JP2005191515A - 静電チャックおよび露光装置ならびに被吸着物の吸着方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 底面で被吸着物を高精度に吸着保持することができる静電チャックおよび静電チャックを備えた露光措置、ならびに静電チャックへの被吸着物の吸着方法を提供する。
【解決手段】 静電チャック10は、誘電セラミックス体11の内部に独立して駆動可能な電極12a・12bが配置された構造を有する。静電チャック10は、その側面を介して半導体製造装置の内部に固定され、その底面で被吸着物を吸着保持する。この被吸着物を吸着保持する誘電セラミックス体11の底面を凹状とした。これにより、例えば、板状のガラスマスクを保持した際に、ガラスマスクの撓みを矯正し、ガラスマスクの平面度を高めることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体製造装置に装備される静電チャック等に関し、さらに詳しくは、マスク等の被吸着物をその底面で吸着保持する静電チャックおよびこのような静電チャックを備えた露光装置、ならびに静電チャックへの被吸着物の吸着方法に関する。
半導体製造技術において、半導体デバイスの高速化と大容量化は、微細化技術の進展によるところが大きい。微細化技術の中でも、特に、パターンを形成するリソグラフィ技術の進歩が、その中心的役割を果たしている。近時、さらに半導体デバイスの高集積化が求められ、100nm以下のデザインルールの下では、従来のKrFエキシマレーザやArFエキシマレーザによるリソグラフィ技術による対応は困難である。そこで、このようなデザインルールに対応できるリソグラフィ技術として、従来の光リソグラフィと像形成原理が同じであり、波長が1桁以上短い極限紫外光(Extreme UV(EUV))を用いたEUVリソグラフィ技術が提案されている。このようなEUVリソグラフィ技術では、マスクに下側から光を当てて反射させることができるように、マスクを固定する方法が考えられている。
しかしながら、EUVリソグラフィ技術では、光源が短波長化されることによってマスクの反射面の平面度が露光精度に直接に関わるために、従来のリソグラフィ技術で用いられていたマスクの固定方法、例えば、マスクの周縁部を機械的に保持または支持する方法を、用いることができない。これは、マスクの周囲を保持または支持する方法では、マスクに撓みや反りが生じてマスクの反射面の平面度が低下してしまい、これによって露光精度が低下してしまうからである。
そこでマスクの固定方法として、半導体製造技術において被処理物であるシリコンウエハを真空雰囲気で保持するために用いられている静電チャックを利用する方法が考えられる。しかしながら、従来の静電チャックはシリコンウエハの加工面が上を向くように下側からシリコンウエハを吸着保持する構造である(例えば、特許文献1参照)。このため、従来の静電チャックを上下逆さにして用いると、マスクの自重による撓みによって、マスクの平面度を高く維持することができず、さらに静電チャックの自重による撓みによってもマスクの平面度が低下するおそれがある。
特開2003−168384号公報
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、底面で被吸着物を高精度に吸着保持することができる静電チャックを提供することを目的とする。また、本発明はこのような静電チャックを備えた露光装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は静電チャックに被吸着物を高精度に保持させるための被吸着物の吸着方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の観点によれば、その底面で被吸着物を吸着保持することができるように少なくとも底部に誘電体を備え、かつ、その側面を介して半導体製造装置の内部に固定される静電チャックであって、
被吸着物を吸着保持する前記誘電体の底面が、凹状であることを特徴とする静電チャック、が提供される。
被吸着物を吸着保持する前記誘電体の底面が、凹状であることを特徴とする静電チャック、が提供される。
