CN114846409A - 晶片夹具硬突节生产和翻新 - Google Patents

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Abstract

提供用于制造具有硬突节的晶片夹具的系统、设备和方法。该方法可以包括：提供第一层，第一层包括第一表面。方法还可以包括在第一层的第一表面上方形成多个突节。形成多个突节可以包括将多个突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。

Description

晶片夹具硬突节生产和翻新
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月26日提交的美国临时专利申请号62/953，730的优先权，其通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及衬底台以及用于在衬底台表面上形成突节和纳米结构的方法
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在正在被形成的IC的单层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标位置来辐照每个目标位置，以及所谓的扫描器，其中通过在使辐射束以给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时同步地扫描与该扫描方向平行或反平行的目标位置来辐照每个目标位置。还可以通过将图案印制到衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。
极紫外(EUV)光，例如波长为大约50纳米(nm)或更小(有时也称为软x射线)并且包括波长为大约13nm的光的电磁辐射，可以用于光刻设备或与光刻设备一起使用来在衬底(例如，硅晶片)中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不必须限于，将具有发射线在EUV范围内的元素(例如，氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子体状态。例如，在一个这种方法(被称为激光产生等离子体(LPP))中，可以通过用放大光束(其可被称为驱动激光器)辐照例如以材料的液滴、板、带、流或簇形式的目标材料(其在LPP源的背景下可互换地称为燃料)来产生等离子体。对于这个过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监控。
另一光刻系统是没有图案形成装置的干涉式光刻系统。相反，干涉式光刻系统将光束分成两个束，并且通过使用反射系统使两个束在衬底的目标部分处发生干涉。所述干涉使得线被形成在衬底的目标部分处。
在光刻操作期间，不同的处理步骤可能需要将不同的层顺序地形成在衬底上。因此，可能需要相对于形成在衬底上的先前图案以高精确度来定位衬底。通常，对准标记被放置在衬底上，以相对于第二物体进行对准和定位。光刻设备可以使用对准设备来检测对准标记的位置，并且使用对准标记来对准衬底以确保掩模的准确曝光。将两个不同层处的对准标记之间的未对准测量为重叠误差。
为了监控光刻过程，对图案化衬底的参数进行测量。例如，参数可以包括在图案化衬底中或上形成的连续层之间的重叠误差，以及所显影的光致抗蚀剂的临界线宽。可以对产品衬底、专用量测目标或两者执行这种测量。存在用于对在光刻过程中形成的微观结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。快速且非侵入性形式的专用检查工具是将辐射束引导到衬底的表面上的目标并且测量散射束或反射束的性质的散射仪。通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的性质，可以确定衬底的性质。例如，这可以通过将反射束与存储在与已知衬底性质相关联的已知测量的库中的数据进行比较来完成。光谱散射仪将宽带辐射束引导到衬底上，并且测量散射到特定窄角度范围内的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。相比之下，角度分辨散射仪使用单色辐射束，并且测量作为角度的函数的散射辐射强度。
这种光学散射仪可以用于测量参数，诸如所显影的光致抗蚀剂的临界尺寸或者形成于图案化衬底中或图案化衬底上的两个层之间的重叠误差。可以通过比较束在被衬底反射或散射之前和之后的照射束的性质来确定衬底的性质。
期望在衬底台的表面上形成和保持摩擦学特性(例如，摩擦、硬度、磨损)。在一些情况下，晶片夹具可以设置在衬底台的表面上。衬底台或附接到衬底台的晶片夹具具有由于光刻和量测过程的精度要求而难以满足的表面水平容差。相比于其表面区域(例如，＞100mm的宽度)相对薄(例如，＜1毫米(mm)的厚度)的晶片(例如，半导体衬底)对衬底台的不均匀性特别敏感。另外，彼此接触的超平滑表面可能粘附在一起，这可能在衬底必须从衬底台脱离时出现问题。为了降低与晶片界面接合的表面的平滑度，衬底台或晶片夹具的表面可以包括通过图案化和蚀刻玻璃衬底而形成的玻璃突节。然而，这些玻璃突节仅具有大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度，因此，可能在光刻设备的操作期间被由于所夹持的晶片而堵塞到玻璃突节中的粒子压碎，因而破裂。
发明内容
本公开描述了用于包括硬突节的衬底台和晶片夹具的系统、设备和方法的各个方面。硬突节可以是硬度大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)并且在一些方面中大于大约20.0GPa的突节。这些硬突节提供了增加的耐磨性和摩擦特性，这有助于在光刻设备的操作期间在不会破裂衬底的情况下接合和脱离衬底。
在一些方面中，本公开描述了一种制造设备的方法。该方法包括提供第一层，该第一层包括第一表面。该方法还可以包括在第一层的第一表面上方形成多个突节。形成多个突节可以包括将多个突节的子集形成为具有大于大约6.0GPa的硬度。
在一些方面中，本公开描述了用于制造设备的另一方法。该方法可以包括接收晶片夹具。该晶片夹具可以包括：第一层，该第一层包括第一表面；以及多个第一突节，该多个第一突节设置在第一层的第一表面上方。该方法还可以包括移除多个第一突节。该方法还可以包括在第一层的第一表面上方形成多个第二突节。形成多个第二突节可以包括将多个第二突节的子集形成为具有大于大约6.0GPa的硬度。
在一些方面中，本公开描述了一种设备。该设备包括第一层，该第一层包括第一表面。该设备还可以包括多个突节，该多个突节设置在第一层的第一表面上方，其中多个突节的子集的硬度大于大约6.0GPa。
下面参考附图详细描述其它特征以及各个方面的结构和操作。应注意，本公开不限于本文描述的特定方面。在本文中呈现这些方面仅是出于说明性目的。基于本文中包含的教导，其他方面对于相关领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
