JP6359565B2 - 静電クランプ - Google Patents

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Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１３年１月２２日出願の米国仮出願第６１／７５５，０８８号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本発明は、静電クランプ及び静電クランプ製作方法に関する。静電クランプは、リソグラフィ装置の一部を形成していてもよい。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に結像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0004] その内部で真空クランプを使用することが現実的でないリソグラフィ装置内で静電クランプを使用できる。例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置の一部の領域は真空条件下で動作するため、それらの領域内で真空クランプを使用することは現実的ではない。その代わりに静電クランプを使用できる。静電クランプを提供して、マスク又は基板（ウェーハ）などのオブジェクトをそれぞれマスクテーブル又はウェーハテーブルなどのオブジェクト支持体に静電気によってクランプすることができる。そのようなクランプはオブジェクトホルダとして記載することができる。代替的に及び／又は追加的に、クランプはオブジェクトホルダの一部を形成していてもよい。オブジェクトホルダは、代替的に及び／又は追加的に、オブジェクト支持体として記載されることがある。
[0005] 例えば、本明細書で明らかにされるか否かを問わず、従来技術の問題の１つ以上を未然に防止するか又は緩和する改良型静電クランプを提供することが望ましい。
[0006] 本発明の第１の態様によれば、電極と、電極上に位置する抵抗材料層と、抵抗材料上に位置する誘電体層と、を備え、誘電体層から突き出るバールをさらに含む静電クランプが提供される。
[0007] バールを誘電体から形成することができる。バールを誘電体ではない絶縁体から形成することができる。
[0008] バールと誘電体材料層の両方を同じ誘電体から形成することができる。
[0009] バールを、誘電体層を形成するための誘電体とは異なる誘電体から形成することができる。
[0010] 上に誘電体層が提供される抵抗材料の表面は滑らかであってもよい。
[0011] 上に誘電体層が提供される抵抗材料の表面は研磨されていてもよい。
[0012] バールをダイヤモンドライクカーボンから形成することができる。
[0013] 誘電体層とバールの両方をダイヤモンドライクカーボンから形成することができる。
[0014] 本発明の第２の態様によれば、電極と、電極上に位置する誘電体層と、を備え、誘電体層から突き出るバールをさらに含む静電クランプが提供される。
[0015] バールを誘電体から形成することができる。バールを誘電体ではない絶縁体から形成することができる。
[0016] バールと誘電体材料層の両方を同じ誘電体から形成することができる。
[0017] バールを、誘電体層を形成するための誘電体とは異なる誘電体からを形成することができる。
[0018] 上に誘電体層が提供される電極の表面は滑らかであってもよい。
[0019] 上に誘電体層が提供される電極の表面は研磨されていてもよい。
[0020] バールをダイヤモンドライクカーボンから形成することができる。
[0021] 誘電体層とバールの両方をダイヤモンドライクカーボンから形成することができる。
[0022] バールと誘電体材料層の両方を同じ誘電体から形成することができる。
[0023] 本発明の第３の態様によれば、
[0024] 電極上に抵抗材料層を提供することと、
[0025] 抵抗材料層の上に誘電体層を提供することと、
[0026] 誘電体の一部を除去して、誘電体層から突き出るバールを形成することと、
を含む、静電クランプ製作方法が提供される。
[0027] 上に誘電体層が提供される抵抗材料層の表面は滑らかであってもよい。
[0028] 上に誘電体層が提供される抵抗材料層の表面は研磨されていてもよい。
[0029] 本発明の第４の態様によれば、
[0030] 電極上に抵抗材料層を提供することと、
[0031] 抵抗材料層の上に誘電体層を提供することと、
[0032] 誘電体層の上にバールを形成することと、
を含む、静電クランプ製作方法が提供される。
[0033] バールを誘電体から形成することができる。バールを誘電体ではない絶縁体から形成することができる。
[0034] バールと誘電体層の両方を同じ誘電体を用いて形成することができる。
[0035] 上に誘電体層が提供される抵抗材料層の表面は滑らかであってもよい。
[0036] 上に誘電体層が提供される抵抗材料層の表面は研磨されていてもよい。
[0037] 本発明の第３及び第４の態様の方法は、本発明の第１の態様に関連してさらに上述した任意の好適なフィーチャを有する静電クランプを提供するように構成してもよい。
[0038] 本発明の第５の態様によれば、静電クランプ製作方法であって、
電極上に誘電体層を提供することと、
誘電体の一部を除去して、誘電体材料層から突き出るバールを形成することと、
を含む方法が提供される。
[0039] 上に誘電体層が提供される電極の表面は滑らかであってもよい。
[0040] 上に誘電体層が提供される電極の表面は研磨されていてもよい。
[0041] 本発明の第６の態様によれば、静電クランプ製作方法であって、
電極上に誘電体層を提供することと、
誘電体層の上にバールを形成することと、
を含む方法が提供される。
[0042] 上に誘電体層が提供される電極の表面は滑らかであってもよい。
[0043] 上に誘電体層が提供される電極の表面は研磨されていてもよい。
[0044] 本発明の第５及び第６の態様の方法は、本発明の第２の態様に関連してさらに上述した任意の好適なフィーチャを有する静電クランプを提供するように構成してもよい。
[0045] 本発明の別の態様によれば、本発明の第１又は第２の態様によるクランプを備えるリソグラフィ装置が提供される。本発明の別の態様によれば、本発明の第３から第６のいずれかの態様によるクランプを備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0046] 本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本発明の１つ以上の態様は、適宜当業者の判断で、本明細書に記載する１つ以上のその他の態様、及び／又は本明細書に記載する１つ以上の任意の特徴と組み合わせることができる。
