JPH077074A - ウエハを解放する方法及び装置 - Google Patents

ウエハを解放する方法及び装置

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JPH077074A
JPH077074A JP6674094A JP6674094A JPH077074A JP H077074 A JPH077074 A JP H077074A JP 6674094 A JP6674094 A JP 6674094A JP 6674094 A JP6674094 A JP 6674094A JP H077074 A JPH077074 A JP H077074A
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electrodes
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Julian G Blake
ガスキル ブレイク ジュリアン
Weilin Tu
チュー ベイリン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェハのハンドリングを容易にしたウエハ処理
方法およびその装置を提供すること。 【構成】ウェハのハンドリング装置にキャパシタ感知回
路とウエハ解放回路を設け、ウェハ支持体が誘電層20、
ベース部材16、第１，第２電極22、24 を備えて、この電
極間に電源44を接続し、誘電層とウェハとの間に静電吸
引力を発生させ、電極間のキャパシタンスを感知する。
このキャパシタンスの変化により、ウエハがウエハ支持
体上に存在するか、さらにウエハがウエハ支持体に固定
されているか否かの判別を行う。ウエハの解放は、クラ
ンピング電圧を制御された回数で逆転させることによ
り、ウェハとその支持体との間の静電吸引力が断ち切ら
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハをウェハ
支持体に当接保持するための静電クランプアセンブリに
関し、特にそのようなクランプの作動を制御する方法及
び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】「交流電界励磁を利用した静電チャッ
ク」と題する米国特許第5,103,367 号は、半導体ウェハ
の処理中にウェハを支持体に接触した状態に保持するた
めの機構に関するものである。ここに開示された静電チ
ャックは３つの電極を有しており、そのうちの２つはほ
ぼ平坦な表面を備えて、薄い誘電体フィルム内に埋め込
まれている。
【０００３】これらの２つの電極は、低周波（約200 ヘ
ルツ）交流電源によって励起されて、制御振幅及び位相
の正弦波磁界を発生する。第３電極は、他の２つの電極
に対する基準点として作用するシールド電極を利用して
いる。電圧の印加及び除去の割合を制御することによっ
て、低い電圧勾配（電界強度）がウェハ支持体に与えら
れる。これによって、誘電媒体とウェハとの間に保持力
がなくなる。
【０００４】こうして、低周波交流の振幅によるチャッ
クの励磁によって、ウェハ及び誘電体フィルムの相対位
置での容量性電流の感知を行うことができるようにな
り、電極への電圧印加の簡単な制御が可能になる。
【０００５】静電クランピングに関する共通の問題は、
クランプに印加されている保持電圧がオフになっても、
ウェハがクランプから離脱しないことである。この残留
クランピング力には幾つかの要素が関係している。
【０００６】第１に、ほとんどの誘電体は、強い電界を
受けた後にはある程度の半永久的極性を示すことがあ
る。この極性が、印加電圧の除去後にもクランピング力
を維持する効果を持っている。誘電率が高い素材は、特
にこの影響を受け易く、高い誘電率によってクランピン
グ力が向上することから、ウェハ支持体用の誘電材とし
て好ましいのは、高誘電率の素材である。
【０００７】第２に、誘電体が残留極性のない完全な材
料であったとしても、クランプに蓄積されている弾性エ
ネルギが残留クランピング力を生じる可能性がある。例
えば、弾性物質がクランプ構造の一部に用いられている
場合においても、クランプのキャパシタンスが電圧に依
存する。このため、電源を単純に短絡するだけではクラ
ンプを解放することが不可能で、クランプ構造を含む一
連のコンデンサを放電させることが必要である。すなわ
ち、蓄積エネルギを外部回路へ消散させなければならな
い。クランプ回路は単純な直流電源ではなく、キャパシ
タンス及びインダクタンスを含むため、外部回路を介し
た単純な短絡では蓄積エネルギを抜き取ることができな
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような事情にかん
がみて、本発明は、静電吸引力によりウェハをウエハ支
持体に固定し、かつこれを分離する際のウェハのハンド
リングを容易にしたウエハ処理方法およびその装置を提
供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハ
のイオンビーム処理の前後にウェハのハンドリングを行
う方法及び装置に関するものである。処理前に、半導体
ウェハは、ウェハ及びウェハ支持体間に静電吸引力を発
生することによってウェハ支持体に固定される。次に、
ウェハは一般的に処理部へ移動され、その後にローディ
ング部へ戻されて、支持体から取り除かれる。
【００１０】ウェハの処理中、ウェハ及びウェハ支持体
は相互の静電吸引力によって互いに引き合っている。こ
れは、ウェハ支持体内に配置された電極を励起すること
によって行うことが最も好ましい。電源が、この静電吸
引力を発生させるバイアスを電極にかける。
【００１１】ウェハが処理された後、ウェハ及びウェハ
支持体間の吸引力を減少させることができるように、電
源の出力極性が制御された速度で切り換えられる。これ
によって、ウェハを従来技術の機械式ウェハハンドリン
グ装置によってその支持体から取り除くことができるよ
うになる。制御されたスイッチングは、支持電極の両端
に加えられる電位差の振幅の漸減によって行われる。ウ
ェハ及び支持体間の吸引力を減少させることによって、
ウェハは損傷を受けずに移動され、従ってイオン注入機
の効率を向上させることができる。
【００１２】従来形ウェハ処理装置内に見られたウェハ
及びウェハ支持体間の残留吸引力が、ウェハ支持体内に
蓄積された電荷によって発生する可能性もある。静電ク
ランピングの構造を考えて、支持体を直列接続の多数の
コンデンサで形成することができる。
【００１３】様々なコンデンサは、素材層の違いで異な
った誘電率を示す。内部で一定の均衡に達した（処理中