并入本文中并且形成说明书的一部分的随附附图与描述一起说明本公开，并且还用于解释本公开的各方面的原理并且使相关领域的技术人员能够实施和使用本公开的各方面。
图1A是根据本公开的一些方面的示例性反射型光刻设备的示意图。
图1B是根据本公开的一些方面的示例性透射型光刻设备的示意图。
图2是根据本公开的一些方面的图1A中所示的反射型光刻设备的更详细示意图。
图3是根据本公开的一些方面的示例性光刻单元的示意图。
图4是根据本公开的一些方面的示例性衬底台的示意图。
图5是根据本公开的一些方面的示例性夹具的区域的横截面示图。
图6是根据本公开的一些方面的另一示例性夹具的区域的横截面示图。
图7是用于制造根据本公开的一些方面的设备或其部分的示例性方法。
图8是用于制造根据本公开的一些方面的设备或其部分的另一示例性方法。
根据以下结合附图阐述的详细描述，本公开的特征和优点将变得更加显而易见，其中相似的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，除非另有说明，否则相似的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。此外，通常，附图标记的最左侧数字标识首次出现该附图标记的附图。除非另有说明，否则在整个公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图
具体实施方式
本说明书公开了包括本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅描述本公开。本公开的范围不限于所公开的实施例。本公开的广度和范围由本公开所附的权利要求和它们的等同方案来限定。
在说明书中所描述的实施例以及对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的参考表示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例不必包括该特定特征、结构或特性。而且，这些措辞不一定指的是相同的实施例。另外，当与实施例结合来描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其它实施例来实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内，无论所述其它实施例是否被明确地描述。
为便于描述，可以在本文中使用诸如“在…之下”、“下方”、“下面”、“在…之上”、“上方”、“上面”之类的空间相对术语来描述如在附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。空间相对术语旨在涵盖装置或器件在使用或操作中的除了附图中描绘的方向之外的不同方向。可以以其它方式来定向设备(旋转90度或以其它方向定向)，并且本文中使用的空间相对描述符也可以被相应地解释。
如本文中使用的术语“大约或约”指示给定量的值，其可以基于特定技术而改变。基于特定技术，术语“大约或约”可以表示在例如值的10％－30％(例如，值的±10％、±20％、或±30％)内改变的给定量的值。
综述
使用EUV辐射源的传统光刻设备通常需要在光刻操作期间将EUV辐射束路径(或者其至少大部分)保持处于真空中。在光刻设备的这种真空区域中，可以使用静电夹具将物体(诸如，图案形成装置(例如掩模或掩模版)或衬底(例如晶片))分别夹持到光刻设备的结构(诸如，图案形成装置台或衬底台)。传统的静电夹具可以包括在夹具的一个表面处的电极以及设置在夹具的相对表面上的多个突节。当夹具被激励(例如，使用夹持电压)，并且拉动与突节接触的掩模版或晶片时，导电的突节顶部可以处于与掩模版或晶片背面不同的电位。在接触时刻，由于两个电位被均衡，因此这种电位差引起了放电机制。这种放电机制可以引起材料转移和粒子产生，并且最终导致对掩模版或晶片、夹具或其组合的损坏。此外，常规晶片夹具通常包括通过对玻璃衬底图案化和蚀刻而形成的玻璃突节。这些玻璃突节仅具有大约6.0GPa的硬度，因此可能在光刻设备的操作期间被由于所夹持的晶片而堵塞到玻璃突节中的粒子压碎，因而破裂。
与这些传统系统相比，本公开提供了一种用于制造包括硬突节的晶片夹具或静电夹具的方法。硬突节可以由诸如类金刚石碳(DLC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)的材料制成。硬突节可以具有大于大约6.0GPa的硬度，并且在一些情况下，大于大约20.0GPa。另外地，本公开提供了一种用于重新加工已经从现场返回并具有断裂的玻璃突节的晶片夹具或静电夹具的方法。该方法包括移除在晶片夹具或静电夹具的表面上的玻璃突节，并且制造硬突节层。
在一些方面中，本公开提供了一种用于制造夹具的方法，该方法包括以下三个操作以及其它方面。
1.以具有厚度被减薄至具有约100微米(micron)的最终厚度的介电层(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐)的夹具开始。在夹具已经从现场返回的情况下的一些方面中，该操作可以包括研磨和抛光掉玻璃突节。在介电层被减薄至具有小于约100微米的厚度的一些方面中，该操作还可以包括经由气相沉积(诸如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD))来沉积二氧化硅(SiO2)层(例如，约5.0微米)。
2.沉积约10.0微米的硬可蚀刻材料(诸如，DLC、Cr、CrN、SiN或AlN)，然后图案化和蚀刻沉积层以形成硬突节。例如，用Cr闪蒸(flash)介电层以形成粘附层，在Cr粘附层上沉积10.0微米的DLC，用Cr涂覆DLC层，形成硬突节的突节图案(例如，在Cr的顶部上的具有突节形状的图案抗蚀剂)，并且图案化Cr。随后，在使用最终湿法化学蚀刻来图案化Cr粘附层并且从硬突节的顶部移除Cr之前，使用干法蚀刻工艺来图案化DLC。替代地，执行各向同性氧蚀刻(例如，氧等离子体灰化)，并且执行Cr蚀刻来形成硬突节。在一些方面中，如果硬突节由CrN、AlN或其他合适的材料形成，则可以利用类似的工艺。
3.用CrN涂覆硬突节，然后图案化和蚀刻所涂覆的硬突节，以形成导电的突节顶部，并且在一些情况下，沿着这些突节顶部之间的结构化表面形成电连接。
本文中公开的夹具具有许多优点和益处。例如，本公开提供了包括硬突节的晶片夹具和静电夹具，该硬突节的硬度大于约6.0千兆帕斯卡(GPa)，并且在一些方面中大于约20.0GPa)。这些硬突节提供了比传统玻璃突节增加的耐磨性以及摩擦性质，这有助于在光刻设备的操作期间接合和脱离衬底或图案形成装置，而不会产生破裂或断裂。进一步地，本公开便于重新加工已经从现场返回的具有损坏的突节的夹具。作为本公开中描述的技术的结果，相比于先前的技术，相关的光刻设备可以被更快、更低成本和更可靠地返回服役。在一些方面中，本公开便于将经重新加工的、具有在光刻操作期间不会如此容易损坏的更硬的突节的夹具返回至现场。
