JP2009010369A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】真空を損なうことなく、真空空間内の可動搬送器上で対象物が検出され得る、リソグラフィ装置を実現することである。
【解決手段】リソグラフィ装置は、真空チャンバ内のビーム経路内の位置に対象物を搬送する移動可能テーブルと、テーブルに取り付けられた第１コンデンサ電極および第２コンデンサ電極と、コンデンサ電極に結合しており、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極との間に電圧を印加する第１インダクタアセンブリと、テーブルが移動するときに固定位置に取り付けられた第２インダクタアセンブリとを含む。第２インダクタアセンブリは、磁界を発生する。テーブル上での対象物の存在は、第２インダクタアセンブリ上に電圧を印加して検出され、電圧の印加は磁界を生じ、その磁界は、第１インダクタアセンブリによって受信されると、コンデンサ電極の静電容量に応じて第１インダクタアセンブリにおける磁界応答を生成する。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上、通常、基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。その事例では、マスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（たとえば、シリコンウェーハ）の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）ターゲット部分上に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上への結像による。一般に、単一基板は、連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを収容するであろう。知られているリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全体のパターンを一度に露光することによって、それぞれのターゲット部分が照射される、いわゆる、ステッパ、および、放射ビームを通してパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンし、一方、基板を、この方向に対して平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、それぞれのターゲット部分が照射される、いわゆる、スキャナを含む。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスからのパターンを基板に転写することも可能である。

[0003] 米国特許出願公開公報第２００５／０１２８４５９号として公開された同一譲受人による同時係属中の出願には、リソグラフィ装置内で基板の存在を検出する存在検出器が記載される。存在検出器は、静電容量測定を使用する。存在検出器は、同じ平面内で互いに隣り合って配置された第１および第２コンデンサプレートを備える。基板がプレートに面して設置されると、第１プレートから基板までの第１静電容量と基板から第２プレートまでの第２静電容量を含む直列静電容量がプレート間に形成される。基板が存在しない場合、プレートが互いに面しないため、第１プレートと第２プレートとの間の静電容量はかなり小さい。基板がある場合の静電容量と、ない場合の静電容量との差を使用して、基板の存在が検出される。

[0004] リソグラフィ装置の高真空部分内のロボット上でこうした存在検出器を使用することが望ましい。しかし、検知信号を処理する電子回路にプレートを接続するのに使用される配線は、ガス放出し、真空を損なう可能性がある。ガス放出が少ない配線は、基板を搬送するロボットの可動部品に対する接続について十分に柔軟性がない可能性がある。これは、レチクルなどの基板、開口数ディスク（numerical aperture discs）、およびシグマブレンドディスク（sigma blend discs）などの、リソグラフィ装置を通って移動する他の対象物にも当てはまる場合がある。

[0005] 米国特許第７，１９０，４３７号は、装置の真空空間内での電力および情報の無線伝送に磁界が使用されるリソグラフィ装置を開示する。磁界自体の波形は、基板または他の対象物の検出を実施するのに使用されない。

[0006] 真空を損なうことなく、真空空間内の可動搬送器上で対象物が検出され得る、リソグラフィ装置を実現することが望ましい。

[0007] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、放射ビームを投影するように構成された投影システムと、ビームの経路の少なくとも一部を収容する真空チャンバと、真空チャンバ内のビーム経路内の位置に対象物を搬送するように構成された移動可能テーブルと、テーブルに取り付けられた第１コンデンサ電極および第２コンデンサ電極と、第１コンデンサ電極および第２コンデンサ電極に結合しており、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極との間に電圧を印加するように構成された第１インダクタアセンブリとを含む。リソグラフィ装置はまた、テーブルが移動するときに固定されたままである位置に取り付けられた第２インダクタアセンブリを含む。第２インダクタアセンブリは、磁界を発生するように構成される。テーブル上での対象物の存在は、第２インダクタアセンブリ上に電圧を印加することによって検出され、電圧を印加することは、磁界を生じることになり、その磁界は、第１インダクタアセンブリによって受信されると、コンデンサ電極の静電容量、したがってテーブル上の対象物の存在に応じて、第１インダクタアセンブリにおける磁界応答を生成することになる。