この静電チャックにおいて、誘電体層は体積抵抗率が1×109〜1×1014Ω・cmであり、ヤング率が100GPa以上であり、20℃〜26℃における平均熱膨張係数が−0.5×10−6〜0.5×10−6であることが好ましい。これによって所望の吸着力が得られ、静電チャックの使用環境の変化による静電チャックの変形が抑制される。被吸着物に限定はないが、本発明に係る静電チャックは、ヤング率が100GPa以下の板状のガラスを高精度に吸着保持することができる。
本発明に係る静電チャックは、誘電体層に被吸着物を吸着保持するための静電力を発生させる、略同心円状に配置された2以上の独立駆動が可能な電極を有していることが好ましい。これにより、底面の中心部で被吸着物の吸着面の略中心部を吸着保持した後に、この底面の中心部の外側で被吸着物の吸着面の未吸着部を吸着保持することができ、これによって被吸着物の形状精度を高く維持し、また、被吸着物を吸着保持する際の被吸着物の位置ずれの発生を抑制することができる。
本発明の第2の観点によれば、上記静電チャックを備えたことを特徴とする露光装置、が提供される。この露光装置では高精度の露光処理が可能となる。
本発明の第3の観点によれば、このような被吸着物の形状精度を高く維持することができる被吸着物の吸着方法が提供される。すなわち、底面が被吸着物を吸着保持する吸着面であり、かつ、前記吸着面が凹状である静電チャックに、その下方から被吸着物を接近させて、前記被吸着物を前記吸着面に吸着保持させる、被吸着物の吸着方法であって、
前記吸着面の中心部で前記被吸着物の略中心部を吸着保持した後に、前記吸着面の中心部の外側で前記被吸着物の未吸着部を吸着保持することを特徴とする被吸着物の吸着方法、が提供される。
前記吸着面の中心部で前記被吸着物の略中心部を吸着保持した後に、前記吸着面の中心部の外側で前記被吸着物の未吸着部を吸着保持することを特徴とする被吸着物の吸着方法、が提供される。
このような被吸着物の吸着方法では、被吸着物がその周縁部が支持されることによって略水平姿勢に保持された板状のガラスである場合に、その平面度を良好に維持することができる。
本発明によれば、被吸着物をその底面で吸着保持する場合において、被吸着物の吸着保持されているときの形状精度を高めることができる。例えば、被吸着物がマスク等の基板であれば、その平面度を良好に維持することができ、これによって露光精度を高めることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ここでは、EUV露光装置に装備される、マスクを吸着保持する静電チャックについて説明することとする。図1は静電チャック10の概略断面図(垂直断面図)である。静電チャック10は、板状の誘電セラミックス体11の内部に電極12a・12bが埋設された構造を有している。
静電チャック10は、被処理体であるマスク20を、静電チャック10の底面(下面)、つまり誘電セラミックス体11の底面(下面)、で吸着保持する。以下の説明においては、静電チャック10の底面(下面)を「吸着面」と言うこととする。
図2は静電チャック10の平面図(図2(a))と、この平面図中に示される線Aおよび線Bを含む垂直断面(Z軸をも含む面)の形状を示す説明図(図2(b)、図2(c))である。図1および図2に示されるように、マスク20を吸着保持する静電チャック10の吸着面は凹状となっている。換言すれば、誘電セラミックス体11は、その上面は平面であり、その底面(下面)は誘電セラミックス体11の略中心部の厚さがその周辺部の厚さよりも薄い状態(このギャップを図2(b)、(c)中に“t”で示す)となるように湾曲している。なお、図1および図2においては、静電チャック10の吸着面の凹状の形態を、発明の理解のために、誇張して示している。
このように静電チャック10の吸着面を凹状とする理由は次の通りである。一般的にマスク20はガラスからなり、その片面にパターンが形成されている。このパターンを精度よく形成するために、マスク20用のガラス基板は高い平行度(厚み均一性)と平面度を有している。このようなガラス基板を用いて作製されたマスク20を、底面で吸着保持するタイプの静電チャックに保持させた場合、マスク20の自重撓みと静電チャック自体の撓みによって、マスク20の平面度が低下し、パターン精度が悪くなってしまう。
そこで、静電チャックにマスク20の撓みを矯正させる機能を持たせることが必要となってくる。マスク20を静電チャック10に保持させる工程については後に詳細に説明するが、静電チャック10のように、誘電セラミックス体11の底面をマスク20の撓み量に合わせて予め凹状に加工しておくことにより、マスク20は静電チャック10に保持された状態で高い平面度を示す。
