KR940022782A - 웨이퍼 방출방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 위치 및 클램프 센서에 관한 것이다. 회로(114)는 웨이퍼 지지대 내의 2개의 전극(22),(24) 사이의 정전용량을 감지한다. 웨이퍼가 지지대에 없는 경우, 정전용량을 제1범위로 떨어지고, 웨이퍼가 제자리에 있지만 클램프 되지 않을 경우, 정전용량이 제2범위에 있게 되고, 웨이퍼가 정전흡인력에 의해 제위치에 있을 경우 정전용량은 제3범위에 있게 된다. 감지된 정전용량은 쉽게 감지될 수 있고 웨이퍼 위치와 웨이퍼 클램핑을 따르는 주파수와 D.C.전압 레벨로 변환한다. 웨이퍼가 처리된 후, 웨이퍼가 제거 되고 다음 순서의 웨이퍼가 처리된다. 웨이퍼를 지지대에 클램프 하도록 인가된 클램핑 전압이 웨이퍼를 방출하도록 제어된 주파수에서 역으로 된다. 역전압은 웨이퍼와 지지대 사이의 정전흡입을 방지한다.

Description

웨이퍼 방출방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 이온주입기에 이용된 웨이퍼 지지대의 평면도, 제3도는 제2도의 평면(3-3)에서 본 도면.

Claims (8)

  1. (가)반도체 웨이퍼를 웨이퍼 지지대(14),(16),(18),(20)에 위치시키는 단계와; (나)웨이퍼가 웨이어 지지대에 있을 때, 반도체 웨이퍼와 웨이퍼 지지대 사이에 정전흡입을 발생하도록 웨이퍼 지지대를 전기적으로 바이어싱 함으로써 웨이퍼를 지지대에 고정시키는 단계와; (다)웨이퍼와 웨이퍼 지지대 사이에 흡입을 유지하는 동안 웨이퍼를 처리하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼(12)를 처리하는 웨이퍼 처리방법에 있어서; (라)웨이퍼와 웨이퍼 지지대 사이의 정전흡입을 감소시키도록 웨이퍼 지지대에 교류 극성 전기 바이어스를 인가한 후 웨이퍼를 웨이퍼 지지대에서 분리함으로써 처리된 웨이퍼를 지지대에서 제거하는 단계를 특징으로 하는 웨이퍼 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 웨이퍼를 고정시키는 단계는 직류전압을 지지대에 있는 2개의 전극(22),(24)에 인가함으로써 성취되고, 정전흡입은 소정의 시간 간격동안 제어된 주파수로 직류전압의 극성을 되풀이 해서 반대로 함으로써 감소되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리방법.
  3. (가)웨이퍼를 맞물리는 유전체면과, 웨이퍼를 웨이퍼 지지대에 정전기적으로 흡입하는 2개의 전극(22),(24)을 포함하는 지지수단(14),(16),(18),(20)과; (나)전극을 따라 제어된 극성 바이어스를 제공하는 회로를 포함하는 2개의 전극을 통전시키는 전원(44)과; (다)전원에서 2개의 전극까지의 통전신호의 인가를 제어함으로서 웨이퍼가 웨이퍼 지지대에 위치할 때, 웨이퍼를 웨이퍼 지지대에 흡입시키는 제어기(250)를 포함하는 웨이퍼 처리장치에 있어서; (라)상기 웨이퍼가 지지수단과 접촉하는 동안 전원이 상기 전극을 주기적으로 역바이어스 하게 하는 수단(370)을 포함하는 상기 제어기(370)를 특징으로 하는 웨이퍼 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 전원전압이 전극에 가해질 때 전극 사이의 감지된 정전용량이 따라 전원에 의해 제공된 흡입을 감지하는 센서회로(114)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 제어기는 제어된 시간 간격동안 제어된 주파수로 전극의 바이어스를 변경하도록 전원에 연결된 발진회로(300)를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리장치.
  6. (가)반도체 웨이퍼를 지지하는 유전층(20)과; (나)상기 전기 유전층을 지지하는 베이스부재(16)와; (다)상기 유전층 뒤에 위치하여, 상기 베이스부재 내에 지지된 제1 및 제2 전극(22),(24)과; (라)상기 제1유전층과 상기 웨이퍼 사이에 정전흡입력을 발생하도록 제1 및 제2전극에 전기전위를 인가하는 전원수단(44)과; (마)제1전극과 제2전극 사이의 정전용량을 감지하고, 웨이퍼가 제1유전층에 위치할 때 정전용량의 변화를 감지하며, 웨이퍼가 제1전극과 제2전극 사이의 정전흡입력에 의해 위치됨에 따라 상기 정전용량의 변화를 감지하는 수단(114)을 포함하는 반도체 웨이퍼(12)의 이온 주입용 장치에 있어서; (바)유전층에 위치한 웨이퍼를 클램프 및 방출하도록 제1 및 제2전압에 인가된 전압의 극성을 바꾸는 전원(44a),(44b)을 포함하는 상기 전원 수단을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이온주입용 장치.
  7. 제6항에 있어서, 전원이 상기 전극에 인가된 바이어스의 극성을 바꾸는 비를 제어하는 제어기(250)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이온주입용 장치.
  8. 제7항에 있어서, 제어기는 발진기의 주파수를 토대로 클럭 주파수로 극성을 스위치하는 발진기(300)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 이온주입용 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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