CN113892061A - 分裂式双面晶片和掩模板夹具 - Google Patents

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Abstract

公开了一种静电夹具及其制造方法。静电夹具包括第一堆叠和第二堆叠，其中第一堆叠与第二堆叠接合。第一堆叠和第二堆叠中的每个堆叠包括：夹具主体；一个或多个电极，设置在夹具主体上；电介质板，设置在一个或多个电极上；以及在夹具主体的内部的多个通道。

Description

分裂式双面晶片和掩模板夹具
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年5月29日提交的美国临时专利申请号62/853,900的优先权，在此通过整体引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种静电夹具，其用于在真空系统(例如，极紫外(EUV)光刻系统)中支撑物体(例如，掩模板或衬底)。
背景技术
光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案化装置(其备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成待被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包括被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分，同时在平行或反平行于该扫描方向上同步地扫描目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底上。
为了在衬底上印刷图案，光刻设备可以使用电磁辐射。电磁辐射的波长决定了印刷在抗蚀剂中的最小特征尺寸。随着半导体技术向亚20nm节点发展，使用具有极紫外(EUV)辐射的光刻系统来提供临界尺寸。极紫外(EUV)辐射可以具有在4nm至20nm之间的范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm。
在光刻工艺期间，通过夹具将掩模板和衬底保持在光刻设备中的适当位置。使用EUV辐射的光刻设备可能要求在光刻操作期间EUV辐射束路径或其至少大部分必须被保持在真空中。因此，在EUV光刻设备中，使用静电夹具代替传统的真空夹具。
此外，使用EUV辐射的光刻设备可能需要对例如掩模板和/或衬底进行温度调节。所吸收的EUV辐射或不希望的非EUV辐射所产生的热可能会造成掩模板和/或衬底的变形。为了减小变形，可以将冷却剂循环通过静电夹具。
在IC制造期间，使用许多光刻级来制造功能产品，其中每个光刻级可以具有不同的掩模板。因此，在半导体设备中的操作期间，光刻设备频繁地改变掩模板和晶片。
因此，需要可靠且成本有效的晶片和掩模板夹具用于EUV光刻设备。
发明内容
在本公开中描述了静电夹具的实施例及其制造方法。
在一些实施例中，静电夹具包括第一堆叠和第二堆叠，其中第一堆叠与第二堆叠接合。第一堆叠和第二堆叠中的每个堆叠包括夹具主体，设置在夹具主体上的一个或多个电极，设置在电极上的电介质板，以及夹具主体内的多个通道。
在一些实施例中，第一堆叠和第二堆叠通过光学接触键合而被接合。
在一些实施例中，该第一堆叠包括导电层，其中该导电层和该一个或多个电极在该夹具主体的相反侧上。
在一些实施例中，第一堆叠和第二堆叠通过在第一堆叠的导电层和第二堆叠的一个或多个电极之间产生的电力来被接合。
在一些实施例中，夹具主体包括具有超低膨胀系数的绝缘体。
在一些实施例中，该多个通道被配置为用于携带经热调节的液体或气体。
在一些实施例中，第一堆叠和第二堆叠中的每个堆叠还包括绝缘层，该绝缘层被配置为电隔离所述一个或多个电极。
在一些实施例中，电介质板包括多个突节。
本发明的另一方面提供一种用于制造静电夹具的方法。该方法包括形成静电夹具的第一堆叠，形成静电夹具的第二堆叠，以及将第一堆叠与第二堆叠接合。
在一些实施例中，静电夹具的第一堆叠和第二堆叠的形成包括：在夹具主体中形成多个通道，在夹具主体上形成一个或多个电极，在夹具主体上形成绝缘层，以及在一个或多个电极上形成电介质板。在一些实施例中，该方法还包括在电介质板上形成多个突节。
在一些实施例中，第一堆叠与第二堆叠的接合包括：抛光静电夹具的第一堆叠和第二堆叠的底表面，其中底表面和电介质板在第一堆叠和第二堆叠的相应夹具主体的相对侧上。第一堆叠与第二堆叠的接合还包括：在第一堆叠和第二堆叠的抛光的底表面之间形成光学接触键合。
在一些实施例中，第一堆叠与第二堆叠的接合包括：在第一堆叠的底表面上沉积导电层，其中第一堆叠的底表面和电介质板在夹具主体的相对侧上。第一堆叠与第二堆叠的接合还包括：在第一堆叠的导电层上施加第一电压，以及在第二堆叠的一个或多个电极上施加不同于第一电压的第二电压。
本发明的另一方面提供一种具有上述静电夹具的光刻设备。
在一些实施例中，光刻设备还包括配置成照射图案化装置上的图案的照射设备，以及配置成将图案的图像投影到衬底上的投影系统，其中衬底设置在静电夹具上。
在一些实施例中，该第一堆叠包括导电层，其中该导电层和该一个或多个电极在该夹具主体的相反侧上。
在一些实施例中，第一堆叠和第二堆叠通过在第一堆叠的导电层和第二堆叠的一个或多个电极之间产生的电力来被连接。
在一些实施例中，光刻设备还包括被配置为照射图案化装置上的图案的照射设备，其中图案化装置的图像投影到衬底上的投影系统，其中图案化装置设置在静电夹具上。
在一些实施例中，该第一堆叠包括导电层，其中该导电层和该一个或多个电极在该夹具主体的相反侧上。
在一些实施例中，第一堆叠和第二堆叠通过在第一堆叠的导电层和第二堆叠的一个或多个电极之间产生的电力来被连接。
下面参考附图详细描述本发明的其他特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文中描述的特定实施例。本文中提出这种实施例仅用于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是清楚的。
附图说明
包含在本文中的并且构成说明书一部分的附图图示了本发明，并且与描述一起进一步用于解释本发明的原理，并且使得相关领域的技术人员能够制作和使用本发明。
图1是根据示例性实施例的反射光刻设备的示意图。
图2是根据示例性实施例的反射光刻设备的更详细的示意图。
图3是根据示例性实施例的光刻单元的示意图。
图4A和图4B是根据本公开的一些实施例的静电夹具的示意图。
图5是根据本公开的一个实施例的具有双堆叠的静电夹具的示意图。
图6是根据本发明的另一实施例的具有双堆叠的静电夹具的示意图。
图7示出了根据本公开的一些实施例的用于形成具有双堆叠的静电夹具的第一堆叠的示例性方法。
图8A至图8D示出根据本公开的一些实施例的具有双堆叠的静电夹具的第一堆叠在各个工艺阶段的截面图。
图9说明根据本发明的一些实施例的用于形成具有双堆叠的静电夹具的示例性方法。
图10A和10B示出了根据本公开的一些实施例的具有双堆叠的静电夹具在不同工艺阶段的截面图。
图11说明根据本发明的一些实施例的用于形成具有双堆叠的静电夹具的示例性方法。
图12A至图12C示出根据本发明的一些实施例的具有双堆叠的静电夹具在各种工艺阶段的横截面图。
结合附图，从下面阐述的详细描述中，本发明的特征和优点将变得更加明显，在附图中，相同的附图标记始终标识相应的元素。在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元素。另外，通常，附图标记的最左边的数字标识该附图标记首次出现的附图。除非另外指出，否则贯穿本公开提供的附图不应当被解释为按比例绘制的附图。
具体实施例
