TW202132898A - 晶圓夾具硬瘤節生產和整修 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於製造具有硬瘤節之一晶圓夾具之系統、裝置及方法。該方法可包括提供包括一第一表面之一第一層。該方法可進一步包括在該第一層之該第一表面上方形成複數個瘤節。該形成該複數個瘤節可包括形成該複數個瘤節之一子集達大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。

Description

晶圓夾具硬瘤節生產和整修
本發明係關於基板台及用於在基板台表面上形成瘤節及奈米結構之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其可互換地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於所形成之IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。傳統的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
極紫外線(EUV)光，例如具有約50奈米(nm)或更小之波長之電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括處於約13 nm之波長的光，可用於微影裝置中或與微影裝置一起使用以在基板(例如矽晶圓)中產生極小特徵。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之發射譜線而將具有一元素(例如，氙(Xe)、鋰(Li)或錫(Sn))之材料轉換成電漿狀態。舉例而言，在被稱為雷射產生電漿(LPP)之一種此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束來輻照例如呈材料之小滴、板、帶、串流或叢集之形式的目標材料來產生電漿，該目標材料在LPP源之內容背景中可互換地被稱作燃料。對於此製程，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監測電漿。
另一微影系統為不存在圖案化器件的干涉微影系統。確切而言，干涉微影系統將光束分裂成兩個光束，且經由使用反射系統使得兩個光束在基板之目標部分處干涉。該干涉使得待在基板之目標部分處形成線。
在微影操作期間，不同處理步驟可要求不同層依序地形成於基板上。因此，可有必要以高準確度相對於形成於基板上之先前圖案來定位該基板。通常，將對準標記置放於待對準之基板上且參考第二物件來定位對準標記。微影裝置可使用對準裝置以用於偵測對準標記之位置且用於使用對準標記對準基板從而確保自光罩之準確曝光。兩個不同層處之對準標記之間的未對準被量測為疊對誤差。
為了監測微影製程，量測經圖案化基板之參數。舉例而言，參數可包括形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差，及經顯影感光性抗蝕劑之臨界線寬。可對產品基板、專用度量衡目標或此兩者執行此量測。存在用於對在微影製程中形成之顯微結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中輻射光束經引導至基板之表面上之目標上，且量測散射或反射光束之屬性。藉由將光束在其已由基板反射或散射之前與之後的屬性進行比較，可判定基板之屬性。舉例而言，可藉由比較反射光束與儲存於與已知基板屬性相關聯之已知量測庫中的資料而進行此判定。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上且量測散射至特定窄角度範圍中之輻射之光譜(依據波長而變化的強度)。相比之下，角度解析散射計使用單色輻射光束且量測依據角度而變化的散射輻射之強度。
此類光學散射計可用以量測參數，諸如經顯影感光性抗蝕劑之臨界尺寸或在形成於經圖案化基板中或上之兩個層之間的疊對誤差。藉由在照明光束已由基板反射或散射之前與之後比較該光束的屬性，可判定基板之屬性。
需要規定及維持基板台之表面上之摩擦屬性(例如摩擦力、硬度、磨損)。在一些情況下，晶圓夾具可安置於基板台之表面上。基板台或附接至基板台之晶圓夾具由於微影及度量衡製程之精度要求而具有可難以滿足之表面位準容許度。與表面面積之寬度(例如，寬度＞100 mm)相比相對較薄(例如，厚度＜1毫米(mm))的晶圓(例如半導體基板)對基板台之不均勻性特別敏感。另外，接觸的超平滑表面可能變得黏附在一起，當基板必須自基板台脫嚙時，此可呈現出問題。為了降低與晶圓界接之表面的平滑度，基板台或晶圓夾具的表面可包括藉由對玻璃基板進行圖案化及蝕刻而形成的玻璃瘤節。然而，此等玻璃瘤節僅具有約6.0千兆帕斯卡(GPa)之硬度，且結果在微影裝置之操作期間可破裂，由藉由經夾持晶圓堵塞至玻璃瘤節中的粒子而壓碎。
本發明描述用於包括硬瘤節之基板台及晶圓夾具之系統、裝置及方法的各種態樣。硬瘤節可為具有大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)且在一些態樣中大於約20.0 GPa之硬度的瘤節。此等硬瘤節提供增大之耐磨性及摩擦屬性，其有助於在微影裝置之操作期間使基板嚙合及脫嚙而無破裂。
在一些態樣中，本發明描述一種用於製造一種裝置之方法。該方法可包括提供包括一第一表面之一第一層。該方法可進一步包括在該第一層之該第一表面上方形成複數個瘤節。該形成該複數個瘤節可包括形成該複數個瘤節之一子集達大於約6.0 GPa之一硬度。
在一些態樣中，本發明描述用於製造一裝置之另一方法。該方法可包括收納一晶圓夾具。該晶圓夾具可包括：包括一第一表面之一第一層；及安置於該第一層之該第一表面上方之第一複數個瘤節。該方法可進一步包括移除該第一複數個瘤節。該方法可進一步包括在該第一層之該第一表面上方形成第二複數個瘤節。該形成該第二複數個瘤節可包括形成該第二複數個瘤節之一子集達大於約6.0 GPa之一硬度。
在一些態樣中，本發明描述一種裝置。該裝置可包括一第一層，該第一層包括一第一表面。該裝置可進一步包括安置於該第一層之該第一表面上方之複數個瘤節，其中該複數個瘤節之一子集之一硬度大於約6.0 GPa。
下文中參考隨附圖式來詳細地描述另外特徵以及各種態樣之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定態樣。本文中僅出於說明性目的而呈現此類態樣。基於本文含有之教示，額外態樣對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅描述本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明之廣度及範疇由隨附在此之申請專利範圍及其等效者界定。
