JP4477621B2 - リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置用静電クランプの製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法および装置製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は、基板のターゲット部分の上に所望のパターンを与える装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合、ＩＣの個別の層の上に形成されるべき回路パターンを生成するためにマスクまたはレチクルと二者択一的に呼ばれるパターニングデバイスが使用されてよい。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）の上に転写されてよい。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）層の上に結像させることによる。一般に単一の基板は、隣接する、順次パターン化される網目状のターゲット部分を含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光することによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームを横切って、所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンし、同時にこれと同期的に基板をこのスキャン方向と平行に、または非平行にスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。やはり、基板上にパターンをインプリントすることによって、パターンをパターニングデバイスから基板上へ転写することが可能である。

[0003] 静電クランプが、ある一定の波長、例えばＥＵＶで動作するリソグラフィ装置で使用されることがあり、それは、これらの波長では、ある一定の範囲のリソグラフィ装置は真空条件下で動作するからである。静電クランプは、マスクまたは基板などの物品をそれぞれマスクテーブルまたはウェーハテーブルなどの物品支持体に静電的にクランプするのに用いられてよい。従来の静電クランプは、その中の電極が上部（第１）誘電体または絶縁層と下部（第２）誘電体または絶縁層の間に設けられている積層を含む。例えば、下部層が研磨され、次いで電極が上の研磨表面上に堆積される。次いで上部層が電極の上面に配置される。上部層と下部層が、例えば陽極接合で一緒に接合される。電極は、複数の部分を含んでよい。電極の上面にある微粒子が、接合ステップの後、上部層内に受入れ難い歪みを引き起こす。さらに、電極は、必ずしも下部層の全表面を覆わない。ある場所には電極がないことがある。これが、結局は、空気、ほこり、流体、またはそれらの組合せなど１つまたは複数の汚染物質で満たされることがある小さいが比較的長い間隙となる。これらの場合のいずれにおいても、このことが上部層内に受入れがたいが歪みをもたらすことになり、結果として物品の損傷や異なる電極部分間の誤点弧、例えば電極の短絡を招くことがある。さらに汚染物質は、積層内の層の間に捕獲されることがある。クランプが異なる圧力環境下におかれる場合、特に上部層は、層の損傷を引き起こすことがある交番力で傷付く恐れがある。

[0004] 例えば、歪みが低減された静電クランプを提供することは有利であることになる。例えば、物品、クランプに対する損傷、誤点弧またはそれらの組合せの危険が低減された静電クランプを提供することは有利であることになる。

[0005] 本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置内で物品支持体に物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法が提供されており、その方法は、第１材料層を提供すること、第１材料層内に凹部をエッチングすること、および第１材料層の凹部中に電極を設けることを含む。

[0006] 本発明の一態様によれば、放射ビームのビーム経路内に物品を支持するように構成された物品支持体と、物品支持体に対して物品を静電的にクランプするように構成された、第１材料層および電極を備えている静電クランプとを含むリソグラフィ装置が提供されている。電極は第１材料層内にエッチングされた凹部中に形成される。

[0007] 本発明の一態様によれば、放射ビームのビーム経路内に物品を支持するように構成された物品支持体と、物品支持体に対して物品を静電的にクランプするように構成された、本明細書で説明される方法で製造される静電クランプとを含むリソグラフィ装置が提供されている。

[0008] 次に、本発明の実施形態が、対応する参照符号が対応する部分を指す添付の概略図面を参照して、単に例として説明されるであろう。

[0014] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。その装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）をコンディショニングさせるように構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するために構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするために構成されている第１位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するために構成され、一定のパラメータに従って正確に基板を位置決めするために構成されている第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ、または複数のダイを含む）上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折式投影レンズシステム）ＰＳとを備える。

[0015] 照明システムは、放射を誘導し、成形し、または制御するための屈折式、反射式、磁気、電磁気、静電気または他の種類の光学構成要素あるいは任意のそれらの組合せなど様々な種類の光学構成要素を含むことができる。

[0016] 支持構造は、パターニングデバイスの重量を支持する、つまり担う。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および例えば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されるかどうかなど他の条件によって決まるやり方でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために機械、真空、静電気、あるいは他のクランプ技法を用いることができる。支持構造は、例えば必要に応じて固定することも動かすこともできるフレームまたはテーブルであってよい。支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに関して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書で用語「レチクル」または「マスク」の使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義とみなされてよい。