誘電セラミックス体11の底面をこのような凹状とする方法としては、加工途中でマスク20を実際に吸着させてその平面度を測定し、所望の平面度が得られるように、加工を続ける方法が挙げられる。また、マスク20と誘電セラミックス体11の材料物性等からこれらの撓み形状を計算し、得られた計算値に基づいてある程度の誘電セラミックス体11の形状を求めておくと、加工時間を短縮することができ、好ましい。
一般的に、EUV露光用のマスク20に用いられるガラスのヤング率は100GPa以下である。誘電セラミックス体11には、このようなヤング率を有するマスク20を吸着保持した際に、マスク20の剛性に起因して撓むことのない剛性が必要とされる。また、静電チャック10は、その側面を介してEUV露光装置の内部に固定されるが、このとき誘電セラミックス体11には一定の応力が掛かった状態となるから、誘電セラミックス体11にはこの応力によっても変形しない剛性が求められる。このため、誘電セラミックス体11としては、ヤング率が100GPa以上の材料が好適に用いられる。
なお、静電チャック10のEUV露光装置内への固定方法としては、誘電セラミックス体11の側面に棒状や板状の治具を取り付け、これらの治具をEUV露光装置のフレームや、可動ステージ等に固定する方法や、誘電セラミックス体11に所定の複数方向から押圧力を加えて保持する方法等が挙げられるが、これらに限定されるものでない。また、誘電セラミックス体11の厚さは、静電チャック10の固定方法や設置スペース等を考慮して定められるが、撓みを生じないようにする観点からは厚いことが好ましい。
誘電セラミックス体11には、静電チャック10が被吸着物を吸着する吸着力の機構としてジョンセンラーベック力を用いることができるように、静電チャック10の使用温度における体積抵抗率が1×109Ω・cm〜1×1014Ω・cmの材料が好適に用いられる。
EUV露光装置においてマスクを保持する場合には、静電チャック10は1つのマスクを長時間吸着保持するために、誘電セラミックス体11に電荷が溜まりやすい。そのため、誘電セラミックス体11に1×1014Ω・cmを超えた高抵抗の材料を用いると、マスク交換の際にマスクが迅速に静電チャック10から脱離しない。しかし、誘電セラミックス体11に体積抵抗率が1×109Ω・cm〜1×1014Ω・cmの材料を用いることにより、このような問題の発生が防止される。
静電チャック10にマスク20を吸着保持してEUV露光を行った場合、マスク20はEUVによって少なからず発熱する。この発熱によってマスク20が膨張すると、マスク20に形成されているパターンの寸法精度が低下するために、マスク20用のガラス基板にはゼロ膨張のガラス材料が使用される。一方、マスク20が発熱すると、それを吸着保持している静電チャック10に熱が伝わり、これによって誘電セラミックス体11が熱膨張を起こして変形する。この誘電セラミックス体11の熱膨張による変形は、マスク20の位置ずれや平面度の低下の原因となる。
そこで、誘電セラミックス体11としては熱膨張率が小さい材料を用いることが好ましく、具体的には、20℃〜26℃における平均熱膨張係数が−0.5×10−6〜0.5×10−6である材料を用いることが好ましい。
上述した誘電セラミックス体11に求められる特性、すなわち、体積抵抗率が1×109〜1×1014Ω・cmであり、ヤング率が100GPa以上であり、20℃〜26℃における平均熱膨張係数が−0.5×10−6〜0.5×10−6であるセラミックス材料としては、正の熱膨張係数を有するセラミックス材料と負の熱膨張係数を有するセラミックス材料の複合材料が挙げられる。
正の熱膨張係数を有するセラミックス材料としては、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(SiN)、アルミナ(Al2O3)、ジルコニア(ZrO2)等が挙げられ、負の熱膨張係数を有するセラミックス材料としては、ユークリプタイトやコーディエライト等が挙げられる。そこで、これらの材料を所定比率で配合すればよく、焼成が困難な場合には、所定の熱膨張係数が得られる範囲で、焼結助剤を添加してもよい。