然而，在更详细地描述这些方面之前，呈现可以实施本公开的方面的示例性环境是有指导性的。
示例性光刻系统
图1A和图1B分别是光刻设备100和光刻设备100’的示意性示图，可以在光刻设备100和光刻设备100’中实施本公开的方面。光刻设备100和光刻设备100’各自包括以下各项：照射系统(照射器)IL，该照射系统IL被配置成调节辐射束B(例如，深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，该支撑结构MT被配置成支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版、或动态图案形成装置)MA，并且连接至被配置成精确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及衬底保持件(诸如，衬底台(例如，晶片台))WT，衬底保持件WT被配置成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接至被配置成精确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和光刻设备100’还具有投影系统PS，该投影系统PS被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS是透射型。
照射系统IL可以包括用于引导、整形或控制辐射束B的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参考框架的方向、光刻设备100和100’中的至少一个的设计、和其它条件(诸如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或台，支撑结构MT可以根据需要是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS而处于期望位置。
术语“图案形成装置”MA应广义地解释为是指，可以用以在辐射束B的横截面中向辐射束B赋予图案，以便在衬底W的目标部分C中形成图案的任何装置。赋予至辐射束B的图案可以对应于目标部分C中所产生的用以形成集成电路的器件中的特定功能层。
图案形成装置MA可以是透射型(如图1B的光刻设备100’中那样)或反射型(如图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列，或可编程LCD面板。掩模包括诸如二元、交替相移或衰减式相移的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，小反射镜中的每个小反射镜可以被单独地倾斜，以便使入射辐射束在不同方向上反射。被倾斜的反射镜在由小反射镜的矩阵所反射的辐射束B中赋予图案。
术语“投影系统”PS可以涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体在衬底W上的使用或真空的使用的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。由于其它气体可能吸收过多的辐射或电子，因此，可以针对EUV或电子束辐射使用真空环境。因此，通过借助于真空壁和真空泵，可以为整个束路径提供真空环境。
光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或者可以在对一个或多个台执行预备步骤的同时，将一个或多个其它衬底台WT用于曝光。在一些情况下，附加的台可以不是衬底台WT。
光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术用于增大投影系统的数值孔径。本文中所使用的术语“浸没”不意味着结构(诸如，衬底)必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统与衬底之间。
参考图1A和图1B，照射系统IL接收来自辐射源SO的辐射束B。例如，当辐射源SO是准分子激光器时，辐射源SO与光刻设备100、100’可以是分立的物理实体。在这种情况下，不认为辐射源SO形成光刻设备100或100’的一部分，并且辐射束B是借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(图1B中)而从辐射源SO传递至照射系统IL。在其它情况下，例如，当辐射源SO是汞灯时，辐射源SO可以是光刻设备100、100’的组成部分。辐射源SO和照射器IL连同束传递系统BD(在需要时)可以被称为辐射系统。
照射系统IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD(图1B中)。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ－外部”和“σ－内部”)。另外，照射系统IL可以包括各个其它部件(图1B中)，诸如积分器IN和辐射收集器(例如，聚光器)CO。照射系统IL可以被用于调节辐射束B，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
参考图1A，辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过图案形成装置MA而被图案化。在光刻设备100中，辐射束B被从图案形成装置MA反射。在被从图案形成装置MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将辐射束B聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器IF1来相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。
参考图1B，辐射束B入射在保持在支撑结构MT上的图案形成装置MA上，并且由图案形成装置MA图案化。在穿过图案形成装置MA之后，辐射束B穿过投影系统PS，投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。投影系统具有针对照射系统光瞳IPU的光瞳共轭PPU。辐射的一部分来自照射系统光瞳IPU处的强度分布，并且穿过掩模图案而不受掩模图案处的衍射的影响，并且在照射系统光瞳IPU处产生强度分布的图像。
投影系统PS将掩模图案MP的图像MP’投影到涂覆在衬底W上的光致抗蚀剂层上，其中图像MP’是由衍射束形成的，该衍射束通过来自强度分布的辐射从掩模图案MP产生。例如，掩模图案MP可以包括线和间隔的阵列。阵列处的不同于零阶衍射的辐射衍射产生被转向的衍射束，所述被转向的衍射束具有在垂直于线的方向上的方向的改变。未衍射束(即，所谓的零阶衍射束)在传播方向上没有任何改变的情况下穿过图案。零阶衍射束穿过投影系统PS的上透镜或上透镜组(位于投影系统PS的光瞳共PPU的上游)，以到达光瞳共轭PPU。强度分布中的在光瞳共轭PPU的平面中且与零阶衍射束相关联的部分，是照射系统IL的照射系统光瞳IPU中的强度分布的图像。孔阑装置PD例如被设置在或大致设置在包括投影系统PS的光瞳共轭PPU的平面处。
