JP2022533985A - 分割両面ウェーハ及びレチクルクランプ - Google Patents

Abstract

静電クランプ及びこれを製造するための方法が開示される。静電クランプは第１のスタック及び第２のスタックを含み、第１のスタックは第２のスタックに接合されている。第１及び第２のスタックの各々は、クランプ本体と、クランプ本体上に配置された１つ以上の電極と、電極上に配置された誘電板と、クランプ本体内部の複数のチャネルと、を含む。【選択図】 図６

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１９年５月２９日に出願された米国仮特許出願第６２／８５３，９００号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。

[0002] 本開示は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィシステム等の真空システムにおいて、例えばレチクル又は基板のような物体を支持するための静電クランプに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0004] 基板にパターンをプリントするため、リソグラフィ装置は電磁放射を用いることができる。電磁放射の波長は、レジストにプリントされる最小フィーチャサイズを決定する。半導体技術はサブ２０ｎｍノードへ進展しており、クリティカルディメンションを提供するため極端紫外線（ＥＵＶ）放射を用いたリソグラフィシステムが使用されている。極端紫外線（ＥＵＶ）放射は、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍ等、４ｎｍ～２０ｎｍの範囲内の波長を有し得る。

[0005] リソグラフィプロセスの間、レチクル及び基板はクランプによってリソグラフィ装置内の所定位置に保持される。ＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置では、リソグラフィ動作中、ＥＵＶ放射ビーム経路又は少なくともそのかなりの部分を真空に保つことが必要となり得る。従ってＥＵＶリソグラフィ装置では、従来の真空チャックでなく静電クランプが用いられる。

[0006] さらに、ＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置では、例えばレチクル及び／又は基板の温度制御が必要となり得る。吸収されたＥＵＶ放射又は望ましくない非ＥＵＶ放射によって発生した熱は、レチクル及び／又は基板に変形を生じる可能性がある。変形を低減するため、静電クランプを通して冷却材を循環させることができる。

[0007] ＩＣ製造中、機能製品を製造するため多くのリソグラフィレベルが用いられ、各リソグラフィレベルは異なるレチクルを有し得る。従って、半導体設備における動作中、リソグラフィ装置はレチクル及びウェーハを頻繁に変更する。

[0008] 従って、ＥＵＶリソグラフィ装置のための信頼性が高く費用対効果の良いウェーハ及びレチクルクランプが必要とされている。

[0009] 本開示において、静電クランプ及びこれを製造するための方法の実施形態が記載される。

[0010] いくつかの実施形態において、静電クランプは第１のスタック及び第２のスタックを含み、第１のスタックは第２のスタックに接合されている。第１及び第２のスタックの各々は、クランプ本体と、クランプ本体上に配置された１つ以上の電極と、電極上に配置された誘電板と、クランプ本体内部の複数のチャネルと、を含む。

[0011] いくつかの実施形態において、第１及び第２のスタックはオプティカルコンタクトボンディング（optical contact bonding）によって接合されている。

[0012] いくつかの実施形態において、第１のスタックは伝導層を含み、伝導層及び１つ以上の電極はクランプ本体の両側にある。

[0013] いくつかの実施形態において、第１及び第２のスタックは、第１のスタックの伝導層と第２のスタックの１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている。

[0014] いくつかの実施形態において、クランプ本体は、超低膨張係数を有する絶縁体を含む。

[0015] いくつかの実施形態において、複数のチャネルは、熱的に調節された液体又は気体を運ぶように構成されている。

[0016] いくつかの実施形態において、第１及び第２のスタックの各々は、１つ以上の電極を電気的に隔離するように構成された絶縁層をさらに含む。

[0017] いくつかの実施形態において、誘電板は複数のバールを含む。

[0018] 本開示の別の態様は、静電クランプを製造するための方法を提供する。この方法は、静電クランプの第１のスタックを形成することと、静電クランプの第２のスタックを形成することと、第１のスタックを第２のスタックと接合することと、を含む。

[0019] いくつかの実施形態において、静電クランプの第１及び第２のスタックを形成することは、クランプ本体に複数のチャネルを形成することと、クランプ本体上に１つ以上の電極を形成することと、クランプ本体上に絶縁層を形成することと、１つ以上の電極上に誘電板を形成することと、を含む。いくつかの実施形態において、方法は、誘電板上に複数のバールを形成することをさらに含む。

[0020] いくつかの実施形態において、第１のスタックを第２のスタックと接合することは、静電クランプの第１及び第２のスタックの下面を研磨することを含む。これらの下面及び誘電板は、第１及び第２のスタックのクランプ本体の各々の両側にある。また、第１のスタックを第２のスタックと接合することは、第１及び第２のスタックの研磨した下面間にオプティカルコンタクトボンディングを形成することを含む。

[0021] いくつかの実施形態において、第１のスタックを第２のスタックと接合することは、第１のスタックの下面に伝導層を堆積することを含む。この下面及び第１のスタックの誘電板はクランプ本体の両側にある。また、第１のスタックを第２のスタックと接合することは、第１のスタックの伝導層に第１の電圧を印加することと、第２のスタックの１つ以上の電極に第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加することと、を含む。

[0022] 本開示の別の態様は、上記の静電クランプを有するリソグラフィ装置を提供する。

[0023] いくつかの実施形態において、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明装置と、パターンの像を基板上に投影するように構成された投影システムと、をさらに含む。基板は静電クランプ上に配置されている。

[0024] いくつかの実施形態において、第１のスタックは伝導層を含み、伝導層及び１つ以上の電極はクランプ本体の両側にある。

[0025] いくつかの実施形態において、第１及び第２のスタックは、第１及び第２のスタックは、第１のスタックの伝導層と第２のスタックの１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている。

[0026] いくつかの実施形態において、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明装置であって、パターニングデバイスは静電クランプ上に配置されている、照明装置と、パターンの像を基板上に投影するように構成された投影システムと、をさらに含む。

[0027] いくつかの実施形態において、第１のスタックは伝導層を含み、伝導層及び１つ以上の電極はクランプ本体の両側にある。

[0028] いくつかの実施形態において、第１及び第２のスタックは、第１のスタックの伝導層と第２のスタックの１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている。

[0029] 本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思いつくであろう。

[0030] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、さらに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。

[0031] 例示的な実施形態に従った反射型リソグラフィ装置の概略図である。 [0032] 例示的な実施形態に従った反射型リソグラフィ装置のより詳細な概略図である。 [0033] 例示的な実施形態に従ったリソグラフィセルの概略図である。 [0034] 本開示のいくつかの実施形態に従った静電クランプの概略図である。 [0034] 本開示のいくつかの実施形態に従った静電クランプの概略図である。 [0035] 本開示の一実施形態に従った、二重スタック（dual stack）を備えた静電クランプの概略図である。 [0036] 本開示の別の実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの概略図である。 [0037] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの第１のスタックを形成するための例示的な方法を示す。 [0038] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの第１のスタックの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0038] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの第１のスタックの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0038] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの第１のスタックの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0038] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの第１のスタックの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0039] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプを形成するための例示的な方法を示す。 [0040] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0040] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0041] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプを形成するための例示的な方法を示す。 [0042] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0042] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの様々なプロセス段階における断面図を示す。 [0042] 本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの様々なプロセス段階における断面図を示す。

[0043] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことでさらに明白になるであろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。さらに、一般に、参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に表示される図面を識別する。他に示されない限り、本開示を通じて提供される図面は縮尺通りの図面として解釈されるべきではない。

[0044] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。

[0045] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。

[0046] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ又は複数の要素又は１つ又は複数の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用され得る。空間的に相対的な用語は、図に示されている方向に加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な方向を包含することを意図している。装置は、他の方法で方向付けられてもよく（９０度又は他の方向に回転されてもよい）、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様にそれに応じて解釈され得る。