本说明书公开了结合本发明特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅例示了本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附的权利要求限定。
所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用，指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是可能不一定每个实施例都包括特定的特征、结构或特性。而且，这种短语不一定是指相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应当理解，结合其他实施例(无论是否明确描述)来实现这种特征、结构或特性，也在本领域技术人员的知识的范围内。
为了便于描述如图中所示一个元素或特征与另一元素或特征的关系，此处可以使用空间相对术语，诸如“在……下方”、“在……下面”、“在……下部”、“在……上方”、“在……上面”、“在……上部”等。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或操作中的不同方位。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或以其他方位)，并且相应地，在此使用的相关描述语可以在空间上被同样地解释。
如本文中使用的，术语“大约”表示可以基于特定技术而变化的给定量的值。根据特定的技术，术语“大约”可以表示给定量的值，该值在其例如10％到30％之间变化(例如，该值的±10％、±20％或±30％)。
本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式来存储或透射信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程和/或指令可以在本文中描述为执行某些动作。但是，应当理解，这种描述仅仅是为了方便，并且这种动作实际上是由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备引起的。
然而，在更详细地描述这种实施例之前，提供可以实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
示例性反射光刻系统
图1是光刻设备100的示意图，其中可以实现本发明的实施例。光刻设备100包括以下各项：照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被配置为支撑图案化装置(例如，掩模，掩模版或动态图案化装置)MA，连接到第一定位器PM，所述第一定位器PM被配置为精确地定位图案化装置MA；以及衬底台(例如，晶片台)WT，被配置为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为精确地定位衬底W。光刻设备100还具有反射投影系统PS，被配置为将由图案化装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)C上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型，反射型，反折射型，磁性型，电磁型，静电型或其它类型的光学部件，或它们的任意组合，用于引导，成形或控制辐射束B。
支撑结构MT以这样的方式保持图案化装置MA，该方式取决于图案化装置MA相对于参考框架的取向，光刻设备100的设计和其它条件，例如图案化装置MA是否保持在真空环境中。支撑结构MT可以使用机械，真空，静电或其它夹持技术来保持图案化装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或工作台，其可以根据需要是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案化装置MA处于例如相对于投影系统PS的期望位置。
术语“图案化装置”MA应当被广义地解释为：指代可以被用于向辐射束B的横截面赋予图案的任何装置，例如可以在衬底W的目标区域C中产生图案的装置。赋予到辐射束B的图案可以对应于在目标部分C中产生的、器件中的特定功能层，以形成集成电路。
在一些实施例中，图案化装置MA可以是反射性的(如在图1的光刻设备100中)。图案化装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移或衰减相移等掩模类型、以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独倾斜，以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜的反射镜将图案赋予在辐射束B中，该图案被小反射镜矩阵反射。
术语“投影系统”PS可以包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、折反射、磁性、电磁和静电光学系统、或其任何组合，以适合所使用的曝光辐射、或其他因素，诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空等。真空环境可以被用于EUV或电子束辐射，因为其他气体会吸收过多的辐射或电子。因此，借助于真空壁和真空泵可以向整个光束路径提供真空环境。
光刻设备100可以是具有两个(双台)或更多衬底台WT(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行使用附加的衬底台WT，或者可以在使用一个或多个其它衬底台WT进行曝光的同时在一个或多个台上执行准备步骤。在一些情况下，附加台可以不是衬底台WT。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当源SO是准分子激光器时，源SO和光刻设备100可以是分离的物理实体。在其它情况下，例如当源SO是汞灯时，源SO可以是光刻设备100的组成部分。在一些实施例中，源SO被配置为产生EUV辐射束。
辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案化装置(例如，掩模)MA上，并由图案化装置MA形成图案。在光刻设备100中，辐射束B从图案化装置(例如掩模)MA反射。在从图案化装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量装置，线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以精确地移动(例如，以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案化装置(例如掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2来对准图案化装置(例如，掩模)MA和衬底W。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以精确地移动(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(图1B中未示出)可以被用于相对于辐射束B的路径，精确地定位掩模MA(例如，在从掩模库机械取回之后，或者在扫描期间)。
通常，掩模台MT的移动可以借助于形成为第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现。类似地，衬底台WT的移动可以使用形成为第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器的情况下(与扫描仪相对)，掩模台MT可以仅连接到短行程致动器，也可以被固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2，来对准掩模MA和衬底W。尽管衬底对准标记(如图所示)占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(被称为划线对准标记)。类似地，在大于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。