に１つのコンデンサが別のコンデンサの充電電源にな
る）時に放電電流の流れが停止するため、ウェハ支持体
を単純に短絡することによってすべてのコンデンサを完
全に放電させることができるわけではない。本発明によ
れば、残留電荷が無視できる程度になるまで、十分な放
電電流が維持される。
【００１４】周波数変調を適用する、すなわち低周波か
ら高周波までの可変周波数で電源の電圧極性を（２つの
支持電極の両端で）切り換えることによって、バイアス
電圧を減衰振幅に近づけることができる。この技術は、
コンデンサが理想的ではなく、ウェハ支持体の弾性材の
ために実際に「損失が多い」誘電率を有しているという
事実に基づいている。このようにコンデンサを「働かせ
る」ことで、蓄積エネルギが消散する。
【００１５】
【作用】キャパシタ感知回路が、ウェハ支持体内の２つ
の電極間のキャパシタンスを監視する。支持体上にウェ
ハが存在しない場合、キャパシタンスはある範囲内にあ
り、ウェハが存在するが固定されていない場合、キャパ
シタンスは第２範囲内にあり、ウェハが静電吸引力によ
って固定保持されている場合、キャパシタンスは第３範
囲内にある。感知されたキャパシタンスは周波数に変換
されてから、感知しやすく、ウェハの存在及びウェハの
固定を確認するために利用しやすい直流電圧レベルに変
換される。ウェハが処理された後、そのウェハは取り除
かれて、次のウェハが処理される。ウェハをその支持体
に固定するために加えられたクランピング電圧を制御回
数で逆転させることによって、ウェハが解放される。す
なわち、電圧逆転により、ウェハとその支持体との間の
静電吸引力が断ち切られる。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図２および図３は、半導体ウェハ12（図３）を処理のた
め支持固定するクランプチャックアセンブリ10を示して
いる。図３において、クランプアセンブリ10は、好まし
くはアルミナまたはモリブデンで形成されたバッキング
プレート14と、やはりアルミナで形成されたベース部材
16と、ガラス製の誘電層18と、アルミナ製の誘電層20と
を備えている。ガラス層18と誘電層20との間に電極22、
24が配置されており、ガラス層18とベース部材16との間
に加熱素子26が配置されている。
【００１７】米国特許第4,261,762 号に記載されている
ように、ガス管継手28が、ウェハ12と誘電層20との間の
接合部に開放するチャックアセンブリ内に延在して、ウ
ェハ12とチャックとの間でガス伝導冷却を行うことがで
きるようにしている。図２に示すように、ガス配給溝29
が誘電層20の上表面に形成されて、ガスの分配を助けて
いる。
【００１８】ベース部材16が、冷却流体を流すチャネル
30を備えたマニホルドを形成している。図示の好適な実
施例では、チャネルが渦巻状に形成されているが、それ
は曲がりくねった経路、あるいは一連の連結チャネルに
することもできる。チャネルはバッキングプレート14に
よって閉鎖されて密閉導管を形成しており、バッキング
プレート14はマニホルドに密着している。バッキングプ
レート14には、冷却剤入口継手32及び冷却剤出口継手34
用の開口が設けられている。本発明のチャックアセンブ
リは広範囲の温度状態で作動するようにしたものである
から、マニホルドを流れる冷媒は用途に応じて液体また
は気体にすることができる。
【００１９】クランプ構造 誘電層20は、好ましくは高純度（99.5％）アルミナの薄
い（約0.25mm）層で形成される。次に、好ましくはペー
スト状の粉末銅アルミニウムまたは銀パラジウムメタル
及びガラスフリットを誘電層上にスクリーン印刷してか
ら、それを約700 ℃で焼成することによって、電極22,2
4 を誘電層20の（図２に示されている）底表面上に形成
する。図２に示されているように、電極は平面図がほぼ
半円形である。
【００２０】加熱素子26は、ペースト状の粉末タングス
テン及びガラスフリットをマニホルド上に連続的に曲が
りくねった形状にスクリーン印刷することによって形成
され、好ましくはこの配置は、図３に示されているよう
に、チャックの横断方向に温度が均一となるように最適
化するために外縁部でヒータ出力密度が高くなるように
する。
【００２１】電極22、24及び加熱素子26を誘電層20上に
焼成してから、誘電層20をマニホルドに付着させる。上
記組付けが完了した後、バッキングプレート14を炉内ろ
う付けまたはシーリングガラスによってマニホルド16の
底部に密着させる。
【００２２】図３に概略的に示されているように、挿入
孔36、38が、バッキングプレート14、マニホルド16及び
誘電層18を貫通して形成されており、挿入孔36は電極22
に接続した第１導体40用の孔であり、挿入孔38は電極24
に接続した第２導体42用の孔である。
【００２３】導体40、42は、ろう付けまたは他の適当な
方法で、例えば電極と係合可能なばね接点を設けること
によって電極に取り付けられ、誘電層20の表面上に載置
された半導体ウェハ12に静電クランピング力を発生する
ために約３キロボルトの直流信号を発生する電源44（図
１）に接続されている。電源44には、互いに結合されて
両極性出力を発生する２つのモジュール44a,44b が設け
られている。
【００２４】さらに、挿入孔46、48が、バッキングプレ
ート14及びマニホルド16に貫設されており、挿入孔46は
ろう付け等で加熱素子26の一方の端子に取り付けられた
第３導体50用の孔であり、挿入孔48は加熱素子26の他方
端子に同様に取り付けられた第４導体52用の孔である。
また、第３導体50と第４導体52は、加熱素子26を一般的
に120 ボルトで作動するための第２電源54を介して接続
されている。
【００２５】好ましくは、挿入孔36、38及びガス管継手
28用の孔は、構造体に機械加工され、孔36、38はシーリ
ングガラスで密閉され、管継手はそれの孔にシーリング
ガラスで接着される。
【００２６】キャパシタンス感知（監視）回路 図１に示されているように、電極22、24からの２つの入
力110,112 がキャパシタンス感知回路114 に接続されて
いる。これら２つの入力110,112 間のキャパシタンス
は、電極22、24間のキャパシタンスに等しく、電極に印
加される電圧と共に、ウェハの存在の影響を受ける。
【００２７】これら２つの入力は集積回路122 の演算増
幅器120 に結合されている。集積回路は、市販の型番Ｌ
Ｆ356 の回路であり、ナショナル・セミコンダクタ(Nat
ional Semiconductor)から入手できる。演算増幅器120
は、入力110,112 間のキャパシタンスに正比例した周波