[0017] 本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生成するようにその断面内にパターンを有する放射ビームを与えるのに使用することができる任意のデバイスを指すものと広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられたパターンが、例えばパターンが位相シフト特徴または、いわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作製されるデバイス中の特定の機能層に一致することになる。

[0018] パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、様々な種類のハイブリッドマスクと同様にバイナリ、Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどの種類のマスクを含む。プログラマブルミラーアレイの例では、それぞれが入射してくる放射ビームを別の方向に反射するように個々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリックス配列を使用する。傾斜させたミラーが、ミラーマトリックスによって反射された放射ビーム内にパターンを与える。

[0019] 本明細書で使用される用語「投影システム」は、例えば、使用される露光放射に適した、または液浸液を使用するのか、真空を使用するのかなど他の要因に適した、屈折式光学システム、反射式光学システム、反射屈折式光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、あるいはそれらの任意の組合せを含めた、任意の種類の投影システムも包含するものと広義に解釈されるべきである。本明細書で用語「投影レンズ」の任意の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義とみなされてよい。

[0020] 支持構造および基板テーブルは、以降、物品支持体と呼ばれることもある。物品は、レチクルなどのパターニングデバイスに限らず、ウェーハなど基板を含む。

[0021] 図示されたように装置は反射型（例えば、反射マスクを使用する）である。代替的に装置は透過型（例えば、透過マスクを使用する）でもよい。

[0022] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）、または、それより多い基板テーブル（および／または、２つ以上のマスクテーブル）を有する形式でもよい。このような「マルチステージ」の装置では追加のテーブルは並行して用いられてよく、つまり、予備的なステップが１つまたは複数のテーブル上で実行され、一方、他の１つまたは複数のテーブルが露光のために使用されてもよい。

[0023] リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすために、少なくとも基板の一部分が相対的に高い屈折率を有する液体、例えば水で覆われることがある形式のものでもよい。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの間にも与えることができる。投影システムの開口数を増大させるための液浸技術は、当技術分野でよく知られている。本明細書で使用される用語「液浸」は、一構成、例えば基板が、液体中に浸漬されなければならないことを意味するのでなく、むしろ露光の間に投影システムと基板の間に液体が配置されることだけを意味する。

[0024] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合は、別々の要素でよい。そのような場合は、放射源が、リソグラフィ装置の部分を形成するとみなされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビーム誘導システムを使って放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ送達される。他の場合では、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、一体型リソグラフィ装置の一部であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム誘導システムと共に、放射システムと呼ばれてよい。

[0025] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整する調整器を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（ｒａｄｉａｌ ｅｘｔｅｎｔ）（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）が調整されてよい。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの種々の他の構成要素を含むことができる。イルミネータは、その断面内に所望の均一性と強度分布を有するように放射ビームを調整するために使用されてよい。

[0026] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射され、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを横断して、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃの上にビームを焦点合せする投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、基板テーブルＷＴが、例えば放射ビームＢの経路内に別のターゲット部分Ｃを位置合わせするために、正確に動かされてよい。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよびもう１つの位置センサＩＦ１が、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャンの間に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めするために使用されてよい。一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、第１位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現されてよい。同様に、基板テーブルＷＴの動きは、第２位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されてよい。ステッパの場合には（スキャナとは違って）マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続され、あるいは固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合せ可能である。図示されたように基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めているが、それらはターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい（これらは、スクライブ線アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが提供される場合には、マスクアライメントマークがダイの間に配置されてよい。

[0027] 図示された装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用されてよい。

[0028] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは本質的に静止状態に維持され、一方、放射ビームに与えられた全パターンは一挙にターゲット部分Ｃの上に投影（すなわち、単一静止露光）される。次いで、基板テーブルＷＴが、別のターゲット部分Ｃが露光可能となるようにＸおよび／またはＹ方向に位置を変えられる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を制限する。

[0029] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率および像反転特性によって決定されることになる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一動的露光中のターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、スキャン動作の長さが、ターゲット部分の高さ（スキャン方向の）を決める。

[0030] ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを本質的に静止状態に保持し続け、基板テーブルＷＴが動かされ、あるいはスキャンされ、一方、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動後、あるいはスキャンの間の一連の放射パルスの合間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述した種類のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に応用可能である。