在一些实施例中，掩模台MT和图案化装置MA可以在真空室V中，其中真空机器人IVR可以用于将图案化装置例如掩模移入和移出真空室。需要对真空内机器人进行校准，以便将任何有效负载(例如，掩模)平滑地传送到传送站的固定运动支座。
光刻设备100可以用于以下模式中的至少一种：
1.在步进模式下，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止，而赋予到辐射束B的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，一次静态曝光)。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上移动，使得可以曝光不同的目标部分C。
2.在扫描模式下，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT，同时赋予到辐射束B的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向，可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。
3.在另一模式下，支撑结构(例如，掩模台)MT保持基本静止，以保持可编程图案化装置，并且在赋予辐射束B的图案被投影到目标部分C上的同时，衬底台WT被移动或扫描。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案化装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案化装置(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。
也可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。
图2更详细地示出了光刻设备100，包括源收集器设备SO，照射系统IL和投影系统PS。
源收集器设备50被构造和布置为使得真空环境可以保持在封闭结构220中。源收集器装置50包括源室211和收集器室212，并被配置为产生和透射EUV辐射。
EUV辐射可由气体或蒸汽产生，例如Xe气体，Li蒸汽或Sn蒸汽，其中产生EUV辐射发射等离子体210以发射电磁光谱的EUV范围内的辐射。至少部分电离的EUV辐射发射等离子体210可通过例如放电或激光束产生。为了有效地产生辐射，可能需要例如10Pa的Xe，Li，Sn蒸汽或任何其它合适的气体或蒸汽的分压。在一个实施例中，提供激发的锡(Sn)等离子体以产生EUV辐射。
由EUV辐射发射等离子体210发射的辐射经由可选的气体阻挡或污染物陷阱230(在一些情况下也称为污染物阻挡或箔陷阱)从源室211进入收集器室212，该气体阻挡或污染物陷阱230位于源室211中的开口中或开口的后面。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物收集器230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件和通道结构的组合。此处进一步指出的污染物陷阱或污染物阻挡件230至少包括通道结构。
收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤光片240反射出来以被聚焦在虚拟源点IF上。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器装置被布置为使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或开口219的附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光片240特别地被用于抑制红外(IR)辐射。
随后，辐射穿过照射系统IL，该照射系统IL可以包括多面的场反射镜装置222和多面的光瞳反射镜装置224，多面的场反射镜装置222和多面的光瞳反射镜装置224被布置为：在图案化装置MA处提供辐射束221的期望角度分布，并且在图案化装置MA处提供期望的辐射强度均匀性。当辐射束221在由支撑结构MT保持的图案化装置MA处反射时，形成图案化光束226，并且图案化光束226通过投影系统PS经由反射元件228、229成像到由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。
照射光学单元IL和投影系统PS中通常可以存在比所示更多的元件。取决于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅光谱滤光片240。此外，可以存在比图2所示更多的反射镜，例如，与图2所示的相比，在投影系统PS中可以存在一至六个附加反射元件。
如图2所示，集光器CO被描绘为具有掠入射反射器253，254和255的嵌套集光器，只是作为集光器(或集光镜)的示例。掠入射反射器253，254和255围绕光轴O轴对称设置，并且这种类型的集光器CO优选地与通常称为DPP源的放电产生等离子体源结合使用。
示例性光刻单元
图3示出了光刻单元300，有时也称为光刻单元或簇。光刻设备100可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行曝光前和曝光后工艺的一个或多个装置。常规地，这些一个或多个装置包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于使曝光的抗蚀剂显影的显影剂DE、冷却板CH和烘烤板BK。衬底处理机或机械手RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的处理装置之间移动它们，然后将它们传送到光刻设备100的进料台LB。这些装置通常被统称为轨道的设备在轨道控制单元TCU的控制下，轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU控制光刻设备。因此，可以操作不同的装置以使吞吐量和处理效率最大化。
示例性静电夹具
图4A和4B示出了根据一些实施例的示例性静电夹具400和402的截面示意图，该静电夹具400和402可以被配置为在光刻设备100中的操作期间保持物体403。物体403可以是图案化装置(例如，掩模板)或衬底(例如，晶片)。在一个示例中，静电夹具400可以用于将图案化装置(例如，掩模版)MA保持在光刻设备100的支撑结构MT上，并且静电夹具402可以用于将衬底(例如，晶片)W保持在衬底台WT上。在该示例中，静电夹具400也被称为掩模版夹具400，并且静电夹具402也被称为晶片夹具402。
根据一个实施例，静电夹具400和402包括夹具主体404，电介质板406和电极408。在一些实施例中，静电夹具400和402还包括嵌入在夹具主体404内的多个通道410。
夹具主体404具有相对且平行的表面404f和404b。表面404f更靠近物体403(例如，掩模板或晶片)。表面404b可以更靠近位于光刻设备100(在图1-2中)中的支撑结构MT上的掩模版卡盘412(在图4A中示出)。表面404b可以靠近位于光刻设备100(在图1至图2中)中的衬底台WT上的晶片卡盘413(在图4B中示出)。
