位差設定為零。利用該設定就能將作用於基板23上 之靜電吸著力設定為零。在其設定後不久,若停止電漿產 生的話,基板23躭能從基板裝置台2上脫離。因在將電位 差設定為零的狀態下停止電漿的產生,所Μ在脫離基板時 靜電吸著力不畲再次出現。再刖•在將儲存於基板及電極 間之靜電荷量設定為零之後停止電漿產生之故,霣荷不會 殘留在基板23及電極7間的導馑體8上;甚至不會殘留在形 成於基板23背面之専«雔膜内。基板在脫離之際受某棰因 素而產生殘留電荷之基板也不會發生破損。因而•在脫離 基板前替進行本發明之方法的适,魷能迅逑、確賁、安全 地脫離基板。若以脫離基板的方法來講,例如,有將安裝 在基板装載台2上之計,推上對應於如發表於日本専利申 請平6-48703所示般之基板中央部的位置上而脫離基板的 方法。 圖4,表示作用於基板23之_電吸著力變化的圖解。a點 至b點之間•是使靜電吸著力作用於基板23之期間。 圖4中是在描述结束電漿處埋前60秒之靜電吸著力的變 化情形。爾漿處理時間畏根挞§1·對基板2 3的進行的處理種 類;例如•蝕刻法及焊濺法(Spattering:)等及流程條件; 例如*外施週波數及壓力等因素而變化的。 -=--4-3 --- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(1 ϊ) A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印製 在b點上設定霣插7的電位相等於自偏電壓的電位。在c 點上,靜電吸著力變成零,结束電漿處理(停止電漿產生) 。之後,靜電吸著力保持在零位上。 本發明*在c點以後由於靜锴吸著力可K維持在零狀態 下,所以針對從b點至c點間的時間而言設定充足的時間(1 〜2秒),並進行脫離基板的話•就能確實、且安全地進行 脫離作業。 然而,若基板及®極間之電位差最大約1〇〇 V的話,即使 利用4支針頂起基板之背面並從電極上使8时品片離開,發 明者們也能確認躲奄對基板無俱傷地脫離。根撺發明者對 於該項的確認,應用了發表於日本專利申請平6-48703所 示之機械性脫離结構。 [發明之效果] 如以上說明,若根撺本發明,由於受過處理的基板在脫 離時能將靜電吸著力設定為零之故,所Μ能迅速、確實且 不造成破損又安全地进行基板脫離作業。本發明有效於提 高電漿處理之高生產性 [圖面之 [_ 1] 本發明為裝入平行板乾式蝕刻法装置之實胞例的構成圖 [圖2] 同圈實施例之基板裝載台部份的擴大剖面_。 [圈3] 本發明裝入ECR装置之實拖例的構成圖。
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(2丨0 X 29?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 線. .ι*ιϋ^ίηκ·· ',㈣扣 A7 B7 五、發明説明(12) [圖4] 表示本發明實施例之靜電吸晋力變化的圖解。 [圖5] 表示先前技術之靜電吸著力變化的圖解。 [圖6] 放大圃5 —部份的围解。 [圖7] 随時間之經過,表示基板及馑極間之電壓,靜電吸著力 變化的圖解。 、 [圖8] 電漿產生中及電漿停止後的等價線路m型。 [元件編號之說明] 1.....真空容器, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. --β 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 2… ..基板裝載台* 3 .相對電極· 4… ..氣體導入部, 5 • · · « .高週波外施電 極, 6… ..絕緣材料· 7 . 馆極(靜電吸著 電掻 8… ..導電體, 9 . 辿接件, 10 .. ...外蓋, 11. 12.. …入口、出口 » 1 3 . ....整合線路 » 14.. ...高週波電源 » 15 .....高週波截 波器 16.. ...直流電源, 1 7 . ____蝓出控制線路 18 .. 20 .. ...檢出線路, ...微波源* 21 19 .. ...·澳算線路· .導波管, 22 .. ...線圈, 23 .. 被處理基板。 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 44
Claims (1)
- 8 88 8 ABCD 經濟部中央標準局貝工消费合作社印策 六、申請專利範圍 巧:':..,: 1. 一種基板脫離方法,其特法':凑_ j遍|^:丨到外施於霄棰上 '之直流電壓•及霣漿的影響在基板上產生負的自偏電壓間 的電位差所誘發之靜霣吸著力,在使保持於電極上之基板 脫離前,控制直流«懕並於脫離基板時在基板不破m的狀 況下設定其電位差•其電位差在設定後停止電漿的產生者。 2 .如申謫專利範圃第1項之基板脫離方法,其中κ受到 外施於電極上之直流電壓,及遒漿的影饗在基板上產生之 負的自偏罨壓藺的電位差所誘發之靜電吸著力,在使保持 於電極上之基板脫離前,控制直流電壓將其電位差設定在 約1 〇 〇 v μ下,其電位差在設定後停止電漿的產生。 3 .