[0008] 本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供され、デバイス製造方法は、真空チャンバ内のビーム経路内の位置にテーブル上の対象物を移動させること、第１インダクタアセンブリによってテーブルに隣接する磁界を受信し、磁界の波形に追従する波形を有する電圧を印加することを含む。電圧は、テーブルに取り付けられた第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極との間の受信された磁界によって発生される。方法はまた、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極との間で流れる電流に応じて、第１インダクタアセンブリによって磁界の変動を誘導すること、および、少なくとも部分的に、テーブルが移動するときに固定されたままである位置に取り付けられた第２インダクタアセンブリから、テーブルに隣接する磁界を誘導することを含む。第１インダクタアセンブリを通る電流によって発生する磁界線は、磁界に影響を及ぼす。方法は、さらに、第２インダクタアセンブリを用いて、第１インダクタアセンブリによって誘導される変動を受信することを含む。

[0009] 本発明の実施形態は、ここで、添付略図を参照して例としてだけ述べられるであろう。図では、対応する参照シンボルは、対応する部品を示す。

[0014] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。装置は、放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造体（たとえば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（たとえば、レジストコートウェーハ）を保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）と、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズ系）ＰＳを備える。

[0015] 照明システムは、放射を誘導し、成形し、制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいは、それらの任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでもよい。

[0016] 支持構造体は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、その重量を支える。支持構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件に依存して、パターニングデバイスを保持する。支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式、または他のクランプ法を使用することができる。支持構造体は、たとえば、所望であれば、固定されるかまたは可動であってよい、フレームまたはテーブルであってよい。支持構造体は、パターニングデバイスが、たとえば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしてもよい。本明細書における、「レチクル」または「マスク」という用語の任意の使用は、「パターニングデバイス」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。

[0017] 本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなどで、放射ビームの断面において放射ビームに、あるパターンを与えるのに使用することができる任意のデバイスのことを指しているものと、幅広く解釈されるべきである。たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、すなわち、いわゆるアシストフィーチャを含む場合、放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることが留意されるべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分で作成されるデバイスの特定の機能層に相当するであろう。

[0018] パターニングデバイスは、透過式または反射式であってよい。パターニングデバイスの実施例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィではよく知られており、バイナリ、レベンソン型（Alternating）位相シフト、ハーフトーン型（Attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに、種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの実施例は、小さなミラーのマトリクス機構を使用し、ミラーのそれぞれは、個々に傾斜して、到来する放射ビームを異なる方向へ反射することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを与える。

[0019] 本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射、あるいは、液浸液の使用、または、真空の使用などの、他の因子に適切である、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式、および静電式光学システム、または、それらの任意の組み合わせを含む、任意のタイプの投影システムを包含するものと、幅広く解釈されるべきである。本明細書における、「投影レンズ」という用語のいずれの使用も、「投影システム」という、より一般的な用語と同意語であると考えられてもよい。

[0020] 本明細書で示すように、装置は透過タイプ（たとえば、透過マスクを使用する）である。あるいは、装置は反射タイプ（たとえば、反射式マスクを使用する）であってよい。

[0021] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってよい。こうした「マルチステージ」機構では、付加的なテーブルが平行に使用されるか、または、１つまたは複数の他のテーブルが露光のために使用されている間に、準備工程が、１つまたは複数のテーブル上で実行されてもよい。

[0022] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームを受け取る。たとえば、放射源がエキシマレーザであるとき、放射源およびリソグラフィ装置は、別体であってもよい。こうした場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、たとえば、適した誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムを使用して、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ通される。他の場合では、たとえば、放射源は水銀ランプであるとき、放射源は、リソグラフィ装置と一体の部分であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、所望である場合、ビームデリバリシステムと共に、放射システムと呼ぶことができる。

[0023] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えてもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の、少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）の強度分布を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの種々の他のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータは、放射ビームの断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調節するのに使用されてもよい。