在一些实施例中，夹具主体404可以由绝缘体制成，该绝缘体被配置为向该物体提供机械支撑，并且在静电夹具400和402的操作过程中隔离静电场，如以下进一步解释的。在一些实施例中，绝缘体可具有超低热膨胀系数，且可以包括(例如)超低膨胀硅基材料(例如，由Corning制造的
Figure BDA0003372312730000121
)，玻璃材料，陶瓷材料，硅基玻璃陶瓷材料(例如，由SCHOTT制造的
Figure BDA0003372312730000122
)或其任何组合。通过使用具有超低热膨胀的材料，可以在高温制造静电夹具400和402期间减小热应力。高热应力可能导致静电夹具400和402的变形，当物体403被安装在衬底台WT或支撑结构MT上的静电夹具400或402上时，在夹持操作期间，该变形可被传递到物体403。
在一些实施例中，电介质板406可以由绝缘体制成，并且还可以具有超低的热膨胀系数。在一些实施例中，电介质板406可由与夹具主体404相同的材料制成，使得由于异质材料之间的热膨胀失配而引起的热应力可以被最小化。在一些实施例中，电介质板406也可以由具有与掩模板或晶片基本匹配的特性的材料制成。
在一些实施例中，电介质板406还可以包括多个突节414，其中突节414在夹持操作期间接触物体403或卡盘412。突节414具有较小的横向尺寸(例如，图4A中所示的“L”)，使得可以减小与物体403的总接触面积。这样，突节414可有助于提供与物体403的紧密接触，因为在统计上，污染颗粒不太可能落在与大的平坦表面相比更小的表面积上。此外，给定一定的夹持力，静电夹具400或402与物体403之间的压力以更小的接触面积增加。因此，可以形成更紧密的接触。
在一些实施例中，静电夹具400或402的电极408位于夹具主体404和电介质层406之间，并且每个电极408通过绝缘层416与另一电极隔开。在一些实施例中，电极408和绝缘层416是共面的。在一些实施例中，电极408可由任何合适的导电材料制成，例如金属或金属合金，例如铝，铬，铂，金或其任何组合。在一些实施例中，绝缘层416可以由任何合适的绝缘体制成，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，聚酰亚胺，旋涂玻璃等。
电极408可以施加100至5000V范围内的电压，并且可以在电介质板406上产生电场，其中电场可以在物体403的导电表面上感应相反的电荷(也称为“镜像电荷”)。电极和镜像电荷之间的吸引力使物体保持与静电夹400或402紧密接触。在一些实施例中，物体403包括半导体晶片，其中半导体晶片背面上的半导体材料可以具有导电表面。这样，静电夹具402可以在半导体晶片的背面上感应镜像电荷，并因此将晶片保持在适当位置(在图4B中面向上)。在一些实施例中，物体403包括掩模板，其中掩模板的背面可以涂覆有导电薄膜。类似地，静电夹具400可以在掩模板的背面上引入镜像电荷，从而将掩模板保持在适当位置(在图4A中颠倒)。
在一些实施例中，在电极408上施加的电压可以在电介质板406上产生大的电场，然而，漏电流可以非常小。在一些实施例中，选择电介质板406的厚度和材料，使得电极408和物体403之间的漏电流可以忽略，并且与高电场相关的击穿电压高于静电夹400和402的工作电压范围。在物体403的导电表面上感应的镜像电荷也被称为静电荷。类似地，选择每个电极408和绝缘层416的材料之间的距离，使得电极408之间的漏电流也可忽略，并且绝缘层416的击穿电压高于静电夹具400和402的工作电压范围。
在图4B中，静电夹具(例如，晶片夹具)402包括底部电介质板418，底部绝缘层420和底部电极422，所述底部电介质板418，底部绝缘层420和底部电极422，静电夹具被配置为保持位于图1至图2中的衬底台WT上的晶片卡盘413上的晶片夹具。底部电介质板418，底部绝缘层420和底部电极422的材料和结构分别类似于电介质板406，绝缘层416和电极408。因为晶片夹具413通常由金属材料制成或涂覆有金属材料且可电接地(或直接施加有外部电压)，所以单个底部电极422可以足以用于晶片夹具402。在此实例中，由于电位的差异(例如，不同的电压值)，可在底部电极422与晶片卡盘413之间直接建立电场。这样，晶片夹具402可以通过电力保持在晶片卡盘413上。
尽管图4A和图4B仅示出了四个电极408，但是应当理解，静电夹具400或402可以包括更少或更多的电极。类似地，图4B中的底部电极422不限于单个电极。
在一些实施例中，静电夹具400和402的通道410平行于表面404f或404b。通道410可以被配置为携带经热调节的液体或气体，例如但不限于水，空气，酒精，乙二醇或相变冷却剂(例如，氟利昂，二氧化碳)。外部泵(未示出)可以被用于调节温度并驱动液体或气体循环通过通道410。
循环的经热调节的液体或气体可以帮助将静电夹具400和402的温度调节到期望的温度。静电夹具400和402的温度调节可以包括：通过来自静电夹具400和402的经热调节的流体吸收不需要的热量。该不需要的热量可以通过夹持表面和/或突节从处于夹持状态的物体403传递到静电夹具400和402。
在一些实施例中，光刻设备100是EUV系统。诸如掩模板或晶片的物体403可以在操作期间吸收EUV辐射，并且所吸收的光能可以导致物体403中的热量和升高的温度，从而引起物体的变形(例如翘曲)，并由此导致光刻期间图案转移中的误差。通过经由通道410使晶片冷却，静电夹具400和402的温度可以保持相对恒定。来自物体403(例如，晶片或掩模板)的额外热量可以通过冷却的夹具400或402耗散。
如图4B所示，静电夹具402可用作晶片夹具。在该示例中，静电夹具402依靠电力将晶片403保持在适当位置、并连接到晶片卡盘413。可以在电极408和晶片403上的镜像电荷之间产生电力。还可以在底部电极422和晶片卡盘413之间产生电力(例如，电接地)。
如图4A所示，静电夹具400可用作掩模板夹具。在该示例中，静电夹具400可以通过电极408之间的电力和掩模板中感应的镜像电荷将掩模板403保持在适当位置。在一些实施例中，模版夹具400可以通过表面404b处的“光学接触”附接到模版卡盘412。在该示例中，“光学接触”指的是在基本上无缺陷的和高度抛光的表面之间的直接键合，而不使用任何键合材料，例如环氧树脂或任何其它粘合材料。“光学接触”可由分子间相互作用产生，例如键合表面之间的范德华力。在一些实施例中，退火可以将范德华力转化为更强的共价键合，并且可以因而增强键合结构。
在集成电路(IC)的制造过程中，光刻工艺广泛用于在半导体晶片上形成设计图案。在制造设备中，在光刻工具中处理大量的半导体晶片。在一定时间内可处理的晶片数目(例如，每小时晶片)是生产率的品质因数。因此，用于光刻工具的晶片夹具需要便于快速和容易地更换晶片，以及由于高使用率而易于更换损坏或磨损的晶片夹具。图4B所示的晶片夹具402实现了这些特征，然而，在单个静电夹具上难以制造双电极并且制造成本高。
虽然先进的半导体技术节点需要多于50个光刻级，每个级具有特别设计的掩模板，但是与改变晶片相比，改变掩模板的发生频率较低。图4A所示的静电夹具400在靠近掩模板403的一侧上具有电极408，这可以更容易和更便宜地制造。然而，掩模板夹具400与掩模板卡盘412的附接是通过光学接触(或直接键合)，这仅可由本领域技术人员在特殊环境中进行。当掩模板夹具400存在需要更换的问题时，整个掩模板夹具400和掩模板卡盘412必须被更换，并且只能在特殊环境中拆卸。该问题会负面影响生产率并增加制造成本。
在本公开中，公开了一种具有双堆叠的静电夹具及其制造方法。具有双堆叠的静电夹具可提供快速且容易的晶片/掩模板更换，以及快速且容易的晶片/掩模板夹具更换。所公开的静电夹具的双堆叠可以并行制造，从而提高循环时间和产量。
具有双堆叠的示例性静电夹具