数で振動する出力を発生する。
【００２８】演算増幅器120 からの振動出力信号は、０
〜５ボルトの範囲で変動する。この信号は整形されてか
ら、約５ボルトのツェナーダイオード134 によって定め
られた基準入力132 を有する比較増幅器130 へ送られ
る。比較増幅器130 は、50％デューティサイクルで、オ
ン期間が感知されたキャパシタンスに従って変化する、
方形波信号出力を発生する。
【００２９】４インチ直径円のウェハでは、このオン期
間はウェハが正しい位置にない場合に約20マイクロ秒
で、ウェハが層20上に載置されている場合に約30マイク
ロ秒、ウェハが載置されて電源44によって電極にクラン
ピング電圧（約３キロボルト）が加えられている場合に
約40マイクロ秒である。
【００３０】比較増幅器130 からの出力は、対応の光検
出器から光学的に隔離されている発光ダイオード140,14
2 をオン・オフさせる。上部光検出器144 は診断用に用
いられ、この検出器144 からの出力148 は、例えばキャ
パシタンスに伴った周波数変化を監視するオシロスコー
プに送ることができる。
【００３１】第２光検出器146 が、アナログスイッチ15
2 （図５）に結合されたトランジスタ150 をオン・オフ
させる信号を発生する。このアナログスイッチ152 は、
トランジスタ150 のコレクタに接続された入力（IN）を
備えている。トランジスタがオン・オフすると、スイッ
チ152 の出力（S1,S2)の状態が、比較器130 からの方形
波周波数出力に従ってアース状態から８ボルトまで順次
変化する。
【００３２】アナログスイッチ152 からの出力は、抵抗
器／コンデンサ回路154 によって積分されるため、演算
増幅器162 の非反転入力160 へ送られる入力信号は、回
路114 よって感知されたキャパシタンスに正比例した電
圧レベルになる。この演算増幅器162 は電圧フォロワと
して機能するので、(FVOUT) の符号が付けられている出
力164 は、感知キャパシタンスに正比例した直流出力信
号である。
【００３３】この直流出力信号は、注入機の制御装置
（コントローラ）250 （図７）によってそのシステムの
性能を監視するために利用される。ウェハをチャック上
に載置するためのウェハハンドラーは、ウェハがチャッ
ク上にないことが適正に感知されたことに応じて起動さ
れる。ウェハがあることを感知すると、制御装置250 か
らの出力が直流電源44を起動させて電極22、24を励起す
るため、クランプとウェハとの間に静電吸引力が発生す
る。
【００３４】図６は、キャパシタンス感知回路114 に適
した電圧を発生するための電源回路200 を示している。
図６の左側の２つの入力210,212 は、発光ダイオード21
3 を作動する電圧を与える。この電圧は、ツェナーダイ
オード214 の電圧クランピング作用によって12ボルト信
号を発生する。次に、12ボルト信号は集積回路電圧レギ
ュレータ216,218 へ送られて、それらはそれぞれ＋８及
び＋５ボルトを発生する。直流／直流変換器220 が±15
ボルトの信号を発生する。これらの電圧は図４および図
５の回路へ送られて、本発明におけるキャパシタンス監
視が行われる。
【００３５】ウェハの解放 図７の注入機のコントローラ250 は、両極性出力構造の
電源を起動する図８及び図９に示されているウェハ解放
回路300 に接続される。回路300 には、２つの電源モジ
ュール44a,44b に接続された２つの出力(OUT1,OUT2) を
有する論理駆動回路310 が設けられている。
【００３６】電源モジュールは、米国フロリダ州、オー
モンド・ビーチのガンマ・ハイ・ボルテージ(Gamma Hig
h Voltage)が市販しているＭＣ−30電源であることが好
ましい。２つの入力(IN1,IN2) が出力(OUT1,OUT2) を制
御する。
【００３７】入力(IN1) が正の時、論理回路310 からの
出力(OUT1)が正となり、電流源として作用するため、第
１電源モジュール44a が起動する。これが発生した時、
ウェハ支持体に取り付けられている２つの電極間の電圧
は第１極性である。入力(IN2) が正の時、論理回路310
からの出力(OUT2)が正であって電流源として作用し、第
２の切り換え電源モジュール44b が起動するため、電極
間の電圧の極性が切り換えられる。回路310 は、ＳＧＳ
トムソン(Thompson)が型番Ｌ6202で市販している。
【００３８】ウェハ注入に先だってウェハを支持層20上
に載置した後、電源44の一方のモジュールを起動して、
ウェハと支持体との間に静電吸引力を維持できるように
する。これを達成するため、イオン注入中は回路310 へ
のイネーブル入力312 が高レベルで、入力(IN1,IN2) の
いずれか一方が正に維持される。これによって、定電圧
が電極22, 24に加えられるため、ウェハと支持体との間
に静電吸引力を維持できる。
【００３９】ウェハを支持体から解放する時、回路310
へのイネーブル入力312 は高レベルに維持されるが、フ
リップフロップ320 からのＱ出力及びＱバー（否定）出
力によって２つの入力(IN1,IN2) が交互にオン・オフを
繰り返す。電源の極性が切り換えられる回数は、フリッ
プフロップ320 に対する入力322 によって制御される。
【００４０】フリップフロップは２分割カウンタとして
構成されているため、入力の信号の周波数がｆであれ
ば、出力はｆ／２の回数で状態が変化する。Ｑ出力及び
Ｑバー出力が切り換わる時に、起動されるモジュール44
a,44b が切り換えられるため、ウェハ支持体内の電極間
の極性が切り換わる。
【００４１】フリップフロップ320 に接続する入力322
の信号は、図８に示されているように、２つの入力332,
334 を有するＡＮＤゲート330 で発生する。ＡＮＤゲー
ト330 への一方の入力332 は、２つの入力340,342 間で
光アイソレータ344 へ加えられるコントローラ250 から
の制御信号に依存している。入力340 が入力342 に対し
て正である時、光アイソレータ内の発光ダイオード344a
内を電流が流れて光センサ344bを起動させる。これによ
って、低出力が入力332 に供給される。コントローラ25
0 が支持体上にウェハがあることを感知し、この感知状
態に応答してウェハと支持体との間に静電吸引力を働か
せる時、コントローラ250 によって２つの入力340,342
間に電圧が加えられる。
【００４２】コントローラ250 によってクランプ起動電
圧が入力340,342 に加えられた時、ＡＮＤゲート330 へ
送られる入力332 の信号が低レベルになるため、ＡＮＤ
