KR950029372A - 기판이탈방법 및 인가전압의 제어장치 - Google Patents
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Abstract
〔목적〕피처리기판의 뒷면의 유전체의 유무에 불구하고, 정전흡착된 기판을 신속, 확실, 또는 안전하게 이탈 가능하게 하는 기판이탈방법 및 정전흡착클램프에의 인가전압을 제어하는 장치를 목적으로 하고 있다.
〔구성〕정전흡착력으로 전극에 유지된 기판을 이탈하기전에, 기판과 전극의 전위차를 0으로 하고, 그후 플라즈마의 생성을 정지한다. 인가전압을 제어하는 장치는 플라즈마 생성용의 고주파 전압의 최대치(Vpp)를 검출하는 회로와, 고주파전압의 최대치(Vpp)로부터 셀프바이어스전압(Vdc)을 연산하는 회로와, 그 셀프바이어스 전압(Vdc)에 의거하여 직류 전원에 의해 출력되는 직류전압을 제어하는 출력제어회로를 구비하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 평행평판형 드라이 에칭장치에 편입된 실시예의 구성도, 제2도는 동일한 실시예의 기판재 치대 부분의 확대단면도, 제3도는 본 발명이 ECR장치에 편입된 실시예의 구성도.
Claims (14)
- 전극에 인가된 직류전압과 플라즈마에 의해 기판에 생긴 부의 셀프바이어스 전압과의 전위차로 유기되는 정전흡착력으로 전극상에 지지된 기판을 이탈하기전에, 직류전압을 제어하여 그 전위차를 기판을 이탈할때에 기판이 파손되지 않을 정도로 설정하고, 그전위차의 설정후에 플라즈마의 생성을 정지하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 제1항에 있어서, 전극이 인가된 직류전압과 플라즈마에 의해 기판에 생기는 부의 셀프바이어스 전압과의 전위차로 유기되는 정전흡착력으로 전극상에 지지된 기판을 이탈하기전에 직류전압을 제어하여 그 전위차를 약 100v이하로 설정하고, 그 전위차의 설정후에 플라즈마의 생성을 정지하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 제1항에 있어서, 전극에 인가된 직류전압과 플라즈마에 의해 기판에 생기는 부의 셀프바이어스 전압과의 전위차로 유기되는 정전흡착력으로 전극상에 지지된 기판을 이탈하기전에 직류전압을 제어하여 그 전위차를 0으로 하고, 전위차를 0으로 한후, 플라즈마의 생성을 정지하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 제3항에 있어서, 플라즈마 생성정지직전에 직류전압을 부의 셀프바이어스전압과 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 접지된 전극과 플라즈마에 의해 기판에 생기는 부의 셀프바이어스 전압과의 전위차로 유기되는 정전흡착력으로 전극상에 지지된 기판을 이탈하기전에, 직류전압을 전극에 인가하여 그 전위차를 0으로 하고, 전위차를 0으로한후, 플라즈마의 생성을 정지하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 제5항에 있어서, 기판처리 종료직전에 부의 셀프바이어스 전압과 동등한 직류전압을 전극에 인가하는 것을 특징으로하는 이탈방법.
- 제1항 또는 5항에 있어서, 기판과 전극의 전위차가 0으로 되고, 다시 기판과 전극간에 작용하고 있었던 정전흡착력이 0으로된 직후에 플라즈마 생성을 정지하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 플라즈마 생성정지와 동시에 전극에의 직류전압의 인가를 정지하는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 플라즈마는 평행평판 전극간에의 rf의 인가, 전자 사이클로톤공명(ECR), 핼리콘파 또는 인덕티브커플에 의해 생성되어 있는 것을 특징으로 하는 이탈방법.