所描述之實施例及本說明書中對「一項實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指相同實施例。此外，在結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性在熟習此項技術者之認識範圍內。
為了易於描述，空間相對術語，諸如「在...之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「在…之上」、「上部」及其類似者可在本文中用以描述如圖中所說明一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵的關係。除了圖中所描繪之定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋器件在使用或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述符可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
綜述
使用EUV輻射源之習知微影裝置通常要求EUV輻射光束路徑或其至少相當大部分在微影操作期間保持於真空中。在微影裝置之此類真空區中，靜電夾具可用以將物件，諸如圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)或基板(例如，晶圓)分別夾持至微影裝置之結構，諸如圖案化器件台或基板台。習知靜電夾具可包括在該夾具之一個表面處之電極，其中複數個瘤節安置於該夾具之相對表面上。當夾具被給予能量(例如，使用夾持電壓)且拉動倍縮光罩或晶圓與瘤節接觸時，導電瘤節頂部相比於倍縮光罩或晶圓背面可處於不同的電位。在接觸的時刻，由於該兩個電位相等，因此此電位差會引起放電機制。此放電機制可造成材料轉移及粒子產生且最終導致對倍縮光罩或晶圓、夾具或其組合之損壞。另外，習知晶圓夾具通常包括藉由圖案化及蝕刻玻璃基板而形成的玻璃瘤節。此等玻璃瘤節僅具有約6.0 GPa之硬度，且結果在微影裝置之操作期間可破裂，由藉由經夾持晶圓堵塞至玻璃瘤節中的粒子而壓碎。
與此等習知系統形成對比，本發明提供用於製造包括硬瘤節之晶圓夾具或靜電夾具之方法。硬瘤節可由諸如類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)之材料製成。硬瘤節可具有大於約6.0 GPa且在一些情況下大於約20.0 GPa的硬度。另外，本發明提供用於重工已自現場返回的具有破損玻璃瘤節之晶圓夾具或靜電夾具之方法。該方法包括移除玻璃瘤節且在晶圓夾具或靜電夾具之表面上製作硬瘤節層。
在一些態樣中，本發明提供用於製造夾具之方法，其在其他態樣中包括以下三個操作。
1. 以將具有介電層(例如玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽)之夾具薄化至其約100微米(micrometer/micron)的最終厚度開始。在夾具已自現場返回之一些態樣中，此操作可包括研磨及拋光掉玻璃瘤節。在將介電層薄化至小於約100微米之厚度的一些態樣中，此操作亦可包括經由氣相沈積，諸如電漿增強式化學氣相沈積(PECVD)來沈積二氧化矽(SiO2 )層(例如約5.0微米)。
2. 沈積約10.0微米的硬且可蝕刻材料，諸如DLC、Cr、CrN、SiN或AlN，且接著圖案化及蝕刻沈積層以形成硬瘤節。舉例而言，用Cr覆蓋介電層以形成黏著層、在Cr黏著層上沈積10.0微米的DLC、用Cr塗佈DLC層、產生關於硬瘤節之瘤節圖案(例如在Cr之頂部上呈瘤節之形狀的圖案抗蝕劑)，且圖案化Cr。隨後，在使用最終濕式化學蝕刻以圖案化Cr黏著層且自硬瘤節之頂部移除Cr之前使用乾式蝕刻製程以圖案化DLC。替代地，執行等向性氧蝕刻(例如氧電漿灰)且執行Cr蝕刻以形成硬瘤節。在一些態樣中，若硬瘤節由CrN、AlN或另一合適材料形成，則可利用相似的製程。
3. 用CrN塗佈硬瘤節且接著圖案化並蝕刻經塗佈之硬瘤節以產生導電瘤節頂部，且在一些情況下沿著彼等瘤節頂部之間的結構化表面產生電連接。
本文中所揭示之夾具存在許多優點及益處。舉例而言，本發明提供包括硬度大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)且在一些態樣中大於約20.0 GPa之硬瘤節的晶圓夾具及靜電夾具。此等硬瘤節提供優於傳統玻璃瘤節的增大之耐磨性以及摩擦屬性，其有助於在微影裝置之操作期間使基板或圖案化器件嚙合及脫嚙而無破裂或破損。另外，本發明促進對已自現場返回的具有破損瘤節之夾具進行重工。作為本發明中所描述之技術的結果，相關微影裝置相比於前述技術可更快速、更低廉且更可靠地恢復使用。在一些態樣中，本發明在硬得多的瘤節的情況下促進經重工夾具返回至現場，該等瘤節在微影操作期間將並不如此容易破損。
然而，在更詳細地描述此類態樣之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之態樣之實例環境。
實例微影系統
圖1A及圖1B分別為可供實施本發明之態樣的微影裝置100及微影裝置100'之示意性說明。微影裝置100及微影裝置100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線(DUV)輻射或極紫外線(EUV)輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化器件) MA且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；及基板固持器(諸如基板台(例如，晶圓台)) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位該基板W之第二定位器PW。微影裝置100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如包括一或多個晶粒) C上。在微影裝置100中，圖案化器件MA及投影系統PS係反射的。在微影裝置100'中，圖案化器件MA及投影系統PS係透射的。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA相對於參考框架之定向、微影裝置100及100'中之至少一者之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化器件MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化器件」MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於為了形成積體電路而在目標部分C中所產生之器件中的特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的(如在圖1B之微影裝置100'中)或反射的(如在圖1A之微影裝置100中)。圖案化器件MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩包括諸如二元、交變相移或衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可將真空環境用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