ゲート330 からの出力が低レベルになり、フリップフロ
ップ320 は同一状態に維持される（クランピング中はど
ちらの状態かは重要ではない）。
【００４３】図８に示されているように、光アイソレー
タ344 からのこの低出力信号は、出力がインバータ352
を介してＡＮＤゲート354 （図９）に結合されているＮ
ＯＲゲート350 へも加えられる。光アイソレータ344 か
らの低出力信号によって、ＡＮＤゲート354 の出力が高
レベルになり、従って論理駆動回路310 のイネーブル入
力312 が起動信号を受け取る。２つの入力(IN1,IN2) の
状態によってモジュール44a,44b のいずれか一方が起動
されるため、電圧差がウェハ支持体内の電極に加えられ
る。これによって、ウェハ支持体とウェハとの間の静電
吸引力が働く。インバータ353 からＡＮＤゲート354 へ
送られる第２入力が、(FVOUT) 信号164から誘導された
ハードウェア発生ウェハ感知信号を受け取る。
【００４４】イオン注入の後、コントローラ250 はウェ
ハ電極に加えられている電圧の極性を交互に変化させる
制御信号を与えて、これにより、ウェハ及び電極間の静
電エネルギを消散させることによって静電吸引力が働か
ないようになる。
【００４５】コントローラ250 がウェハクランピングの
操作を行わない時、光アイソレータ344 からの出力信号
が高レベルになり、従ってＡＮＤゲート330 への一方の
入力332 も高レベルになる。コントローラからの２つの
入力360,362 が第２光アイソレータ364 に接続される。
【００４６】入力360 の電圧が入力362 の電圧より高い
正電圧である時、この第２光アイソレータ364 が起動し
て、光アイソレータからの低出力がインバータ366 を介
して送られ、従って高レベルになる。この高レベル入力
信号が第１ワンショット回路370 へ送られて、ワンショ
ット回路370 からのＱ出力372 を高レベルにする。同時
にＱバー出力が低レベルになり、ゲート350 へ送られて
駆動回路310 を使用可能にする。このため、コントロー
ラからの信号340 が取り除かれても、駆動回路は使用可
能状態にある。
【００４７】ワンショット回路370 からのＱ出力は、オ
シレータ回路として構成されている第２ワンショット回
路380 へ送られる。このワンショット回路からのＱ出力
は、外部回路を介して起動入力へ送り戻され、これによ
って第２ワンショット回路380 が約20Hzの所定周波数で
振動する。これによって、ＡＮＤゲート330 へ送られる
入力334 がこの所定周波数のパルス信号を供給する。
【００４８】前述したように、ＡＮＤゲート330 の出力
は、２分割カウンタとして作用するフリップフロップへ
送られる。このため、第１ワンショット回路370 の出力
時間に等しい時間周期で電極の極性が前後に振動する。
ワンショット回路370 がタイムアウトした後、このワン
ショット回路からのＱ出力がオシレータワンショット回
路380 を不作動にし、また回路310 からイネーブル信号
を取り除く。
【００４９】本発明の制御された解放機構の第２実施例
によれば、コントローラ250 が制御されたオン／オフ間
隔で入力340,342 の電圧レベルを直接制御する。入力34
0 が高レベルである時、分岐点322 が低レベルになる。
入力340 を制御された、すなわち調整可能な速度でクロ
ック化することによって、回路310 からの切り換え回数
が制御され、これが２つの電源モジュール44a,44b の極
性切り換えを制御する。
【００５０】コントローラがスイッチングを行うのか、
ワンショット回路370 及びマルチバイブレータ380 の組
み合わせによりスイッチングを制御するのかに応じて、
ワンショット回路370 への入力の３つのジャンパ接続点
Ｐ１, Ｐ２, Ｐ３が設定される。Ｐ１，Ｐ２間のジャン
パがワンショット回路370 を使用不能にし、Ｐ２，Ｐ３
間のジャンパがワンショット回路を使用可能にする。
【００５１】作用 作用を説明すると、処理すべきウェハ12を層20の表面上
に載置して、電源44を励起することによって、ウェハを
チャック上に固定保持できる十分な静電吸引力をウェハ
と層20との間に加える。次に、ウェハをイオン注入室等
のウェハ処理部へ移動させることができるように、チャ
ック10を回転及び並進移動させることができる。
【００５２】注入機コントローラ250 （図７）は、セン
サ252 （例えば圧力測定計、電圧計、機械的位置を測定
するエンコーダ、及び(FVOUT) 出力164 ）から入力を受
け取り、機械的び電気的部材254 （例えば弁、電源、ロ
ボット及び静電クランプ電源44）へ作動コマンドを送る
多数の装置インターフェースを有している。
【００５３】コントローラ内には、作動コマンドを送る
前に実行されなければならない様々なクロスチェックが
プログラムされている（例えば、室がすでにほぼ真空状
態になっていることが確認されなければ、冷却ポンプに
通じた弁を開放できない）。
【００５４】出力164 はウェハの存在及びそれが固定さ
れているかを表示し、ウェハハンドリング及び注入作業
を実行するためのこれらのクロスチェックに対するクリ
ティカル情報を与える。例えば、ウェハが確実に固定さ
れていることが確認されない場合、アセンブリは垂直位
置へ回転しない。同様に、クランプ上のウェハの存在が
確認されない場合、クランプは作動しない。クリティカ
ルクロスチェックが機能しない場合、コントローラ250
は注入機をHOLD（さらなる作動を保留する）状態にし
て、装置またはウェハ製品の損傷を避けることができる
ようにする。
【００５５】一連のクロスチェックの第２の機能は、オ
ペレータインターフェース260 に注入機の状態に関する
情報を与えることである。すなわち、クロスチェックが
機能しない時、アラームメッセージが発生してオペレー
タインターフェーススクリーンに表示されて、ディスク
ドライブに維持されているデータログに記録される。こ
の情報によって、オペレータは正常な注入機の作動を回
復するための補正動作を取ることができる。
【００５６】ウェハがイオン処理された後、ウェハを支
持体から取り除くことができる位置へ置くことができる
ようにアセンブリ10が移動される。次に、コントローラ
250は、電源40の極性逆転を行うようにワンショット回
路370 に信号を送るか、直接的にその極性を制御回数で
切り換える。交互に変化する極性のバイアスが電極にか
けられて、ウェハ支持体とウェハとの間の静電吸引力が
減少することによってウェハが解放される。
【００５７】図７は、制御装置の通常の流れ状態を表し
ている。キャパシタンス感知回路114 及びウェハ解放回
路300 を追加することによって、クランプ10上のウェハ