- 정전흡착 클램프에 인가되는 전압을 제어하는 장치는, 기판과 전극과의 사이에 정전 흡착력을 발생시키기 위해 전극에 직류전압을 인가하는 수단(16)과, 플라즈마 생성용의 고주파전압의 최대(Vpp)를 검출하는 수단(18)과, 고주파전압의 최대치(Vpp)로부터 셀프 바이어스전압(Vdc)을 연산하는 수단(19), 및 그 셀프바이어스전압(Vdc)에 의거하여 직류 전압인가수단(16)에 의해 출력하는 직류전압을 제어하는 수단(17)을 포함하는 것을 특징으로 하는 인가전압 제어장치.
- 제10항에 있어서, 출력제어수단(17)은, 기판처리 종료직전에 직류전압을 셀프바이어스전압(Vdc)과 동등하게 하는 것을 특징으로 하는 인가전압제어장치.
- 제10항에 있어서, 연산수단(19)은, Vdc=aVpp±b(a, b는 정수)로 연산을 행하는 것을 특징으로 하는 인가전압제어장치.
- 제10항에 있어서, 연산수단(19)에는 Vpp에 대응하는 Vdc의 데이타가 기억되어 있는 것을 특징으로 하는 인가전압제어장치.
- 제10항에 있어서, 직류전압인가 수단(16)은 플라즈마 생성용의 고주파를 컷하기 위한 필터(15)를 가진 것을 특징으로 하는 인가전압제어장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5894400A (en) * | 1997-05-29 | 1999-04-13 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Method and apparatus for clamping a substrate |
US5933314A (en) * | 1997-06-27 | 1999-08-03 | Lam Research Corp. | Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks |
US5886865A (en) * | 1998-03-17 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck |
US6198616B1 (en) * | 1998-04-03 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system |
GB9812850D0 (en) * | 1998-06-16 | 1998-08-12 | Surface Tech Sys Ltd | A method and apparatus for dechucking |
US6125025A (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-26 | Lam Research Corporation | Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors |
US6790375B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-09-14 | Lam Research Corporation | Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors |
US6965506B2 (en) * | 1998-09-30 | 2005-11-15 | Lam Research Corporation | System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
JP4590031B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置機構 |
US7541283B2 (en) * | 2002-08-30 | 2009-06-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
JP4416569B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
US7323116B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring self-bias voltage |
KR100653707B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2006-12-04 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리장치의 플라즈마 처리방법 |
KR100745153B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-08-01 | 주식회사 래디언테크 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
TWI390582B (zh) * | 2008-07-16 | 2013-03-21 | Sumitomo Heavy Industries | Plasma processing device and plasma processing method |
US8313612B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
KR102168064B1 (ko) * | 2013-02-20 | 2020-10-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP7012454B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2022-01-28 | 株式会社岡本工作機械製作所 | 静電吸着チャックの製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP7138497B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2022-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定装置、測定方法及びプラズマ処理装置 |
CN111937132A (zh) * | 2018-04-04 | 2020-11-13 | 朗姆研究公司 | 带密封表面的静电卡盘 |
US10770257B2 (en) * | 2018-07-20 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
JPS5590228A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dry etching device |
JPS5653853A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-13 | Hitachi Ltd | Production of sheet and its apparatus |
JPH06104898B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1994-12-21 | 忠弘 大見 | 減圧表面処理装置 |
JPH0730468B2 (ja) * | 1988-06-09 | 1995-04-05 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
JP2779950B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1998-07-23 | 東陶機器株式会社 | 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 |
US5091049A (en) * | 1989-06-13 | 1992-02-25 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
JP3182615B2 (ja) * | 1991-04-15 | 2001-07-03 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理方法および装置 |
US5226967A (en) * | 1992-05-14 | 1993-07-13 | Lam Research Corporation | Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber |
JP3259380B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-02-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5467249A (en) * | 1993-12-20 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with reference electrode |
US5463525A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Guard ring electrostatic chuck |
US5459632A (en) * | 1994-03-07 | 1995-10-17 | Applied Materials, Inc. | Releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
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