[0047] 本明細書で使用される「約」という語は、特定の技術に基づいて変化し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という語は、例えばその値の１０～３０％（例えば、その値の±１０％、±２０％、又は±３０％）の範囲内で変化する所与の量の値を示す可能性がある。

[0048] 本開示の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのいずれかの組み合わせにおいて実施可能である。また、本開示の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実施することができる。機械読み取り可能媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含み得る。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、及び他のものを含むことができる。さらに、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を記載することができる。しかしながらそのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。

[0049] このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが有用であろう。

[0050] 例示的な反射型リソグラフィシステム
[0051] 図１は、本発明の実施形態を実装することができるリソグラフィ装置１００の概略図である。リソグラフィ装置１００は、放射ビームＢ（例えば極端紫外線放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、を含む。また、リソグラフィ装置１００は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗのターゲット部分（例えば１つ以上のダイを含む）Ｃに投影するように構成された反射型投影システムＰＳも有する。

[0052] 照明システムＩＬは、放射ビームＢを誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0053] 支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００の設計、及びパターニングデバイスＭＡが真空環境に保持されているか否かといった他の条件に応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルとすることができ、必要に応じて固定式又は可動式とすることができる。センサを使用することにより、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを保証できる。

[0054] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る何らかのデバイスを指すものと広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する可能性がある。

[0055] いくつかの実施形態において、パターニングデバイスＭＡは、（図１のリソグラフィ装置１００におけるように）反射型とすることができる。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、又はプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッドマスクタイプ等のマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、それぞれが入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個別に傾斜され得る小さいミラーのマトリクス配列を使用する。傾斜させたミラーは、小さいミラーのマトリクスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。

[0056] 「投影システム」ＰＳという用語は、用いられる露光放射又は真空の使用のような他の要素に合わせて適宜、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型の光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含し得る。その他のガスは放射又は電子を吸収し過ぎる可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射には真空環境を使用することができる。従って、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供され得る。

[0057] リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプとすることができる。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用されるか、あるいは１つ以上の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間に、１つ以上の他のテーブルで準備工程を実行することができる。状況によっては、追加のテーブルが基板テーブルＷＴでない場合もある。

[0058] イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００とは別個の物理的実体とすることができる。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００の一体部分とすることができる。いくつかの実施形態において、放射源ＳＯはＥＵＶ放射ビームを発生するように構成されている。

[0059] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0060] 第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、（例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械的な取り出し後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに図示せず）とを使用して、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。

[0061] 一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブラインアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

[0062] いくつかの実施形態において、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバＶ内にある可能性があり、真空内ロボットＩＶＲ（in-vacuum robot）を用いて、マスク等のパターニングデバイスを真空チャンバ内外へ移動させることができる。真空内ロボットは、任意のペイロード（例えばマスク）を移送ステーションの固定運動学的マウント（kinematic mount）へ円滑に移送するため較正する必要がある。

[0063] 図示のリソグラフィ装置１００は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0064] １．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。

[0065] ２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。

[0066] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス放射線源ＳＯを使用することができ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0067] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0068] 図２は、ソースコレクタ装置ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。

[0069] ソースコレクタ装置ＳＯは、閉鎖構造２２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置されている。ソースコレクタ装置ＳＯは、ソースチャンバ２１１及びコレクタチャンバ２１２を含み、ＥＵＶ放射を生成し伝送するように構成されている。

[0070] ＥＵＶ放射を生成するには、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気によって、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０を生成して、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させればよい。少なくとも部分的に電離したＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、例えば放電又はレーザビームによって生成することができる。効率的な放射発生のため、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となることがある。ある実施形態では、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給してＥＵＶ放射を生成する。

[0071] ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が放出した放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、ソースチャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択のガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して送出される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含み得る。また、汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含み得る。本明細書でさらに示す汚染物質トラップ又は汚染物質バリア２３０は、少なくともチャネル構造を含む。

[0072] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすり入射型コレクタの場合もある放射コレクタＣＯを含んでよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射して、仮想光源点ＩＦに合焦させることができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９に又はその近傍に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は、特に赤外線（ＩＲ）放射を抑制するために用いられる。

[0073] この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布を与えるとともにパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を備えてよい。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射されると、パターン付きビーム２２６が形成され、このパターン付きビーム２２６は、投影システムＰＳによって反射要素２２８、２２９を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。

[0074] 一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在する場合がある。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択的に存在する場合がある。さらに、図２に示したものよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば投影システムＰＳには、図２に示したものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。

[0075] 図２に示すようなコレクタ系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすり入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称配置され、このタイプのコレクタ系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。

[0076] 例示的なリソグラフィセル
[0077] 図３は、リソセル又はクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセル３００を示す。リソグラフィ装置１００はリソグラフィセル３００の一部を形成し得る。リソグラフィセル３００は、基板に露光前プロセス及び露光後プロセスを実行する１つ以上の装置も含み得る。従来、これらには、レジスト層を堆積するスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫが含まれる。基板ハンドラすなわちロボットＲＯは、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り出し、それらを様々なプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置１００のローディングベイＬＢに引き渡す。これらのデバイスは、まとめてトラックと称されることも多く、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にある。ＴＣＵ自体は監督制御システムＳＣＳによって制御される。ＳＣＳは、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。従って、これら様々な装置は、スループット及び処理効率を最大化するように動作させることができる。

[0078] 例示的な静電クランプ
[0079] 図４Ａ及び図４Ｂは、いくつかの実施形態に従った、リソグラフィ装置１００の動作中に物体４０３を保持するように構成できる例示的な静電クランプ４００及び４０２の断面図の概略を示す。物体４０３は、パターニングデバイス（例えばレチクル）又は基板（例えばウェーハ）とすることができる。一例では、静電クランプ４００を用いてリソグラフィ装置１００の支持構造ＭＴ上にパターニングデバイス（例えばレチクル）ＭＡを保持することができ、静電クランプ４０２を用いて基板テーブルＷＴ上に基板（例えばウェーハ）Ｗを保持することができる。この例において、静電クランプ４００はレチクルクランプ４００とも呼ばれ、静電クランプ４０２はウェーハクランプ４０２とも呼ばれる。

[0080] 一実施形態によれば、静電クランプ４００及び４０２は、クランプ本体４０４と、誘電板４０６と、電極４０８と、を含む。いくつかの実施形態において、静電クランプ４００及び４０２は、クランプ本体４０４内部に埋め込まれた複数のチャネル４１０も含む。

[0081] クランプ本体４０４は、両側にある平行な表面４０４ｆ及び４０４ｂを有する。表面４０４ｆの方が物体４０３（例えばレチクル又はウェーハ）に近い。表面４０４ｂの方が、リソグラフィ装置１００（図１及び図２）の支持構造ＭＴ上に配置されたレチクルチャック４１２（図４Ａに示されている）に近い場合がある。表面４０４ｂの方が、リソグラフィ装置１００（図１及び図２）の基板テーブルＷＴ上に配置されたウェーハチャック４１３（図４Ｂに示されている）に近い場合がある。