[0047] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0048]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0049]リソグラフィ装置のより詳細な概略図である。 [0050]図１及び図２の装置の放射源コレクタ装置ＳＯのより詳細な概略図である。 [0051]発明のある実施形態による静電クランプ製作方法の断面図を概略的に示す。 [0051]発明のある実施形態による静電クランプ製作方法の断面図を概略的に示す。 [0051]発明のある実施形態による静電クランプ製作方法の断面図を概略的に示す。 [0051]発明のある実施形態による静電クランプ製作方法の断面図を概略的に示す。 [0052]請求項４に示す方法を用いて製作される静電クランプの上面図を概略的に示す。 [0053]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0053]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0053]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0053]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0054]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の別の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0054]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の別の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0054]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の別の代替方法の断面図を概略的に示す。 [0054]本発明のある実施形態による静電クランプ製作の別の代替方法の断面図を概略的に示す。
[0055] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことでさらに明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の１つ又は複数の数字によって示される。
[0056] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
[0057] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
[0058] 図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタ装置ＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示したものである。この装置は、
[0059] 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0060] パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0061] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0062] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳと、を備える。
[0063] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0064] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
[0065] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0066] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0067] 照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型等の光学コンポーネント、又はそれらの任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を設けてもよい。
[0068] 本明細書で示すように、装置は、（例えば反射型マスクを使用する）反射型である。
[0069] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0070] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタ装置ＳＯから極端紫外線放射ビームを受光する。ＥＵＶ放射を生成する方法は、少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム又はスズを有する物質を、ＥＵＶ範囲の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態に変換するステップを含むが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような１つの方法では、必要な輝線放出元素を有する物質の小滴、流れ、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することで必要なプラズマを生成できる。放射源コレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザ（図１には示さず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、放射源コレクタ装置内に配置された放射コレクタを用いて収集される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。レーザ及び放射源コレクタ装置は、例えば燃料を励起するためのレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合には別個の要素であってもよい。
[0071] このような場合は、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムを用いてレーザビームはレーザから放射源コレクタ装置へ渡される。
[0072] 放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）と呼ばれることが多い代替方法では、放電を用いてＥＵＶ放出プラズマが生成され、燃料が気化される。燃料はＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有するキセノン、リチウム、又はスズなどの元素でよい。放電は、放射源コレクタ装置の一部を形成してもよく、又は電気接続を介して放射源コレクタ装置に接続される別個の要素であってもよい電源によって生成されてもよい。
[0073] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、ファセット型フィールド及び瞳ミラーデバイスなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面に所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0074] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせしてもよい。
[0075] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0076] １．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
[0077] ２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
[0078] ３．別のモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