微影裝置100及/或微影裝置100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個光罩台)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。
微影裝置亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1A及圖1B，照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置100、100'可為單獨的物理實體。在此類狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置100或100'之部分，且輻射光束B憑藉包括例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (圖1B中)而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置100、100'之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可被稱作輻射系統。
照明系統IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD (圖1B中)。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。另外，照明系統IL可包括各種其他組件(圖1B中)，諸如積光器IN及輻射收集器(例如聚光器) CO。照明系統IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
參看圖1A，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化器件(例如，光罩) MA上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在微影裝置100中，自圖案化器件MA反射輻射光束B。在自圖案化器件MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉器件、線性編碼器或電容性傳感器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。
參看圖1B，輻射光束B入射於被固持於支撐結構MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有至照明系統光瞳IPU之光瞳共軛物PPU。輻射之部分自照明系統光瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿光罩圖案而不受到光罩圖案處之繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈之影像。
投影系統PS將光罩圖案MP之影像MP'投影至塗佈於基板W上之抗蝕劑層上，其中影像MP'係由自光罩圖案MP藉由來自強度分佈之輻射而產生之繞射光束而形成。舉例而言，光罩圖案MP可包括線及空間陣列。在該陣列處且不同於零階繞射的輻射之繞射產生轉向繞射光束，其在垂直於線之方向上具有方向改變。非繞射光束(例如所謂的零階繞射光束)橫穿圖案，而傳播方向無任何改變。零階繞射光束橫穿投影系統PS之在投影系統PS之光瞳共軛物PPU上游的上部透鏡或上部透鏡群組，以到達光瞳共軛物PPU。在光瞳共軛物PPU之平面中且與零階繞射光束相關聯的強度分佈之部分為照明系統IL之照明系統光瞳IPU中之強度分佈之影像。孔徑器件PD例如在包括投影系統PS之光瞳共軛物PPU之平面處或大體上在該平面處安置。
投影系統PS經配置以藉助於透鏡或透鏡群組L不僅捕捉零階繞射光束，而且捕捉一階或一階及高階繞射光束(圖中未繪示)。在一些態樣中，可使用用於使在垂直於線之方向上延伸之線圖案成像的偶極照明以利用偶極照明之解析度增強效應。舉例而言，一階繞射光束在基板W之位階處與對應的零階繞射光束干涉，以在最高可能解析度及製程窗(例如，與可容許的曝光劑量偏差組合之可用聚焦深度)下產生光罩圖案MP之影像。在一些態樣中，可藉由在照明系統光瞳IPU之相對象限中提供輻射極(圖中未繪示)而減小像散像差。另外，在一些態樣中，可藉由阻擋與相對象限中之輻射極相關聯的投影系統之光瞳共軛物PPU中之零階光束來減小像散像差。全文係以引用方式併入本文中的於2009年3月31日發佈之美國專利第7,511,799號中更詳細地描述此情形。
憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未繪示)可用以(例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。
一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管基板對準標記(如所說明)佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(例如切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件MA上之情形下，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
支撐結構MT及圖案化器件MA可處於真空腔室V中，其中真空內機器人IVR可用以將諸如光罩之圖案化器件移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化器件MA在真空腔室之外部時，與真空內機器人IVR類似，真空外機器人可用於各種輸送操作。在一些情況下，需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於任何有效負載(例如光罩)平滑地轉移至轉移站之固定運動安裝台。
微影裝置100及100'可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(例如，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT (例如單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。