[0082] いくつかの実施形態において、クランプ本体４０４は、以下で詳述する通り、物体に機械的な支持を与えるように、かつ、静電クランプ４００及び４０２の動作中に静電界を隔離するように構成された絶縁体で作製することができる。いくつかの実施形態において、この絶縁体は超低熱膨張係数を有することができ、例えば、超低膨張シリコンベース材料（例えばＣｏｒｎｉｎｇ社によって製造されたＵＬＥ（登録商標））、ガラス材料、セラミック材料、シリコンベースのガラスセラミック材料（例えばＳＣＨＯＴＴ社によって製造されたＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標））、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。超低熱膨張の材料を用いることによって、静電クランプ４００及び４０２の高温製造中の熱応力を低減させることができる。大きい熱応力は静電クランプ４００及び４０２に変形を生じさせる可能性があり、基板テーブルＷＴ又は支持構造ＭＴ上の静電クランプ４００及び４０２に物体４０３が搭載されている場合、この変形がクランプ動作中に物体４０３へ伝達する恐れがある。

[0083] いくつかの実施形態において、誘電板４０６は絶縁体で作製することができ、これも超低熱膨張係数を有し得る。いくつかの実施形態では、誘電板４０６をクランプ本体４０４と同一の材料で作製して、異種材料間の熱膨張の不一致に起因した熱応力を最小限に抑えることができる。また、いくつかの実施形態において、誘電板４０６は、レチクル又はウェーハと実質的に一致した特性を有する材料で作製することができる。

[0084] いくつかの実施形態において、誘電板４０６は複数のバール４１４も含むことができる。バール４１４は、クランプ動作中に物体４０３又はチャック４１２と接触する。バール４１４は、物体４０３との合計接触面積を低減できるように、小さい横方向寸法（例えば図４Ａに示されている「Ｌ」）を有する。このため、バール４１４は物体４０３との密接な接触を促進できる。これは、統計的に、汚染粒子は大きい平坦な表面よりも小さい表面積の方が付着する可能性が低いからである。さらに、特定のクランプ力が与えられた場合、静電クランプ４００又は４０２と物体４０３との間の圧力は、接触面積が小さくなるにつれて増大する。従って、より密接な接触を形成することができる。

[0085] いくつかの実施形態において、静電クランプ４００又は４０２の電極４０８はクランプ本体４０４と誘電層４０６との間に位置付けられ、各電極４０８は絶縁層４１６によって別の電極から分離されている。いくつかの実施形態において、電極４０８及び絶縁層４１６は同一平面上にある。いくつかの実施形態において、電極４０８は、例えばアルミニウム、クロム、白金、金、又はそれらの任意の組み合わせ等、金属又は金属合金のような任意の適切な伝導材料で作製することができる。いくつかの実施形態において、絶縁層４１６は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリイミド、スピンオンガラス等、任意の適切な絶縁体で作製することができる。

[0086] 電極４０８は、１００～５０００Ｖの範囲内の電圧を印加され、誘電板４０６を通して電界を発生することができる。この電界は、物体４０３の伝導表面上に反対の電荷（「ミラー電荷（mirror charges）」とも呼ばれる）を誘導することができる。電極とミラー電荷との間の引力によって、物体を静電クランプ４００又は４０２と密着した状態に保持する。いくつかの実施形態において、物体４０３は半導体ウェーハを含み、この半導体ウェーハの裏面の半導体材料は伝導表面を有し得る。このため、静電クランプ４０２は半導体ウェーハの裏面にミラー電荷を誘導し、従ってウェーハを所定位置に（図４Ｂでは上に向いている）保持することができる。いくつかの実施形態において、物体４０３はレチクルを含み、レチクルの裏面は伝導薄膜でコーティングすることができる。同様に、静電クランプ４００はレチクルの裏面にミラー電荷を誘導し、これによりレチクルを所定位置に（図４Ａでは下を向いている）保持することができる。

[0087] いくつかの実施形態において、電極４０８に対する印加電圧は誘電板４０６を通して大きい電界を生成できるが、漏れ電流は極めて小さい可能性がある。いくつかの実施形態において、誘電板４０６の厚さ及び材料は、電極４０８と物体４０３との間の漏れ電流が無視できる程度であるように、かつ、高電界に関連した破壊電圧が静電クランプ４００及び４０２の動作電圧範囲よりも大きいように選択される。物体４０３の伝導表面上に誘導されるミラー電荷は、静電電荷とも呼ばれる。同様に、各電極４０８と絶縁層４１６の材料との間の距離は、電極４０８間の漏れ電流が無視できる程度であるように、かつ、絶縁層４１６の破壊電圧が静電クランプ４００及び４０２の動作電圧範囲よりも大きいように選択される。

[0088] 図４Ｂにおいて、静電クランプ（例えばウェーハクランプ）４０２は、図１及び図２の基板テーブルＷＴに配置されたウェーハチャック４１３上にウェーハクランプ４０２を保持するように構成された下部誘電板４１８、下部絶縁層４２０、及び下部電極４２２を含む。下部誘電板４１８、下部絶縁層４２０、及び下部電極４２２の材料及び構造はそれぞれ、誘電板４０６、絶縁層４１６、及び電極４０８と同様である。ウェーハチャック４１３は典型的に金属材料で作製されるか又は金属材料でコーティングされ、電気的に接地することができる（又は外部電圧を直接印加することができる）ので、ウェーハクランプ４０２では単一の下部電極４２２で充分である可能性がある。この例では、電位差（例えば異なる電圧値）に起因して、下部電極４２２とウェーハチャック４１３との間に電界が直接確立され得る。このため、ウェーハクランプ４０２は電気力によってウェーハチャック４１３に保持することができる。

[0089] 図４Ａ及び図４Ｂは４つのみの電極４０８を示しているが、静電クランプ４００又は４０２がより少数か又はより多数の電極を含み得ることは理解されよう。同様に、図４Ｂの下部電極４２２は単一の電極に限定されない。

[0090] いくつかの実施形態において、静電クランプ４００及び４０２のチャネル４１０は表面４０４ｆ又は４０４ｂと平行である。チャネル４１０は、限定ではないが、水、空気、アルコール、グリコール、又は相変化冷却材（例えばフレオン、二酸化炭素）等、熱的に調節された液体又は気体を運ぶように構成できる。外部ポンプ（図示せず）を用いて、チャネル４１０を通る液体又は気体の温度を制御すると共にその循環を駆動することができる。

[0091] 熱的に調節された液体又は気体の循環は、静電クランプ４００及び４０２の温度を所望の温度に制御するために役立ち得る。静電クランプ４００及び４０２の温度制御は、熱的に調節された流体によって静電クランプ４００及び４０２から望ましくない熱を吸収することを含み得る。この望ましくない熱は、クランプされた状態の物体４０３からクランプ表面及び／又はバールを介して静電クランプ４００及び４０２へ伝達され得る。

[0092] いくつかの実施形態において、リソグラフィ装置１００はＥＵＶシステムである。レチクル又はウェーハ等の物体４０３は動作中にＥＵＶ放射を吸収する可能性があり、吸収された光エネルギによって物体４０３に熱ヒート（thermal heat）が生じて温度が上昇することで、物体に変形（反り）が発生し、このためリソグラフィ中にパターン転写のエラーが発生する恐れがある。チャネル４１０に冷却水を流すことにより、静電クランプ４００及び４０２の温度を比較的一定に保持できる。物体４０３（例えばウェーハ又はレチクル）からの余分な熱は、冷却させたクランプ４００又は４０２を介して放散させることができる。

[0093] 図４Ｂに示されているように、静電クランプ４０２はウェーハクランプとして使用できる。この例において、静電クランプ４０２は、ウェーハ４０３を所定位置に保持すると共にウェーハチャック４１３に取り付けるため電気力を利用する。電気力は、電極４０８とウェーハ４０３上のミラー電荷との間で発生させることができる。また、電気力は、下部電極４２２とウェーハチャック４１３（電気的に接地されている）との間でも発生させることができる。