[0079] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0080] 図２は、放射源コレクタ装置ＳＯと、イルミネータシステムＩＬと、投影システムＰＳと、を含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタ装置ＳＯは、放射源コレクタ装置ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境が維持されるように構築され、配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ放射源によって形成されてもよい。ＥＵＶ放射は、超高温プラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される例えばキセノンガス、リチウム蒸気、又はスズ蒸気などの気体又は蒸気によって生成されてもよい。超高温プラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じる放電によって生成される。放射を効率的に生成するには、キセノン、リチウム、スズ蒸気、又はその他の適切な気体又は蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が必要である場合がある。ある実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
[0081] 高温プラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１から、放射源チャンバ２１１内の開口内、又はその裏側に位置する任意選択のガスバリア又は汚染物トラップ２３０（場合によっては汚染物バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介してコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物トラップ２３０はチャネル構造を含んでもよい。汚染物トラップ２３０はまた、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組合せを含んでもよい。汚染物トラップ又は汚染物バリア２３０はさらに、本明細書では少なくとも当技術分野で公知のようにチャネル構造を含むことが示されている。
[0082] コレクタチャンバ２１２は、いわゆる斜入射コレクタであってもよい放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と、下流放射コレクタ側２５２と、を有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射して、仮想放射源ポイントＩＦで合焦することができる。仮想放射源ポイントＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタ装置は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口２１９に、又はその近傍に位置するように配置される。仮想放射源ポイントＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。
[0083] その後、放射は、パターニングデバイスＭＡでの放射ビーム２２１の所望の角分散とパターニングデバイスＭＡでの放射強度の所望の均一性とを提供するように構成されたファセット型フィールドミラーデバイス２２２及びファセット型瞳ミラーデバイス２２４を含んでもよい照明システムＩＬを横切る。支持構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２２１が反射すると、パターン付ビーム２２６が形成され、パターン付ビーム２２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２２８、２３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
[0084] 一般に、照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内には図示したよりも多くの要素があってもよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択で備えられてもよい。さらに、図示した以上のミラーがあってもよく、図２に示した以上の、例えば１〜６個の追加の反射要素が投影システムＰＳ内にあってもよい。
[0085] 図２に図示されるように、コレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の例と同様に斜入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５を有する入れ子式コレクタとして示されている。斜入射リフレクタ２５３、２５４及び２５５は、光軸Ｏを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは好ましくは、ＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ放射源と組み合わせて使用される。
[0086] あるいは、放射源コレクタ装置ＳＯは、図３に示すようなＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを蓄積して、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度で高度にイオン化されたプラズマ２１０を生成するように構成される。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成される高エネルギーの放射は、プラズマから放出され、近垂直入射コレクタ光学系ＣＯによって収集され、閉鎖構造２２０内の開口２２１上に合焦する。
[0087] 図４は、本発明のある実施形態による静電クランプ製作方法を概略的に示す。図４Ａを参照すると、電極２が抵抗材料の２つの層４、６の間に挟まれている。代替構成（図示せず）では、下の層４は上の層６とは異なる材料から形成できる。下の層４は、例えば、絶縁体から形成できる。下の層４は、静電クランプのベースの役割を果たし、上の層６よりも有意に厚くてもよい。
[0088] 抵抗材料の上の層６は、例えば、約１００ミクロン以上の厚さを有していてもよい。抵抗材料６の上の層は、例えば、約２ｍｍ以下の厚さを有していてもよい。抵抗材料６の体積抵抗率は、１０７Ω−ｍ〜１０９Ω−ｍの範囲（室温で測定）にあってもよい。抵抗材料６の上の層は、例えば、セラミックで形成されていてもよい。抵抗材料６の上の層は、例えば、所望の厚さを有するセラミック層を形成するために複数のセラミックシートを焼結することで形成してもよい。抵抗材料は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又はその他の任意の好適な材料であってもよい。研磨を用いて、抵抗材料６の上面に所望の滑らかさを提供してもよい（また、抵抗材料の厚さを所望の厚さに低減してもよい）。任意の好適な方法を用いて、抵抗材料６の上面に所望の滑らかさを提供してもよい。