3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持實質上靜止，從而固持可程式化圖案化器件MA，且移動或掃描基板台WT。可使用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件MA (諸如，可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在另一態樣中，微影裝置100包括EUV源，該EUV源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。一般而言，EUV源經組態於輻射系統中，且對應的照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括輻射源(例如源收集器裝置) SO、照明系統IL及投影系統PS。輻射源SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於圍封結構220中。輻射源SO包括源腔室211及收集器腔室212，且經組態以產生及透射EUV輻射。EUV輻射可由氣體或蒸氣產生，例如氙(Xe)氣體、鋰(Li)蒸氣或錫(Sn)蒸氣，其中產生EUV輻射發射電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。至少部分地離子化之EUV輻射發射電漿210可藉由例如放電或雷射光束產生。為了高效地產生輻射，可使用為(例如) 10帕斯卡(Pa)之分壓的Xe氣體、Li蒸氣、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一些態樣中，提供受激錫之電漿以產生EUV輻射。
由EUV輻射發射電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230 (在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物截留器230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器(例如收集器光學件) CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器裝置經配置成使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點IF為EUV輻射發射電漿210之影像。光柵光譜濾光器240特別用於抑制紅外線(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224，琢面化場鏡面器件222及琢面化光瞳鏡面器件224經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束221之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束221之反射後，隨即形成經圖案化光束226，且由投影系統PS將經圖案化光束226經由反射元件228、229而成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。視情況，取決於微影裝置之類型，可存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比圖2所展示之鏡面更多之鏡面。例如，在投影系統PS中可存在比圖2中所展示之反射元件多一至六個的額外反射元件。
如圖2所說明之輻射收集器CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之輻射收集器CO較佳地與放電產生電漿(DPP)源結合使用。
實例微影製造單元
圖3展示微影製造單元300，其有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集。微影裝置100或100'可形成微影製造單元300之部分。微影製造單元300亦可包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之一或多個裝置。舉例而言，此等裝置可包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器(例如機器人) RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置100或100'之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出量及處理效率。
實例基板載物台
圖4展示根據本發明之一些態樣的實例基板載物台400之示意性說明。在一些態樣中，實例基板載物台400可包括基板台402、支撐塊體404、一或多個感測器結構406、任何其他合適組件或其任何組合。在一些態樣中，基板台402包含夾具(例如，晶圓夾具、倍縮光罩夾具、靜電夾具)來固持基板408。在一些態樣中，一個或多個感測器結構406中之每一者包含透射影像感測器(TIS)板。TIS板為包含用於TIS感測系統之一或多個感測器及/或標記物的感測器單元，該TIS感測系統用於相對於微影裝置(例如，參看圖1A、圖1B及圖2所描述之微影裝置100及微影裝置100')之投影系統(例如，參看圖1A、圖1B及圖2所描述之投影系統PS)及光罩(例如，參看圖1A、圖1B及圖2所描述之圖案化器件MA)之位置來準確地定位晶圓。雖然此處為了說明而展示TIS板，但本文中之態樣不限於任何特定感測器。基板台402安置於支撐塊體404上。一或多個感測器結構406安置於支撐塊體404上。
在一些態樣中，當實例基板載物台400支撐基板408時，基板408可安置於基板台402上。
術語「扁平」、「扁平度」或類似者可在本文中用以描述相對於表面之大體平面之結構。舉例而言，彎曲或不水平之表面可並不符合扁平平面的表面。表面上之突起及凹陷亦可經特性化為自「扁平」平面之偏差。
術語「平滑」、「粗糙度」或類似者可在本文中用以係指表面之局部變化、微觀偏差、粒度或紋理。舉例而言，術語「表面粗糙度」可指自中線或平面之表面輪廓之微觀偏差。通常將該等偏差量測(按長度單位計)為振幅參數，諸如均方根(RMS)或算術平均偏差(Ra) (例如1 nm RMS)。
在一些態樣中，上文所提及之基板台之表面(例如，圖1A及圖1B中之基板台WT、圖4中之基板台402)可為扁平的或有瘤節的。當基板台之表面係扁平的時，黏附於基板台與晶圓之間的任何微粒或污染物將會致使污染物透印晶圓，從而在其附近造成微影誤差。因此，污染物降低了器件良率並增大了生產成本。
在基板台上安置瘤節有助於減少扁平基板台之非所要的效應。當將晶圓夾持至有瘤節的基板台時，在晶圓不接觸基板台的區中可得到空的空間。該等空的空間充當污染物之囊袋以便防止印刷誤差。另一優點在於：位於瘤節上之污染物由於由該等瘤節引起的負荷增大而更可能變得壓碎。破碎污染物亦有助於減輕透印誤差。在一些態樣中，瘤節之組合之表面區域可大致為基板台之表面區域的1%至5%。此處，瘤節之表面區域係指與晶圓接觸之表面(例如不包括側壁)；且基板台之表面區域係指瘤節駐存的基板台之表面之跨度(例如不包括基板台之側面或背面)。當將晶圓夾持至有瘤節的基板台上時，與扁平基板台相比，負荷增大100倍，其足以壓碎大部分污染物。雖然此處之實例使用基板台，但該實例並不意欲為限制性的。舉例而言，本發明之態樣可針對多種夾持結構(例如，靜電夾具、夾持隔膜)且在多種微影系統(例如，EUV、DUV)中實施於倍縮光罩台上。