の状態に関して得られる情報が質的に向上し、ウェハを
効率的に処理することができる。
【００５８】以上に本発明の好適な実施例を詳細に説明
してきたが、本発明の精神の範囲内において様々な変更
を加えることができることは明らかである。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハ支持体内の２つ
の電極間のキャパシタンスを監視して、このキャパシタ
ンス値の変化により、ウエハがウエハ支持体上に存在す
るか、さらにウエハがウエハ支持体に固定されているか
否かの判別を容易に行うことができ、ウェハ及び支持体
間の吸引力を支持電極の両端に加えられる電位差の振幅
の漸減によって行うので、ウェハは損傷を受けずに移動
され、従ってイオン注入機の効率を向上させることがで
きる。
【００６０】また、感知されたキャパシタンスは周波数
に変換され、ウェハの存在及びウェハの固定を直流電圧
レベルで確認できるため、ウエハの取付け状態を感知す
るのが容易となり、ウェハをその支持体に固定するため
に加えられたクランピング電圧を制御された回数で逆転
させることによって、ウェハとその支持体との間の静電
吸引力を断ち切って、ウェハを解放することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電源、静電クランプアセンブリ及びキャパシタ
ンス測定回路を有する本発明の回路構成を示す概略図で
ある。
【図２】イオン注入機に用いられる本発明のウェハ支持
体の平面図である。
【図３】図２の３−３平面に沿って見た断面図である。
【図４】本発明に係るキャパシタンス感知回路の概略図
である。
【図５】図４に示すキャパシタンス感知回路に接続され
るアナログスイッチを含む回路図である。
【図６】図４及び図５の感知回路を作動するための電源
回路である。
【図７】図４及び図５のキャパシタンス感知回路の出力
を利用してイオン注入機を制御するコントローラの流れ
図である。
【図８】図１に示されている電源の出力の極性を制御す
る回路の概略図である。
【図９】本発明に係るウエハ解放回路を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
12 ウェハ 14、16、18、20 支持手段 22、24 電極 44 電源 114 キャパシタンス感知回路 250 コントローラ 300 ウエハ解放回路 370 ワンショット回路
フロントページの続き (72)発明者 ベイリン チュー アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01760 ナティック オーク ストリート ６

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェハ(12)の処理に使用されるウ
    ェハハンドリング方法であって、 ａ）半導体ウェハをウェハ支持体(14、16、18、20) 上に載
    置し、 ｂ）前記ウェハがウェハ支持体上にある時、ウェハ支持
    体に電気バイアスをかけて前記ウェハとウェハ支持体と
    の間に静電吸引力を発生させることによって、ウェハを
    支持体に固定し、 ｃ）前記ウェハとウェハ支持体との間に吸引力を維持す
    る間にウェハを処理するステップを有しており、さら
    に、 ｄ）最初に交番極性の電気バイアスをウェハ支持体にか
    けて前記ウェハとウェハ支持体との間に静電吸引力を減
    少させてから、前記ウェハをウェハ支持体から分離させ
    ることによって、処理済みウェハをウェハ支持体から取
    り除くステップを有していることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 ウェハを固定するステップは、支持体内
    に埋め込まれた２つの電極(22、24) に直流電圧を加える
    ことによって実施され、直流電圧の極性を所定時間の間
    に制御された回数で繰り返し逆転させることによって静
    電吸引力を減少させることを特徴とする請求項１の方
    法。
  3. 【請求項３】 半導体ウェハ(12)を支持するためのウェ
    ハ処理装置であって、 ａ）前記ウェハと係合する誘電表面と、前記ウェハを静
    電的に吸引するための２つの電極(22、24) とを備えた支
    持手段(14、16、18、20) と、 ｂ）電極間に制御された極性バイアスをかけるための回
    路を有する、２つの電極を励起する電源(44)と、 ｃ）前記ウェハがウェハ支持体上に載置されてから、電
    源から２つの電極への励起信号の供給を制御して、前記
    ウェハをウェハ支持体に引き付けるためのコントローラ
    (250) とを有しており、 ｄ）前記コントローラは、前記ウェハが支持手段と接触
    している間に電源が前記電極に加えるバイアスを定期的
    に逆転させるための手段(370) を有していることを特徴
    とする装置。
  4. 【請求項４】 さらに、電源電圧が電極に加えられてか
    ら、電源によって発生する吸引力を電極間の感知キャパ
    シタンスに基づいて監視するセンサ回路(114) を有して
    いることを特徴とする請求項３の装置。
  5. 【請求項５】 コントローラ(250) は、電極にかけるバ
    イアスを制御時間の間に制御された回数で変化させるた
    めに電源に結合されたオシレータ回路(300)を有してい
    ることを特徴とする請求項３の装置。
  6. 【請求項６】 半導体ウェハ(12)のイオン注入に用いら
    れる装置であって、 ａ）半導体ウェハを支持する誘電層(20)と、 ｂ）前記誘電層を支持しているベース部材(16)と、 ｃ）前記誘電層の背後に配置されて前記ベース部材内に
    支持された第１及び第２電極(22、24) と、 ｄ）前記第１及び第２電極に電位を加えて前記第１誘電
    層と前記ウェハとの間に静電吸引力を発生する電源手段
    (44)と、 ｅ）前記第１及び第２電極間のキャパシタンスを感知
    し、前記ウェハが第１誘電層上に載置されている時の前
    記キャパシタンスの変化を監視し、さらにウェハと第１
    及び第２電極との間の静電吸引力によってウェハが保持
    固定されている時の前記キャパシタンスの変化を監視す
    る手段(114) とを有しており、 ｆ）前記電源手段は、誘電層上に載置されたウェハの固
    定及び解放の両方を行うために第１及び第２電極に加え
    られる電圧の極性を交互に変化させる電源(44a,44b) を
    有していることを特徴とする装置。