[0031] 前述の使用モードについての組合せ、および／または変形形態、あるいはまったく異なる使用モードが、やはり使用されてよい。

[0032] 図２は、本発明の一実施形態による静電クランプの平面図を図示する。図２に示されたように、静電クランプ１は、物品支持体３の一部分を形成することがある。物品Ｗ、ＭＡは、物品支持体３上に設けられる。支持体上に安定した状態で支持された物品Ｗ、ＭＡを維持するために、クランプ１が、クランプ力をもたらす、つまり、例えば、静電的クランプによって物品Ｗ、ＭＡが物品支持体３上に引き寄せられる。このために、本発明の実施形態は、任意の物品、特に、反射または透過マスクなどの光学エレメントなど、投影ビーム中に配置されるべき平坦な物品に、あるいはウェーハなど照射されるべき基板に適用されてよいことが理解されるであろう。以下にマスクＭＡは一般に第１物品と呼ばれ、ウェーハまたは基板Ｗは一般に第２物品と呼ばれる。静電クランプは、電極５を含む。電極は、第１部分７および第２部分９を含んでよい。第１部分７は第１電極部分である。第２部分９は、第２電極部分９ａまたはシールド電極部分９ｂであってよい。

[0033] 電圧電源１１が、第１または第２電極部分７、９ａに電圧を供給するように構成されて提供されてよい。第２電極部分９ｂは、接地接続１３を備えることによって接地されてよい。図３に示されたように、静電クランプは積層を含む。積層は、電極の第１表面６が第１層１９と接触し、電極の第２表面８が第２層２１と接触するように設けられた電極７、９を含む。誘電体または半絶縁体層１９、２１が、少なくとも第１部分７の上にもたらされた電荷を保持するために設けられる。積層構成は、図３〜５を参照してさらに詳細に説明される。図２では、電極７、９が、静電クランプ１の積層構造内に設けられていることを表わすために点線で図示されている。言い換えると、電極はクランプ１の外表面上には設けられない。さらに、電圧電源１１および接地１３への電気的接続が、やはり静電クランプ１の積層構造内に設けられる。

[0034] 静電クランプ１は、静電気電荷が少なくとも第１電極部分７の上に蓄積され、保持されるという一般に認められている原理に基づいて動作する。力が、次式に従って生ずる。

[0035] Ｆ＝１／２＊Ａ＊ε０＊Ｖ^２／（ｄ／εｒ＋ｇ）^２ （式１）
[0036] ここで、Ｆはニュートン単位の力であり、Ａはそこへ電荷が与えられる電極の平方メートル単位の面積であり、Ｖはボルト単位の電圧であり、ｇは誘電体層または半絶縁体層と物品の間の間隙（および下でさらに詳述される突出部２３の高さでもある）であり、εｒは誘電体または半絶縁体材料の誘電率であり、ε０は真空の誘電率であり、ｄは電極と突出部２３の基部の間の間隔（図４を参照のこと）である。したがって、ウェーハと電極の間の間隔ｈは、ｇ＋ｄであり、例えば図３および４に示されたとおりである。図２では、２極クランプが、中に正電荷は第１部分７の上に設定され、負電荷が第２部分９ａの上に設定されて与えられる。このように、物品をクランプする所定の静電気力を設定するために、電極が制御された抵抗体に取り付けられてよい。第２部分９ｂを含むシールド電極９ｂが、物品とクランプの間にある流体、例えば気体のパッシェン曲線に従って起こる放電の危険を減らすために設けられる。

[0037] 特に、第１部分７と第２部分９ａの間に延在する容積１５内に位置を占める汚染物質が、上述した問題を引き起こすおそれがあることが知られている。さらに、２極の電極を形成する第１部分７および第２部分９ａとシールド電極を形成する第２部分９ｂとの間に延在する容積１７内に位置を占める汚染物質が、やはり上述した問題を引き起こすことがある。