图5示出了根据本公开的一些实施例的具有双堆叠(例如，第一堆叠501和第二堆叠502)的示例性静电夹具500。静电夹具500的第一堆叠501包括第一电介质板506和第一电极508。静电夹具500的第二堆叠502包括第二电介质板518和第二电极522。在该示例中，第一堆叠501和第二堆叠502在夹具主体504处连接为一体。第一电介质板506和第二电介质板518位于夹具主体504的相对侧上。第一电极508被夹在第一电介质板506和夹具主体504之间。第二电极522被夹在第二电介质板518和夹具主体504之间。在一些实施例中，静电夹具500的第一堆叠和第二堆叠501和502中的每个堆叠包括嵌入在夹具主体504内的多个通道510。
在一些实施例中，静电夹具500可以被配置为在光刻设备100中的操作期间夹持到卡盘512和物体503上。物体503可以是图案化装置(例如，掩模板)或衬底(例如，晶片)。在一个示例中，静电夹具500可以用于将图案化装置(例如，掩模版)MA保持在光刻设备100的支撑结构MT的卡盘512上。在另一示例中，静电夹具500还可以用于将衬底(例如晶片)W保持在衬底台WT的卡盘512上。这样，具有双堆叠的静电夹具500可用作掩模板夹具或晶片夹具。
在一些实施例中，静电夹具500可以通过第一电极508被夹持到物体503上并且可以通过第二电极522被夹持到卡盘512上。在夹持操作期间，物体503和卡盘512分别与第一和第二电介质板506和518接触。
在一些实施例中，夹具主体504可以由绝缘体制成，类似于用于图4A和4B中的静电夹具400或402的夹具主体404的材料。在该示例中，夹具主体504可以由具有超低热膨胀系数的绝缘体制成，并且可以包括例如超低膨胀硅基材料(例如，由Corning制造的
Figure BDA0003372312730000171
)，玻璃材料，陶瓷材料，硅基玻璃陶瓷材料(例如，由SCHOTT制造的
Figure BDA0003372312730000172
)或其任意组合。
在一些实施例中，第一和第二电介质板506和518可以由与电介质板406或418类似的绝缘体制成。第一和第二电介质板506和518可以由具有超低热膨胀系数的绝缘体制成。在一些实施例中，第一和第二电介质板506和518可以由与夹具主体504相同的材料制成，使得由于异质材料之间的热膨胀失配而引起的热应力可以被最小化。
在一些实施例中，第一和第二电介质板506和518还可以包括多个突节514，其中突节514可以在夹持操作期间提供与物体503或卡盘512的更好接触。突节514的尺寸和功能类似于图4A和图4B所示的突节414。
在一些实施例中，静电夹具500的第一和第二电极508和522也分别由第一和第二绝缘层516和520电隔离。在一些实施例中，第一和第二电极508和522分别与第一和第二绝缘层516和520共面。在一些实施例中，第一和第二电极508和522可以由任何合适的导电材料制成，例如金属或金属合金，例如铝，铬，铂，金或其任何组合。在一些实施例中，第一和第二绝缘层516和520可以由任何合适的绝缘体制成，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，聚酰亚胺，旋涂玻璃等。
在一些实施例中，类似于图4A和图4B中的电极408和422，第一和第二电极508和522可以施加100到5000V范围内的电压，并且可以分别在第一和第二电介质板506和518上产生电场。穿过第一和第二电介质板506和518的电场可以分别在物体503和卡盘512的导电表面上感应相反的电荷(也称为“镜像电荷”)，从而在第一电极508和物体503上的镜像电荷之间以及在第二电极522和卡盘512上的镜像电荷之间产生吸引力。这样，静电夹具500可以保持物体503和卡盘512紧密接触。
在一些实施例中，物体503可以是半导体晶片，其中半导体晶片的背面503b可以具有导电表面。这样，静电夹具500可以在半导体晶片的背面503b上引入镜像电荷，并因此将晶片保持在适当位置。在一些实施例中，物体503可以是掩模板，其中掩模板的背面503b可以涂覆有导电薄膜，例如铬层。类似地，静电夹具500可以在掩模板的背面503b上引入镜像电荷，从而将掩模板保持在适当位置。
在一些实施例中，静电夹具500可以被配置为夹持到位于图1-2中的支撑结构MT或衬底台WT上的卡盘512上。在一些实施例中，卡盘512可以由金属材料制成或用金属材料涂覆。在此实例中，卡盘512可电接地或直接施加外部电压。因此，当施加不同的电偏压时，可在第二电极522与卡盘512之间直接建立电场。来自电场的电力可以将静电夹具500保持在卡盘512上。注意，第一和第二电极508和522的数目不限于图5所示的数目。静电夹具500可以包括更少或更多的电极，这是本领域技术人员已知的。
类似于图4A和图4B中的电介质板406/418，可以选择第一和第二电介质板506和518的厚度和材料，使得第一和第二电介质板506/518与物体503/卡盘512之间的漏电流可以忽略，并且与高电场相关联的击穿电压高于静电夹具500的操作电压范围。类似地，可以选择第一和第二绝缘层516和520的宽度和材料，使得电极之间(例如图5中的每个第一电极508之间)的漏电流也可以忽略，并且第一和第二绝缘层516和520的击穿电压高于静电夹具500的工作电压范围。
在一些实施例中，静电夹具500包括至少两行通道510，每行平行于静电夹具500的表面延伸，一行靠近第一电极508，另一行靠近第二电极522。类似于图4A和图4B中的通道410，通道510可以被配置为携带经热调节的液体或气体，例如但不限于水，空气，酒精，乙二醇或相变冷却剂(例如，氟利昂，二氧化碳)。外部泵(未示出)可以被用于调节温度并驱动液体或气体循环通过通道510。循环的经热调节的液体或气体可以帮助将静电夹具500的温度调节到期望的温度。至少两排通道510的构造使得能够单独地对静电夹具500的相对侧进行热控制。例如，更靠近第一电极508的通道510可以循环冷却水，并且可以被用于在夹持操作期间冷却物体503。在另一实例中，更靠近第二电极522的通道510可以循环温水，使得卡盘512可在夹持操作期间保持在室温。
图6示出了根据本公开的一些实施例的具有双堆叠(例如，第一堆叠601和第二堆叠602)的示例性静电夹具600。在此实例中，第一堆叠601堆叠在第二堆叠602上。静电夹具600的第一堆叠和第二堆叠601和602分别包括第一和第二夹具主体604和605。在一些实施例中，第一电极608和第一电介质板606设置在第一夹具主体604的顶部上。第二电极622和第二电介质板618设置在第二夹具主体605上。导电层624设置在第一夹具主体604上，与第一电极608和第一电介质板606相对的一侧。在该示例中，导电层624，第二电介质板618和第二电极622位于第一夹具主体604和第二夹具主体605之间。在一些实施例中，静电夹具600包括嵌入第一夹具主体604内的多个通道610和嵌入第二夹具主体605内的多个通道611。第一和第二电介质板606和618中的每一个包括多个突节614。静电夹具600还包括第一和第二绝缘层616和620，被配置为分别隔离第一和第二电极608和622。
在一些实施例中，第一和第二电介质板606和618类似于图5中的静电夹具500的第一和第二电介质板506和518。在一些实施例中，第一和第二电极608和622类似于静电夹具500的第一和第二电极508和522。在一些实施例中，第一和第二绝缘层616和620类似于静电夹具500的第一和第二绝缘层516和520。在一些实施例中，第一和第二通道610和611类似于静电夹具500的通道510。在一些实施例中，突节614类似于静电夹具500的突节514。
在一些实施例中，静电夹具600可被配置为当第一电极608以某些电压适当地偏置时保持物体603。例如，正电压和负电压可以交替地施加到第一电极608。每个第一电极608可以与两个反向偏置的第一电极608相邻。类似于静电夹具500的第一电极508，第一电极608可以在物体603的导电表面603b上感应出镜像电荷。电场以及由此在第一电极608和物体603上的镜电荷之间的电吸引力可以足够强以保持物体603与静电夹具600紧密接触。