[0024] 放射ビームＢは、支持構造体（たとえば、マスクテーブルＭＴ）上に保持される、パターニングデバイス（たとえば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを横切って、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを収束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（たとえば、干渉デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）を使用して、基板テーブルＷＴは、たとえば、放射ビームＢの経路内で異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、正確に移動することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、たとえば、マスクライブラリから機械的に取出した後か、または、スキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現されてもよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールを使用して実現されてもよい。ステッパの場合（スキャナと対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されるか、または、固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。示される基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分どうしの間の空間内に位置してもよい（これらは、けがき線アライメントマークとして知られる）。同様に、２つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークは、ダイの間に位置してもよい。

[0025] 図示の装置は、以下のモードの少なくとも１つのモードで使用することができるであろう。

[0026] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられる全体のパターンが、ターゲット部分Ｃ上に１度で投影される間、実質的に静止したままにされる（すなわち、単一静的露光）。基板テーブルＷＴは、その後、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようにＸおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。

[0027] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間、同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小率）拡大率およびイメージ反転特性によって決められてもよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光のターゲット部分（非スキャン方向の）幅を制限し、一方、スキャン運動の長さは、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決める。

[0028] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持するマスクテーブルＭＴは、実質的に静止したままにされ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられるパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される間、移動する、または、スキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動後か、または、スキャン中における連続放射パルスの間に、所望に応じて更新される。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどの、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用されることができる。

[0029] 上述した使用モードに関する組み合わせ、および／または、変形、あるいは、全く異なる使用モードが使用されてもよい。

[0030] 図２は、基板テーブル１４が取り付けられた状態の搬送モータ１２を有する真空容器１０を示す。真空容器１０は、真空空間を閉囲し、真空空間内で、放射ビームが基板上に投影される。搬送モータ１２は、基板を搬送するのに使用される任意のモータであってよい。ある実施形態では、搬送モータ１２は、ビームが基板上に投影されることになる位置へ、および／または、位置から基板を搬送するのに役立つ。同様な配置構成は、基板テーブルではなくレチクル（マスク）テーブルあるいはＮＡディスクまたはシグマブレンドディスク用のテーブルなどの他の搬送テーブルのために使用されてもよい。

[0031] たとえば、基板１５は、テーブル１４上に示される。テーブル１４は、基板１５に面する共通平面内にある、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂを備える。第１コンデンサ電極１６ａおよび第２コンデンサ電極１６ｂは、プレートなどの任意の適した構成であってよい。テーブル１４上の第１インダクタ巻線１７は、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂを結合する。第２インダクタ巻線１８は、真空容器の壁上に設けられる。第２インダクタ巻線１８は、電子処理回路１９に結合する。

[0032] 動作時、電子処理回路１９は、第２インダクタ巻線１８を通して１次ＡＣ電流を発生する。これは、磁界を生じ、磁界は、第１インダクタ巻線１７の端子間に、それにより、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間に電圧を誘導する。これは、第１インダクタ巻線１７と第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとで形成される回路を通して２次電流をもたらす。２次電流は、第１インダクタ巻線１７のインダクタンス値および第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間の静電容量値に依存する。第１インダクタ巻線１７を通る２次電流は、第２インダクタ巻線１８の両端の電圧に影響を及ぼす磁界を生じる。

[0033] そのため、第２インダクタ巻線１８の端子間の電気インピーダンスは、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間の静電容量値に依存する。第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間の静電容量値は、テーブル１４上に基板１５が存在するか、または、存在しないことに依存する。静電容量値を決定するために、基板１５は、導電性プレートとみなされてもよい。基板１５が存在するとき、第１コンデンサ電極１６ａと基板１５との間、および、基板１５と第２コンデンサ電極１６ｂとの間に、それぞれのコンデンサが形成される。そのため、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間の静電容量は、主に、これら２つのコンデンサ電極の直列接続によって決まる。基板が存在しないとき、第１コンデンサ電極１６ａから第２コンデンサ電極１６ｂへの電界による静電容量が形成される。この静電容量は、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂが互いに面していないため、基板１５の存在下での静電容量よりずっと小さい。