投影系统PS被布置成通过透镜或透镜组L，不仅捕获零阶衍射束，而且还捕获一阶衍射束或者一阶和更高阶衍射束(未示出)。在一些方面中，用于对在垂直于线的方向上延伸的线图案进行成像的偶极照射可以被用于利用偶极照射的分辨率增强效应。例如，在衬底W的水平处，一阶衍射束与相应的零阶衍射束发生干涉，以产生具有最高可能的分辨率和过程窗口(即，可用焦深与可容许曝光剂量偏离)的掩模图案MP的图像。在一些方面中，可以通过在照射系统光瞳IPU的相对象限中提供辐射极(未示出)来减少像散像差。另外，在一些方面中，可以通过阻挡投影系统的光瞳共轭PPU中的、与相对象限中的辐射极相关联的零阶束来减少像散像差。这在2009年3月31日发布的专利号为7，511，799的美国专利中进行了更详细地描述，其通过引用整体并入本文。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1B中未示出)来相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA(例如，在从掩模库进行机械检索之后或在扫描期间)。
通常，可以借助于形成第一定位器PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器(相对于扫描器)的情况下，支撑结构MT可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA与衬底W。虽然衬底对准标记(如所示出的)占据专用目标部分，但这些标记可以位于目标部分之间的空间中(例如，划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置在图案形成装置MA上的情形中，掩模对准标记可以位于管芯之间。
支撑结构MT和图案形成装置MA可以处于真空室V中，可以使用真空内机器人IVR来将图案形成装置(诸如掩模)移动到真空室之中和之外。可选地，当支撑结构MT和图案形成装置MA在真空室之外时，可以使用真空外机器人来进行各种运输操作，这类似于真空内机器人IVR。在一些情况中，为了将任何有效负载(例如，掩模)平稳传递到转移站的固定运动支架，真空内机器人和真空外机器人都需要被校准。
可以以下模式中的至少一种模式使用光刻设备100和100’：
1.在步进模式中，在将赋予至辐射束B的整个图案一次性投影至目标部分C上时，使支撑结构MT和衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WT在X方向和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。
2.在扫描模式中，在将赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。
3.在另一模式中，在将赋予至辐射束B的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置MA，并且移动或扫描衬底台WT。可以使用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置MA(诸如可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
也可以采用所描述的使用模式的组合和/或变型或完全不同的使用模式。
在其他方面中，光刻设备100包括EUV源，该EUV源被配置成产生用于EUV光刻的EUV辐射束。通常，EUV源被配置在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置成调节EUV源的EUV辐射束。
图2更详细地示出了光刻设备100，包括辐射源(例如，源收集器设备)SO、照射系统IL和投影系统PS。辐射源SO被构造和布置成使得可以在封闭结构220中维持真空环境。辐射源SO包括源室211和收集器室212，并且被配置成产生和透射EUV辐射。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如，氙(Xe)气、锂(Li)蒸气、或锡(Sn)蒸气)产生，其中EUV辐射发射等离子体210被产生，以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。可以例如通过放电或激光束来产生至少部分电离的EUV辐射发射等离子体210。可以使用例如10帕斯卡(Pa)分压的Xe气、Li蒸气、Sn蒸气或任何其它合适的气体或蒸气来有效地产生辐射。在一些方面中，提供被激发的锡的等离子体来产生EUV辐射。
由EUV辐射发射等离子体210发射的辐射从源室211经由可选的气体屏障或污染物陷阱230(在一些情况下也称为污染物屏障或翼片阱)而进入收集器室212，气体屏障或污染物陷阱230被定位在源室211的开口中或后面。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气体屏障或者气体屏障与通道结构的组合。在本文中，污染物陷阱230被另外指示为至少包括通道结构。
收集器室212可以包括辐射收集器(例如，收集器光学器件)CO，辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过辐射收集器CO的辐射可以被光栅光谱滤光器240反射出以聚焦在虚拟源点IF处。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得虚拟源点IF被定位在封闭结构220的开口219处或附近。虚拟源点IF是EUV辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光器240尤其用于抑制红外(IR)辐射。
随后，辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，它们被布置成在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望角度分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均一性。当辐射束221在图案形成装置MA(由支撑结构MT保持)处反射时，形成图案化束226，并且通过投影系统PS经由反射元件228、229将图案化束226成像在由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。
通常可以在照射系统IL和投影系统PS中存在比所示出的更多的元件。可选地，光栅光谱滤光器240可以依赖于光刻设备的类型存在。此外，可以存在比图2中所示的反射镜更多的反射镜。例如，相比于图2中所示的，可以在投影系统PS中存在一个至六个另外的反射元件。