[0094] 図４Ａに示されているように、静電クランプ４００はレチクルクランプとして使用できる。この例において、静電クランプ４００は、電極４０８とレチクルに誘導されたミラー電荷との間の電気力によってレチクル４０３を所定位置に保持することができる。いくつかの実施形態において、レチクルクランプ４００は、表面４０４ｂにおける「オプティカルコンタクト」によってレチクルチャック４１２に取り付けることができる。この例において、「オプティカルコンタクト」は、エポキシ又は他のいずれかの接着材料のようなボンディング材料を用いない、実質的に欠陥の無い高度に研磨された表面間の直接ボンディングと見なされる。「オプティカルコンタクト」は、ボンディング表面間のファンデルワールス力のような分子間相互作用から生じ得る。いくつかの実施形態では、アニールによってファンデルワールス力をより強い共有結合に変換することで、ボンディングした構造を強化することができる。

[0095] 集積回路（ＩＣ）の製造中、半導体ウェーハに設計パターンを形成するためリソグラフィプロセスが広く用いられる。製造設備において、大量の半導体ウェーハがリソグラフィツールで処理される。特定の時間内に処理することができるウェーハの数（例えば１時間当たりのウェーハ処理数（wafer-per-hour））は、生産性の性能指数である。従って、リソグラフィツールのためのウェーハクランプは、高速かつ容易なウェーハ変更、及び、多数の使用に起因して損傷又は摩耗したウェーハクランプの容易な交換を円滑に行う必要がある。図４Ｂに示されているウェーハクランプ４０２はこれらの特徴を実現可能とするが、単一の静電クランプ上の２つの電極は作製することが難しく費用も高い。

[0096] 高度な半導体技術ノードは５０を超えるリソグラフィレベルを必要とし、各レベルで特別設計のレチクルが用いられるが、レチクルの変更はウェーハの変更よりも低い頻度で行われる。図４Ａに示されている静電クランプ４００は、レチクル４０３に近い一方側に電極４０８を有し、これは作製が容易であり費用も安い可能性がある。しかしながら、レチクルチャック４１２へのレチクルクランプ４００の取り付けは、オプティカルコンタクト（又は直接ボンディング）を介して行われ、これは特別な環境で当業者にしか実行することができない。レチクルクランプ４００の交換を必要とする問題が発生した場合は、レチクルクランプ４００全体とレチクルチャック４１２を交換しなければならないが、これらは特別な環境でしか取り外すことができない。この問題は生産性に負の影響を及ぼし、製造コストを上昇させる可能性がある。

[0097] 本開示では、二重スタックを備えた静電クランプ及びこれを作製するための方法が開示される。二重スタックを備えた静電クランプは、高速かつ容易なウェーハ／レチクル変更、及び、高速かつ容易なウェーハ／レチクルクランプの変更を行うことができる。開示される静電クランプの二重スタックは並行して製造することができ、これによってサイクルタイム及び歩留まりが改善される。

[0098] 二重スタックを有する例示的な静電クランプ
[0099] 図５は、本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタック（例えば第１のスタック５０１及び第２のスタック５０２）を備えた例示的な静電クランプ５００を示す。静電クランプ５００の第１のスタック５０１は、第１の誘電板５０６及び第１の電極５０８を含む。静電クランプ５００の第２のスタック５０２は、第２の誘電板５１８及び第２の電極５２２を含む。この例では、第１のスタック５０１及び第２のスタック５０２はクランプ本体５０４において１つに接合されている。第１の誘電板５０６及び第２の誘電板５１８は、クランプ本体５０４の両側に配置されている。第１の電極５０８は、第１の誘電板５０６とクランプ本体５０４との間に挟まれている。第２の電極５２２は、第２の誘電板５１８とクランプ本体５０４との間に挟まれている。いくつかの実施形態において、静電クランプ５００の第１及び第２のスタック５０１及び５０２の各々は、クランプ本体５０４内部に埋め込まれた複数のチャネル５１０を含む。

[0100] いくつかの実施形態において、静電クランプ５００は、リソグラフィ装置１００における動作中にチャック５１２及び物体５０３にクランプするよう構成できる。物体５０３は、パターニングデバイス（例えばレチクル）又は基板（例えばウェーハ）とすることができる。一例では、静電クランプ５００を用いて、リソグラフィ装置１００の支持構造ＭＴのチャック５１２上にパターニングデバイス（例えばレチクル）ＭＡを保持することができる。また、別の例では、静電クランプ５００を用いて、基板テーブルＷＴのチャック５１２上に基板（例えばウェーハ）Ｗを保持することができる。このように、二重スタックを備えた静電クランプ５００はレチクルクランプ又はウェーハクランプとして使用できる。

[0101] いくつかの実施形態において、静電クランプ５００は、第１の電極５０８を介して物体５０３にクランプすることができ、第２の電極５２２を介してチャック５１２にクランプすることができる。クランプ動作中、物体５０３及びチャック５１２はそれぞれ第１及び第２の誘電板５０６及び５１８に接触している。

[0102] いくつかの実施形態において、クランプ本体５０４は、図４Ａ及び図４Ｂの静電クランプ４００又は４０２のクランプ本体４０４に用いられている材料と同様の絶縁体で作製することができる。この例では、クランプ本体５０４は超低熱膨張係数を有する絶縁体で作製することができ、例えば、超低膨張シリコンベース材料（例えばＣｏｒｎｉｎｇ社によって製造されたＵＬＥ（登録商標））、ガラス材料、セラミック材料、シリコンベースのガラスセラミック材料（例えばＳＣＨＯＴＴ社によって製造されたＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標））、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。

[0103] いくつかの実施形態において、第１及び第２の誘電板５０６及び５１８は、誘電板４０６又は４１８のものと同様の絶縁体で作製することができる。第１及び第２の誘電板５０６及び５１８は、超低熱膨張係数を有する絶縁体で作製することができる。いくつかの実施形態では、第１及び第２の誘電板５０６及び５１８をクランプ本体５０４と同一の材料で作製して、異種材料間の熱膨張の不一致に起因した熱応力を最小限に抑えることができる。

[0104] いくつかの実施形態において、第１及び第２の誘電板５０６及び５１８は複数のバール５１４も含むことができ、バール５１４は、クランプ動作中に物体５０３又はチャック５１２とのより良好な接触を与えることができる。バール５１４のサイズ及び機能は、図４Ａ及び図４Ｂに示されているバール４１４と同様である。

[0105] いくつかの実施形態において、静電クランプ５００の第１及び第２の電極５０８及び５２２は、それぞれ第１及び第２の絶縁層５１６及び５２０によって電気的に隔離されている。いくつかの実施形態において、第１及び第２の電極５０８及び５２２は、それぞれ第１及び第２の絶縁層５１６及び５２０と同一平面上にある。いくつかの実施形態において、第１及び第２の電極５０８及び５２２は、例えばアルミニウム、クロム、白金、金、又はそれらの任意の組み合わせ等、金属又は金属合金のような任意の適切な伝導材料で作製することができる。いくつかの実施形態において、第１及び第２の絶縁層５１６及び５２０は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリイミド、スピンオンガラス等、任意の適切な絶縁体で作製することができる。

[0106] いくつかの実施形態において、第１及び第２の電極５０８及び５２２は、図４Ａ及び図４Ｂの電極４０８及び４２２と同様に、１００～５０００Ｖの範囲内の電圧を印加され、それぞれ第１及び第２の誘電板５０６及び５１８を通して電界を発生することができる。第１及び第２の誘電板５０６及び５１８を通した電界は、それぞれ物体５０３及びチャック５１２の伝導表面上に反対の電荷（「ミラー電荷」とも呼ばれる）を誘導することができ、これによって、第１の電極５０８と物体５０３上のミラー電荷との間、及び、第２の電極５２２とチャック５１２上のミラー電荷との間に引力を発生させることができる。このようにして、静電クランプ５００は物体５０３及びチャック５１２を密着した状態に保持できる。