[0034] 電子処理回路１９は、たとえば、印加電圧に応答した、第２インダクタ巻線１８を含む回路を通る電流の測定を使用することによって、第２インダクタ巻線１８の端子間のインピーダンスを表すパラメータを測定する。電子処理回路１９は、測定パラメータを閾値と比較して、基板１５の存在と非存在を区別する。比較の結果に応じて、電子処理回路１９は、テーブル１４上での基板の交換などのリソグラフィ装置のさらなるアクションまたは落ちた基板のためのリカバリーアクションを始動する。インピーダンスを表すパラメータを測定し、パラメータを閾値と比較する電子回路は知られている。したがって、電子処理回路１９は、より詳細には述べられないであろう。

[0035] ある実施形態では、第１インダクタ巻線１７を有する単一第１インダクタを有するインダクタアセンブリの代わりか、第２インダクタ巻線１８を有する単一第２インダクタを有するインダクタアセンブリの代わりか、または、その両方の代わりに、磁界を受信するための、また、磁界を発生するための別個の巻線を有する、より複雑なインダクタアセンブリが使用されてもよい。いずれの場合も、受信磁界は、コンデンサ電極に送られるため、コンデンサ電極間の電圧波形は、同じ周波数で、おそらく、振幅または位相を修正された状態で、磁界に追従する。コンデンサ電極から送り返された信号について、同じ配置構成が使用される。こうした複合インダクタアセンブリが、第２インダクタ巻線１８を有する単一インダクタを有するインダクタアセンブリの代わりに使用されるとき、受信巻線からの誘導電圧または電流を測定することで十分であり、第２インダクタ巻線１８のインピーダンスを表すパラメータは必要とされない。

[0036] ある実施形態では、電子処理回路１９は、基板１５が存在しない状態か、または、存在する状態で、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間の静電容量値によって決まる共振の共振周波数の、または、共振周波数に近い周波数の、ＡＣ周波数を有するＡＣ電流を印加するように構成される。第１インダクタ巻線１７によって形成されるインダクタンスＬおよび第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間の静電容量Ｃは、積Ｌ＊Ｃの平方根に比例する共振周波数を有する。結果として、こうした周波数における第２インダクタ巻線１８の端子の両端のインピーダンスは、基板１５の存在または非存在に強く依存し、基板１５の存在および非存在の作用を測定することを容易にさせる場合がある。ある実施形態では、電子処理回路１９は、インピーダンスの周波数依存性を測定して、正または負の共振ピークが発生する共振周波数を検出し、この共振周波数を閾値と比較して、基板１５の検出を行う。

[0037] ある実施形態では、導電性がある第１コンデンサ電極１６ａおよび第２コンデンサ電極１６ｂは、それぞれ、導電性部分と基板１５との間の表面上に電気絶縁性皮膜層を備える。この電気絶縁性皮膜層の厚さは、非常に薄く維持されてもよい。たとえば、酸化シリコンまたは酸化アルミニウムが、皮膜層で使用されてもよい。真空に対してガス放出作用を有する可能性があるポリマ皮膜が、通常、使用される。テーブル１４が、導電性部分を有する場合、第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとテーブルの導電性部分との間に、隙間が設けられてもよく、隙間距離は、それぞれのコンデンサ電極１６ａ、１６ｂからテーブル１４の導電性部分までの静電容量が、基板１５までの静電容量より小さくなるように選択される。隙間は、電気絶縁材料で充填されてもよい。ある実施形態では、テーブル１４は、それぞれのコンデンサ電極として機能する電気的に分離された導電性部分に分割されてもよい。

[0038] ある実施形態では、第２インダクタ巻線１８は、真空容器１０の壁によって（たとえば、壁の１つであると考えられる床によって）支持される。しかし、テーブル１４と共に移動しない任意の他の支持体が使用されてもよい。第２インダクタ巻線１８は、通常、真空容器１０内に位置するであろう。しかし、真空容器が、非導電性壁部分を有する場合、第２インダクタ巻線１８は、真空容器１０外に位置してもよい。第１および第２インダクタ巻線１７、１８は、単一コイルとして示されたが、複合構造体が使用されてもよいことが理解されるべきである。たとえば、変圧器が、第１インダクタ巻線１７とコンデンサ電極１６ａ、１６ｂとの間に付加されてもよく、または、第１インダクタ巻線１７の中間点タップが、テーブル１４の本体に結合されてもよい。変圧器が使用されるとき、共振周波数は、第１インダクタ巻線１７のインダクタンスに大幅に依存する必要はないが、変圧器は、共振周波数変化の検出力に影響を及ぼさない。