図3は静電チャック10が具備する電極12a・12bの平面形状を示す説明図である。静電チャック10の吸着面がその底面となるように、電極12a・12bは誘電セラミックス体11の底面近くに配置されている。
電極12aは誘電セラミックス体11の略中心部に設けられ、電極12bは電極12aの外側に電極12aと絶縁して設けられている。静電チャック10では、図1に示されるように、マスク20にアースをとる。電極12a・12bに所定の電圧を印加することにより、誘電セラミックス体11の底面にマスク20を吸着させるための静電力が誘電セラミックス体11の底部に発生する。
電源14と電極12a・12bとそれぞれ接続する配線の途中にはスイッチ13a・13bが設けられており、これらスイッチ13a・13bのオン・オフを別々に行うことによって、電極12a・12bにそれぞれ独立して電圧を印加することができるようになっている。図1では、1つの電源14から電極12a・12bに電圧が印加される構成を示したが、電極12aの駆動用電源と電極12bの駆動用電源を分けてもよい。
電極12a・12bに用いられる材料は、誘電セラミックス体11に用いられる材料と静電チャック10の製造方法に依存して定められる。静電チャック10の製造方法としては、誘電セラミックス粉末を公知のドクターブレード法や押出成形法等によってシート状に成形し、こうして得られたグリーンシートに所定の電極ペーストを所定のパターンで印刷し、電極ペーストが印刷されていないグリーンシートを所定数積み重ね、その上に電極ペーストが印刷されたグリーンシートを積み重ね、さらにその上に電極ペーストが印刷されていないグリーンシートを所定数積み重ねて、これらを熱プレス処理等により一体化して、誘電セラミックスと電極とを同時に焼成する方法が挙げられる。
このような同時焼成法では、電極12a・12bは、スクリーン印刷等により高い位置精度で形成することができる。同時焼成法では、電極12a・12bとして用いられる材料としては、誘電セラミックス体11の焼成に耐えるタングステンやモリブデン、イリジウム等の高融点金属、または窒化チタンや珪化モリブデン等の高融点導電性化合物を用いることが必要となる。
静電チャック10の別の製造方法としては、誘電セラミックス粉末中の所定位置に、電極12a・12bとなる金属箔や金属網を埋設して、プレス成形し、焼成する方法がある。但し、この方法では金属箔等の位置精度を高く維持するために注意を払う必要がある。
次に、静電チャック10にマスク20を吸着保持させる際の電極12a・12bの駆動方法について説明する。
所定位置に固定された静電チャック10にマスク20を近付ける際のマスク20の支持方法には、マスク20の中心部を支持(または保持)する方法と、マスク20の周辺部を支持(または保持)する方法があるが、前者ではマスク20に形成されているパターンを損傷してしまうおそれがある。そこで、通常は後者の方法が採用されるが、この場合には、マスク20は自重によってその中心部が下側に凸となるように撓む。
所定位置に固定された静電チャック10にマスク20を近付ける際のマスク20の支持方法には、マスク20の中心部を支持(または保持)する方法と、マスク20の周辺部を支持(または保持)する方法があるが、前者ではマスク20に形成されているパターンを損傷してしまうおそれがある。そこで、通常は後者の方法が採用されるが、この場合には、マスク20は自重によってその中心部が下側に凸となるように撓む。
一方、誘電セラミックス体11の底面は、上述の通り、凹状に加工されているために、マスク20を静電チャック10に近付けた状態では、マスク20の中心部と静電チャック10の吸着面の中心部との間隔は、これらの周辺部の間隔よりも広くなる。この状態でマスク20を、静電チャック10の吸着面全体に一気に吸着させると、マスク20の位置ずれが生じたり、マスク20に応力が掛かることとなり、好ましくない。
そこで、最初に電極12aのみに電圧を印加して、静電チャック10の吸着面の中心部でマスク20の略中心部を吸着保持する。その後、電極12bに電圧を印加して、静電チャック10の吸着面の中心部の外側でマスク20の未吸着部を吸着保持する。これにより、マスク20に不要な応力が掛からず、またマスク20の位置ずれを防ぐことができる。