如申請専利範園第1項之祛板脫離方法,其中Μ受到 外施於電極上之真I,電懕,及電漿的影響在基板上產生之 負的自偏g g 差所誘發之靜電吸著力,在使保持於 電極上之基板脫離前,控制直流電壓將其電位差設定為零 ,於電位差設定為零之後停丨h遒漿的產生。 4.如申餹專利範圃第3項之站板脫法,其中在即將 停止電漿產生之前·使直流的自偏甯12。 5 . —棰基板脫離方法,其特接地之電極及 電漿的影堪在基板上產生之負的^偏電壓間的電位差所誘 發之靜電吸著力,在使保持於霜極上之基板脫離前,將直 流電壓外施到堪極上使其電位差設定為零,在電位差設定 為零之後停止電漿的產生。 6.如申謫專利範圃第5項之站板脫離方法*其中在基板 處理即將結束之前,將相等於負的自偏電懕之直流電懕外 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印$L S93231 b8 D8 六、申請專利範圍 施至罨極上。 7. 如申謫專利範園第1項或第5項之基板脫雔方法,其中 在基板及電極的«位差變成零之後,進而在作用於基板及 電極間的靜霣吸著力變成零之後會立刻停止電漿的產生。 8. 如申請專利範圍第1項或第5項之基板脫雔方法’其中 在停止電漿產生的同時,停止外施直流電壓至電極上。 9. 如申請專利範園第1項或第5項之基板脫離方法*其中 電漿是,根撺外施rf至平行板電極間,電子迴磁共鳴 (ECR)、螺旋波(helicon wave)或感應耦.合的影而產生 的。 10. —棰外施電®之控制裝置,其控制外施至靜電吸著 定位的罨壓之裝置,其钽含為了使靜電吸著力產生於基板 及電極間而外施直流堪壓至馆極上的裝置檢出產生 電漿用之高週波霄懕最大值< V p P )的裝置(1 8 );從高週波 電K之最大值(Vpp)演算自偏電JE (Vdc)的裝置(19);及根 據其自偏霣壓(Vdc)控制電外胞直流電K裝置(16)所输出 之直流電壓的裝置(1 7 )。 11. 如申講専利範圃第10項之外皰電腔之控制裝置*其 中輸出控制裝置(17),在基板處理即將结束之前需使直流 電壓等於自偏®JE(Vdc)。 1 2 .如申請專利範围第1 〇項之外施電壓之控制裝置’其 中演算裝置(19),是MVdc = aVpp土 b(a、b為常敝)之式子 來進行演算。 1 3 .如申請專利範圃第1 〇項之外施電壓之控制裝置,其 _二_2_二 本紙張尺度適用中國國家#準(CNS ) A4说格(210X29?公釐) (诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装 訂 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範園 中演算裝置(19)内•記憶著對應VPP之Vdc的資料。 14.如申請專利範園第10項之外胞電壓之控制裝置,其 中直流電壓外施裝置(16)·具有為了截掉產生電漿用之高 週波的《波器(1 5 )。 1 H- ,,—. (裝 .訂 ^ ^ (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消f合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9013294 | 1994-04-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW293231B true TW293231B (zh) | 1996-12-11 |
Family
ID=13989987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084100749A TW293231B (zh) | 1994-04-27 | 1995-01-27 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5699223A (zh) |
KR (1) | KR0184296B1 (zh) |
TW (1) | TW293231B (zh) |
Families Citing this family (22)
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- 1995-01-27 TW TW084100749A patent/TW293231B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-03-04 KR KR1019950004431A patent/KR0184296B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-03-24 US US08/409,991 patent/US5699223A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR950029372A (ko) | 1995-11-22 |
KR0184296B1 (ko) | 1999-04-01 |
US5699223A (en) | 1997-12-16 |
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