JP2012231157A - 静電チャックの目標メサ構成を決定する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所与の箇所における熱伝達係数は、熱流束プローブを使用して測定することができ、静電容量は、静電容量プローブを使用して測定することができる。これらのプローブは、チャックの絶縁表面上に配置され、チャック全体にわたって複数回の測定を行うことで、目標メサ面密度および目標メサ高さを求めるための熱伝達係数プロフィルおよび静電容量プロフィルが得られる。目標密度は、すでに存在するメサの面密度を機械的に調節することで実現される。目標高さは、メサを作製する予定の領域の周りに低い領域を作製することで、または既に存在しているメサの周りの低領域を掘り下げることによって実現される。
【選択図】図4
Description
プラズマエッチングなど通常のプラズマ処理中、プラズマはウェハを加熱するように作用する。したがって、ウェハの温度変動は、ウェハ外部の熱流によって決まる。熱流理論によれば、熱伝達は、伝導、対流および輻射の3通りの方法で起きる。以降の評価では、輻射は無視する。熱伝達係数Kは、2つの物体の間の単位温度差当たりの熱流として定義される。メサを有するチャック上のウェハのKは、高い領域および低い領域を、(1)熱伝達が低い領域で起きる場合、および(2)熱伝達が高い領域(メサ)で起きる場合、の2つの場合と考えることによって決定することができる。低い領域の場合は、熱伝達は、高温のウェハからガスへ、ガスからセラミック層へとエネルギーが伝達する仕組みで起きる。このガスは自由分子流形態であることもあるが、この評価では、この熱伝達の仕組みは対流に分類される。メサの場合は、セラミックの表面粗さにより、セラミックとウェハが直接接触する領域が公称接触領域(高い領域)より小さい。ガスは接触点の隙間にも存在し、対流による熱伝達の一因となる。したがって、メサ上で起きる熱伝達は、接触(伝導)およびガス(対流)の両方によって起きる。接触による伝導は、ガスの有無にかかわらず起きるが、対流は、ガスが存在しないときには低い領域で起きない。ガスが存在するときには、高い領域では両方の仕組みが成立し、これは高い領域が拡大すると熱伝達も増大することを意味する。したがって、局所的な熱伝達率は、メサ領域を局所的に修正することによって調節することができる。つまり、メサ領域の比率を高めると熱伝達率が高くなり、メサ領域の比率を低くすると熱伝達率が低下する。
調節の目的は、εをゼロにすることである。単位面積当たりの熱流束をqと定義すると、一般的な熱伝達方程式は以下のように与えられる。
上述のように、有効熱伝達係数Keffは、低い領域における対流のみの熱伝達と、高い領域における伝導と対流による熱伝達という、2つの要素で構成される。接触面積が非接触面積(接触していない低い領域および高い領域をともに含む)より大幅に小さい場合には、目標とする構成のKeffは、Kg+αfKcで表すことができる。所望の熱流束Qは、プローブのヒータ出力を変化させ、チャック上のあらゆる箇所で明白な読みをもたらす値、および異なるメサ面密度を有する領域間で明白な差を示す値を選択することによって選択される。例示的な熱流束は、約0.2から約2.0W/cm2であり、ヒータの温度は熱流束によって決定される。初期有効熱伝達係数をKi=q/ΔTmで表し、Keffの目標値をq/ΔToとすると、数式1は数式2を用いて以下のように書き換えることができる。
γがKg/Kcであると定義して、数式3を書き換えると、
αf=(ε/q)γKi+αf[1−(ε/q)Ki] (4)
複数の測定箇所に対して決定されたKiの組、および各Kiのx−y座標を使用して、HTCプロフィルを決定することができる。さらに、数式3を用いて、Kiの組およびεの組を併せて使用して、目標とする構成のKeffを決定することができ、したがって目標とするHTCプロフィルを決定することができる。同様に、複数の測定箇所に対して決定されたαfの組、および各αfのx−y座標によって、目標とするメサ構成の面積成分が決定される。
この実施例は、メサを初期作製する場合であり、メサを作製する前、すなわち絶縁層の表面が平坦であるときに初期静電容量測定を行う。メサは、メサのない領域から材料を除去することによって作製する。メサ領域となる領域は未処理のまま残され、ウェハを支持する高い領域となる。深さは、メサ面密度が既知である(上記説明によって与えられる)手順に従って決定される。メサは、これからある一定高さで作製されるが、まだ作製されていない。Apに比べてメサ領域が小さいと仮定して、低い領域のみに関係する静電容量の式を書く。ギャップ(メサが形成されたときにそれらのメサの間となる領域)による静電容量をCgと表し、ギャップの下の絶縁層の静電容量をCiと表すと、目標静電容量CT(すなわち所望のメサ高さで得られるメサ間の領域の静電容量)は、以下のように表すことができる。
C=εA/dであることから、以下のように書き換えることができる。
ここで、εiは絶縁層の誘電率、diはギャップの下の絶縁体の厚さ、dgはギャップの高さである。この手順の開始時に、表面が平坦なうちに静電容量を測定するので、測定静電容量Cmは、以下のように与えられる。
数式6および7をdgについて解くと、以下のようになる。
数式8は、各測定領域内の所望のメサ高さを与え、その結果、作製前のメサが存在しない場合のCmが求められる。複数の測定箇所について決定したCTの組と、各CTのx−y座標とを使用して、目標静電容量プロフィルを決定することができる。さらに、複数の測定箇所について決定したdgの組と、各dgのx−y座標により、目標メサ構成の高さ成分が決まる。
チャック上にすでにメサが存在している場合には、所望の静電容量プロフィルを実現するためにメサ高さを調節することが必要になることがある。1つの実施形態では、CTは、目標静電容量プロフィルがチャック全体にわたって一様になるように選択される。最終的に一様な静電容量を最も効率的に実現するには、材料除去と静電容量の間の関係を求めることが有用である。上述の数式6から、低い領域による静電容量は、ε0Ap/(dg+di/εi)で与えられる。diとdgの和は一定であるので、この静電容量は、εiε0Ap/[dg(εi−1)+h]と書き換えることができる。ここで、h=di+dgである。誘電体材料では、εiは1より大きいので、εi−1は正である。このように、ギャップの深さが増加すると、静電容量が低下することが分かる。したがって、材料を除去するだけのこの好ましい実施形態では、静電容量のみを低下させることができる。したがって、この場合のCTの選択は、選択した全ての箇所の測定静電容量の中で最低の静電容量以下であることが好ましい。