  7. 【請求項７】 さらに、前記電極に加えられたバイアス
    の極性を電源が変化させる割合を制御するためのコント
    ローラ(250) を有していることを特徴とする請求項６の
    装置。
  8. 【請求項８】 コントローラ(250) にオシレータ(300)
    を設けて、オシレータ周波数に基づいたクロック周波数
    で極性を切り換えるようにしたことを特徴とする請求項
    ７の装置。
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DE (1) DE69426163T2 (ja)
TW (1) TW312034B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007514325A (ja) * 2003-12-15 2007-05-31 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007066572A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Creative Technology Corporation 静電チャック用電極シート及び静電チャック
JP2009010369A (ja) * 2007-06-14 2009-01-15 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2010026893A1 (ja) 2008-09-04 2010-03-11 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及び基板の吸着状態判別方法
JP2013235991A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Ulvac Japan Ltd 給電装置

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684669A (en) * 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US5467249A (en) * 1993-12-20 1995-11-14 International Business Machines Corporation Electrostatic chuck with reference electrode
US5463525A (en) * 1993-12-20 1995-10-31 International Business Machines Corporation Guard ring electrostatic chuck
DE69530801T2 (de) * 1994-10-17 2004-03-11 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc., Gloucester Montageelement und methode zum klemmen eines flachen, dünnen und leitfähigen werkstückes
US5737175A (en) * 1996-06-19 1998-04-07 Lam Research Corporation Bias-tracking D.C. power circuit for an electrostatic chuck
JPH1014266A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Sony Corp 静電チャック装置及び静電チャックを用いたウエハの保持方法及び静電チャックからのウエハの脱着方法
US5793192A (en) * 1996-06-28 1998-08-11 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system
US5818682A (en) * 1996-08-13 1998-10-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for optimizing a dechucking period used to dechuck a workpiece from an electrostatic chuck
JP3245369B2 (ja) * 1996-11-20 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 被処理体を静電チャックから離脱する方法及びプラズマ処理装置
US6075375A (en) 1997-06-11 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer detection
US5933314A (en) * 1997-06-27 1999-08-03 Lam Research Corp. Method and an apparatus for offsetting plasma bias voltage in bi-polar electro-static chucks
US5886865A (en) * 1998-03-17 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck
US5969934A (en) * 1998-04-10 1999-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers
US6965506B2 (en) * 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US6790375B1 (en) * 1998-09-30 2004-09-14 Lam Research Corporation Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors
US6125025A (en) * 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6113165A (en) * 1998-10-02 2000-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Self-sensing wafer holder and method of using