在一些实施例中，可以将某些电压施加到第二电极622和导电层624，使得第二电极622和导电层624的电位可以不同，从而在第二电介质板618上产生吸引电场和电力。例如，第二电极622可以施加正电压，导电层624可以施加负电压或电接地。在另一实例中，第二电极622可施加负电压或电接地，且导电层624可施加正电压。第二电极622与导电层624之间的电力可足够强以将第一堆叠601和第二堆叠602键合在一起作为一个静电夹具600。
在一些实施例中，静电夹具600可通过直接键合(也称为光学接触键合)附接到卡盘612。光学接触键合可以在两个基本上无缺陷和高度抛光的表面之间进行，而不使用诸如环氧树脂的任何粘合剂。光学接触键合可由吸引性的分子间相互作用产生，例如键合表面之间的范德华力。在一些实施例中，后键合退火可以将键合力从范德华键改变为更强的共价键，从而增强光学接触键合。
用于形成双堆叠的静电夹具的示例性方法
图7，图9和图11示出了根据实施例的流程图700，900和1100，其示出了用于形成具有双堆叠的静电夹具的方法。应了解，可能不需要图7，图9和图11中的所有步骤来执行本文提供的揭示内容。此外，一些步骤可以同时执行，或者以与图7，图9和图11所示不同的顺序执行。将分别参考图8A至图8D，图10A至图10B和图12A至图12C描述流程图700，900和1100。然而，流程图700，900和1100不限于这些示例性实施例。
图7示出了根据本公开的一些实施例的用于制造具有双堆叠的静电夹具的第一堆叠的流程图700。图8A至图8D示出了根据流程图700的各个工艺步骤的第一堆叠800的截面图。
在图7中的工艺步骤702处，形成具有多个通道810的夹具主体804，其具有图8A中所示的示例性结构。夹具主体804可类似于图5中的夹具主体504和图6中的第一/第二夹具主体604/605。夹具主体804可由具有超低热膨胀系数的绝缘体制成，且可以包括(例如)超低膨胀硅基材料(例如，由Corning制造的
Figure BDA0003372312730000211
)，玻璃材料，陶瓷材料，硅基玻璃陶瓷材料(例如，由SCHOTT制造的
Figure BDA0003372312730000212
)或其任何组合。
夹具主体804的表面可以被抛光(或机加工)以获得具有约0.5nm或更低的均方根(RMS)粗糙度的平滑度。抛光(或机械加工)工艺可以包括：使用例如氧化铈浆料针对玻璃或陶瓷的进行任何合适的抛光工艺。
在抛光之后，可以使用例如包括氢氟酸的酸混合物在夹具主体804的表面上执行酸蚀刻。酸蚀刻可以去除几微米(例如，大约5微米)的夹具主体804。这种从抛光表面去除材料可以帮助减轻夹具主体804中可能由机械加工过程引起的应力。
通道810可以类似于图5中的通道510和图6中的第一/第二通道610/611。在一些实施例中，可以通过使用光刻和玻璃蚀刻工艺来形成通道810。应注意，图8A中的通道810的矩形横截面形状是出于说明性目的，而非限制性的。根据各种实施例，通道810可具有其它横截面形状(例如，圆锥形，梯形)，而不脱离本发明的范围。
在图7中的工艺步骤704处，利用图8B中的示例性结构，在夹具主体804上形成一个或多个电极808。一个或多个电极808可以类似于图5中的第一电极508和图6中的第一电极608。形成一个或多个电极808包括沉积一层导电膜并使用光刻和蚀刻进行图案化。导电膜可以是金属或金属合金，例如铝，铬，铂，金或其任意组合。可以使用适合于金属的任何常规方法沉积导电膜，例如溅射，电镀，热蒸发，原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)。在一些实施例中，形成一个或多个电极808还可以包括使用阴影掩模的沉积。
在图7中的工艺步骤706处，利用图8C中所示的示例性结构，在夹具主体804上形成绝缘层816。在一些实施例中，绝缘层816可类似于图5中的第一/第二绝缘层516/520和图6中的第一/第二绝缘层616/620。绝缘层816可以是任何合适的绝缘体，例如氧化硅，氧氮化硅，氮化硅，聚酰亚胺，旋涂玻璃或其任何组合。绝缘层816的形成可以包括沉积和图案化。绝缘层816可通过使用适用于电介质材料的任何常规方法来沉积，例如但不限于CVD，溅射，蒸发和旋涂。然后可通过使用光刻和蚀刻来图案化绝缘层816。在一些实施例中，绝缘层816的形成还可以包括平坦化工艺，例如化学机械抛光，使得绝缘层816可以与一个或多个电极808共面。
在图7中的工艺步骤708处，利用图8D中所示的示例性结构，在夹具主体804上形成电介质板806。在一些实施例中，电介质板806可以形成在一个或多个电极808和绝缘层816的顶部上。在一些实施例中，电介质板806可以类似于第一/第二电介质板506/518和第一/第二电介质板606/618。在一些实施例中，电介质板806也可以由具有超低热膨胀系数的绝缘体制成。在一些实施例中，电介质板806可由与夹具主体804相同的材料制成，使得由于异质材料之间的热膨胀失配而引起的热应力可以被最小化。
在一些实施例中，电介质板806还包括多个突节814。突节814可以是图5中的突节514和图6中的突节614。可以通过使用光刻和蚀刻对电介质板806进行构图来形成突节814。电介质板806的蚀刻包括湿法蚀刻或干法蚀刻(例如，反应离子蚀刻)。应当注意，突节814的矩形横截面形状是为了说明的目的，而不是限制。根据各种实施例，突节814可具有其它横截面形状(例如，球形，圆锥形，梯形)，而不脱离本发明的范围。
在完成图7中的工艺步骤708之后，用于具有双堆叠的静电夹具的第一堆叠800(如图8D中所示)完成。第一堆叠800可类似于图5中的第一堆叠501和图6中的第一堆叠601。
图9说明根据本发明的一些实施例的用于制造具有双堆叠的静电夹具的流程图900。图10A至图10B示出了根据流程图900的具有双堆叠的静电夹具1010在各个工艺步骤中的截面图。
在图9中的工艺步骤902处，形成用于具有双堆叠的静电夹具的第一堆叠。可使用图7中的流程图700形成第一堆叠。第一堆叠的一个示例是图8D所示的第一堆叠800。
在图9中的工艺步骤904处，形成用于具有双堆叠的静电夹具的第二堆叠。第二堆叠的实例在图10A中显示为第二堆叠1000。可使用图7中的流程图700中的类似工艺步骤形成第二堆叠1000。在一个示例中，第二堆叠1000可以具有单个电极1022。第二堆叠1000的电极数目可以更多并且不限于本公开的范围。
在图9中的工艺步骤906处，静电夹具的第一堆叠800和第二堆叠1000通过光学接触键合而被接合在一起。因此，形成具有双堆叠的静电夹具1010。图10B示出了第一堆叠800和第二堆叠1000在光学接触键合时的结构。在该构造中，第二堆叠1000被倒置翻转，并且键合界面位于第一和第二堆叠的夹具主体之间。键合之后的静电夹具1010可以是图5中的静电夹具500。
光学接触键合工艺可以包括在光学接触键合之前抛光和清洁键合界面的底表面800b和1000b。底表面800b和1000b可以使用任何合适的抛光工艺抛光到约0.5nm或更低的均方根(RMS)粗糙度，例如但不限于氧化铈浆料抛光工艺。随后，可通过在适于所使用的衬底材料的压力下将底部表面800b压靠在底部表面1000b上，来将第一堆叠800直接接合到第二堆叠1000。可选地，具有双堆叠的静电夹具1010可以在约200-1200摄氏度范围内的温度下被退火以增强键合。
根据一个实施例，光学接触键合(也称为直接键合)是在基本上无缺陷的和高度抛光的表面(例如，底表面800b和1000b)之间的键合，而不使用任何键合材料，例如环氧树脂或任何粘合剂材料。光学接触键合可由吸引分子间相互作用产生，例如键合表面(例如底表面800b和1000b)之间的范德华力。退火光学接触键(如上所述)可以将例如键合表面之间的范德华键转化成更强的共价键，从而增强光学接触键合结构。