[0089] 図４Ｂを参照すると、誘電体８の層が抵抗材料６の上部に提供されている。誘電体８は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、石英、又はその他の何らかの好適な材料であってもよい。誘電体８は、例えば、約２ミクロン以上の厚さを有していてもよい。誘電体の最小厚さは、使用時に電極に印加される電圧に依存する。厚さは、その電圧での破壊を防止できる厚さである。誘電体８は、例えば、数十ミクロン以下（１００ミクロン未満）の厚さを有していてもよい。誘電体８は、厚すぎる場合、抵抗材料６から剥落する傾向を有する。ある実施形態では、誘電体８は約２０ミクロンの厚さを有していてもよい。
[0090] 誘電体８の層は、例えば、物理蒸着、化学蒸着、又は任意のその他の好適なプロセスを用いて、抵抗材料６上に蒸着してもよい。
[0091] 誘電体層８を形成するために用いる方法は、誘電体層８に滑らかな上面を提供することができる。これは、元々滑らかな上面を提供する方法を用いることで、又は粗い上面を提供し、その後で研磨する方法を用いることで可能である。
[0092] 図４Ｃを参照すると、誘電体層８の一部がバール１０を形成するために部分的に除去されている。誘電体層８の一部の除去は、任意の好適なプロセスによる。例えば、エッチング（酸を用いるウェットエッチング）を使用できる。（例えば、砂又は粉を用いた）ブラスティングなどのドライエッチングの形態を使用してもよい。
[0093] エッチングを例にとると、これは、誘電体層８の上にマスクを提供し、バールを所望する場所でマスクを閉じ、誘電体を除去する場所で開くことで達成できる。次に、マスクの閉鎖部分の下の区域がエッチングされず、マスクの開放部分の下の区域がエッチングされるようにエッチングを実行する。このようにして、所望の量の誘電体が所望の場所から除去され、所望の空間配置でバールが形成された。次いでマスクが除去され、後に図４Ｃに示す構造が残される。バール１０は滑らかな上面を有していてもよい。あるいは、バール１０を研磨してバールの上面に所望の滑らかさを提供してもよい。任意の好適な方法を用いて、バール１０の上面に所望の滑らかさを提供できる。
[0094] エッチングは、例えば、誘電体層８のうち約１０ミクロンを除去し、（誘電体層の当初の厚さが２０ミクロンと仮定して）約１０ミクロンの高さでバールを形成するのに十分な時間だけ実行すればよい。バールは、例えば、５〜２０ミクロンの範囲内の所望の高さで形成できる。
[0095] 図４Ｃに示す結果として得られる構造を静電クランプ１２として使用できる。使用時に、電極２に電圧（例えば、ｋＶ程度）が印加される。電圧が印加されると、抵抗材料６を通して電流が流れ、電子が抵抗材料と誘電体層８との界面へ移動する。静電クランプ１２のＲＣ時定数によって決定される時間の経過後、抵抗材料６の上面の電圧は電極２に印加される電圧と実質的に同じになる。クーロン力が基板（図示せず）を静電クランプ１２へ引き寄せ、所定位置に保持する。クーロン力は、基板と静電クランプ１２との間の汚染微粒子を粉砕するのに十分な強さであってもよい。
[0096] 静電クランプは、例えば、リソグラフィ装置（例えば、図１及び図２に示すタイプ）内での露光中にウェーハを保持するために使用できる。この場合、電圧は最初、電極２に印加されない。ウェーハ（図示せず）が静電クランプ上に配置され、次いで電極２に電圧が印加される。電極によって生成される電界がウェーハを引き寄せ、ウェーハの露光中、ウェーハを所定位置に保持する。次に、電極２から電圧が取り除かれ、その結果、電界が取り除かれてウェーハは静電クランプ上の所定位置にもはや保持されない。次いでウェーハが取り除かれ、別のウェーハと交換される。
[0097] 本発明の図示の静電クランプ１２の１つの利点は、誘電体層８が抵抗材料６の滑らかな表面上に提供されているため、粗い表面に提供された場合と比較して完全に閉じた層に近い。誘電体層８が抵抗材料の粗い表面に提供されていたなら、抵抗材料層は比較的薄いため、抵抗材料のピークが誘電体を通して突き出る場所があってもよい。その場合、誘電体層は完全には閉じておらず、ピンホールと言ってもよい開口を含む。これらのピンホールは不要な伝導経路を提供する。その結果、静電クランプによって保持されるウェーハ（又はその他の基板）への電荷の不要な移動が引き起こされる。あるいは、（以下にさらに説明する）静電クランプ１２上に導体が提供されるある実施形態では、伝導経路が漏洩電流をその導体へ提供し、その結果、局所電界は低減し、局所クランプ圧力は低減する。
[0098] 抵抗材料６の滑らかな表面上に誘電体層８を形成することから得られる別の利点は、抵抗材料内の先鋭なピークが存在しないということである。先鋭なピークは望ましくない局所的に大きい電界を生成することがある。
[0099] 本発明の方法を使用する代わりに、バールが抵抗材料６内に形成され、バール形成後に抵抗材料の上に誘電体層が提供された場合、これは、上記の問題を引き起こしたであろう。ブラスティングを介したバールの形成はバール相互間の抵抗材料に粗い上面を提供したであろう（バールの上面はマスクされているので滑らかなままである）。バール相互間の表面を効果的に研磨することは現実的に不可能であろう。したがって、バール相互間に提供される誘電体層はピンホールを含むことになろう。さらに、抵抗材料内のピークは望ましくない局所的に大きい電界を生成するであろう。
[00100] バールは誘電体材料を用いて形成され、それによりブラスティングを使用する必要がなく、滑らかな表面に誘電体を提供できるため、これらの問題は、本発明の図示の実施形態（及び下記の他の実施形態）によって回避される
[0100] ある実施形態では、図４Ｄ及び図５（例えば、格子様の構成内）に概略的に示すように、バールの上に伝導材料１４を提供し、バール間に延在させることができる。伝導材料１４は、例えば、窒化金属又は何か好適な導体であってもよい。図５は、静電クランプ１２の上面図を概略的に示す。図５から分かるように、バール１０の上に伝導材料１４が提供され、さらに、伝導材料１４はバール１０の間に延在する。図５はまた、電極２に接続された電圧源１６を示す。バール上で受ける電荷はすべて伝導材料１２を経てグランド１８へ流れるので、伝導材料１４はバール１０上の電荷の堆積を防止する。これによって、電極２に電圧が印加されないときに静電クランプ１２にウェーハ（又はその他の基板）が静電クランプ１２に局所的に固着することが防止される。そのような局所的固着によって、ウェーハは静電クランプ１２上に配置されたときに（電極に電圧が印加される前に）自由に動くことができず、ウェーハの歪を引き起こすため望ましくない。
[0101] 図４Ｄ及び図５に示す静電クランプの利点は、伝導材料１４が１つの材料、すなわち、誘電体とだけ接触しているという点である。この利点が得られるのは、バール１０及び誘電体層８が両方共同じ誘電体から形成されているからである。例えば、バールが抵抗材料から形成され、バール相互間に誘電体が提供され、バール上には提供されていなかったならば、伝導材料は抵抗材料及び誘電体と接触しているであろう。導体、抵抗材料及び誘電体が集まる地点では、これらの材料の熱膨張係数の差によって（例えば、静電クランプ製作プロセスの一部として必要な高温からの冷却中に）材料間の接続の破断が発生する可能性がある。伝導材料１４内の破断によって、例えば、バールが隔離され、電荷がそのバール上に捕捉されてバールへのウェーハ（又はその他の基板）の不要な局所的固着が引き起こされる。すなわち、伝導材料１４内の破断によって、伝導材料１４は電荷の堆積を阻止するための効果的な動作が阻害される。
[0102] 上記の静電クランプ製作方法は、少なくとも１つの公知の方法に必要なステップよりも少ないステップを使用するため、より安価で実施が容易である。