US6238160B1 (en) * 1998-12-02 2001-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd' Method for transporting and electrostatically chucking a semiconductor wafer or the like
US6236555B1 (en) * 1999-04-19 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle
US6257001B1 (en) * 1999-08-24 2001-07-10 Lucent Technologies, Inc. Cryogenic vacuum pump temperature sensor
US6496053B1 (en) * 1999-10-13 2002-12-17 International Business Machines Corporation Corrosion insensitive fusible link using capacitance sensing for semiconductor devices
US6362946B1 (en) 1999-11-02 2002-03-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas
US6538873B1 (en) 1999-11-02 2003-03-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump
US6307728B1 (en) * 2000-01-21 2001-10-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US6468384B1 (en) * 2000-11-09 2002-10-22 Novellus Systems, Inc. Predictive wafer temperature control system and method
JP3935367B2 (ja) * 2002-02-06 2007-06-20 キヤノン株式会社 表示素子駆動回路用の電源回路、表示装置及びカメラ
DE10214272B4 (de) * 2002-03-28 2004-09-02 Forschungszentrum Jülich GmbH Halterung für einen Wafer
US6710360B2 (en) 2002-07-10 2004-03-23 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US6774373B2 (en) * 2002-07-29 2004-08-10 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US6900444B2 (en) * 2002-07-29 2005-05-31 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
TWI304158B (en) * 2003-01-15 2008-12-11 Asml Netherlands Bv Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly
US6740894B1 (en) 2003-02-21 2004-05-25 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor
US7100954B2 (en) 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US6947274B2 (en) * 2003-09-08 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on an electrostatic chuck using wafer inertial confinement by applying a single-phase square wave AC clamping voltage
US7072166B2 (en) * 2003-09-12 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on a J-R electrostatic chuck having a micromachined surface by using force delay in applying a single-phase square wave AC clamping voltage
US6946403B2 (en) * 2003-10-28 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Method of making a MEMS electrostatic chuck
US6794664B1 (en) 2003-12-04 2004-09-21 Axcelis Technologies, Inc. Umbilical cord facilities connection for an ion beam implanter
CN1655022A (zh) * 2004-02-14 2005-08-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 基板贴合装置
US6987272B2 (en) * 2004-03-05 2006-01-17 Axcelis Technologies, Inc. Work piece transfer system for an ion beam implanter
US7030395B2 (en) * 2004-08-06 2006-04-18 Axcelis Technologies, Inc. Workpiece support structure for an ion beam implanter featuring spherical sliding seal vacuum feedthrough
US7982195B2 (en) * 2004-09-14 2011-07-19 Axcelis Technologies, Inc. Controlled dose ion implantation
US7629597B2 (en) * 2006-08-18 2009-12-08 Axcelis Technologies, Inc. Deposition reduction system for an ion implanter