图11说明根据本发明的一些实施例的用于制造具有双堆叠的静电夹具的流程图1100。图12A至图12C示出了根据流程图1100的在各个工艺步骤中具有双堆叠的静电夹具1210的截面图。
在工艺步骤1102，形成具有第一电极和第一电介质板的用于静电夹具的第一堆叠。第一堆叠可以是图8D中的第一堆叠800，且可使用图7中的流程图700来制造。
在工艺步骤1104，形成具有第二电极和第二电介质板的用于静电夹具的第二堆叠。第二堆叠可以是图10A中所示的第二堆叠1000，且可根据对图9中的过程步骤904的描述来制造。
在工艺步骤1106处，通过直接接合(例如，光学接触键合)将第二堆叠1000接合在卡盘1212上。图12A中示出了示例性结构，其中卡盘1212可以是晶片卡盘，掩模板卡盘或真空系统中的任何合适的卡盘。
在工艺步骤1108，在第一堆叠800上设置导电层，其中第一电极和导电层在第一堆叠的相对侧上。图12B中示出了示例性结构1200，其中示出了用作单个电极的导电层1224。然而，导电层1224(例如，电极)的数目不限于此，并且可以是任何合适的数目。导电层1224可以使用与图8B中的第一电极808类似的材料和工艺形成。
在工艺步骤1110，通过在第二电极和导电层上施加不同的电压将第一堆叠和第二堆叠接合。图12C示出了在接合处理时具有第一电极808和导电层1224的第一堆叠1200以及具有第二电极1022的第二堆叠1000的配置。完成时的静电夹具1210类似于图6中的600。
如上所述，第一堆叠800和第二堆叠1000可在制造期间并行制造。通过光学接触键合(如图9和10所示)或通过由第一堆叠和第二堆叠上的电极控制的电力(如图11和12所示)将第一堆叠800和第二堆叠1000接合，可以形成具有双堆叠的静电夹具。因此，可分别形成图10B中的具有双堆叠的静电夹具1010或图5中的静电夹具500和图12C中的具有双堆叠的静电夹具1210或图6中的静电夹具600。通过在第一电极808上施加电压，图5中的静电夹具500或图6中的静电夹具600允许在操作期间快速且容易地安装和拆卸晶片/掩模板。同时，静电夹具500还可以通过第二电极522的电压控制允许快速和容易的夹具安装和拆卸。静电夹具600还可以通过第二电极622和导电层624的电压控制来允许快速和容易的夹具安装和拆卸。
可以使用以下条款进一步描述这些实施例：
1.一种静电夹具，包括：
第一堆叠和第二堆叠，其中所述第一堆叠与所述第二堆叠接合，并且所述第一堆叠和所述第二堆叠中的每个堆叠包括：
夹具主体；
一个或多个电极，设置在所述夹具主体上；
电介质板，设置在所述一个或多个电极上；以及
多个通道，在该夹具主体的内部。
2.根据条款1所述的静电夹具，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过光学接触键合而被接合。
3.根据条款1所述的静电夹具，其中所述第一堆叠包括导电层，其中所述导电层和所述一个或多个电极在所述夹具主体的相对侧上。
4.根据条款3所述的静电夹具，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过在所述第一堆叠的所述导电层和所述第二堆叠的所述一个或多个电极之间产生的电力而被接合。
5.根据条款1所述的静电夹具，其中所述夹具主体包括具有超低膨胀系数的绝缘体。
6.根据条款1所述的静电夹具，其中所述多个通道被配置为携带经热调节的液体或气体。
7.根据条款1所述的静电夹具，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠中的每个堆叠还包括绝缘层，所述绝缘层被配置为电隔离所述一个或多个电极。
8.根据条款1所述的静电夹具，其中所述电介质板包括多个突节。
9.一种用于制造静电夹具的方法，包括：
形成静电夹具的第一堆叠；
形成所述静电夹具的第二堆叠；以及
将所述第一堆叠与所述第二堆叠接合。
10.根据条款9所述的方法，其中形成该静电夹具的该第一堆叠和第二堆叠包括：
在一个夹具主体中形成多个通道；
在所述夹具主体上形成一个或多个电极；
在该夹具主体上形成一个绝缘层；以及
在所述一个或多个电极上形成电介质板。
11.根据条款10所述的方法，还包括在所述电介质板上形成多个突节。
12.根据条款10所述的方法，其中所述第一堆叠与所述第二堆叠的接合包括：
抛光所述静电夹具的所述第一堆叠和所述第二堆叠的底表面，其中所述底表面和所述电介质板在所述第一堆叠和所述第二堆叠的相应夹具主体的相对侧上；以及
在第一堆叠和第二堆叠的抛光后的底表面之间形成光学接触键合。
13.根据条款10所述的方法，其中所述第一堆叠与所述第二堆叠的接合包括：
将导电层设置在所述第一堆叠的底表面上，其中所述第一堆叠的底表面和电介质板位于所述夹具主体的相对侧；
在所述第一堆叠的所述导电层上施加第一电压；以及
在所述第二堆叠的所述一个或多个电极上施加不同于所述第一电压的第二电压。
14.一种光刻设备，包括根据条款1所述的静电夹具。
15.根据条款14所述的光刻设备，还包括：
照射设备，被配置为照射图案化装置上的图案；以及
投影系统，被配置为将所述图案的图像投影到衬底上；
其中所述衬底设置在所述静电夹具上。
16.根据条款15所述的光刻设备，其中所述第一堆叠包括导电层，其中所述导电层和所述一个或多个电极在所述夹具主体的相对侧上。
17.根据条款16所述的光刻设备，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过在所述第一堆叠的所述导电层和所述第二堆叠的所述一个或多个电极之间产生的电力连接。
18.条款14的光刻设备，还包括：
照射设备，被配置为照射图案化装置上的图案，其中所述图案化装置设置在所述静电夹具上；以及
投影系统，被配置为将所述图案的图像投影到衬底上。
19.根据条款18所述的光刻设备，其中所述第一堆叠包括导电层，其中所述导电层和所述一个或多个电极在所述夹具主体的相对侧上。
20.根据条款19所述的光刻设备，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过在所述第一堆叠的所述导电层和所述第二堆叠的所述一个或多个电极之间产生的电力而被连接。
尽管在本文中可以具体参考静电夹具在光刻设备中的使用，但是应当理解，本文描述的静电夹具可以具有其它应用，例如用于掩模检查设备，晶片检查设备，空间图像计量设备中，并且更一般地用于在真空或环境(非真空)条件下测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案化装置)的物体的任何设备中，所述环境条件例如为：例如在等离子蚀刻装置或沉积装置中。
尽管在本文中可以在IC的制造中具体参考使用光刻设备，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器、平板显示器、LCD、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员将理解，在这种备选应用的上下文中，术语“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用分别被认为是更通用的术语“衬底”或“目标部分”的同义词。本文所指的衬底可以在曝光之前或之后进行加工，例如在轨道单元(通常在衬底上施加一层抗蚀剂并且显影被曝光的抗蚀剂的工具)、量测单元、和/或检查单元中。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这种和其他衬底处理工具。此外，例如可以为了制造多层IC而对衬底进行不止一次的处理，因此本文中使用的术语“衬底”也可以是指已包括多个经处理的层的衬底。