[0039] 図３は、それぞれ、端子が電子回路１９に結合された状態の、複数の第２インダクタ巻線１８が設けられる実施形態を示す。第２インダクタ巻線１８は、テーブル１４の搬送経路に沿う連続する位置に配置される。この実施形態では、電子回路１９は、第２インダクタ巻線１８のそれぞれの端子間のインピーダンスを表すパラメータを決定し、第２インダクタ巻線１８のいずれか１つが、基板１５の存在に相当する周波数の共振を示す場合に、基板１５の存在を検出する。

[0040] 図４は、対応する第１コンデンサ電極１６ａと第２コンデンサ電極１６ｂとの間で第１インダクタ巻線１８が結合した複数のアセンブリが、単一テーブル１４上に設けられる実施形態を示す。ここで、コンデンサ電極１６ａ、１６ｂのサイズ、コンデンサ電極上の皮膜の厚さ、および／または、第１インダクタ巻線１８のインダクタンス値は、アセンブリの異なる１つのアセンブリにおいて異なるように作られるため、アセンブリの異なるアセンブリの共振周波数は、コンデンサ電極１６ａ、１６ｂにわたって基板１５が存在するときに、互いに異なる。これは、基板が、コンデンサ電極の各セットを覆うように配置されているかどうかを検出することを可能にする。たとえば、２つのアセンブリが示されるが、それ以上が使用されてもよい。この実施形態では、電子回路１９は、アセンブリのそれぞれの共振ピークが、アセンブリのそれぞれのアセンブリについての基板１５の存在に相当する各周波数範囲内で発生するかどうかを判定する。ある実施形態では、アセンブリの１つまたは複数は、基板１５が、通常、存在するはずがない位置に設けられてもよい。この場合、基板の謝った配置が、共振周波数から検出される可能性がある。ある実施形態では、複数のアセンブリの第１インダクタ巻線は、全て、たとえば、変圧器によって、共通受信コイルに結合される。この場合、共通受信コイルは、磁界を受信し、全てのアセンブリについて、第２インダクタ巻線からの、または、第２インダクタ巻線用の応答磁界を発生する。

[0041] テーブル上での基板１５の存在が検出される実施形態が示されたが、基板の代わりにレチクル（マスク）の存在が、適切なテーブル上で同様に検出されることができることが理解されるべきである。リソグラフィ装置は、レチクル用の検出器および／または基板用の検出器を有してもよい。

[0042] 本明細書において、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の用途を有してもよいことが理解されるべきである。こうした代替の用途において、本明細書における、「ウェーハ」または「ダイ」という用語のいずれの使用も、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義であると考えられてもよいことを当業者は理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前または後で、たとえば、トラック（通常、レジスト層を基板に与え、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能である場合、本明細書における開示を、こうした、また、他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、多層ＩＣを作るために、２回以上処理されてもよいため、本明細書で使用される基板という用語は、処理された複数の層をすでに含む基板を指してもよい。

[0043] 光リソグラフィに関連し本発明の実施形態の使用が特に参照されたが、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィにおいて使用されてもよく、状況が許せば、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板上に作られるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジスト層内に押し付けられてもよく、その後、電磁放射、熱、圧力、またはその組み合わせを加えることによってレジストが硬化する。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後に、レジストの外に移動し、レジスト内にパターンが残る。

[0044] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（たとえば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびに、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。

[0045] 状況が許す場合、「レンズ」という用語は、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、および静電式光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントの任意の１つ、または、組み合わせを指してもよい。

[0046] 先の説明は、具体的に示すことを意図し、制限することを意図しない。そのため、添付特許請求項の範囲から逸脱することなく、述べられる本発明に対して変更を行ってもよいことが、当業者には明らかになるであろう。