[0038] 図３は、本発明の一実施形態による図２の線Ｘ−Ｘを通る静電クランプの断面図を図示している。図３では、物品支持体３は、パターン化放射ビームのビーム経路内に配置されるべき第２物品を支持するように構成されている。静電クランプ１は、ビーム経路に沿ってビームを投影する間に物品支持体３に対して第２物品Ｗを静電的にクランプするように構成されている。静電クランプ１は、第１および第２層１９、２１ならびに電極７、９ａ、９ｂを含む積層を包含する。第１層は、誘電体または半絶縁体材料を含んでよい。第２層は、誘電体、半絶縁体または絶縁体材料、あるいはそれらの組合せを含んでよい。第２層が、電界を保持することは必ずしも必要ない。電極は、第１および第２部分７、９ａ、９ｂを含んでよく、電極７、９ａ、９ｂは、その第１表面６が、第１層１９と接触し、その第２表面８が、第２層２１と接触するように設けられてもよい。第１層が、物品を受け取るように構成されることになる。第１誘電体または半絶縁体層１９および第２誘電体または半絶縁体層２１は、静電クランプが、使用中に第１層１９に対して物品を静電的にクランプするために静電界を保持する誘電体または半絶縁体材料を含んでよい。第１誘電体または半絶縁体層あるいは第２誘電体または半絶縁体層のどちらか一方の材料が、第１層と第２層の間に設けられることになる。このようにして静電クランプが接着の必要なしに設けられる。一実施形態では、材料が、第１層と第２層１９、２１の間の１つまたは複数の容積１５、１７を満たす。材料は、電極７、９ａ、９ｂを取り囲むことがある。一実施形態では、材料は、電極７、９ａ、９ｂの第１部分と第２部分の間に設けられる。一実施形態では、第１層と第２層は、同じ材料を含む。このようにして第１層と第２層の熱膨張係数の差が除かれ、その結果、熱歪みの影響が低減された構造をもたらす。

[0039] 図３に示された実施形態では、電極７、９ａ、９ｂが第１層内に形成される。さらなる実施形態では、電極７、９ａ、９ｂが、誘電体または半絶縁体層１９、２１の内の１つの上に設けられる。電極７、９ａ、９ｂは、一平面内に延在してよく、第１部分７および第２部分９ａ、９ｂが、その平面内に延在する。図３に示された実施形態では、電極７、９ａ、９ｂが、第１誘電体または半絶縁体層１９あるいは第２誘電体または半絶縁体層２１内に形成されてよい。特に、第１誘電体または半絶縁体層１９内に形成されることがある。図３に示された実施形態では、電極７、９ａ、９ｂは、第１誘電体または半絶縁体層あるいは第２誘電体または半絶縁体層内にエッチングされた凹部３５中に形成されている。図３には、電極とウェーハの間隔ｈが示されている。

[0040] 一実施形態では、その中で物品支持体が、放射ビームの断面内にパターン付きで放射ビームを与えることができる第１物品ＭＡを支持するように構成され、放射ビームのビーム経路内にパターン化放射ビームを形成する。例えば、このようなＥＵＶ範囲で動作する反射型リソグラフィ装置では、マスクに対する物品支持体と静電クランプは、ビームがマスクを透過しないので基板に対して説明したものと同様の方法で構成されてよい。しかし放射ビームがマスクを透過する透過型リソグラフィでは、物品支持体３と静電クランプは、投影ビームを通過させることが可能であるように構成されてよい。これは、電極を静電クランプの端部の方に配置することによって達成可能である。

[0041] 第１および第２層は、ＵＬＥ（登録商標）などの超低膨張材料、ガラス材料、セラミック材料、ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）などのガラスセラミック材料、あるいはそれらの組合せなどの材料を含むことができる。参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６，８６４，９５７号は、適切な材料のさらなる詳細を開示している。ＵＬＥ（登録商標）は、Ｃｏｒｎｉｎｇから入手可能な超低膨張ガラスである。ＵＬＥ（登録商標）は、誘電体材料であり、つまり電気の不良導体であるが、静電界の効率的保持体である。その材料は静電界の下においた場合、材料内に電荷の流れはほとんどない。ＵＬＥ（登録商標）の誘電率は、約１ｋＨｚで約４である。ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）は、Ｓｃｈｏｔｔから入手可能な極低熱膨張係数を有するガラスセラミック材料である。ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）は、半絶縁体材料であり、つまり、電気の不良導体であるが、静電界の効率的保持体である。しかし、その材料は静電界の下においた場合、材料内に電荷の流れがいくらかある。ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）は、約１ｋＨｚで約８の誘電率を有する。誘電率が周波数と共に変わることは留意される。しかし、本発明の実施形態によれば用いられる電圧はＤＣであってよい。しかし本発明の実施形態で使用する場合に材料内の電荷の流れが、静電クランプのクランプ機能を弱めることはない。このように材料内の電荷の流れがいくらかあるにも係わらずＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）などの半絶縁体材料が、静電クランプに使用されてよい。その誘電体または半絶縁体材料は、約１ｋＨｚで、約１から約８の間の誘電率を有してよい。