如图2中所示的辐射收集器CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，这仅仅是收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255被设置为围绕光轴O轴向对称，并且这种类型的辐射收集器CO优选地与放电产生等离子体(DPP)源结合使用。
示例性光刻单元
图3示出了光刻单元300，光刻单元300有时也被称为光刻单元或簇。光刻设备100或100’可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括用于在衬底上执行预曝光过程和后曝光过程的一个或多个设备。例如，这些设备可以包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于显影曝光抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和烘烤板BK。衬底处理装置(或机器手)RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同处理设备之间移动衬底，并且将衬底输送到光刻设备100或100’的装载台LB。这些装置(通常也统称为轨道)受轨道控制单元TCU的控制，轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，管理控制系统SCS也可经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备来使生产量和处理效率最大化。
示例性衬底台
图4示出了根据本公开的一些方面的示例性衬底台400的示意图。在一些方面中，示例性衬底台400可以包括衬底台402、支撑块404、一个或多个传感器结构406、任何其他合适的部件或其任何组合。在一些方面中，衬底台402包括夹具(例如，晶片夹具、掩模版夹具、静电夹具)以保持衬底408。在一些方面中，一个或多个传感器结构406中的每个包括透射型图像传感器(TIS)板。TIS板是传感器单元，该传感器单元包括用于TIS感测系统中的一个或多个传感器和/或标记，TIS感测系统用于相对于光刻设备(例如，参考图1A、图1B和图2描述的光刻设备100和光刻设备100’)中的投影系统(例如，参考图1A、图1B和图2描述的投影系统PS)和掩模(例如，参考图1A、图1B和图2描述的图案形成装置MA)的位置来准确定位晶片。虽然在本文中为了说明而示出了TIS板，但是本文的方面不限于任何特定的传感器。衬底台402设置在支撑块404上。一个或多个传感器结构406设置在支撑块404上。
在一些方面中，当示例性衬底台400支撑衬底408时，衬底408可以设置在衬底台402上。
术语“平坦”、“平坦度”等在本文中可以用于相对于表面的一般平面描述结构。例如，弯曲或不平整的表面可以是不符合平坦表面的表面。表面上的突起和凹部也可以是特征在于偏离“平坦”平面。
术语“平滑”、“粗糙度”等在本文中可以用于指表面的局部变化、微观偏差或偏离、颗粒度或纹理。例如，术语“表面粗糙度”可以指表面轮廓相对于平均线或平面存在微观偏离。偏离通常被测量(以长度为单位)为振幅参数，诸如均方根(RMS)或算术平均偏差(Ra)(例如，1nm RMS)。
在一些方面中，上述的衬底台(例如，图1A和图1B中的衬底台WT、图4中的衬底台402)的表面可以是平坦的或具有突节。当衬底台的表面平坦时，粘附在衬底台与晶片之间的任何微粒或污染物将使得污染物印制贯通(through)晶片，从而导致在其附近发生光刻误差。因此，污染物降低了器件良率并且增加了生产成本。
在衬底台上设置突节有助于减少对平坦衬底台的不期望影响。当将晶片被夹持到具有突节的衬底台时，在晶片不与衬底台接触的区域中存在空的空间。该空的空间用作污染物的袋，以便防止发生印制误差。另一优点在于，由于突节所引起的负载的增大，所以位于突节上的污染物更可能被压碎。压碎污染物还有助于减少印制－贯通误差。在一些方面中，突节的组合表面积可以是衬底台的表面积的大约百分之一至百分之五。在本文中，突节的表面积是指与晶片接触的表面(例如，不包括侧壁)；并且，衬底台的表面积是指衬底台的突节所在的表面的跨度范围(例如，不包括衬底台的侧面或背面)。当将晶片夹持到具有突节的衬底台上，相比于平坦的衬底台，负载增加100倍，这足以压碎大多数污染物。尽管本文中的示例使用衬底台，但是该示例不旨在进行限制。例如，本公开的各方面可以在掩模版台上实现、用于各种夹持结构(例如，静电夹具、夹持膜)，以及用于各种光刻系统(例如，EUV、DUV)。
在一些方面中，突节到晶片的界面控制衬底台的功能性性能。当衬底台的表面平滑时，在衬底台的平滑表面与晶片的平滑表面之间可能产生粘附力。两个平滑表面接触粘住在一起的现象被称为压紧(wringing)。由于高摩擦现象和晶片中的平面内应力，压紧(wringing)可能引起器件制造中的问题(例如，重叠问题)(在对准期间容易地使晶片滑动是最佳的)。
此外，已经观察到，衬底台的突节表面易于受到异常快速的磨损，特别是在远离衬底台的中心的边缘处(例如，不均匀磨损)。不均匀磨损引起晶片在被夹持到衬底台时弯曲，这进而降低了器件结构的光刻放置的精确度，以及随着时间引起重叠漂移等。并且，整体磨损可能由于夹持表面的整体形状的变化而重新引入压紧问题，并且导致成像性能降低。
为了增加突节顶部表面的硬度和防止该表面的摩擦磨损，本公开提供了硬突节。如本文所提到的，术语“硬”可以指大于大约6.0GPa的硬度，并且在一些方面中，大于大约20.0GPa的硬度；术语“硬突节”可以是具有大于大约6.0GPa的硬度的突节，并且在一些方面中，具有大于大约20.0GPa的硬度的突节。例如，硬突节可以是选自由DLC、AlN、SiN、CrN、或任何其他合适的材料、或其组合组成的组的材料。
具有硬突节的示例性表面
图5示出了示例性夹具500(例如，晶片夹具、掩模版夹具、静电夹具)的区域的横截面示图。示例性夹具500可以包括第一层502(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、SiO2层)，第一层502包括第一表面502a。
示例性夹具500还可以包括第二层504(例如，诸如Cr层、Al层、Si层、或任何其他合适材料层的粘附层)，第二层504包括：第二表面504a，和与第二表面504a相对的第三表面504b。第二层504的第三表面504b可设置在第一层502的第一表面502a上。在一些方面中，作为最终(或接近最终)步骤，可以图案化第二层504。
示例性夹具500还可以包括设置在第一层502的第一表面502a上方的多个突节506(例如，DLC突节)。例如，多个突节506可以设置在第二层504的第二表面504a上。多个突节506的子集的硬度可以大于约6.0GPa，并且在一些情况下，大于大约10.0GPa、大约15.0GPa或甚至大约20.0GPa。多个突节506的厚度可以大于大约2.0微米，并且在一些情况下，大于大约5.0微米、7.5微米或甚至大约10.0微米。多个突节506中的每个的半径可以是大约200.0微米。在一些方面中，多个突节506可以包括至少约三万个突节。在一些方面中，可以通过图案化和蚀刻第三层(例如，DLC层)以形成多个突节506来形成多个突节506。