[0010]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0011]図１の装置の基板搬送配置構成の実施形態を示す図である。 [0012]図１の装置の基板搬送配置構成の実施形態を示す図である。 [0013]図１の装置の基板搬送配置構成の実施形態を示す図である。

Claims (14)

1. 放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
   前記ビームの経路の少なくとも一部を収容する真空チャンバと、
   前記真空チャンバ内の前記ビーム経路内の位置に対象物を搬送するように構成された移動可能テーブルと、
   前記テーブルに取り付けられた第１コンデンサ電極および第２コンデンサ電極と、
   前記第１コンデンサ電極および前記第２コンデンサ電極に結合しており、前記第１コンデンサ電極と前記第２コンデンサ電極との間に電圧を印加するように構成された第１インダクタアセンブリと、
   前記テーブルが移動するときに固定されたままである位置に取り付けられており、磁界を発生するように構成された第２インダクタアセンブリと
   を備え、
   前記テーブル上での前記対象物の存在は、前記第２インダクタアセンブリ上に電圧を印加することによって検出され、前記電圧を印加することは、磁界を生じることになり、前記磁界は、前記第１インダクタアセンブリによって受信されると、前記コンデンサ電極の静電容量、したがって前記テーブル上の前記対象物の存在に応じて、前記第１インダクタアセンブリにおける磁界応答を生成することになる、リソグラフィ装置。
2. 前記第２インダクタアセンブリの端子に結合しており、かつ、前記第１インダクタアセンブリによって誘導される前記磁界の変動作用を測定するように構成された電子処理回路をさらに備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記電子処理回路は、前記第１コンデンサ電極と前記第２コンデンサ電極によって形成される静電容量を含む共振回路によって生じる共振作用の共振周波数を測定するように構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記テーブルの移動経路に沿って配置された複数の第２インダクタアセンブリをさらに備え、各々の第２インダクタアセンブリは、前記テーブルが移動するときに固定されたままである各々の位置に搭載される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. 第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極の複数の対をさらに備え、各々の対は、前記テーブルに取り付けられかつ前記第１インダクタアセンブリに結合される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記第１インダクタアセンブリは、前記第１コンデンサ電極と前記第２コンデンサ電極との間に結合したインダクタを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記第２インダクタアセンブリはインダクタ巻線を備え、
   前記電子処理回路は、前記インダクタ巻線を通して電流を加えて前記磁界を発生させ、かつ、前記インダクタ巻線によって受信される前記磁界の作用を測定するように構成される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記テーブルは、前記対象物が放射ビームを受ける位置へ、または、前記対象物が放射ビームを受ける位置から前記対象物を搬送するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記テーブルは、前記対象物が、放射ビームをパターニングするために使用される位置へ、または、放射ビームをパターニングするために使用される位置から前記対象物を搬送するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記第１コンデンサ電極は第１プレートを備え、前記第２コンデンサ電極は第２プレートを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記第１コンデンサ電極および前記第２コンデンサ電極は、前記テーブルの一部である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記第１インダクタアセンブリは、前記第１インダクタアセンブリによって受信される前記磁界の波形に追従する波形を有する電圧を発生するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記第２インダクタアセンブリは、前記第１インダクタアセンブリにおける前記磁界応答を受信するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
14. 真空チャンバ内のビーム経路内の位置にテーブル上の対象物を移動させること、
    第１インダクタアセンブリによって前記テーブルに隣接する磁界を受信し、前記磁界の波形に追従する波形を有しかつ前記テーブルに取り付けられた第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極との間の受信された磁界によって発生された電圧を印加すること、
    前記第１コンデンサ電極と前記第２コンデンサ電極との間で流れる電流に応じて、前記第１インダクタアセンブリによって前記磁界の変動を誘導すること、
    少なくとも部分的に、前記テーブルが移動するときに固定されたままである位置に取り付けられた第２インダクタアセンブリから、前記テーブルに隣接する前記磁界を誘導し、前記第１インダクタアセンブリを通る電流によって発生する磁界線が前記磁界に影響を及ぼすこと、および、
    前記第２インダクタアセンブリを用いて、前記第１インダクタアセンブリによって誘導される変動を受信すること
    を含む、デバイス製造方法。

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