[0042] 図３に示された実施形態では、第１層１９は、上部層とも呼ばれ、Ｃｏｒｎｉｎｇから入手可能な超低膨張ガラスなどの超低膨張材料からなる。第２層２１は、同じ材料か別の材料で形成されてよい。超低膨張ガラス（例えばＵＬＥ（登録商標））は、熱の下においた場合、実質的に膨張しない。一定の温度以上に加熱した場合、ＵＬＥ（登録商標）は流動させることができる。このように、加熱によってＵＬＥ（登録商標）が所定の形状に成型されてよい。さらに、ＵＬＥ（登録商標）は、別個の構成要素が一緒に融着されて複雑な構造を形成することができるように加熱されてよい。第１層１９、第２層２１または両層１９、２１に使用可能であるさらなる材料が、ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）である。ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）は、半絶縁体材料であるにも係わらず材料内に流れる電流が静電クランプの機能に実質的に影響する程ではないので、静電クランプ内で使用するのに適している。図３に示された実施形態では、第１層および第２層は誘電体であり、ＵＬＥ（登録商標）で形成されている。電極７、９ａ、９ｂは、アルミニウムまたはシリコンなどの従来の材料で形成される。実際に、電極７、９ａ、９ｂは、金属上に形成する酸化物層が、厚過ぎないで電極に対して与えられるべき電圧接続または接地接続を可能とするのであれば、酸化することのできる任意の金属を含んでよい。

[0043] 図３および４に示されたように、１つまたは複数の容積１５、１７、特に図４の容積１７が、第１または第２誘電体材料の材料で満たされる。１つまたは複数の容積は、第１部分と第２部分の間の１つまたは複数の容積である。特に、１つまたは複数の容積は固体材料を含む。このようにして、汚染物質が第１部分７と第２部分９ａ、９ｂの間の容積に入り込むことが阻止されるので、クランプの信頼性が改善される。こうして、静電クランプ積層内に汚染物質、特に気体の捕獲容積を有する可能性が減少する。こうして、吸排気およびベントの間にクランプ内の内力が減少する。前述したように、１つまたは複数の容積を満たす材料は、超低膨張材料、ガラス材料、セラミック材料、ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）または、それらの組合せを含む。第１部分と第２部分の間の１つまたは複数の容積内の材料は、空気、他の汚染物質、またはそれらの組合せの中の汚染が、１つまたは複数の容積に入り込むのを減らすように構成されている。このようにして、静電クランプ内の汚染が低減されることになる。結果として、クランプは、さらに強固なものとなってよい。さらに、クランプの信頼性が改善される。図４に示された実施形態は、特にＥＵＶ波長範囲で動作する装置に使用するマスクの、マスククランプ用静電クランプの用途を有する。

[0044] 図３に示された積層の製造方法は、さらに詳細に図５を参照して説明される。

[0045] 図４は、本発明のさらなる実施形態による静電クランプの断面図を図示している。図４に示された実施形態では、静電クランプは、上に電極７、９ｂが設けられている第２誘電体または半絶縁体層２１を含む。図４に示された実施形態では、第１および第２部分７、９ｂが、第２層２１上に設けられる。図４に示されたクランプの製造のこの段階中は、間隙は容積１７内にある。第１誘電体または半絶縁体層１９は、電極７、９ｂの上に設けられ、その第１層１９は、第２誘電体または半絶縁体層２１の上に設けられて、電極７、９ｂが、第１誘電体または半絶縁体層１９と第２誘電体または半絶縁体層２１の間に設けられる積層を形成する。