なお、図1および図3では2個の独立駆動可能な電極12a・12bを示したが、上述したマスク20の吸着方法によりマスク20を静電チャックに吸着させるためには、誘電セラミックス体に略同心円状に3またはそれ以上の独立駆動が可能な電極を設け、これらを中心から外側に向けて、逐次、駆動してもよい。
上述した静電チャック10では、吸着面が滑らかな曲面を有する誘電セラミックス体11が用いられていたが、例えば、図4の概略底面図に示すように、吸着面に所定のパターンでピン15(円柱状突起部)が形成され、また、その外周部にはリブ16(円環状突起部)が形成されている誘電セラミックス体11′を用いることもできる。このようなピン15およびリブ16は誘電セラミックス体11の底面をサンドブラスト加工等することにより形成することができる。誘電セラミックス体11′では、ピン15およびリブ16の頂点を結ぶ曲面、つまりマスク20(図示せず)と接するポイントを結ぶ曲面が凹状になっていればよい。
このようにピン15およびリブ16が形成された誘電セラミックス体11′では、さらに誘電セラミックス体11′に、その厚み方向に貫通するガス供給孔17aとガス排出孔17bを形成しておくことが好ましい。マスク20(図示せず)がピン15およびリブ16に吸着保持されている状態で、ガス供給孔17aを通してピン15の隙間に冷却ガス(例えば、窒素ガス)を供給し、ピン15間を流れた冷却ガスをガス排出孔17bから排気することにより、マスク20(図示せず)と誘電セラミックス体11′とを冷却することができる。
次に静電チャック10を備えたEUV光リソグラフィシステム、つまり、露光の照明光としてEUV光を用いた投影露光装置、の実施形態について説明する。図5は、EUV光リソグラフィシステム120の概略構成を示す模式図である。EUV光リソグラフィシステム120では、像光学システム122を用いて反射型マスク124(レチクル)のパターンの縮小像を形成する。
一般的にEUV光とは波長が0.1〜400nmの範囲の光を指すが、EUV光リソグラフィシステム120において露光のための照明光として使用されるEUV光の波長は、1nm〜50nmの範囲にあることが望ましい。また、このようなEUV光は、例えば、レーザプラズマX線源によって生成される。レーザプラズマX線源は、励起光源として作用するレーザ源136とキセノンガス供給装置138と、キセノンガス供給装置138から供給されるキセノンガスを放出するノズル142と、を有している。
レーザ源136は紫外線以下の波長を持つレーザ光を発生させるものであり、例えば、YAGレーザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源136から放射されるレーザ光は集光されて、ノズル142から放出されたキセノンガスの流れに照射される。これによりキセノンガスプラズマが発生し、励起されたキセノンガスの分子が低いエネルギ状態に落ちる際にEUV光の光子が放出される。EUV光は大気中では低い透過性を持っているため、キセノンガスプラズマを発生させる領域は真空チャンバ140内に設けられている。
真空チャンバ140内には、プラズマによって生成したEUV光を集光するための放物面ミラー144が配置されている。この放物面ミラー144は集光光学系を構成し、ノズル142からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。放物面ミラー144はEUV光を反射するのに適当な多層膜を、典型的には、放物面ミラー144の凹面の表面に備えている。EUV光はこの多層膜で反射され、真空チャンバ140の窓141を通じて集光ミラー146へと達する。この窓141はレーザプラズマX線源が妨害を受けずに通過できるような開口としても構わない。
前述したようにEUV光が大気中では低い透過性を持っているため、EUV光が通過する光経路は真空雰囲気に保持されていることが好ましい。このため、EUV光が通過する光経路は、真空チャンバ132内に設けられており、この真空チャンバ132は、真空ポンプ134の減圧装置を用いて所定の真空度に保たれている。なお、真空チャンバ140は真空チャンバ132から分離されていることが望ましい。これは、キセノンガスを放出するノズル142によりゴミが生成される傾向があるからである。
集光ミラー146は、放物面ミラー144から届いたEUV光を集光し、反射型マスク124へと反射させる。集光ミラー146で反射されたEUV光は、反射型マスク124の所定の部分を照明する。なお、放物面ミラー144と集光ミラー146は、EUV光リソグラフィシステム120における照明システムを構成する。