[0103] 図４及び図５は、静電クランプ１２の概略図である。実際、静電クランプ１２は、異なる形状（例えば、実質的に円形）であってもよく、より多くのバール１０を含んでいてもよい。静電クランプ１２は、複数の電極を含んでいてもよい。
[0104] 静電クランプを製作する代替方法を図６に概略的に示す。この方法は、図４に示す方法に類似し、図４の参照番号に対応する参照番号が静電クランプの対応するフィーチャに使用される。
[0105] 図６Ａを参照すると、電極２が抵抗材料の２つの層４、６の間に挟まれている。図４に関連して上述したように、下の層４は上の層６とは異なる材料から形成できる。下の層４は、例えば、絶縁体から形成できる。抵抗材料６の上の層の上面は、滑らかな表面を有する（滑らかな表面を提供するために研磨してあってもよい）。抵抗材料６の上の層は、図４に関連して上述したものと同じ特性を有していてもよい。
[0106] 図６Ｂを参照すると、誘電体８の層が抵抗層６の上に提供されている。誘電体８は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、又はその他の何らかの好適な材料であってもよい。以下に説明するように、様々な材料から形成されたバールを誘電体８の層の上に提供でき、様々な材料から形成されていてもよい。このために、誘電体が受ける摩耗は少なく、上記の実施形態に使用される誘電体よりも硬質でない。誘電体は、例えば、石英、又はその他の任意の好適な材料であってもよい。
[0107] 誘電体８の層は、例えば、物理蒸着、化学蒸着、又は任意のその他の好適なプロセスを用いて、抵抗材料６上に蒸着してもよい。誘電体８は、例えば、約２ミクロン以上の厚さを有していてもよい。誘電体８の層は、例えば、数十ミクロン以下（例えば、１００ミクロン未満）の厚さを有していてもよい。ある実施形態では、誘電体の層は約１０ミクロンの厚さを有していてもよい。誘電体８の層は、抵抗材料６の滑らかな表面に提供されているため、粗い表面に誘電体を提供することによって引き起こされるピンホール又はその他の問題は（上述したように）発生しない。
[0108] 図６Ｃを参照すると、バール１０を形成するように構成された追加の誘電体２０が誘電体８の層の上の選択した場所に提供されている。追加の誘電体２０は、例えば、マスク（図示せず）を用いて、選択した場所に提供してもよい。バールが所望される場所で開き、バールが所望されない場所で閉じたマスクが誘電体の上に位置する。次に、物理蒸着、化学蒸着、又は任意のその他の好適なプロセスを用いて、追加の誘電体２０が提供される。追加の誘電体２０は、５〜２０ミクロンの範囲内の厚さ（例えば、約１０ミクロンの厚さ）を有していてもよい。次いでマスクが除去され、後に図６Ｃに示す構造、すなわち、誘電体８の層の上に位置する追加の誘電体２０から形成されたバール１０を有する静電クランプ１２が残される。バール１０は滑らかな上面を有していてもよい。あるいは、バール１０を研磨して上面に所望の滑らかさを提供してもよい。任意の好適な方法を用いて、バール１０の上面に所望の滑らかさを提供できる。
[0109] バール１０及び誘電体層８は、異なる誘電体から形成されていてもよい。例えば、誘電体層８が石英から、バール１０がＤＬＣから形成されていてもよい。あるいは、バール１０及び誘電体層８は、同じ材料から形成されていてもよい。これによって、バール１０と誘電体層８との２つの異なる材料の間に界面が生起することが回避される（したがって、強度が増す）。
[0110] バール１０は、誘電体でない材料から形成できる（誘電体層８のみが誘電体から形成されなければならない）。バール１０は、任意の好適な材料、例えば、誘電体上に蒸着できる任意の好適な材料から形成できる。バール１０を形成するための材料は、例えば、誘電体ではない絶縁体であってもよい。本明細書の別の箇所で説明するように、使用時に摩耗するため、バール１０を硬質の材料から形成することが望ましい。バール１０は、例えば、ＳｉＳｉＣ又はＳｉＣから形成してもよい。
[0111] 図６Ｄを参照すると、静電クランプ１２は、バール１０の上に提供され、バールの間に延在する伝導材料１４を（例えば、格子様の構成内で）有していてもよい。伝導材料１４は、例えば、窒化金属であってもよい。伝導材料１４はグランド（図示せず）に接続され、バール上の電荷の堆積を防止する。
[0112] ある実施形態では、上記の方法の開始点は、例えば、ジョンセン・ラーベック型静電クランプであってもよい。すなわち、図４Ａ又は図６Ａに示す装置は、ジョンセン・ラーベック型静電クランプであってもよい。電極とクランプされているウェーハ（又はその他の基板）とが存在しないので、説明し、図示した方法で抵抗材料の上に誘電体を提供することは、クランプをジョンセン・ラーベック型静電クランプであることからハイブリッド型静電クランプに変えることであると考えることができる。
[0113] 代替方法では、本発明のある実施形態を用いてクーロン力型静電クランプを製作することができる。「クーロン力型静電クランプ」という用語は、電極と基板受け面との間の抵抗材料の層を有しないクランプを意味するものと解釈できる。この方法の一例を図７に示す。
[0114] まず図７Ａを参照すると、電極２２が絶縁材料２４の基板上に提供されている。この絶縁材料は、例えば、ガラス、ＳｉＣ、又は任意のその他の好適な材料であってもよい。絶縁材料２４の上面は、所望の滑らかさを提供する（すなわち、電極２２を装着する前に）ために研磨してもよい。電極２２の表面は、所望の滑らかさを提供するために研磨してもよい。
[0115] 図７Ｂを参照すると、誘電体２８の層が電極の上に提供されている。誘電体２８は、例えば、物理蒸着、化学蒸着、又は任意のその他の好適なプロセスを用いて蒸着してもよい。誘電体２８は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、又はその他の何らかの好適な材料であってもよい。誘電体２８の層は、例えば、約２ミクロン以上の厚さを有していてもよい。誘電体２８の層は、例えば、数十ミクロン以下（例えば、１００ミクロン未満）の厚さを有していてもよい。ある実施形態では、誘電体２８の層は約２０ミクロンの厚さを有していてもよい。
[0116] 誘電体２８の層は、滑らかな表面に提供されているため、ピンホールを含まず、又は粗い表面に比較的薄い層を提供することに関連付けられたその他の問題は発生しない。
[0117] 図７Ｃを参照すると、誘電体層２８の一部がバール３０を形成するために除去されている。これは、エッチング、ブラスティング、又はその他の任意の好適な（例えば、図４に関連して上述した方法による）プロセスを介してでよい。これによって、ウェーハ又はその他の基板をクランプするための静電クランプ３２が提供される。図７Ｃに示す静電クランプは、その他の実施形態に関連して上述したのと同じ利点を提供する。
[0118] 図７Ｄを参照すると、伝導材料３４をバール３０の上に提供し、例えば、図５に示す方法で、伝導材料３４でバールを相互に接続することができる。伝導材料３４はグランドに接続して、バール３０上の電荷の堆積を防止することができる。
[0119] 代替実施形態（図示せず）では、図７Ｃに示す静電クランプ（又は図７Ｄに示す静電クランプ）は、図６に関連して上述したプロセスに対応するプロセスを用いて製作できる。すなわち、誘電体層を提供し、その後、当該誘電体層の上にバールを提供できる。バールは誘電体から形成でき、又は好適な非誘電体材料から形成してもよい。バールは、誘電体ではない絶縁体から形成してもよい。