在一些態樣中，瘤節至晶圓之界面控管基板台之功能性效能。當基板台之表面係平滑的時，可在基板台之平滑表面與晶圓之平滑表面之間產生黏著力。兩個接觸之平滑表面黏附著在一起的現象被稱為緊貼。緊貼可由於晶圓中之高摩擦力及平面內應力而在器件製作中引起問題(例如，疊對問題) (最佳的是在對準期間使晶圓容易滑動)。
此外，已觀測到，基板台之有瘤節的表面容易發生不尋常快速磨損，特別是在遠離基板台之中心的邊緣處(例如不均勻的磨損)。不均勻的磨損造成晶圓在被夾持至基板台時彎曲，此繼而降低了器件結構之微影置放之準確度、隨著時間推移具有疊對漂移及其類似者。且由於夾持表面之全局形狀的改變，總體磨損可再引入緊貼問題且導致成像效能降低。
為了增大瘤節-頂部表面之硬度且防止該表面之摩擦磨損，本發明提供硬瘤節。如本文中所提及，術語「硬」可指大於約6.0 GPa且在一些態樣中大於約20.0 GPa的硬度；且術語「硬瘤節」可為具有大於約6.0 GPa且在一些態樣中大於約20.0 GPa之硬度的瘤節。舉例而言，硬瘤節可具有選自由DLC、AlN、SiN、CrN或任何其他合適材料或其組合組成的群組之材料。
具有硬瘤節之實例表面
圖5展示實例夾具500 (例如晶圓夾具、倍縮光罩夾具、靜電夾具)之區的橫截面說明。實例夾具500可包括第一層502 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO2 層)，該第一層包括第一表面502a。
實例夾具500可進一步包括第二層504 (例如，黏著層，諸如Cr、Al、Si或任何其他合適材料的層)，該第二層包括第二表面504a及與第二表面504a相對的第三表面504b。第二層504之第三表面504b可安置於第一層502之第一表面502a上。在一些態樣中，第二層504可經圖案化為最終或接近最終步驟。
實例夾具500可進一步包括安置於第一層502之第一表面502a上方的複數個瘤節506 (例如，DLC瘤節)。舉例而言，複數個瘤節506可安置於第二層504之第二表面504a上。複數個瘤節506之子集之硬度可大於約6.0 GPa，且在一些情況下大於約10.0 Gpa、約15.0 GPa或甚至約20.0 GPa。複數個瘤節506之厚度可大於約2.0微米，且在一些情況下大於約5.0微米、7.5微米或甚至約10.0微米。複數個瘤節506中之每一者的半徑可為約200.0微米。在一些態樣中，複數個瘤節506可包括至少約三萬個瘤節。在一些態樣中，複數個瘤節506可藉由圖案化及蝕刻第三層(例如，DLC層)以形成複數個瘤節506來形成。
實例夾具500可進一步包括安置於複數個瘤節506上方之複數個瘤節頂部507 (例如，CrN瘤節頂部)。複數個瘤節頂部507可藉由圖案化及蝕刻第四層(例如，CrN層)以形成複數個瘤節頂部507來形成。在一些態樣中，複數個瘤節506、複數個瘤節頂部507或此兩者可為導電的。
複數個瘤節506中之每一瘤節可包括第四表面506a及與第四表面506a相對的第五表面506b。瘤節之第五表面506b可安置於第二層504之第二表面504a上。複數個瘤節頂部507中之每一瘤節頂部可包括第六表面507a及與第六表面507a相對的第七表面507b。瘤節頂部之第七表面507b可安置於瘤節之第四表面506a上。
視情況，物件508 (例如，晶圓W或圖案化器件MA)可定位於複數個瘤節頂部507上方。舉例而言，物件508之第八表面508a可以可移除方式安置(例如，置放、定位)於複數個瘤節頂部507中之一或多者的第六表面507a上。
圖6展示實例夾具600 (例如晶圓夾具、倍縮光罩夾具、靜電夾具)之區的橫截面說明。實例夾具600可包括第一層602 (例如，玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO2 層)，該第一層包括第一表面602a。
實例夾具600可進一步包括安置於第一層602之第一表面602a上方的複數個瘤節606 (例如，CrN、AlN或SiN瘤節)。舉例而言，複數個瘤節606可安置於第一層602之第一表面602a上。複數個瘤節606之子集之硬度可大於約6.0 GPa，且在一些情況下大於約10.0 GPa、約15.0 GPa或甚至約20.0 GPa。複數個瘤節606之厚度可大於約2.0微米，且在一些情況下大於約6.0微米、7.5微米或甚至約10.0微米。在一些態樣中，複數個瘤節606可包括至少約三萬個瘤節。在一些態樣中，複數個瘤節606可藉由圖案化及蝕刻第二層(例如，CrN、AlN或SiN層)以形成複數個瘤節606來形成。
複數個瘤節606中之每一瘤節可包括第二表面606a及與第二表面606a相對的第三表面606b。瘤節之第三表面606b可安置於第一層602之第一表面602a上。
視需要，物件608 (例如，晶圓W或圖案化器件MA)可定位於複數個瘤節606上方。舉例而言，物件608之第四表面608a可以可移除方式安置(例如，置放、定位)於複數個瘤節606中之一或多者的第二表面606a上。在一些態樣中，複數個瘤節606可為導電的。
用於製造具有硬瘤節之表面之實例製程
圖7為用於製造根據本發明之一些態樣之裝置或其部分的實例方法700。參考實例方法700所描述之操作可藉由或根據本文中所描述之系統、裝置、組件、技術或其組合中之任一者來執行，諸如參考上文圖1至圖6及下文圖8所描述之系統、裝置、組件、技術或其組合。
在操作702處，該方法可包括提供包括第一表面之第一層。在一些態樣中，提供第一層可包括提供玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO2 層(例如經由PECVD或任何其他合適技術而沈積)或任何其他合適層。
在操作704處，方法可進一步包括在第一層之第一表面上方形成複數個瘤節。形成複數個瘤節可包括形成複數個瘤節之子集達大於約6.0 GPa之硬度。在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括由DLC形成複數個瘤節。在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括形成複數個瘤節達大於約2.0微米、大於約5.0微米或大於約10.0微米之厚度。在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括由選自由AlN、SiN或CrN組成的群組之材料形成複數個瘤節。在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括形成至少約三萬個瘤節。在一些態樣中，形成複數個瘤節之子集可包括形成複數個瘤節之子集達大於約10.0 GPa、大於約15.0 GPa或大於約20.0 GPa之硬度。