[0046] 後続の第１層１９（上部層）が、第２層２１（下部層）の上面に直接融着され、したがって第１部分と第２部分の間の１つまたは複数の容積が実質的に第１層の材料で満たされる。これは、誘電体または半絶縁体材料が第１部分７と第２部分９ｂの間の１つまたは複数の容積１７内に流れ込むまで積層を加熱することによって達成される。第２層すなわち積層が加熱される温度は、第１層、第２層および電極に使用されている材料によって決まる。第１層は、超低膨張材料（ＵＬＥ（登録商標）など）、ガラス材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料（ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）など）またはそれらの組合せを含むことができる。融着は、さらに積層に熱を与えること、積層に圧力を与えること、あるいはそれらの組合せを含んでよい。その上に、積層または積層の個別の構成要素に与えられる圧力、温度またはそれらの組合せが、構成要素に使用されている材料によって変えられることがある。図４に図示された１つまたは複数の容積１７は、第１電極部分７とシールド電極９ｂの間の容積であることは留意される。示された実施形態は、第１部分７と第２部分９ａの間の容積１５に対し同様に適用可能である。さらに、図５を参照して説明される製造方法は、図４に示された静電クランプにも同様に適用可能である。同じように、図４に示された静電クランプを参照して説明した製造方法は、図３に示された静電クランプに同様に適用可能である。

[0047] 図４に図示されたように、物品支持体３は、参照により本明細書に組み込まれる１９９９年１０月６日に公開された欧州特許第０９４７８８４号に関して説明されているような、複数の突出部２３（当技術分野でバール（ｂｕｒｌ）とも呼ばれている）を備えている。突出部２３は支持体の平坦面をもたらし、したがってリソグラフィ工程中に物品ＭＡ、Ｗは、最善の方法でレベルを維持されてよい。物品支持体３に対し物品Ｍを不動に保つために、クランプ１はクランプ力をもたらす、つまり物品Ｍが静電的クランプによって物品支持体３上に押し付けられる。

[0048] リソグラフィ工程中、ｙ方向に約１ｍｍの幅を有するバックフィルガス送出溝２５は、物品Ｗと物品支持体３の熱的接触を高めるために物品ＭＡ、Ｗと物品支持体ＭＴ、３の間の空隙２７にバックフィルガスを供給することができる。このように、物品ＭＡ、Ｗ過熱の危険が減り、物品過熱は結果として熱変形や熱の損失さえもたらすことがあるので、照射性能が改善される。通常、リソグラフィ工程後にバックフィルガスは、バックフィルガスポンプ（図示されてない）によって排除される。バックフィルガスポンプは、ガスを空隙２７内に送り込むための別のユニットと、ガスを空隙２７から排気するための別のユニットを含むことがある。シーリングリング２９が、やはり設けられることがある。図４に図示された寸法は、単に例として図示されている。寸法は個々の実施形態により変わることがあることを理解されたい。

[0049] 図５Ａ〜Ｅは、例えば本発明の実施形態による図２および３に図示された静電クランプの製造を図示している。

[0050] 一実施形態では、その方法は、リソグラフィ装置内で物品支持体３に物品Ｗ、ＭＡを静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造することを含み、その方法は、積層を形成する第１誘電体または半絶縁体層１９と第２誘電体または半絶縁体層２１の間に、第１部分７と第２部分９ａ、９ｂを含む電極７、９を設けること、ならびに第１部分７と第２部分９ａ、９ｂの間にある１つまたは複数の容積１５、１７内に第１誘電体または半絶縁体層あるいは第２誘電体または半絶縁体層のどちらか一方の材料を設けることを含む。

[0051] 図５Ａ〜Ｅに関して、図示された誘電体または半絶縁体層１９は、第１層１９であり、それは最終的に図３で上部層として適応させることが分かる。図５に示された実施形態では、第１層はＵＬＥ（登録商標）を含むことがある。

[0052] 図５Ａに関して、マスク３１が、第１誘電体または半絶縁体層１９の表面３３上に設けられる。マスク３１は、電極が形成されることを望まないそれらの容積３１ａ〜３１ｅをマスクする。言い換えると、マスク３１は、第１誘電体または半絶縁体層１９上に、これから堆積させるべき電極の第１部分７と第２部分９ａ、９ｂの間の、１つまたは複数の容積１５、１７をマスクする。