[0120] バール１０、３０を形成するために本発明の実施形態で使用する誘電体は、静電クランプが有用な寿命を有するのに十分な耐摩耗性を提供する材料であってもよい。例えば、誘電体は、１カ月の間に１時間あたり数十個のウェーハ（又は１００個以上のウェーハ）を静電クランプによって保持し取り外すのに十分な耐摩耗性を有していてもよい。ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）は十分な耐摩耗性を提供できる。さらに、ＤＬＣによって、研磨によって所望の滑らかさを得て、その滑らかさを長い年月にわたって維持することができる。
[0121] 本発明の実施形態の誘電体層は、単一の誘電体であってもよい。あるいは、複数の誘電体を用いて、誘電体を形成してもよい。例えば、第１の誘電体層の上に第２の誘電体層を提供してもよい。例えば、第１及び第２の誘電体（又はそれより多くの誘電体）の交番層を提供することができる。
[0122] 静電クランプの文脈で「上の」又は「下の」という用語を使用する場合、これらは、図に示す向きの静電クランプを記述するように意図されている。静電クランプは使用時に任意の好適な向きを有していてもよい。
[0123] 以上説明してきた実施形態はウェーハなどの基板のクランプに言及しているが、本発明のある実施形態による静電クランプを用いて、例えば、マスク又はその他のパターニングデバイスを含む任意の好適なオブジェクトをクランプすることができる。
[0124] 誘電体材料８、２８の抵抗率は、抵抗材料６の抵抗率の少なくとも１００倍大きい。誘電体材料８、２８は、例えば、約２〜約５の間の誘電率を有していてもよい。
[0125] バール１０、３０の高さは、所与の直径の汚染微粒子を収容するように選択できる。
[0126] 静電クランプ上には任意の好適な数のバールを提供できる。バールは、例えば、２．５ｍｍだけ離隔していてもよい（又はその他の何らかの離隔を有していてもよい）。バールは、格子構成、又はその他の任意の好適な構成で提供できる。
[0127] 静電クランプは任意の適切な形状を有してもよい。静電クランプは例えば矩形であってもよく、マスク（又はその他の矩形のオブジェクト）をクランプするのに適切であってもよい。静電クランプは例えば一般に欠円形状を有してもよく、ウェーハ（又はその他の円形基板）をクランプするのに適切であってもよい。静電クランプは複数の電極を含んでいてもよい。
[0128] ある実施形態では、それを通して水などの冷却流体を循環させることができるクランプ内部にチャネルを設けてもよい。
[0129] 本明細書で使用する「バール」という用語は、クランプするオブジェクトを受けるように構成された突起を意味すると解釈することができる。
[0130] 本明細書で使用する「滑らかな」という用語は、例えば、１０ミクロンの厚さを有する誘電体層が表面に提供されたときに、誘電体層内にピンホールが存在しない（又は存在する可能性がない）程度に滑らかな表面を指すものと解釈することができる。
[0131] 本発明を、以下の条項によってさらに説明する。
１．電極と、
前記電極上に位置する抵抗材料層と、
前記抵抗材料上に位置する誘電体層と、を備え、
前記誘電体層からバールが突き出る、
静電クランプ。
２．前記バールが誘電体を備える、条項１に記載の静電クランプ。
３．前記バール及び前記誘電体層が同じ誘電体材料を含む、条項２に記載の静電クランプ。
４．前記バールが第１の誘電体材料で形成され、前記誘電体層が第１の誘電体材料とは異なる第２の誘電体材料で形成された、条項２に記載の静電クランプ。
５．上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料の表面が滑らかである、条項１に記載の静電クランプ。
６．上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料の表面が研磨されている、条項１に記載の静電クランプ。
７．前記バールが、ダイヤモンドライクカーボンから形成された、条項１に記載の静電クランプ。
８．前記誘電体層と前記バールの両方が、ダイヤモンドライクカーボンを含む、条項１に記載の静電クランプ。
９．電極と、
前記電極上に位置する誘電体層と、を備え、
バールが前記誘電体層から突き出る、
静電クランプ。
１０．前記バールが誘電体を含む、条項９に記載の静電クランプ。
１１．前記バール及び前記誘電体材料層が、同じ誘電体材料を含む、条項１０に記載の静電クランプ。
１２．上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が滑らかである、条項９に記載の静電クランプ。
１３．条項１の前記クランプを含む、リソグラフィ装置。
１４．条項９の前記クランプを含む、リソグラフィ装置。
１５．電極上に抵抗材料層を配置するステップと、
前記抵抗材料層の上に誘電体層を配置するステップと、
前記誘電体の一部を除去して、前記誘電体層から突き出るバールを形成するステップと、
を含む、静電クランプ製作方法。
１６．上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が滑らかである、条項１５に記載の方法。
１７．上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が研磨されている、条項１５に記載の方法。
１８．電極上に抵抗材料層を配置するステップと、
前記抵抗材料層の上に誘電体層を配置するステップと、
前記誘電体層の上にバールを形成するステップと、
を含む、静電クランプ製作方法。
１９．前記バールが、前記誘電体層から形成された、条項１８に記載の方法。
２０．前記バール及び前記誘電体層が同じ誘電体を含む、条項１９に記載の方法。
２１．上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が滑らかである、条項１８に記載の方法。
２２．上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が研磨されている、条項１８に記載の方法。
２３．電極上に誘電体層を配置するステップと、
前記誘電体の一部を除去して、前記誘電体材料層から突き出るバールを形成するステップと、
を含む、静電クランプ製作方法。
２４．上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が滑らかである、条項２３に記載の方法。
２５．上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が研磨されている、条項２３に記載の方法。
２６．電極上に誘電体層を配置するステップと、
前記誘電体材料層の上にバールを形成するステップと、
を含む、静電クランプ製作方法。
２７．上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が滑らかである、条項２６に記載の方法。
２８．上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が研磨されている、条項２６に記載の方法。
[00101] 本文ではリソグラフィ装置での静電クランプの使用に特に言及しているが、本明細書に記載する静電クランプは、マスク検査装置、ウェーハ検査装置、空間像メトロロジーシステム、及びより一般的にはウェーハ（若しくはその他の基板）又はマスク（若しくはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを例えばプラズマエッチング装置又は析出装置内などの真空又は周囲（非真空）条件下で測定又は処理する任意の装置での使用などの別の用途を有していてもよいことを理解されたい。