[0107] いくつかの実施形態において、物体５０３は半導体ウェーハとすることができ、この半導体ウェーハの裏面５０３ｂは伝導表面を有し得る。このため、静電クランプ５００は半導体ウェーハの裏面５０３ｂにミラー電荷を誘導し、従ってウェーハを所定位置に保持することができる。いくつかの実施形態において、物体５０３はレチクルとすることができ、レチクルの裏面５０３ｂは、例えばクロム層のような伝導薄膜でコーティングすることができる。同様に、静電クランプ５００はレチクルの裏面５０３ｂにミラー電荷を誘導し、これによりレチクルを所定位置に保持することができる。

[0108] いくつかの実施形態において、静電クランプ５００は、図１及び図２の支持構造ＭＴ又は基板テーブルＷＴ上に配置されたチャック５１２にクランプするように構成できる。いくつかの実施形態において、チャック５１２は金属材料で作製されるか又は金属材料でコーティングすることができる。この例では、チャック５１２は電気的に接地するか又は外部電圧を直接印加することができる。従って、第２の電極５２２及びチャック５１２に異なる電気的バイアスが印加された場合、これらの間に電界が直接確立され得る。この電界による電気力が、静電クランプ５００をチャック５１２に保持することができる。なお、第１及び第２の電極５０８及び５２２の数は図５に示されているものに限定されない。静電クランプ５００はより少数か又はより多数の電極を含み得る。これは当技術分野では既知である。

[0109] 図４Ａ及び図４Ｂの誘電板４０６／４１８と同様に、第１及び第２の誘電板５０６及び５１８の厚さ及び材料は、第１及び第２の誘電板５０６／５１８と物体５０３／チャック５１２との間の漏れ電流が無視できる程度であるように、かつ、高電界に関連した破壊電圧が静電クランプ５００の動作電圧範囲よりも大きいように選択することができる。同様に、第１及び第２の絶縁層５１６及び５２０の幅及び材料は、電極間（例えば図５の各第１の電極５０８の間）の漏れ電流が無視できる程度であるように、かつ、第１及び第２の絶縁層５１６及び５２０の破壊電圧が静電クランプ５００の動作電圧範囲よりも大きいように選択することができる。

[0110] いくつかの実施形態において、静電クランプ５００は少なくとも２列のチャネル５１０を含み、各列は静電クランプ５００の表面に対して平行に延出している。一方の列は第１の電極５０８に近く、他方の列は第２の電極５２２に近い。図４Ａ及び図４Ｂのチャネル４１０と同様に、チャネル５１０は、限定ではないが、水、空気、アルコール、グリコール、又は相変化冷却材（例えばフレオン、二酸化炭素）等、熱的に調節された液体又は気体を運ぶように構成できる。外部ポンプ（図示せず）を用いて、チャネル５１０を通る液体又は気体の温度を制御すると共にその循環を駆動することができる。熱的に調節された液体又は気体の循環は、静電クランプ５００の温度を所望の温度に制御するために役立ち得る。少なくとも２列のチャネル５１０の構成によって、静電クランプ５００の両側の熱制御を別個に実行できる。例えば、第１の電極５０８に近い方のチャネル５１０は冷却水を循環させ、クランプ動作中に物体５０３を冷却するために使用できる。別の例では、第２の電極５２２に近い方のチャネル５１０は温水を循環させて、クランプ動作中にチャック５１２を室温に保持できるようになっている。

[0111] 図６は、本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタック（例えば第１のスタック６０１及び第２のスタック６０２）を備えた例示的な静電クランプ６００を示す。この例では、第１のスタック６０１は第２のスタック６０２の上に積層されている。静電クランプ６００の第１及び第２のスタック６０１及び６０２は、それぞれ第１及び第２のクランプ本体６０４及び６０５を含む。いくつかの実施形態では、第１のクランプ本体６０４の上に第１の電極６０８及び第１の誘電板６０６が配置されている。第２のクランプ本体６０５上に第２の電極６２２及び第２の誘電板６１８が配置されている。第１の電極６０８及び第１の誘電板６０６と反対側の第１のクランプ本体６０４上に、伝導層６２４が配置されている。この例では、伝導層６２４、第２の誘電板６１８、及び第２の電極６２２は、第１のクランプ本体６０４と第２のクランプ本体６０５との間に位置付けられている。いくつかの実施形態において、静電クランプ６００は、第１のクランプ本体６０４内部に埋め込まれた複数のチャネル６１０及び第２のクランプ本体６０５内部に埋め込まれた複数のチャネル６１１を含む。第１及び第２の誘電板６０６及び６１８の各々は複数のバール６１４を含む。また、静電クランプ６００は、第１及び第２の電極６０８及び６２２をそれぞれ隔離するように構成された第１及び第２の絶縁層６１６及び６２０も含む。

[0112] いくつかの実施形態において、第１及び第２の誘電板６０６及び６１８は図５の静電クランプ５００の第１及び第２の誘電板５０６及び５１８と同様である。いくつかの実施形態において、第１及び第２の電極６０８及び６２２は静電クランプ５００の第１及び第２の電極５０８及び５２２と同様である。いくつかの実施形態において、第１及び第２の絶縁層６１６及び６２０は静電クランプ５００の第１及び第２の絶縁層５１６及び５２０と同様である。いくつかの実施形態において、第１及び第２のチャネル６１０及び６１１は静電クランプ５００のチャネル５１０と同様である。いくつかの実施形態において、バール６１４は静電クランプ５００のバール５１４と同様である。

[0113] いくつかの実施形態において、静電クランプ６００は、第１の電極６０８が特定の電圧で適正にバイアスをかけられた場合に物体６０３を保持するように構成できる。例えば、第１の電極６０８に対して正と負の電圧を交互に印加することができる。第１の電極６０８の各々は、反対のバイアスをかけられる２つの第１の電極６０８に隣接させることができる。静電クランプ５００の第１の電極５０８と同様、第１の電極６０８は物体６０３の伝導表面６０３ｂ上にミラー電荷を誘導することができる。電界と、それによる第１の電極６０８と物体６０３上のミラー電荷との間の電気的引力は、物体６０３を静電クランプ６００と密接に接触した状態に保持するほど強力であり得る。

[0114] いくつかの実施形態では、第２の電極６２２及び伝導層６２４に特定の電圧を印加して、第２の電極６２２及び伝導層６２４の電位が異なるように、これにより第２の誘電板６１８を通して誘引電界（attractive electrical field）及び電気力を生成できるようになっている。例えば、第２の電極６２２に正電圧を印加し、伝導層６２４に負電圧を印加するか又はこれを電気的に接地することができる。別の例では、第２の電極６２２に負電圧を印加するか又はこれを電気的に接地し、伝導層６２４に正電圧を印加することができる。第２の電極６２２と伝導層６２４との間の電気力は、第１のスタック６０１及び第２のスタック６０２を１つの静電クランプ６００として共にボンディングするほど強力であり得る。

[0115] いくつかの実施形態において、静電クランプ６００は、オプティカルコンタクトボンディングとも呼ばれる直接ボンディングを介してチャック６１２に取り付けることができる。オプティカルコンタクトボンディングは、エポキシ等の接着剤を用いることなく、２つの実質的に欠陥の無い高度に研磨された表面間で行うことができる。オプティカルコンタクトボンディングは、ボンディング表面間のファンデルワールス力のような誘引分子間相互作用から生じ得る。いくつかの実施形態では、ボンディング後のアニールによってファンデルワールス結合の結合力をより強い共有結合に変換することで、オプティカルコンタクトボンディングを強化することができる。