[0053] 図５Ｂに図示されたように、後続の方法は、上にマスク３１が設けられている第１誘電体または半絶縁体層１９の表面３３から点線で図示されているエッチングされた容積で、層３５をエッチングすることを含み、マスク支持面３３からエッチングされた層３５は、これから第１誘電体または半絶縁体層１９上に設けられる電極の厚さとほぼ同じ深さ３７を有する。エッチング工程は、通常の方法で実施されてよい。一般的には、エッチング深さは層１９の上に形成することが望まれる電極の深さに相当する３００ｎｍ程である。しかし、形成されるべき電極の所望の深さによってエッチング深さは変わることになる。エッチング持続時間を含むエッチングパラメータが、所望のエッチング深さに従って決められてよい。一実施形態では、第１層内にエッチングされた１つまたは複数の容積と電極の厚さの間に差が存在することがある。この場合に、深さは、電極の許容幅の中にある。

[0054] 図５Ｃに図示されたように、さらに、その方法は、電極７、９を形成するためにエッチングされた表面３５の上に電極材料のコーティング３９を施すことを含み、コーティング３９は、マスク支持面３３、２０からエッチングされた層の厚さとほぼ同じ厚さを有する。図示されたようにコーティング３９は、マスク３１をも覆うことになる。コーティングは電極材料を含む。コーティングは、スパッタリング工程、化学気相成長工程、またはそれらの組合せによって形成されてよい。電極の厚さは、通常のやり方で、コーティング工程の時間を制御することによって制御されてよい。

[0055] 図５Ｄに図示されたように、さらに、その方法は、矢印４１によって示されたように、マスク３１を第１誘電体または半絶縁体層から除去することを含んでよい。この方法は、当技術分野ではリフトオフ工程と呼ばれることもある。マスク上に堆積された任意のコーティングが、やはりマスクと一緒に除去されることになる。

[0056] 図５Ｅに図示されたように、電極が第１層内に形成される。この構成は、洗浄されてよい。

[0057] 後続の方法は、積層を形成するために、中に電極７、９が形成された第１誘電体または半絶縁体層１９を第２誘電体または半絶縁体層２１に接合することを含んでよい。接合方法は、陽極接合を含むことができる。

[0058] 本明細書では、ＩＣ製造でのリソグラフィ装置の使用に対し特定の参照が為されてよいが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途も有することができることを理解されたい。そのような代替の適用分野の文脈においては、本明細書で用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用はいずれもより一般的な「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義とみなされてよいことを、当業者は理解するであろう。ここで言う「基板」は、露光前にまたはその後に、例えばトラック（ｔｒａｃｋ）（一般的に基板にレジスト層を与え、露光したレジストを現像する装置（ｔｏｏｌ））、あるいはメトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能である場合には、本発明の開示は、そのようなおよび他の基板処理装置に適用されてよい。さらに、基板は２回以上、例えば多層ＩＣを生成するために処理されてよく、したがって本明細書で使用される用語、基板は、既に複数の処理された層を含む基板を指すこともある。

[0059] 特定の参照が、光リソグラフィの文脈で、本発明の実施形態の使用について上で為されたかもしれないが、本発明は他の適用分野、例えばインプリントリソグラフィに使用されることがあり、また文脈が許せば光リソグラフィに限られないことも理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給したレジスト層中に押し付けられ、基板上のレジストは電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化させられることになる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、そこにパターンを残してレジストから取り外される。

[0060] 本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームと同様に紫外（ＵＶ）放射（例えば、それぞれ３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、あるいは約これらの波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含する。

[0061] 用語「レンズ」は、文脈が許せば、屈折式、反射式、磁気、電磁気および静電気光学構成要素を含む任意の１つまたは様々な種類の光学構成要素の組合せを指すことがある。

[0062] 本発明の特定の実施形態が前述されてきたが、本発明は説明したのとは別のやり方で実施されることがあることを理解されるであろう。例えば、本発明は、上で開示した方法を記述する、機械読取可能な１つまたは複数のシーケンスの命令を含むコンピュータプログラム、あるいはそうしたコンピュータプログラムが中に記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとることがある。

[0063] 前述の説明は、例示であることを意図したものであって、限定するものでない。したがって、別に詳述される特許請求の範囲を逸脱することなく、説明した本発明に対して変更が為され得ることは当業者には明らかであろう。

[0009]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。 [0010]本発明の一実施形態による静電クランプの平面図である。 [0011]本発明の一実施形態による図２の静電クランプの線Ｘ−Ｘを通る断面図である。 [0012]本発明のさらなる実施形態による静電クランプの断面図である。 [0013]本発明の実施形態による例えば図２および３に図示されたような静電クランプの製造を表わす図である。