[00102] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。このような代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[00103] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明はその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、文脈によっては、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
[00104] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。
[00105] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折型、反射型、磁気型、電磁型及び静電型光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
[00106] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記説明は本発明を限定するものではない。

Claims (24)

  1. 電極と、
    前記電極上に位置する抵抗材料層であって、前記抵抗材料が１０７Ω−ｍ〜１０９Ω−ｍの範囲内の体積抵抗率を有し、表面が滑らかである抵抗材料層と、
    前記抵抗材料上に位置する誘電体層と、
    前記誘電体層から突き出るバールと、
    を備える静電クランプ。
  2. 前記バールは、誘電体から形成されている、請求項１に記載の静電クランプ。
  3. 前記バールと前記誘電体層は、両方共同じ誘電体材料から形成されている、請求項２に記載の静電クランプ。
  4. 前記バールは、前記誘電体層を形成するために使用される誘電体とは異なる誘電体から形成されている、請求項２に記載の静電クランプ。
  5. 上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料の表面が十分滑らかで、１０ミクロンの厚さの前記誘電体層内にピンホールが発生しない、請求項１〜４のいずれか一項に記載の静電クランプ。
  6. 上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料の表面が研磨されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の静電クランプ。
  7. 前記バールは、ダイヤモンドライクカーボンから形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の静電クランプ。
  8. 前記誘電体層と前記バールの両方は、ダイヤモンドライクカーボンから形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の静電クランプ。
  9. 電極と、前記電極上に位置する誘電体層と、前記誘電体層から突き出るバールとを備える静電クランプであって、
    前記誘電体層と前記バールの両方は、ダイヤモンドライクカーボンから形成されており、
    上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が十分滑らかで、１０ミクロンの厚さの前記誘電体層内にピンホールが発生しない、静電クランプ。
  10. 前記バールは、誘電体から形成されている、請求項９に記載の静電クランプ。
  11. 前記バールと前記誘電体層は、両方共同じ誘電体材料から形成されている、請求項１０に記載の静電クランプ。
  12. 請求項１又は請求項９に記載の静電クランプを含む、リソグラフィ装置。
  13. 電極上に抵抗材料層を提供することであって、前記抵抗材料が１０７Ω−ｍ〜１０９Ω−ｍの範囲内の体積抵抗率を有し、前記抵抗材料層の表面が滑らかであることと、
    前記抵抗材料層の上に誘電体層を提供することと、
    前記誘電体の一部を除去して、前記誘電体層から突き出るバールを形成することと、
    を含む、静電クランプ製作方法。
  14. 上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が十分滑らかで、１０ミクロンの厚さの前記誘電体層内にピンホールが発生しない、請求項１３に記載の方法。
  15. 上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が研磨されている、請求項１３又は１４に記載の方法。
  16. 電極上に抵抗材料層を提供することであって、前記抵抗材料が１０７Ω−ｍ〜１０９Ω−ｍの範囲内の体積抵抗率を有し、前記抵抗材料層の表面が滑らかであることと、
    前記抵抗材料層の上に誘電体層を提供することと、
    前記誘電体層の上にバールを形成することと、
    を含む、静電クランプ製作方法。
  17. 前記バールは、誘電体から形成されている、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記バールと前記誘電体層は、両方共同じ誘電体材料から形成されている、請求項１７に記載の方法。
  19. 上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が十分滑らかで、１０ミクロンの厚さの前記誘電体層内にピンホールが発生しない、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
  20. 上に前記誘電体層が提供された前記抵抗材料層の表面が研磨されている、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の方法。
  21. 電極上に誘電体層を提供することと、
    前記誘電体の一部を除去して、前記誘電体層から突き出るバールを形成することと、を含み、
    前記誘電体層と前記バールの両方は、ダイヤモンドライクカーボンから形成されており、
    上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が十分滑らかで、１０ミクロンの厚さの前記誘電体層内にピンホールが発生しない、
    静電クランプ製作方法。
  22. 上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が研磨されている、請求項２１に記載の方法。
  23. 電極上に誘電体層を提供することと、
    前記誘電体層の上にバールを形成することと、を含み、
    前記誘電体層と前記バールの両方は、ダイヤモンドライクカーボンから形成されており、
    上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が十分滑らかで、１０ミクロンの厚さの前記誘電体層内にピンホールが発生しない、
    静電クランプ製作方法。
  24. 上に前記誘電体層が提供された前記電極の表面が研磨されている、請求項２３に記載の方法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6703907B2 (ja) * 2016-06-30 2020-06-03 新光電気工業株式会社 静電チャック、および、静電チャックの製造方法