在一些態樣中，形成複數個瘤節可包括：形成包括第二表面及與第二表面相對的第三表面之第二層，其中該第二層之第三表面安置於第一層之第一表面上；及形成包括第四表面及與第四表面相對的第五表面之第三層，其中該第三層之第五表面安置於第二層之第二表面上，且其中形成複數個瘤節可包括圖案化該第三層以形成複數個瘤節。在一些態樣中，形成第二層可包括形成黏著層。在一些態樣中，形成黏著層可包括由選自由Cr或Al組成的群組之至少一種材料形成黏著層。在一些態樣中，形成第三層可包括由DLC形成第三層。視情況，在一些態樣中，方法可進一步包括在大於約350攝氏度之溫度下固化第一層及複數個瘤節。
圖8為用於製造根據本發明之一些態樣之裝置或其部分的實例方法800。參考實例方法800所描述之操作可藉由或根據本文中所描述之系統、裝置、組件、技術或其組合中之任一者來執行，諸如參考上文圖1至圖7所描述之系統、裝置、組件、技術或其組合。
在操作802處，方法可包括收納晶圓夾具，諸如已自現場返回的具有破損玻璃瘤節之晶圓夾具。該晶圓夾具可包括：第一層，其包括第一表面；及安置於第一層之第一表面上方之第一複數個瘤節。第一層可包括玻璃基板、硼矽酸鹽玻璃基板、鹼土硼鋁矽酸鹽基板、SiO2 層(例如經由PECVD或任何其他合適技術而沈積)或任何其他合適層。第一複數個瘤節可包括複數個玻璃瘤節，其中一些可破裂或破損。在一些態樣中，第一複數個瘤節可具有小於或等於約6.0 GPa之硬度。
在操作804處，方法可包括移除第一複數個瘤節。移除第一複數個瘤節可包括研磨第一複數個瘤節、第一複數個瘤節與第一層之間的任何中間層。在一些態樣中，移除第一複數個瘤節可進一步包括研磨第一層之一部分以形成第一層之經修改之第一表面。移除第一複數個瘤節可進一步包括拋光第一層之第一表面(或在一些態樣中，形成第一層之經修改第一表面，作為研磨第一層之部分的結果)。在一些態樣中，在已移除第一複數個瘤節之後，方法可包括執行最終拋光以確保第一層之表面適當地沒有缺陷。隨後，方法可包括(例如經由諸如PECVD之製程)沈積SiO2 或另一介電材料之厚度以返回至第一層(例如硼矽酸鹽板)之初始厚度。
在操作806處，方法可進一步包括在第一層之第一表面(或在一些態樣中，第一層之經修改第一表面)上方形成第二複數個瘤節。形成第二複數個瘤節可包括形成第二複數個瘤節之子集達大於約6.0 GPa之硬度。在一些態樣中，形成第二複數個瘤節包括由選自由DLC、AlN、SiN或CrN組成的群組之材料形成第二複數個瘤節。在一些態樣中，形成第二複數個瘤節包括形成第二複數個瘤節達大於約2.0微米、大於約5.0微米或大於約10.0微米之厚度。在一些態樣中，形成第二複數個瘤節包括形成至少約三萬個瘤節。在一些態樣中，形成第二複數個瘤節之子集包括形成第二複數個瘤節之子集達大於約10.0 GPa、大於約15.0 GPa或大於約20.0 GPa之硬度。
在以下編號條項中闡明本發明之其他態樣。 1.     一種用於製造一裝置之方法，其包含： 提供包含一第一表面之一第一層；及 在該第一層之該第一表面上方形成複數個瘤節，其中該形成該複數個瘤節包含形成該複數個瘤節之一子集達大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。 2.     如條項1之方法，其中該提供該第一層包含提供一玻璃基板。 3.     如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含由類金剛石碳(DLC)形成該複數個瘤節。 4.     如條項3之方法，其中該形成該複數個瘤節包含形成該複數個瘤節達大於約2.0微米之一厚度。 5.     如條項3之方法，其中該形成該複數個瘤節包含形成該複數個瘤節達大於約5.0微米之一厚度。 6.     如條項3之方法，其中該形成該複數個瘤節包含形成該複數個瘤節達大於約10.0微米之一厚度。 7.     如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含由選自由氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)組成的群組之一材料形成該複數個瘤節。 8.     如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含形成至少約三萬個瘤節。 9.     如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節之該子集包含形成該複數個瘤節之該子集達大於約10.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。 10.   如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節之該子集包含形成該複數個瘤節之該子集達大於約15.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。 11.   如條項1之方法，其中該形成該複數個瘤節之該子集包含形成該複數個瘤節之該子集達大於約20.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。 12.   如條項1之方法，其中形成該複數個瘤節包含： 形成包含一第二表面及與該第二表面相對的一第三表面之一第二層，其中該第二層之該第三表面安置於該第一層之該第一表面上；及 形成包含一第四表面及與該第四表面相對的一第五表面之一第三層，其中該第三層之該第五表面安置於該第二層之該第二表面上， 其中該形成該複數個瘤節包含圖案化該第三層以形成該複數個瘤節。 13.   如條項12之方法，其中該形成該第二層包含形成一黏著層。 14.   如條項13之方法，其中該形成該黏著層包含由選自由鉻(Cr)或鋁(Al)組成的群組之至少一種材料形成該黏著層。 15.   如條項12之方法，其中該形成該第三層包含由類金剛石碳(DLC)形成該第三層。 16.   一種用於製造一裝置之方法，其包含： 收納一晶圓夾具，其中該晶圓夾具包含 包含一第一表面之一第一層，及 安置於該第一層之該第一表面上方之第一複數個瘤節； 移除該第一複數個瘤節；及 在該第一層之該第一表面上方形成第二複數個瘤節，其中該形成該第二複數個瘤節包含形成該第二複數個瘤節之一子集達大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。 17.   如條項16之方法，其中該形成該第二複數個瘤節包含由選自由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)組成的群組之至少一種材料形成該第二複數個瘤節。 18.   如條項16之方法，其中該形成該第二複數個瘤節包含形成該第二複數個瘤節達大於約2.0微米之一厚度。 19.   一種裝置，其包含： 包含一第一表面之一第一層；及 安置於該第一層之該第一表面上方之複數個瘤節，其中該複數個瘤節之一子集之一硬度大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)。 20.   如條項19之裝置，其中該複數個瘤節包含選自由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)組成的群組之至少一種材料。