[0116] 二重スタックの静電クランプを形成するための例示的な方法
[0117] 図７、図９、及び図１１は、一実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプを形成するための方法を示すフロー図７００、９００、及び１１００を示す。本明細書で提供される開示を実行するために図７、図９、及び図１１の全てのステップが必要であるとは限らないことは認められよう。さらに、ステップのいくつかは同時に実行され得るか、又は図７、図９、及び図１１に示されているものとは異なる順序で実行され得る。フロー図７００、９００、及び１１００は、それぞれ図８Ａから図８Ｄ、図１０Ａから図１０Ｂ、及び図１２Ａから図１２Ｃを参照して説明するものとする。しかしながら、フロー図７００、９００、及び１１００は、これらの例示的な実施形態に限定されない。

[0118] 図７は、本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプの第１のスタックを製造するためのフローチャート７００を示す。図８Ａから図８Ｄは、フローチャート７００に従った様々なプロセスステップにおける第１のスタック８００の断面図を示す。

[0119] 図７のプロセスステップ７０２では、図８Ａに示されている例示的な構造によって、複数のチャネル８１０を備えたクランプ本体８０４を形成する。クランプ本体８０４は、図５のクランプ本体５０４及び図６の第１／第２のクランプ本体６０４／６０５と同様とすることができる。クランプ本体８０４は、超低熱膨張係数を有する絶縁体で作製することができ、例えば、超低膨張シリコンベース材料（例えばＣｏｒｎｉｎｇ社によって製造されたＵＬＥ（登録商標））、ガラス材料、セラミック材料、シリコンベースのガラスセラミック材料（例えばＳＣＨＯＴＴ社によって製造されたＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標））、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。

[0120] クランプ本体８０４の表面を研磨して（又は機械加工して）、約０．５ｎｍ以下の二乗平均平方根（ＲＭＳ：root mean square）ラフネスの平滑性を得ることができる。研磨（又は機械加工）プロセスは、例えば酸化セリウムスラリを用いたガラス又はセラミックのための任意の適切な研磨プロセスを含み得る。

[0121] 研磨の後、例えばフッ化水素酸を含む酸混合物を用いてクランプ本体８０４の表面に酸エッチングを実行することができる。酸エッチングは、クランプ本体８０４を数ミクロン（例えば約５ミクロン）除去できる。研磨表面からのこの材料除去は、機械加工プロセスによって誘発される可能性のあるクランプ本体８０４の応力を緩和するのに役立ち得る。

[0122] チャネル８１０は、図５のチャネル５１０及び図６の第１／第２のチャネル６１０／６１１と同様とすることができる。いくつかの実施形態において、チャネル８１０は、フォトリソグラフィ及びガラスエッチングプロセスを用いて形成できる。なお、図８Ａのチャネル８１０の矩形の断面形状は説明のためのものであって、限定ではない。本開示の範囲から逸脱することなく、様々な実施形態に従って、チャネル８１０は他の断面形状（例えば円錐形、台形）を有することができる。

[0123] 図７のプロセスステップ７０４では、図８Ｂの例示的な構造によって、クランプ本体８０４上に１つ以上の電極８０８を形成する。１つ以上の電極８０８は、図５の第１の電極５０８及び図６の第１の電極６０８と同様とすることができる。１つ以上の電極８０８の形成は、伝導フィルム層を堆積することと、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いてパターニングすることと、を含む。伝導フィルムは、例えばアルミニウム、クロム、白金、金、又はそれらの任意の組み合わせ等、金属又は金属合金とすることができる。伝導フィルムは、スパッタリング、めっき、熱蒸着、原子層体積（ＡＬＤ：atomic layer deposition）、又は化学気相堆積（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）等、金属に適した任意の従来の方法を用いて堆積できる。いくつかの実施形態において、１つ以上の電極８０８の形成は、シャドーマスクを用いた堆積も含むことができる。

[0124] 図７のプロセスステップ７０６では、図８Ｃに示されている例示的な構造によって、クランプ本体８０４上に絶縁層８１６を形成する。いくつかの実施形態において、絶縁層８１６は、図５の第１／第２の絶縁層５１６／５２０、及び図６の第１／第２の絶縁層６１６／６２０と同様とすることができる。絶縁層８１６は例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、ポリイミド、スピンオンガラス、又はそれらの任意の組み合わせ等、任意の適切な絶縁体とすることができる。絶縁層８１６の形成は、堆積及びパターニングを含み得る。絶縁層８１６は、限定ではないが、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着、及びスピンオンコーティング（spin-on coating）等、誘電材料に適した任意の従来の方法を用いて堆積することができる。次いで、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて絶縁層８１６をパターニングすることができる。いくつかの実施形態において、絶縁層８１６の形成は、例えば化学機械研磨のような、絶縁層８１６を１つ以上の電極８０８と同一平面上とすることができる平坦化プロセスも含み得る。

[0125] 図７のプロセスステップ７０８では、図８Ｄに示されている例示的な構造によって、クランプ本体８０４上に誘電板８０６を形成する。いくつかの実施形態において、誘電板８０６は１つ以上の電極８０８及び絶縁層８１６の上に形成することができる。いくつかの実施形態において、誘電板８０６は第１／第２の誘電板５０６／５１８及び第１／第２の誘電板６０６／６１８と同様とすることができる。いくつかの実施形態において、誘電板８０６は超低熱膨張係数を有する絶縁体で作製され得る。いくつかの実施形態では、誘電板８０６をクランプ本体８０４と同一の材料で作製して、異種材料間の熱膨張の不一致に起因した熱応力を最小限に抑えることができる。

[0126] いくつかの実施形態において、誘電板８０６は複数のバール８１４も含む。バール８１４は、図５のバール５１４及び図６のバール６１４とすることができる。バール８１４は、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて誘電板８０６をパターニングすることによって形成できる。誘電板８０６のエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチング（例えばリアクティブイオンエッチング）を含む。なお、バール８１４の矩形の断面形状は説明のためのものであって、限定ではない。本開示の範囲から逸脱することなく、様々な実施形態に従って、バール８１４は他の断面形状（例えば球形、円錐形、台形）を有することができる。

[0127] 図７のプロセスステップ７０８が完了した後、二重スタックを備えた静電クランプのための第１のスタック８００（図８Ｄに示されている）が完成する。第１のスタック８００は、図５の第１のスタック５０１及び図６の第１のスタック６０１と同様とすることができる。

[0128] 図９は、本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプを製造するためのフローチャート９００を示す。図１０Ａから図１０Ｂは、フローチャート９００に従った様々なプロセスステップにおける二重スタックを備えた静電クランプ１０１０の断面図を示す。

[0129] 図９のプロセスステップ９０２では、二重スタックを備えた静電クランプのための第１のスタックを形成する。第１のスタックは、図７のフローチャート７００を用いて形成することができる。第１のスタックの一例は、図８Ｄに示されている第１のスタック８００である。

[0130] 図９のプロセスステップ９０４では、二重スタックを備えた静電クランプのための第２のスタックを形成する。第２のスタックの一例は、図１０Ａの第２のスタック１０００として示されている。第２のスタック１０００は、図７のフローチャート７００における同様のプロセスステップを用いて形成できる。一例では、第２のスタック１０００は単一の電極１０２２を有し得る。第２のスタック１０００の電極の数はより多い可能性があり、本開示の範囲では限定されない。