Claims (29)
- 静電チャックの目標メサ構成を決定する方法であって、
静電チャックの絶縁層の露出表面上の複数の位置における局所的測定を複数回行うステップと、
前記測定を用いて目標メサ構成を決定するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 前記目標メサ構成が、目標熱伝達係数プロフィルから決定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記目標メサ構成が、1つまたは複数の前記位置におけるメサ接触面積を減少させることによって実現されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記測定が、熱流束プローブを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記目標メサ構成が、目標静電容量プロフィルから決定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- メサ高さが目標メサ構成に対応するように前記絶縁層の前記露出表面内にメサパターンを作製するステップをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記目標静電容量プロフィルが、メサ構成の高さを増加させることによって実現されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記測定が、静電容量プローブを用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁層の表面がメサパターンを含み、該方法が、絶縁性材料を除去して前記目標メサ構成に対応するメサ接触面積を実現するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁層の表面がメサパターンを含み、少なくとも1つ、少なくとも3つ、少なくとも5つ、または少なくとも10個のメサが、熱流束プローブによる測定に含まれることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記目標メサ構成が、楕円形、環状、および多角形の断面形状を有するメサを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記目標メサ構成が、約0.1mmから約10mmの最大断面寸法を有するメサを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記目標メサ構成が、メサどうしの間に約0.5mmから約5mmの間隔を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記測定が、グリッドパターンに配列された複数の位置で行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記静電チャックが、温度制御ユニットと協働して前記チャックの温度を制御するようになされた流体チャネルを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記チャックの前記絶縁層の厚さが5mm未満であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記熱流束プローブが、前記絶縁体表面に10Torrから100Torrの力を加えることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記複数回の測定が、2Torrから200Torrの圧力のヘリウムでバックフィルされた真空チャンバ内で行われることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記プローブが、前記チャックの表面の熱伝達係数プロフィルが得られるように数値制御式位置決め装置によって動かされることを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 前記目標メサ構成が、ルーティング、レーザ加工、および/またはグリットブラスティングによって作製されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 予め存在しているメサパターンを、ルーティング、レーザ加工、および/またはグリットブラスティングによって、目標メサ構成に対応するようにカスタマイズするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 請求項21に記載の方法を複数回適用することを特徴とする、所定の熱伝達係数許容差への適合を実現する方法。
- 前記絶縁層の前記露出表面内の測定領域どうしの間の領域の深さが漸進的に変化することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記絶縁層の表面がメサパターンを含み、少なくとも1つ、少なくとも3つ、少なくとも5つ、または少なくとも10個のメサが、静電容量プローブによる測定に含まれることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記チャックが、プラズマ処理チャンバの内部に位置することを特徴とする請求項3に記載の静電チャック。
- 請求項6に記載の静電チャックを用いて半導体ウェハを処理する方法であって、前記チャック上の半導体ウェハをクランピングするステップと、前記半導体ウェハをプラズマ処理するステップとを含むことを特徴とする方法。
- 目標メサ構成を決定するのに有用な装置であって、真空チャンバと、チャックを保持するチャンバと、プローブを前記チャックに接触させる力を加えることができる数値制御式位置決め部材と、前記位置決め部材によって支持されるプローブと、前記位置決め部材を前記チャックの表面上の様々な位置に移動させるように動作することができる制御装置と、前記プローブからの測定データ信号を登録および記録し、前記データ信号から前記目標メサ構成を電子的に決定し、前記目標メサ構成を決定することができるユニットとを含むことを特徴とする装置。
- 前記プローブが熱流束プローブまたは静電容量プローブであることを特徴とする請求項27に記載の装置。
- ヒータと、熱流計と、シリコン片とを含むプローブであって、前記プローブの断面積の近似最大寸法が0.5インチ、1.0インチ、1.5インチ、または2.0インチであることを特徴とするプローブ。
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