在一些態樣中，形成第二複數個瘤節包括：形成包括第二表面及與第二表面相對的第三表面之第二層，其中該第二層之第三表面安置於第一層之第一表面上；及形成包括第四表面及與第四表面相對的第五表面之第三層，其中該第三層之第五表面安置於第二層之第二表面上，且其中形成第二複數個瘤節包括圖案化該第三層以形成第二複數個瘤節。在一些態樣中，形成第二層包括形成黏著層。在一些態樣中，形成黏著層包括由選自由Cr或Al組成的群組之至少一種材料形成黏著層。在一些態樣中，形成第三層包括由DLC形成第三層。視情況，在一些態樣中，方法可進一步包括在大於約350攝氏度之溫度下固化第一層及第二複數個瘤節。
儘管在本文中可特定參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統，用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至之材料。在一些態樣中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。
本文中所揭示之實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多個條件及參數之其他合適修改及調適係在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考裝置及/或系統在IC之製造中的使用，但應明確理解，此類裝置及/或系統具有多種其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別由更一般術語「光罩」、「基板」及「目標部分」替換。
雖然上文已描述本發明之特定態樣，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐該等態樣。該描述不意欲限制本發明之實施例。
應瞭解，實施方式章節而非先前技術、發明內容及發明摘要章節意欲用於解譯申請專利範圍。發明內容及發明摘要章節可闡述如由發明人預期的一或多個但並非所有例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制本發明實施例及所附申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明之一些態樣。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要恰當地執行指定功能及該等功能之關係，就可界定替代邊界。
對本發明之特定態樣之前述描述將如此充分地揭露態樣之一般性質而使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內的知識、針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定態樣，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示態樣之等效者的涵義及範圍內。
本發明之廣度及範疇不應受上述實例態樣或實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。
100:微影裝置 100':微影裝置 210:極紫外線(EUV)輻射發射電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:圍封結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡面器件 224:琢面化光瞳鏡面器件 226:經圖案化光束 228:反射元件 230:選用氣體障壁或污染物截留器/污染截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 300:微影製造單元 400:實例基板載物台 402:基板台 404:支撐塊體 406:感測器結構 408:基板 500:實例夾具 502:第一層 502a:第一表面 504:第二層 504a:第二表面 504b:第三表面 506:瘤節 506a:第四表面 506b:第五表面 507:瘤節頂部 507a:第六表面 507b:第七表面 508:物件 508a:第八表面 600:夾具 602:第一層 602a:第一表面 606:瘤節 606a:第二表面 606b:第三表面 608:物件 608a:第四表面 700:實例方法 702:操作 704:操作 800:實例方法 802:操作 804:操作 806:操作 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:輻射收集器 DE:顯影器 IF:位置感測器/虛擬源點 IF1:位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統/照明器 IN:積光器 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 L:透鏡或透鏡群組 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化器件 MP:光罩圖案 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PD:孔徑器件 PM:第一定位器 PPU:光瞳共軛物 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:基板處置器 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:脈衝式輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 V:真空腔室 W:基板 WT:基板固持器/基板台
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之態樣之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明之態樣。
圖1A為根據本發明之一些態樣的實例反射微影裝置之示意性說明。
圖1B為根據本發明之一些態樣的實例透射微影裝置之示意性說明。
圖2為根據本發明之一些態樣的圖1A中所展示之反射微影裝置之更詳細示意性說明。
圖3為根據本發明之一些態樣的實例微影製造單元之示意性說明。
圖4為根據本發明之一些態樣的實例基板載物台之示意性說明。
