JP2014507810A - 静電クランプ装置およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図5
Description
本出願は、2011年3月11日に出願された米国仮出願第61/451,803号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
パターンプリンティングの限界の理論的な推定値は、式(1)に示す解像度のレイリー規準によって与えることができる:
−放射ビームB(例えば、EUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターニングデバイス(例えば、マスクまたはレチクル)MAを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
−基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
−パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、反射投影システム)PSと、を備える。
1.ステップモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
・必要な解像度が表面の測定と比較して低い。
・(表面センサと比較して)アライメントが必要とされない。センサは元来位置合わせされている。
・パターンの問題が存在しない。すなわち、平坦な裏面を測定する。
・nm未満の突起を検出する可能性がある。
・センサがEUV内部ポッドに収まることができるため小型である。
・レチクルステージの変更を必要としない。
・以前の機械との上位互換性がある。
これより、プロファイルを以下のとおり再構築することができる。
αの再構築は、
Claims (24)
- リソグラフィ装置のパターニングデバイスを支持する静電クランプ装置であって、
前記パターニングデバイスが支持されるサポート構造と、
前記サポート構造と前記パターニングデバイスとの間のクランプ力を提供するためのクランプ電極と、
前記パターニングデバイスの形状を測定するように動作可能な静電容量センサアレイと、を備える、
静電クランプ装置。 - 前記アレイは、前記パターニングデバイスの表面積と同等の面積を有する2次元アレイである、請求項1に記載の装置。
- 前記静電容量センサアレイは、前記サポート構造内に含まれる、請求項1または2に記載の装置。
- 前記サポート構造は、前記パターニングデバイスがクランプされる複数の突起を有する支持面上に設けられ、前記アレイの別のセンサが各突起の付近に設けられる、請求項3に記載の装置。
- 前記センサは、各センサが実質的に突起の周辺に設けられるように、前記支持面に対して設けられる、請求項4に記載の装置。
- 前記静電容量センサアレイは前記クランプ電極と一体化されている、請求項3乃至5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記一体化しているクランプ電極/静電容量センサの各々は、前記クランプ力を供給するための直流電源と、前記静電容量センサアレイとしての動作のための交流電源とを備える、請求項6に記載の装置。
- 前記パターニングデバイスは、前記サポート構造にクランプされるように動作可能な第1側面と第2側面とを有し、前記静電容量センサアレイは該第2側面に隣接して位置し、かつ該第2側面上の変形を測定するように動作可能である、請求項1または2に記載の装置。
- 前記静電容量センサアレイは、レチクルハンドラ内に含まれる、請求項8に記載の装置。
- 前記装置は、前記パターニングデバイスのパターニング面の平面に対して垂直な方向に前記パターニングデバイスに対して前記静電容量センサアレイを移動させるためのアクチュエータを備える、請求項8または9に記載の装置。
- 前記装置は、前記静電容量センサアレイに対する前記パターニングデバイスの相対位置を測定するように動作可能な閉ループ制御システムを備える、請求項8、9、または10に記載の装置。
- 前記装置は、前記静電容量センサアレイに対する前記パターニングデバイスの相対位置の前記測定のために前記静電容量センサアレイを使用するように動作可能である、請求項11に記載の装置。
- 前記装置は、前記静電容量センサアレイが所定の基準に対して前記レチクルの形状を測定する完全測定を、前記静電容量センサアレイが行うように動作可能である、請求項8乃至12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記装置は、前記静電容量センサアレイが相対測定を行うように動作可能であり、各相対測定は、前記クランプ電極が動作して第1クランプ力を作用させる際に行われる第1測定と、前記クランプ電極が動作して前記第1クランプ力と異なる第2クランプ力を作用させる際に行われる第2測定とから得られる、請求項8乃至12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記第2クランプ力は、前記第1クランプ力より大きい、請求項14に記載の装置。
- 前記装置は、前記静電容量センサアレイが差動測定を行うように動作可能であり、各差動測定は、前記静電容量センサアレイの2つのセンサを用いて行われる、請求項15に記載の装置。
- 前記サポート構造は、前記パターニングデバイスがクランプされる複数の突起を有する支持面上に設けられ、別のセンサが各突起の付近に設けられる、請求項8乃至16のいずれか1項に記載の装置。
- 前記静電容量センサアレイは、該リソグラフィ装置の一部を形成するパターニングデバイス交換装置内に含まれ、該パターニングデバイス交換装置はパターニングデバイスの移動および交換のためのものである、請求項1または2に記載の装置。
- 前記静電容量センサアレイは、複数の平行な1次元静電容量センサを備える、請求項18に記載の装置。
- 2つ〜6つの前記1次元静電容量センサアレイがある、請求項19に記載の装置。
- 前記パターニングデバイス交換装置は、測定されている前記パターニングデバイスの表面に対して前記静電容量センサアレイがスキャンするように動作可能である、請求項18乃至20のいずれか1項に記載の装置。
- 前記パターニングデバイス交換装置は、レチクルプロファイルと、前記レチクルに対する前記パターニングデバイス交換装置の意図的でない移動とを区別するように動作可能である、請求項18乃至21のいずれか1項に記載の装置。
- 前記区別は、アルゴリズムを用いて行われる、請求項22に記載の装置。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
請求項1乃至23のいずれか1項に記載の静電クランプ装置であって、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成可能である静電クランプ装置と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するよ投影システムと、を備える、
リソグラフィ装置。
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