示例性夹具500还可以包括设置在多个突节506上方的多个突节顶部507(例如，CrN突节顶部)。可以通过图案化和蚀刻第四层(例如，CrN层)以形成多个突节顶部507来形成多个突节顶部507。在一些方面中，多个突节506、多个突节顶部507或两者可以是导电的。
多个突节506中的每个突节可以包括：第四表面506a，和与第四表面506a相对的第五表面506b。突节的第五表面506b可以设置在第二层504的第二表面504a上。多个突节顶部507中的每个突节顶部可以包括：第六表面507a，和与第六表面507a相对的第七表面507b。突节顶部的第七表面507b可以设置在突节的第四表面506a上。
可选地，物体508(例如，晶片W或图案形成装置MA)可以位于多个突节顶部507上方。例如，物体508的第八表面508a可以可移除地设置(例如，放置、定位)在多个突节顶部507中的一个或多个的第六表面507a上。
图6示出了示例性夹具600(例如，晶片夹具、掩模版夹具、静电夹具)的区域的横截面示图。示例性夹具600可以包括第一层602(例如，玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、SiO2层)，第一层602包括第一表面602a。
示例性夹具600还可以包括设置在第一层602的第一表面602a上方的多个突节606(例如，CrN、AlN或SiN突节)。例如，多个突节606可以设置在第一层602的第一表面602a上。多个突节606的子集的硬度可以大于大约6.0GPa，并且在一些情况下，大于大约10.0GPa、大约15.0GPa、或甚至大约20.0GPa。多个突节606的厚度可以大于大约2.0微米，并且在一些情况下，大于大约6.0微米、7.5微米、或甚至大约10.0微米。在一些方面中，多个突节606可以包括至少约三万个突节。在一些方面中，可以通过图案化和蚀刻第二层(例如，CrN、AlN或SiN层)以形成多个突节606来形成多个突节606。
多个突节606中的每个突节可以包括：第二表面606a，和与第二表面606a相对的第三表面606b。突节的第三表面606b可以设置在第一层602的第一表面602a上。
可选地，物体608(例如，晶片W或图案形成装置MA)可以位于多个突节606上方。例如，物体608的第四表面608a可以可移除地设置(例如，放置、定位)在多个突节606中的一个或多个的第二表面606a上。在一些方面中，多个突节606可以是导电的。
用于制造具有硬突节的表面的示例性过程
图7是用于制造根据本公开的一些方面的设备或该设备的部分的示例性方法700。可以通过或根据在本文中描述的系统、设备、部件、技术、或其组合(诸如上面参考图1－6和下面参考图8描述的那些)中的任一个，来执行参考示例性方法700描述的操作。
在操作702处，该方法可以包括：提供第一层，第一层包括第一表面。在一些方面中，提供第一层可以包括提供玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、SiO2层(例如，经由PECVD或任何其他合适的技术进行沉积)、或任何其他合适的层。
在操作704处，该方法还可以包括：在第一层的第一表面上方形成多个突节。形成多个突节可以包括：将多个突节的子集形成为具有大于约6.0GPa的硬度。在一些方面中，形成多个突节可以包括形成多个DLC突节。在一些方面中，形成多个突节可以包括将多个突节形成为厚度大于大约2.0微米、大于大约5.0微米、或大于大约10.0微米。在一些方面中，形成多个突节可以包括形成选自由AlN、SiN或CrN组成的组的材料的多个突节。在一些方面中，形成多个突节可以包括形成至少约三万个突节。在一些方面中，形成多个突节的子集可以包括将多个突节的子集形成为具有大于大约10.0GPa、大于大约15.0GPa或大于大约20.0GPa的硬度。
在一些方面中，形成多个突节可以包括：形成第二层，该第二层包括第二表面，和与第二表面相对的第三表面，其中第二层的第三表面设置在第一层的第一表面上；并且形成第三层，该第三层包括第四表面，和与第四表面相对的第五表面，其中第三层的第五表面设置在第二层的第二表面上，并且其中，形成多个突节可以包括图案化第三层以形成多个突节。在一些方面中，形成第二层可以包括形成粘附层。在一些方面中，形成粘附层可以包括：形成选自由Cr或Al组成的组的至少一种材料的粘附层。在一些方面中，形成第三层可以包括形成DLC的第三层。可选地，在一些方面中，该方法还可以包括在大于约350摄氏度的温度下固化第一层和多个突节。
图8是用于制造根据本公开的一些方面的设备或该设备的部分的示例性方法800。可以通过或根据在本文中描述的系统、设备、部件、技术、或其组合(诸如上面参考图1－7描述的那些)中的任一个，来执行参考示例性方法800描述的操作。
在操作802处，该方法可以包括接收晶片夹具，诸如已经从现场返回的具有损坏的玻璃突节的晶片夹具。该晶片夹具可以包括：包括第一表面的第一层；以及设置在第一层的第一表面上方的多个第一突节。第一层可以包括玻璃衬底、硼硅酸盐玻璃衬底、碱土硼铝硅酸盐衬底、SiO2层(例如，经由PECVD或任何其他合适的技术进行沉积)、或任何其他合适的层。多个第一突节可以包括多个玻璃突节，该多个玻璃突节中的一些可以是破裂的或损坏的。在一些方面中，多个第一突节可以具有小于或等于约6.0GPa的硬度。
在操作804处，该方法可以包括移除多个第一突节。移除多个第一突节可以包括研磨多个第一突节、多个第一突节与第一层之间的任何中间层。在一些方面中，移除多个第一突节还可以包括：研磨第一层的一部分以形成第一层的修改第一表面。移除多个第一突节还可以包括：抛光第一层的第一表面(或者，在一些方面中，抛光通过研磨第一层的一部分而形成的第一层的修改第一表面)。在一些方面中，在已经移除多个第一突节之后，该方法可以包括执行最终抛光以确保第一层的表面适当地没有缺陷。随后，该方法可以包括沉积(例如，经由诸如PECVD的过程)一定厚度的SiO2或另一介电材料，以回到第一层(例如，硼硅酸盐板)的原始厚度。
在操作806处，该方法还可以包括：在第一层的第一表面(或者，在一些方面中，第一层的修改第一表面)上方形成多个第二突节。形成多个第二突节可以包括：将多个第二突节的子集形成为具有大于大约6.0GPa的硬度。在一些方面中，形成多个第二突节包括：形成选自由DLC、AlN、SiN或CrN组成的组的材料的多个第二突节。在一些方面中，形成多个第二突节包括：将多个突节形成为具有大于大约2.0微米、大于大约5.0微米、或大于大约10.0微米的厚度。在一些方面中，形成多个第二突节的子集包括：将多个第二突节的子集形成为具有大于大约10.0GPa、大于大约15.0GPa或大于大约20.0GPa的硬度。
在以下编号的条项中阐述了本发明的其他方面。
1.一种制造设备的方法，所述方法包括：
提供第一层，所述第一层包括第一表面；和