反射型マスク124は、マスクステージに設けられた静電チャック10の下面に吸着保持されている。反射型マスク124でEUV光が反射されると、EUV光は反射型マスク124からのパターンデータによりパターン化される。このパターン化されたEUV光は、像光学システム122を通じて、ウエハステージ130上に載置されたウエハWに達する。
図5では、像光学システム122の一例として4つの反射ミラーから構成されているものを示している。反射型マスク124により反射されたEUV光は、凹面第1ミラー150a、凸面第2ミラー150b、凸面第3ミラー150c、凹面第4ミラー150dの順で反射されて、マスクパターンの縮小された像を形成する。
ウエハWの露光処理は、典型的には、ステップ・スキャンにより行われる。この場合、前記照明システムによりEUV光が反射型マスク124の所定の領域に照射されてマスクパターンがウエハWの露光領域に投影され、露光の間、静電チャック10とウエハステージ130は、像光学システム122に対してそれぞれ相対的に位相を合わせて、像光学システム122の縮小率に従った所定の速度で移動する。ここで、反射型マスク124とウエハWのスキャンは、像光学システム122に対して1つの自由度に対して行われる。反射型マスク124の全ての領域をウエハWの所定の領域に露光すると、ウエハWのダイ上へのパターンの露光は完了する。次に、露光はウエハWの次のダイへとステップして進む。なお、ウエハWを保持するウエハステージ130は、X,Y,Z方向に可動であることが好ましい。
このような露光処理の際には、ウエハW上のレジストから生じるガスが像光学システム122の各ミラー150a〜150dに影響を与えないように、ウエハWはパーティション152の後ろに配置されることが望ましい。このパーティション152は開口152aを有しており、この開口152aを通じてEUV光が凹面第4ミラー150dからウエハWへと照射される。パーティション152内の空間は真空ポンプ154により真空排気されている。これにより、ウエハWの表面に設けられているレジスト膜(図示せず)に照射することにより生じるガス状のゴミが、各ミラー150a〜150dや反射型マスク124に付着することによる光学性能の悪化が防止される。
実施例および比較例について説明する。
静電チャックの製造に際して、誘電セラミックス体の原料粉末としては、負の熱膨張係数を有するリチウムアルミノシリケートと、正の熱膨張係数を有する炭化珪素とが、熱膨張係数が20〜26℃の範囲で−0.5×10−6〜0.5×10−6になるように配合されたものを用いた。また、電極材料としては、30mmφのタングステンメッシュと、152×152mm□で中心部に40mmφの穴が抜かれたタングステンメッシュとを用いた。
静電チャックの製造に際して、誘電セラミックス体の原料粉末としては、負の熱膨張係数を有するリチウムアルミノシリケートと、正の熱膨張係数を有する炭化珪素とが、熱膨張係数が20〜26℃の範囲で−0.5×10−6〜0.5×10−6になるように配合されたものを用いた。また、電極材料としては、30mmφのタングステンメッシュと、152×152mm□で中心部に40mmφの穴が抜かれたタングステンメッシュとを用いた。
静電チャックは、上記原料粉末を所定の型に入れて一軸プレスで成形し、成形体の上に上記タングステン製の電極を先に図3に示したように配置し、その上に原料粉末を充填して、ホットプレス焼成した。こうして得られた焼結体を研削加工し、160mm×160mm×20mmとした。タングステンメッシュからなる電極は、吸着面となる面の表面から2mmの深さの位置に配置した。吸着面の反対の面から各電極に給電するための端子を挿入するために、焼結体に4mmφの孔を空け、各孔に3.8mmφの金属製のピンを挿入して、これを各電極と接続した。
このようにして2個の静電チャックを作製し、そのうちの1個(実施例)には、吸着面を、その中心部がその周縁部よりも80nm深くなるように凹状に加工した。残りの1個(比較例)では、吸着面を40nm以下の平面度を有するように加工した。
このようにして作製した実施例および比較例の静電チャックに、それぞれマスクを吸着させて、マスクの平面度をレーザ干渉計を用いて測定した。ここでは、マスクの平面度が152×152mmエリア内で40nm以下となるものを合格と判定した。
