JP2016219830A - 基板温度制御方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を、安定した圧力制御が可能な圧力の下限値である下限圧力値未満の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、下限圧力値以上の第1圧力設定値とする第1期間と、低圧力値より低い第2圧力設定値とする第2期間とを交互に繰り返す。
【選択図】図4
Description
Claims (10)
- 真空処理チャンバー内に設置され、冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、前記伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御し、前記基板の温度を制御する基板温度制御方法であって、
前記伝熱ガスの圧力を、安定した圧力制御が可能な圧力の下限値である下限圧力値未満の低圧力値とし、前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に、
プラズマ処理の最中に、前記圧力設定値を、前記下限圧力値以上の第1圧力設定値とする第1期間と、前記低圧力値より低い第2圧力設定値とする第2期間とを交互に繰り返す
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項1記載の基板温度制御方法であって、
前記第1圧力設定値が1330Paから13300Paの範囲であり、前記第2圧力設定値が0Paから665Paの範囲である
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項1又は2記載の基板温度制御方法であって、
前記第1期間及び前記第2期間は、0.01秒から10秒の範囲である
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載の基板温度制御方法であって、
前記伝熱ガスが、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガスのいずれかである
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載の基板温度制御方法であって、
前記伝熱ガスが、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガスのうちのいずれか2種のガスであり、前記第1期間と前記第2期間では、当該2種のガスを交互に供給する
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項1〜5いずれか1項記載の基板温度制御方法であって、
前記載置台に設けられ前記伝熱ガスの圧力に応じて変形する隔膜と、当該隔膜の変形量を検出する検出機構とを具備した圧力計で前記伝熱ガスの圧力を検出する
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項1〜6いずれか1項記載の基板温度制御方法であって、
前記伝熱ガスの圧力を前記下限圧力値未満の低圧力値とし、前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に、
前記第1期間と、前記第2期間と、前記第1圧力設定値より低く前記第2圧力設定値より高い第3圧力設定値とする第3期間とを順次繰り返す
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 請求項7記載の基板温度制御方法であって、
前記伝熱ガスが、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガスのうちのいずれか3種のガスであり、前記第1期間と前記第2期間と前記第3期間では、当該3種のガスを順次供給する
ことを特徴とする基板温度制御方法。 - 真空処理チャンバー内に設置され、冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、当該基板の裏面と前記載置台の前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給して前記基板の温度を制御しつつ、前記基板にプラズマを作用させてプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記伝熱ガスの圧力を検出する圧力検出機構と、
前記圧力検出機構で検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較し、前記圧力検出値が前記圧力設定値となるように前記伝熱ガスの供給を制御する伝熱ガス供給制御機構と
を具備し、前記伝熱ガス供給制御機構は、
前記伝熱ガスの圧力を、安定した圧力制御が可能な圧力の下限値である下限圧力値未満の低圧力値とし、前記基板と前記載置台との熱交換を抑制して前記基板の温度制御を行う際に、
プラズマ処理の最中に、前記圧力設定値を、前記圧力下限値以上の第1圧力設定値とする第1期間と、前記低圧力値より低い第2圧力設定値とする第2期間とを交互に繰り返す
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項9記載のプラズマ処理装置であって、
前記圧力検出機構は、
前記載置台に設けられ前記伝熱ガスの圧力に応じて変形する隔膜と、
当該隔膜の変形量を検出する検出機構と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
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