在所述第一层的所述第一表面上方形成多个突节，其中形成所述多个突节包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
2.根据条项1所述的方法，其中，提供所述第一层包括：提供玻璃衬底。
3.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：形成类金刚石碳(DLC)的多个突节。
4.根据条项3所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：将所述多个突节形成为厚度大于大约2.0微米。
5.根据条项3所述的方法，其中，形成所述多个突节包括将所述多个突节形成为厚度大于大约5.0微米。
6.根据条项3所述的方法，其中，形成所述多个突节包括将所述多个突节形成为厚度大于大约10.0微米。
7.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：形成选自由氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组的材料的多个突节。
8.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：形成至少大约三万个突节。
9.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节的子集包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约10.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
10.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节的子集包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约15.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
11.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节的子集包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约20.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
12.根据条项1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：
形成第二层，所述第二层包括：第二表面，和与所述第二表面相对的第三表面，其中，所述第二层的所述第三表面设置在所述第一层的所述第一表面上；和
形成第三层，所述第三层包括：第四表面，和与所述第四表面相对的第五表面，其中，所述第三层的所述第五表面设置在所述第二层的所述第二表面上，
其中，形成所述多个突节包括：图案化所述第三层以形成所述多个突节。
13.根据条项12所述的方法，其中，形成所述第二层包括：形成粘附层。
14.根据条项13所述的方法，其中，形成所述粘附层包括：形成选自由铬(Cr)或铝(Al)组成的组中的至少一种材料的粘附层。
15.根据条项12所述的方法，其中，形成所述第三层包括：形成类金刚石碳(DLC)的第三层。
16.一种制造设备的方法，所述方法包括：
接收晶片夹具，其中所述晶片夹具包括：
第一层，所述第一层包括第一表面，以及
多个第一突节，所述多个第一突节设置在所述第一层的第一表面上方；
移除所述多个第一突节；以及
在所述第一层的所述第一表面上方形成多个第二突节，其中，形成所述多个第二突节包括将所述多个第二突节的子集形成为具有大于约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
17.根据条项16所述的方法，其中，形成所述多个第二突节包括：形成选自由类金刚石碳(DLC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组中的至少一种材料的多个第二突节。
18.根据条项16所述的方法，其中，形成所述多个第二突节包括将所述多个第二突节形成为厚度大于大约2.0微米。
19.一种设备，所述设备包括：
第一层，所述第一层包括第一表面；以及
多个突节，所述多个突节设置在所述第一层的所述第一表面上方，其中所述多个突节的子集的硬度大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)。
20.根据条项19所述的设备，其中，所述多个突节包括选自由类金刚石碳(DLC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组中的至少一种材料。
在一些方面中，形成多个第二突节包括：形成第二层，该第二层包括：第二表面，和与第二表面相对的第三表面，其中第二层的第三表面设置在第一层的第一表面上；并且形成第三层，该第三层包括：第四表面，和与第四表面相对的第五表面，其中第三层的第五表面设置在第二层的第二表面上，并且其中，形成多个第二突节包括图案化第三层以形成多个第二突节。在一些方面中，形成第二层包括形成粘附层。在一些方面中，形成粘附层包括形成选自由Cr或Al组成的组的至少一种材料的粘附层。在一些方面中，形成第三层包括形成DLC的第三层。可选地，在一些方面中，该方法还可以包括在大于约350摄氏度的温度下固化第一层和多个第二突节。
尽管在本文中可以具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类替代应用的情境下，术语“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用可以认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在例如轨道单元(通常将抗蚀剂层施加到衬底并使曝光后的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文的公开内容应用于这些和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便形成多层IC，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。
应当理解，本文中的措辞或术语是为了描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域技术人员根据本文中的教导进行解释。
如本文所使用的术语“衬底”描述了其上添加有材料层的材料。在一些方面中，衬底本身可以被图案化，并且添加在衬底的顶部上的材料也可以被图案化，或者可以被保持而不进行图案化。
本文公开的示例是说明性的，而非限制本公开的实施例。对于本领域中通常遇到的各种条件和参数的其它合适修改和调整(并且相关领域的技术人员将明白这些修改和调整)将落入本公开的精神和范围内。