WO2018022670A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 M Cubed Technologies, Inc. Methods for masking a pin chuck, and articles made thereby
KR102617773B1 (ko) * 2017-06-01 2023-12-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 입자 제거 장치 및 관련 시스템
KR102206687B1 (ko) * 2017-06-26 2021-01-22 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재
JP7096031B2 (ja) * 2017-06-26 2022-07-05 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP2018014515A (ja) * 2017-09-07 2018-01-25 松田産業株式会社 静電チャック及びその製造方法並びに静電チャックの再生方法
US11270906B2 (en) * 2017-10-27 2022-03-08 Asml Holding N.V. Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications
US20220134480A1 (en) * 2019-02-19 2022-05-05 Asml Holding N.V. Laser roughening: engineering the roughness of the burl top
WO2020216571A1 (en) * 2019-04-25 2020-10-29 Asml Netherlands B.V. A substrate holder for use in a lithographic apparatus
KR20210044074A (ko) * 2019-10-14 2021-04-22 세메스 주식회사 정전 척과 이를 구비하는 기판 처리 시스템 및 정전 척의 제조 방법
CN114586139A (zh) * 2019-10-29 2022-06-03 Asml控股股份有限公司 光刻设备和静电夹具设计
CN114846409A (zh) * 2019-12-26 2022-08-02 Asml控股股份有限公司 晶片夹具硬突节生产和翻新
EP4220302A1 (en) 2022-01-27 2023-08-02 ASML Netherlands B.V. System for holding an object in a semiconductor manufacturing process, lithographic apparatus provided with said system and method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2513995B2 (ja) * 1985-12-29 1996-07-10 京セラ株式会社 静電チヤツク
JPH07153825A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Toto Ltd 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法
US5668524A (en) * 1994-02-09 1997-09-16 Kyocera Corporation Ceramic resistor and electrostatic chuck having an aluminum nitride crystal phase
US6891237B1 (en) * 2000-06-27 2005-05-10 Lucent Technologies Inc. Organic semiconductor device having an active dielectric layer comprising silsesquioxanes
CA2377208A1 (en) * 2001-10-09 2003-04-09 Teraxion Inc. Method and apparatus for recording an optical grating in a photosensitive medium
JP2003163260A (ja) * 2001-11-28 2003-06-06 Canon Inc 静電吸着装置およびそれを用いた移動テーブル試料台
EP1359469B1 (en) * 2002-05-01 2011-03-02 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
JP2005315649A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd 検出装置及びステージ装置
JP2006287210A (ja) * 2005-03-07 2006-10-19 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製造方法
TW200735254A (en) 2006-03-03 2007-09-16 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck and producing method thereof
JP4381393B2 (ja) * 2006-04-28 2009-12-09 信越化学工業株式会社 静電チャック
JP2009200393A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Nhk Spring Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
TWI475594B (zh) * 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US8861170B2 (en) * 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
WO2010132640A2 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with polymer protrusions
WO2011021668A1 (ja) * 2009-08-19 2011-02-24 旭化成せんい株式会社 固体電解コンデンサ
KR100997374B1 (ko) * 2009-08-21 2010-11-30 주식회사 코미코 정전척 및 이의 제조 방법
CN103415811B (zh) * 2011-03-11 2016-07-06 Asml荷兰有限公司 静电夹具设备和光刻设备
CN103493194B (zh) * 2011-06-02 2016-05-18 应用材料公司 静电夹盘的氮化铝电介质修复
CN109298602B (zh) * 2012-02-03 2021-10-15 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
CN104520770B (zh) * 2012-04-23 2017-01-18 Asml荷兰有限公司 静电夹持装置、光刻设备和方法

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