[0131] 図９のプロセスステップ９０６では、静電クランプの第１のスタック８００及び第２のスタック１０００をオプティカルコンタクトボンディングによってボンディングする。このようにして、二重スタックを備えた静電クランプ１０１０を形成する。図１０Ｂは、オプティカルコンタクトボンディングにおける第１のスタック８００及び第２のスタック１０００の構成を示す。この構成において、第２のスタック１０００は上下逆にひっくり返され、ボンディング界面は第１及び第２のスタックのクランプ本体の間にある。ボンディング後の静電クランプ１０１０は、図５の静電クランプ５００とすることができる。

[0132] オプティカルコンタクトボンディングプロセスは、オプティカルコンタクトボンディングの前に、ボンディング界面の下面８００ｂ及び１０００ｂを研磨及び洗浄することを含み得る。下面８００ｂ及び１０００ｂは、限定ではないが、酸化セリウムスラリ研磨プロセスのような任意の適切な研磨プロセスを用いて、約０．５ｎｍ以下の二乗平均平方根（ＲＭＳ）ラフネスに研磨することができる。この後、使用されている基板材料に適した圧力のもとで下面８００ｂを下面１０００ｂに対して押圧することにより、第１のスタック８００を第２のスタック１０００に直接ボンディングすることができる。任意選択として、二重スタックを備えた静電クランプ１０１０を約２００～１２００℃の範囲内の温度でアニールすることで結合を強化してもよい。

[0133] オプティカルコンタクトボンディング（直接ボンディングとも呼ばれる）は、一実施形態に従った、エポキシ又は他のいずれかの接着材料のようなボンディング材料を用いない、実質的に欠陥の無い高度に研磨された表面（例えば下面８００ｂ及び１０００ｂ）間のボンディングである。オプティカルコンタクトボンディングは、ボンディング表面（例えば下面８００ｂ及び１０００ｂ）間のファンデルワールス力のような誘引分子間相互作用から生じ得る。（上述したように）オプティカルコンタクト結合のアニールによって、例えばボンディング表面間のファンデルワールス結合をより強い共有結合に変換することで、オプティカルコンタクトボンディングした構造を強化することができる。

[0134] 図１１は、本開示のいくつかの実施形態に従った、二重スタックを備えた静電クランプを製造するためのフローチャート１１００を示す。図１２Ａから図１２Ｃは、フローチャート１１００に従った様々なプロセスステップにおける二重スタックを備えた静電クランプ１２１０の断面図を示す。

[0135] プロセスステップ１１０２では、第１の電極及び第１の誘電板を備えた静電クランプのための第１のスタックを形成する。第１のスタックは図８Ｄの第１のスタック８００とすることができ、図７のフローチャート７００を用いて製造することができる。

[0136] プロセスステップ１１０４では、第２の電極及び第２の誘電板を備えた静電クランプのための第２のスタックを形成する。第２のスタックは図１０Ａに示されている第２のスタック１０００とすることができ、図９のプロセスステップ９０４の記載に従って製造することができる。

[0137] プロセスステップ１１０６では、第２のスタック１０００を直接ボンディング（例えばオプティカルコンタクトボンディング）によってチャック１２１２にボンディングする。図１２Ａに例示的な構造が示されている。チャック１２１２は、ウェーハチャック、レチクルチャック、又は真空システムにおける任意の適切なチャックとすることができる。

[0138] プロセスステップ１１０８では、第１のスタック８００上に伝導層を配置する。第１の電極及び伝導層は第１のスタックの両側にある。図１２Ｂに例示的な構造１２００が示され、単一の電極として機能する伝導層１２２４が図示されている。しかしながら、伝導層１２２４（例えば電極）の数はこれに限定されず、任意の適切な数とすればよい。伝導層１２２４は、図８Ｂの第１の電極８０８と同様の材料及びプロセスを用いて形成することができる。

[0139] プロセスステップ１１１０では、第２の電極及び伝導層に異なる電圧を印加することによって第１及び第２のスタックを接合する。図１２Ｃは、接合処理における、第１の電極８０８及び伝導層１２２４を備えた第１のスタック１２００、並びに第２の電極１０２２を備えた第２のスタック１０００の構成を示す。完成時の静電クランプ１２１０は、図６の６００と同様とすることができる。

[0140] 上述したように、第１のスタック８００及び第２のスタック１０００は製造中に並行して作製することができる。オプティカルコンタクトボンディングによって（図９及び図１０に示されているように）、又は、第１及び第２のスタック上の電極で制御される電気力によって（図１１及び図１２に示されているように）、第１のスタック８００及び第２のスタック１０００を接合することで、二重スタックを備えた静電クランプを形成できる。これにより、図１０Ｂの二重スタックを備えた静電クランプ１０１０又は図５の５００、及び、図１２Ｃの二重スタックを備えた静電クランプ１２１０又は図６の６００を、それぞれ形成することができる。図５の静電クランプ５００又は図６の６００は、第１の電極８０８に電圧を印加することによって動作中に高速かつ容易なウェーハ／レチクルの取り付け及び取り外しを可能とする。一方、静電クランプ５００は、第２の電極５２２の電圧制御によって高速かつ容易なクランプの取り付け及び取り外しも可能とする。また、静電クランプ６００は、第２の電極６２２及び伝導層６２４の電圧制御によって高速かつ容易なクランプの取り付け及び取り外しも可能とする。

[0141] 実施形態は、以下の条項を用いてさらに記載することができる。
１．静電クランプであって、
第１のスタック及び第２のスタックを備え、第１のスタックは第２のスタックに接合され、第１及び第２のスタックの各々は、
クランプ本体と、
クランプ本体上に配置された１つ以上の電極と、
電極上に配置された誘電板と、
クランプ本体内部の複数のチャネルと、
を備える、静電クランプ。
２．第１及び第２のスタックはオプティカルコンタクトボンディングによって接合されている、条項１に記載の静電クランプ。
３．第１のスタックは伝導層を含み、伝導層及び１つ以上の電極はクランプ本体の両側にある、条項１に記載の静電クランプ。
４．第１及び第２のスタックは、第１のスタックの伝導層と第２のスタックの１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている、条項３に記載の静電クランプ。
５．クランプ本体は超低膨張係数を有する絶縁体を含む、条項１に記載の静電クランプ。
６．複数のチャネルは熱的に調節された液体又は気体を運ぶように構成されている、条項１に記載の静電クランプ。
７．第１及び第２のスタックの各々は、１つ以上の電極を電気的に隔離するように構成された絶縁層をさらに含む、条項１に記載の静電クランプ。
８．誘電板は複数のバールを含む、条項１に記載の静電クランプ。
９．静電クランプを製造するための方法であって、
静電クランプの第１のスタックを形成することと、
静電クランプの第２のスタックを形成することと、
第１のスタックを第２のスタックと接合することと、
を含む方法。
１０．静電クランプの第１及び第２のスタックを形成することは、
クランプ本体に複数のチャネルを形成することと、
クランプ本体上に１つ以上の電極を形成することと、
クランプ本体上に絶縁層を形成することと、
１つ以上の電極上に誘電板を形成することと、
を含む、条項９に記載の方法。
１１．誘電板上に複数のバールを形成することをさらに含む、条項１０に記載の方法。
１２．第１のスタックを第２のスタックと接合することは、
静電クランプの第１及び第２のスタックの下面を研磨することであって、下面及び誘電板は第１及び第２のスタックのクランプ本体の各々の両側にある、下面を研磨することと、
第１及び第２のスタックの研磨した下面間にオプティカルコンタクトボンディングを形成することと、
を含む、条項１０に記載の方法。
１３．第１のスタックを第２のスタックと接合することは、
第１のスタックの下面に伝導層を配置することであって、第１のスタックの下面及び誘電板はクランプ本体の両側にある、伝導層を配置することと、
第１のスタックの伝送層に第１の電圧を印加することと、
第２のスタックの１つ以上の電極に第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加することと、
を含む、条項１０に記載の方法。
１４．条項１に記載の静電クランプを含むリソグラフィ装置。
１５．パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明装置と、
パターンの像を基板に投影するように構成された投影システムと、
をさらに備え、基板は静電クランプ上に配置されている、条項１４に記載のリソグラフィ装置。
１６．第１のスタックは伝導層を含み、伝導層及び１つ以上の電極はクランプ本体の両側にある、条項１５に記載の方法。
１７．第１及び第２のスタックは、第１のスタックの伝導層と第２のスタックの１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている、条項１６に記載の方法。
１８．パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明装置であって、パターニングデバイスは静電クランプ上に配置されている、照明装置と、
パターンの像を基板に投影するように構成された投影システムと、
をさらに備える、条項１４に記載のリソグラフィ装置。
１９．第１のスタックは伝導層を含み、伝導層及び１つ以上の電極はクランプ本体の両側にある、条項１８に記載の方法。
２０．第１及び第２のスタックは、第１のスタックの伝導層と第２のスタックの１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている、条項１９に記載の方法。