圖5為根據本發明之一些態樣的實例夾具之區的橫截面說明。
圖6為根據本發明之一些態樣的另一實例夾具之區的橫截面說明。
圖7為用於製造根據本發明之一些態樣之裝置或其部分的實例方法。
圖8為用於製造根據本發明之一些態樣之裝置或其部分的另一實例方法。
根據下文結合圖式所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，除非另外指示，否則相同元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
500:實例夾具
502:第一層
502a:第一表面
504:第二層
504a:第二表面
504b:第三表面
506:瘤節
506a:第四表面
506b:第五表面
507:瘤節頂部
507a:第六表面
507b:第七表面
508:物件
508a:第八表面

Claims (20)

  1. 一種用於製造一裝置之方法，其包含： 提供包含一第一表面之一第一層；及 在該第一層之該第一表面上方形成複數個瘤節，其中該形成該複數個瘤節包含形成該複數個瘤節之一子集達大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。
  2. 如請求項1之方法，其中該提供該第一層包含：提供一玻璃基板。
  3. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含：由類金剛石碳(DLC)形成該複數個瘤節。
  4. 如請求項3之方法，其中該形成該複數個瘤節包含：形成該複數個瘤節達大於約2.0微米之一厚度。
  5. 如請求項3之方法，其中該形成該複數個瘤節包含：形成該複數個瘤節達大於約5.0微米之一厚度。
  6. 如請求項3之方法，其中該形成該複數個瘤節包含：形成該複數個瘤節達大於約10.0微米之一厚度。
  7. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含：由選自由氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)組成的群組之一材料形成該複數個瘤節。
  8. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節包含：形成至少約三萬個瘤節。
  9. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節之該子集包含：形成該複數個瘤節之該子集達大於約10.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。
  10. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節之該子集包含：形成該複數個瘤節之該子集達大於約15.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。
  11. 如請求項1之方法，其中該形成該複數個瘤節之該子集包含：形成該複數個瘤節之該子集達大於約20.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。
  12. 如請求項1之方法，其中形成該複數個瘤節包含： 形成包含一第二表面及與該第二表面相對的一第三表面之一第二層，其中該第二層之該第三表面安置於該第一層之該第一表面上；及 形成包含一第四表面及與該第四表面相對的一第五表面之一第三層，其中該第三層之該第五表面安置於該第二層之該第二表面上， 其中該形成該複數個瘤節包含圖案化該第三層以形成該複數個瘤節。
  13. 如請求項12之方法，其中該形成該第二層包含：形成一黏著層。
  14. 如請求項13之方法，其中該形成該黏著層包含：由選自由鉻(Cr)或鋁(Al)組成的群組之至少一種材料形成該黏著層。
  15. 如請求項12之方法，其中該形成該第三層包含：由類金剛石碳(DLC)形成該第三層。
  16. 一種用於製造一裝置之方法，其包含： 收納一晶圓夾具，其中該晶圓夾具包含 包含一第一表面之一第一層，及 安置於該第一層之該第一表面上方之第一複數個瘤節； 移除該第一複數個瘤節；及 在該第一層之該第一表面上方形成第二複數個瘤節，其中該形成該第二複數個瘤節包含形成該第二複數個瘤節之一子集達大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)之一硬度。
  17. 如請求項16之方法，其中該形成該第二複數個瘤節包含：由選自由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)組成的群組之至少一種材料形成該第二複數個瘤節。
  18. 如請求項16之方法，其中該形成該第二複數個瘤節包含：形成該第二複數個瘤節達大於約2.0微米之一厚度。
  19. 一種裝置，其包含： 包含一第一表面之一第一層；及 安置於該第一層之該第一表面上方之複數個瘤節，其中該複數個瘤節之一子集之一硬度大於約6.0千兆帕斯卡(GPa)。
  20. 如請求項19之裝置，其中該複數個瘤節包含選自由類金剛石碳(DLC)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiN)或氮化鉻(CrN)組成的群組之至少一種材料。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
US7511799B2 (en) 2006-01-27 2009-03-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method
KR20140023927A (ko) * 2011-03-11 2014-02-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정전기 클램프 장치 및 리소그래피 장치
CN104272190A (zh) * 2012-02-03 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
CN104797979B (zh) * 2013-01-22 2018-04-17 Asml荷兰有限公司 静电夹具
KR101586426B1 (ko) * 2014-07-25 2016-02-02 공준호 서셉터의 보수 방법
NL2017014A (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Asml Netherlands Bv A Support Apparatus, a Lithographic Apparatus and a Device Manufacturing Method

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