尽管上面在光学光刻的上下文中已具体参考了本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明可以在其他应用中使用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下不仅限于光学光刻。在压印光刻中，图案化装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。可以将图案化装置的形貌压入提供给衬底的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，将图案化装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。
应当理解，本文中的措词或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域的技术人员根据本文中的教导进行解释。
如本文中使用的，术语“衬底”描述了在其上添加有材料层的材料。在一些实施例中，衬底本身可以被图案化，并且添加在衬底上的材料也可以被图案化，或者可以不被图案化而保留。
本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式用于存储或透射信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号等。此外，固件、软件、例程和/或指令可以在本文中描述为执行某些动作。然而，应当理解，这种描述仅仅是为了方便，并且这种动作实际上是由执行固件、软件、例程和/或指令的计算设备、处理器、控制器或其他设备引起的。
以下示例是本公开的实施例的说明性但非限制性的。对本领域中通常遇到的并且对相关领域的技术人员来说是很清楚的各种条件和参数的其他合适的修改和适应在本公开的精神和范围内。
尽管在本文中可以具体参考根据本发明的装置和/或系统在集成电路制造中的使用，但是应当明确地理解，这种装置和/或系统具有很多其他可能的应用。例如，它可以用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、LCD面板、薄膜磁头等的引导和检测图案。本领域技术人员将意识到，在这种备选应用的背景下，本文中对“模版”、“晶片”或“芯片”的任何使用均应当被视为分别由更通用的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”代替。
尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以不同于所描述的方式来实践。说明书并不旨在限制本发明。
应当理解，“具体实施方式”部分(而不是“发明内容”和“摘要”部分)旨在用于解释权利要求。“发明内容”部分和“摘要”部分可以阐述发明人所设想的本发明的一个或多个但不是全部示例性实施例，因此，并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。
上面已经借助于功能构建块描述了本发明，功能构建块示出特定功能及其关系的实现。为了方便描述，本文中已经任意定义了这些功能构建块的边界。只要适当执行指定的功能及其关系，就可以定义其他边界。
对特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般特性，以至于其他人可以在不背离本发明的一般概念的情况下通过应用本领域技术人员的知识，而容易地修改这种特定实施例和/或使其适应于各种应用，而无需过度的实验。因此，基于本文中给出的教导和指导，这种适应和修改旨在在所公开的实施例的等同形式的含义和范围内。
本发明的广度和范围不应当受到任何上述示例性实施例的限制，而应当仅根据所附权利要求及其等同形式来限定。

Claims (20)

1.一种静电夹具，包括：
第一堆叠和第二堆叠，其中所述第一堆叠与所述第二堆叠接合，并且所述第一堆叠和所述第二堆叠中的每个堆叠包括：
夹具主体；
一个或多个电极，设置在所述夹具主体上；
电介质板，设置在所述一个或多个电极上；以及
多个通道，在所述夹具主体的内部。
2.根据权利要求1所述的静电夹具，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过光学接触键合而被接合。
3.根据权利要求1所述的静电夹具，其中所述第一堆叠包括导电层，其中所述导电层与所述一个或多个电极位于所述夹具主体的相对侧。
4.根据权利要求3所述的静电夹具，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过在所述第一堆叠的所述导电层与所述第二堆叠的所述一个或多个电极之间产生的电力而被接合。
5.根据权利要求1所述的静电夹具，其中所述夹具主体包括具有超低膨胀系数的绝缘体。
6.根据权利要求1所述的静电夹具，其中所述多个通道被配置为携带经热调节的液体或气体。
7.根据权利要求1所述的静电夹具，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠中的每个堆叠还包括绝缘层，所述绝缘层被配置为电隔离所述一个或多个电极。
8.根据权利要求1所述的静电夹具，其中所述电介质板包括多个突节。
9.一种用于制造静电夹具的方法，包括：
形成静电夹具的第一堆叠；
形成所述静电夹具的第二堆叠；以及
将所述第一堆叠与所述第二堆叠接合。
10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述静电夹具的所述第一堆叠和所述第二堆叠包括：
在夹具主体中形成多个通道；
在所述夹具主体上形成一个或多个电极；
在所述夹具主体上形成绝缘层；以及
在所述一个或多个电极上形成电介质板。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述电介质板上形成多个突节。
12.根据权利要求10所述的方法，其中将所述第一堆叠与所述第二堆叠接合包括：
抛光所述静电夹具的所述第一堆叠和所述第二堆叠的底表面，其中所述底表面和所述电介质板在所述第一堆叠和所述第二堆叠的相应夹具主体的相对侧上；以及
在所述第一堆叠和所述第二堆叠的抛光后的所述底表面之间形成光学接触键合。
13.根据权利要求10所述的方法，其中将所述第一堆叠与所述第二堆叠接合包括：
将导电层设置在所述第一堆叠的底表面上，其中所述第一堆叠的底表面和所述电介质板位于所述夹具主体的相对侧上；
在所述第一堆叠的所述导电层上施加第一电压；以及
在所述第二堆叠的所述一个或多个电极上施加不同于所述第一电压的第二电压。
14.一种光刻设备，包括根据权利要求1所述的静电夹具。
15.根据权利要求14所述的光刻设备，还包括：
照射设备，被配置为照射图案化装置上的图案；以及
投影系统，被配置为将所述图案的图像投影到衬底上；
其中所述衬底设置在所述静电夹具上。
16.根据权利要求15所述的光刻设备，其中所述第一堆叠包括导电层，其中所述导电层和所述一个或多个电极在所述夹具主体的相对侧上。
17.根据权利要求16所述的光刻设备，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过在所述第一堆叠的所述导电层与所述第二堆叠的所述一个或多个电极之间产生的电力而被接合。
18.根据权利要求14所述的光刻设备，还包括：
照射设备，被配置为照射图案化装置上的图案，其中所述图案化装置设置在所述静电夹具上；以及
投影系统，被配置为将所述图案的图像投影到衬底上。
19.根据权利要求18所述的光刻设备，其中所述第一堆叠包括导电层，其中所述导电层和所述一个或多个电极在所述夹具主体的相对侧上。
20.根据权利要求19所述的光刻设备，其中所述第一堆叠和所述第二堆叠通过在所述第一堆叠的所述导电层与所述第二堆叠的所述一个或多个电极之间产生的电力而被接合。
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