[0142] 本明細書ではリソグラフィ装置における静電クランプの使用について具体的な言及がなされているが、本発明に記載されている静電クランプが他の適用例を有し得ることは理解されよう。他の適用例は例えば、マスク検査装置、ウェーハ検査装置、空間像メトロロジ装置、及び、より一般的には、例えばプラズマエッチング装置又は堆積装置等、真空条件又は周囲（非真空）条件のいずれかで、ウェーハ（もしくは他の基板）又はマスク（もしくは他のパターニングデバイス）等の物体を測定又は処理する任意の装置における使用である。

[0143] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0144] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

[0145] 本明細書中の言い回し又は専門用語は説明を目的とするものであって限定を目的とするものではないことが理解されるべきであり、従って、本明細書の専門用語又は言い回しは、本明細書中の教示に照らして当業者によって解釈されるべきである。

[0146] 本明細書で使用される「基板」という用語は、その上に材料層が追加される材料を記述する。一部の実施形態では、基板自体にパターンが付与されると共に、その上に追加された材料にもパターンが付与されるか、又はパターン付与されないままである場合がある。

[0147] 本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらのいずれかの組み合わせにおいて実施可能である。また、本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み取り及び実行され得る機械読み取り可能媒体上に記憶された命令としても実施することができる。機械読み取り可能媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態の情報を記憶又は送信するためのいずれかの機構を含み得る。例えば、機械読み取り可能媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）、及び他のものを含むことができる。さらに、一定の動作を実行するものとして本明細書ではファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を記載することができるが、そのような記載は単に便宜上のものであり、そういった動作は実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び／又は命令を実行する他のデバイスから得られることは認められよう。

[0148] 以下の例はこの開示の実施形態を説明するものであるが限定的ではない。本技術分野で通常見られ、当業者に自明と思われる各種の条件及びパラメータのその他の適切な変更形態及び適応形態も本開示の趣旨及び範囲内にある。

[0149] 本文では、ＩＣの製造における本発明による装置及び／又はシステムの使用について特に言及しているが、そのような装置及び／又はシステムは他の多くの可能な用途を有することを明確に理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤパネル、薄膜磁気ヘッドなどに使用できる。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「レチクル」、「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「マスク」、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。

[0150] 本発明の特定の実施形態が上に記載されているが、本発明は、記載されている以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。この説明は、本発明を限定することを意図するものではない。

[0151] 特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを理解されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。

[0152] 以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的境界を画定することができる。

[0153] 特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び変更は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。

[0154] 本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。

Claims (20)

1. 静電クランプであって、
   第１のスタック及び第２のスタックを備え、前記第１のスタックは前記第２のスタックに接合され、前記第１及び第２のスタックの各々は、
   クランプ本体と、
   前記クランプ本体上に配置された１つ以上の電極と、
   前記電極上に配置された誘電板と、
   前記クランプ本体内部の複数のチャネルと、
   を備える、静電クランプ。
2. 前記第１及び第２のスタックはオプティカルコンタクトボンディングによって接合されている、請求項１に記載の静電クランプ。
3. 前記第１のスタックは伝導層を含み、前記伝導層及び前記１つ以上の電極は前記クランプ本体の前記両側にある、請求項１に記載の静電クランプ。
4. 前記第１及び第２のスタックは、前記第１のスタックの前記伝導層と前記第２のスタックの前記１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている、請求項３に記載の静電クランプ。
5. 前記クランプ本体は超低膨張係数を有する絶縁体を含む、請求項１に記載の静電クランプ。
6. 前記複数のチャネルは熱的に調節された液体又は気体を運ぶように構成されている、請求項１に記載の静電クランプ。
7. 前記第１及び第２のスタックの各々は、前記１つ以上の電極を電気的に隔離するように構成された絶縁層をさらに含む、請求項１に記載の静電クランプ。
8. 前記誘電板は複数のバールを含む、請求項１に記載の静電クランプ。
9. 静電クランプを製造するための方法であって、
   前記静電クランプの第１のスタックを形成することと、
   前記静電クランプの第２のスタックを形成することと、
   前記第１のスタックを前記第２のスタックと接合することと、
   を含む方法。
10. 前記静電クランプの前記第１及び第２のスタックを形成することは、
    クランプ本体に複数のチャネルを形成することと、
    前記クランプ本体上に１つ以上の電極を形成することと、
    前記クランプ本体上に絶縁層を形成することと、
    前記１つ以上の電極上に誘電板を形成することと、
    を含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記誘電板上に複数のバールを形成することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記第１のスタックを前記第２のスタックと接合することは、
    前記静電クランプの前記第１及び第２のスタックの下面を研磨することであって、前記下面及び前記誘電板は前記第１及び第２のスタックの前記クランプ本体の各々の両側にある、下面を研磨することと、
    前記第１及び第２のスタックの前記研磨した下面間にオプティカルコンタクトボンディングを形成することと、
    を含む、請求項１０に記載の方法。
13. 前記第１のスタックを前記第２のスタックと接合することは、
    前記第１のスタックの下面に伝導層を配置することであって、前記第１のスタックの前記下面及び前記誘電板は前記クランプ本体の前記両側にある、伝導層を配置することと、
    前記第１のスタックの前記伝送層に第１の電圧を印加することと、
    前記第２のスタックの前記１つ以上の電極に前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を印加することと、
    を含む、請求項１０に記載の方法。
14. 請求項１に記載の静電クランプを含むリソグラフィ装置。
15. パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明装置と、
    前記パターンの像を基板に投影するように構成された投影システムと、
    をさらに備え、前記基板は前記静電クランプ上に配置されている、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記第１のスタックは伝導層を含み、前記伝導層及び前記１つ以上の電極は前記クランプ本体の前記両側にある、請求項１５に記載の方法。
17. 前記第１及び第２のスタックは、前記第１のスタックの前記伝導層と前記第２のスタックの前記１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている、請求項１６に記載の方法。
18. パターニングデバイスのパターンを照明するように構成された照明装置であって、前記パターニングデバイスは前記静電クランプ上に配置されている、照明装置と、
    前記パターンの像を基板に投影するように構成された投影システムと、
    をさらに備える、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
19. 前記第１のスタックは伝導層を含み、前記伝導層及び前記１つ以上の電極は前記クランプ本体の前記両側にある、請求項１８に記載の方法。
20. 前記第１及び第２のスタックは、前記第１のスタックの前記伝導層と前記第２のスタックの前記１つ以上の電極との間に発生した電気力によって接合されている、請求項１９に記載の方法。

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