なお、マスクとしては、ガラス製で、形状が152mm×152mm×6.3mmであり、ヤング率が80GPaであり、静電チャックに吸着される側の表面には厚さ数十μmの導電性膜が形成されているものを用いた。また、静電チャックに設けられた2個の電極への電圧印加方法としては、中心部に配置された30mmφのタングステンメッシュ電極に先に所定の電圧を印加し、それから所定時間が経過した後に、152×152mm□のタングステンメッシュ電極に所定の電圧を印加する方法を用いた。なお、実施例および比較例の静電チャックは、図6の平面図に示すように、その側面の3点で拘束した。
実施例および比較例の静電チャックにそれぞれ吸着保持されたマスクの平面度を測定した結果、実施例ではマスクの平面度は40nm以下であったが、比較例の平面度は40nmよりも大きくなった。これにより、静電チャックの吸着面を凹状とすることにより、マスクを高精度で保持することができることが確認された。
上述の通り、本発明の静電チャックは半導体製造装置、特に露光装置用の部材として好適である。
10;静電チャック
11・11′;誘電セラミックス体
12a・12b;電極
13a・13b;スイッチ
14;電源
15;ピン
16;リブ
17a;ガス供給孔
17b;ガス排出孔
20;マスク
120;EUV光リソグラフィシステム
122;像光学システム
124;反射型マスク(レチクル)
130;ウエハステージ
132;真空チャンバ
134;真空ポンプ
136;レーザ源
138;キセノンガス供給装置
140;真空チャンバ
141;窓
142;ノズル
144;放物面ミラー
146;集光ミラー
150a;凹面第1ミラー
150b;凸面第2ミラー
150c;凸面第3ミラー
150d;凹面第4ミラー
152:パーティション
152a;開口
154;真空ポンプ
11・11′;誘電セラミックス体
12a・12b;電極
13a・13b;スイッチ
14;電源
15;ピン
16;リブ
17a;ガス供給孔
17b;ガス排出孔
20;マスク
120;EUV光リソグラフィシステム
122;像光学システム
124;反射型マスク(レチクル)
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144;放物面ミラー
146;集光ミラー
150a;凹面第1ミラー
150b;凸面第2ミラー
150c;凸面第3ミラー
150d;凹面第4ミラー
152:パーティション
152a;開口
154;真空ポンプ
Claims (6)
- その底面で被吸着物を吸着保持することができるように少なくとも底部に誘電体を備え、かつ、その側面を介して半導体製造装置の内部に固定される静電チャックであって、
被吸着物を吸着保持する前記誘電体の底面が、凹状であることを特徴とする静電チャック。 - 前記誘電体層は、体積抵抗率が1×109〜1×1014Ω・cmであり、ヤング率が100GPa以上であり、20℃〜26℃における平均熱膨張係数が−0.5×10−6〜0.5×10−6であることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 前記被吸着物は、ヤング率が100GPa以下の板状のガラスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の静電チャック。
- 前記誘電体層に被吸着物を吸着保持するための静電力を発生させる、略同心円状に配置された2以上の独立駆動が可能な電極を有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の静電チャック。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の静電チャックを備えたことを特徴とする露光装置。
- 底面が被吸着物を吸着保持する吸着面であり、かつ、前記吸着面が凹状である静電チャックに、その下方から被吸着物を接近させて、前記被吸着物を前記吸着面に吸着保持させる、被吸着物の吸着方法であって、
前記吸着面の中心部で前記被吸着物の略中心部を吸着保持した後に、前記吸着面の中心部の外側で前記被吸着物の未吸着部を吸着保持することを特徴とする被吸着物の吸着方法。
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