KR101295776B1 (ko) * 2007-08-02 2013-08-12 삼성전자주식회사 직류 및 교류 전압들을 교대로 사용하는 웨이퍼의 디척킹방법 및 이를 채택하는 반도체 소자의 제조 장치
US9543110B2 (en) 2013-12-20 2017-01-10 Axcelis Technologies, Inc. Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system
US20150357151A1 (en) 2014-06-10 2015-12-10 Axcelis Technologies, Inc. Ion implantation source with textured interior surfaces
CN108231515B (zh) * 2018-01-11 2019-10-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 减薄后的硅片背面注入工艺中的传送方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
GB2147459A (en) * 1983-09-30 1985-05-09 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck for semiconductor wafers
JPS6216540A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Canon Inc ウエハ搬送装置
DE3879295T2 (de) * 1987-04-14 1993-07-01 Abisare Kakegawa Kk Maschine-einheit mit einer statische elektrizitaet benutzenden haltevorrichtung.
JPS63257481A (ja) * 1987-04-14 1988-10-25 Abisare:Kk 静電保持装置
JP2678381B2 (ja) * 1987-05-06 1997-11-17 ユニサーチ・リミテッド 交流電界励振を利用した静電チャック
US4962441A (en) * 1989-04-10 1990-10-09 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic wafer blade clamp
JP2779950B2 (ja) * 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
US5173834A (en) * 1989-06-02 1992-12-22 Roland Dg Corporation Electrostatic attraction apparatus
US5179498A (en) * 1990-05-17 1993-01-12 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
DE69104128T2 (de) * 1990-06-08 1995-01-19 Varian Associates Spannen eines Werkstücks.
EP0460955A1 (en) * 1990-06-08 1991-12-11 Varian Associates, Inc. Clamping a workpiece utilizing polyphase clamping voltage
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5184398A (en) * 1991-08-30 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated In-situ real-time sheet resistance measurement method
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007514325A (ja) * 2003-12-15 2007-05-31 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2007066572A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Creative Technology Corporation 静電チャック用電極シート及び静電チャック
US7881036B2 (en) 2005-12-06 2011-02-01 Creative Technology Corporation Electrode sheet for electrostatic chuck, and electrostatic chuck
JP2009010369A (ja) * 2007-06-14 2009-01-15 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8013981B2 (en) 2007-06-14 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2010026893A1 (ja) 2008-09-04 2010-03-11 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及び基板の吸着状態判別方法
JP2013235991A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Ulvac Japan Ltd 給電装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1095526A (zh) 1994-11-23
TW312034B (ja) 1997-08-01
DE69426163T2 (de) 2001-05-23
EP0615281A1 (en) 1994-09-14
CA2118619A1 (en) 1994-09-11
CA2118619C (en) 2000-04-04
DE69426163D1 (de) 2000-11-30
KR940022782A (ko) 1994-10-21
CN1052112C (zh) 2000-05-03
US5444597A (en) 1995-08-22
EP0615281B1 (en) 2000-10-25
KR100304241B1 (ko) 2001-11-30

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