尽管在本文中可以具体地参考设备和/或系统在IC的制造中的使用，但应当明确理解，这种设备和/或系统具有许多其它可能的应用。例如，可用于制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、LCD面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在此类替代应用的情境下，术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”在本文中的任何使用应当认为可以分别被更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”替代。
虽然上面已经描述了本公开的特定方面，但是应当理解，本公开可以以不同于所描述的方式来实践。所述描述并非旨在限制本公开的实施例。
应当理解，具体实施方式部分(而不是背景技术、发明内容和摘要部分)旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人所设想的一个或多个示例性实施例，但不是全部示例性实施例，因此发明内容和摘要部分不旨在以任何方式限制所呈现的实施例和所附权利要求。
上面已经借助于功能构建块描述了本公开的一些方面，所述功能构建块示出了特定功能的实现及其关系。为了便于描述，已经在本文中任意地定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行特定功能及其关系，就可以定义替代边界。
本公开的具体方面的上述描述将充分地揭示各方面的一般性质，使得其他人可以通过应用本领域技术内的知识而容易地修改和/或调整这些具体方面的各种应用，而无需过度实验，并且不会偏离本公开的一般概念。因此，基于本文所呈现的教导和指导，这种修改和调整旨在落入所公开方面的等同方案的含义和范围内。
本公开的广度和范围不应受任何上述示例性方面或实施例的限制，而应仅根据随附权利要求及其等同方案来限定。

Claims (20)

1.一种制造设备的方法，所述方法包括：
提供第一层，所述第一层包括第一表面；和
在所述第一层的所述第一表面上方形成多个突节，其中形成所述多个突节包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述第一层包括：提供玻璃衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：形成类金刚石碳(DLC)的多个突节。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：将所述多个突节形成为厚度大于大约2.0微米。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述多个突节包括将所述多个突节形成为厚度大于大约5.0微米。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述多个突节包括将所述多个突节形成为厚度大于大约10.0微米。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：形成选自由氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组的材料的多个突节。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括形成至少大约三万个突节。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节的子集包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约10.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节的子集包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约15.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节的子集包括：将所述多个突节的子集形成为具有大于大约20.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个突节包括：
形成第二层，所述第二层包括：第二表面，和与所述第二表面相对的第三表面，其中，所述第二层的所述第三表面设置在所述第一层的所述第一表面上；和
形成第三层，所述第三层包括：第四表面，和与所述第四表面相对的第五表面，其中，所述第三层的所述第五表面设置在所述第二层的所述第二表面上，
其中，形成所述多个突节包括：图案化所述第三层以形成所述多个突节。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二层包括：形成粘附层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述粘附层包括：形成选自由铬(Cr)或铝(Al)组成的组中的至少一种材料的粘附层。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第三层包括：形成类金刚石碳(DLC)的第三层。
16.一种制造设备的方法，所述方法包括：
接收晶片夹具，其中所述晶片夹具包括：
第一层，所述第一层包括第一表面，以及
多个第一突节，所述多个第一突节设置在所述第一层的第一表面上方；
移除所述多个第一突节；以及
在所述第一层的所述第一表面上方形成多个第二突节，其中，形成所述多个第二突节包括：将所述多个第二突节的子集形成为具有大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)的硬度。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述多个第二突节包括：形成选自由类金刚石碳(DLC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组中的至少一种材料的多个第二突节。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述多个第二突节包括：将所述多个第二突节形成为厚度大于大约2.0微米。
19.一种设备，所述设备包括：
第一层，所述第一层包括第一表面；以及
多个突节，所述多个突节设置在所述第一层的所述第一表面上方，其中所述多个突节的子集的硬度大于大约6.0千兆帕斯卡(GPa)。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，所述多个突节包括选自由类金刚石碳(DLC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiN)或氮化铬(CrN)组成的组中的至少一种材料。
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