Claims (14)

1. リソグラフィ装置内で物品支持体に物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法であって、
   誘電体または半絶縁体層からなり且つ前記物品支持体の一部分を形成する第１材料層であって、前記物品を静電的にクランプするクランプ表面を有する第１材料層を提供すること、
   前記クランプ表面とは反対側にある前記第１材料層の表面上に、当該第１材料層内に堆積させるべき電極の第１部分と第２部分との間の１つ又は複数の容積をマスクするためのマスクであって且つ前記第１部分及び前記第２部分の形状を画定するマスクを設けること、
   前記マスクが設けられている前記第１材料層の表面からエッチングし、前記電極の前記第１部分及び前記第２部分の深さに相当する深さを有する凹部を前記第１材料層内に形成すること、
   形成された凹部中に、当該凹部の深さとほぼ同じ厚さを有する電極材料のコーティングを施すことで前記電極の前記第１部分及び前記第２部分を設けると共に、このコーティングが前記マスク上にも施されるようにしたこと、
   前記第１材料層から前記マスクを除去すると共に、この除去の際に、前記マスク上に堆積されたコーティングも当該マスクと一緒に除去すること、および
   その後、前記第１材料層の、前記クランプ表面とは反対側である前記電極及び前記容積が存在する側の表面に、第２材料層を積層すること、を含む方法。
2. 前記第２材料層を積層するステップは、前記第１材料層を前記第２材料層に接合することで行われる請求項１に記載の方法。
3. 前記接合が、陽極接合を含む請求項２に記載の方法。
4. 前記コーティングを施すことが、スパッタリングプロセス、化学気相成長プロセスまたはそれらの組合せを用いることを含む請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記第２材料層を積層するステップは、前記第１材料層を前記第２材料層に融着することで行われる請求項１に記載の方法。
6. 前記融着が、前記積層に熱を与えること、前記積層に圧力を与えること、および陽極接合またはそれらの組合せを含む請求項５に記載の方法。
7. 前記第１材料層が、超低膨張材料、ガラス材料、およびセラミック材料、またはそれらの組合せを含む請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記第１材料層が、ＵＬＥ（登録商標）超低膨張材料を含む請求項７に記載の方法。
9. 前記第１材料層が、ＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）ガラスセラミック材料を含む請求項７に記載の方法。
10. 請求項１に記載の方法に従って製造された静電クランプを含むリソグラフィ装置であって、
    前記物品支持体は、放射ビームのビーム経路内に物品を支持するために構成されている、リソグラフィ装置。
11. 前記第１部分が第１電極部分であり、前記第２部分が第２電極部分またはシールド電極部分である請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記第１電極部分または前記第２電極部分に電圧を供給するように構成された電圧電源をさらに含む請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記シールド電極部分が接地される請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
14. リソグラフィ装置内で物品支持体に物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法であって、
    誘電体または半絶縁体層からなり且つ前記物品支持体の一部分を形成する第１材料層であって、前記物品を静電的にクランプするクランプ表面を有する第１材料層を提供すること、
    前記クランプ表面とは反対側にある前記第１材料層の表面上に、当該第１材料層内に堆積させるべき電極の第１部分と第２部分との間の１つ又は複数の容積をマスクするためのマスクであって且つ前記第１部分及び前記第２部分の形状を画定するマスクを設けること、
    前記マスクが設けられている前記第１材料層の表面からエッチングし、前記電極の前記第１部分及び前記第２部分の深さに相当する深さを有する凹部を前記第１材料層内に形成すること、
    形成された凹部中に、当該凹部の深さとほぼ同じ厚さを有する電極材料のコーティングを施すことで前記電極の前記第１部分及び前記第２部分を設けると共に、このコーティングが前記マスク上にも施されるようにしたこと、
    前記第１材料層から前記マスクを除去すると共に、この除去の際に、前記マスク上に堆積されたコーティングも当該マスクと一緒に除去すること、および
    その後、前記第１材料層の、前記クランプ表面とは反対側である前記電極及び前記容積が存在する側の表面に、第２材料層を積層すること、を含み、
    前記第１材料層及び前記第２材料層が、超低膨張材料、ガラス材料、およびセラミック材料、またはそれらの組合せを含み、
    前記第１部分が第１電極部分であり、前記第２部分が第２電極部分及びシールド電極部分である、方法。

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