TW312034B - - Google Patents

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經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（/ ) 〔相關申請案〕 本案係B 1 ake等人在1 993年1月1 5日向美 國專利商標局提申之名稱為”晶圓感應與夾持監視器”之 第08/005 ，030號申請案之部分接續案（CIP )〇 〔發明領域〕 本發明係關於一種將一半導體晶圓握持放在一晶圓支 架之靜電夾具，尤關於一種控制這種夾具之方法和裝置。 〔背景技術] 美國第5 ，1 03 ，367號專利案，名稱為”使用 交流場激勵之靜電夾頭，係關於一種機構Μ將半導體晶圓 握持，在晶圓之處理時，使之與一支架接觸。此靜電夾頭 有三個電極，其中兩個電極界定一大致上為一平面狀表面 ，而且是嵌在一薄的介電薄膜之内。此二電極係由一低頻 (大約2 0 ◦赫茲）交流電源激勵，Μ產生受控制振輻和 相位之正弦波信號電磁場。第三個電極連接一個屏蔽電極 ，屏蔽電極之功能為做其他兩個電極之參考點。經由控制 電壓之施加和移除，得Μ在晶圓支架上得到低電壓梯度， 使得介電介質和晶圓之間沒有滯溜力。夾頭之低交流振輻 激勵使電容性電流感應晶圓的相對位置，而介電薄膜使得 Μ對電極所施加電壓之控制簡單。 在靜電夾持時所遭遇到的一個共同問題就是當施加到 夾具的握持電壓關閉時，晶圓有時無法從夾具處放.開，這 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） --------Γ—Τ 装------訂------I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 312034 A7 _B7_ 五、發明説明（二） 之中有許多因素會等致殘留夾力。 首先，大多數的電介質在曝露於一強電場下可顯出某 一程度之半永久性極化，此極化即使在所施加電壓除去之 後仍有維持夾持力之效果。具有高介電常數之材料特別容 易有這種效果，而且這種材料特別適合做為晶圓支架，因 其高介電常數提供良好夾持力。 第二，夾具内所貯存之彈性能量可造成殘餘夾持力， 即使絕佳電介質材料沒有任何殘餘極化。舉例言之，在夾 具结構有一部份為彈性體，夾具之電容變成與電壓有關。 此使得在包括夾具之串聯容無法將電源短路而放電。更正 確地說，所貯存之能量必須在一外部電路散發。由於夾具 線路並非簡單的直流電源，其包括了電容和電感，想藉由 一外部電路短路而抽出貯存能量係行不通。 〔發明簡介〕 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種在晶圓之離子束處理之前和之後用 以操作一半導體晶圓之方法和裝置。在處理之前，半導體 晶圓係藉由在晶圓與支架之間建立一靜電吸引力而固定到 該晶圓支架上。然後，晶圓典型上是被移到一處理站，再 回到一裝載站，並由該支架處移去。 在處理.晶圓之時，由於相互靜電吸引力而使晶圓與晶 圓支架互相吸引，而這最好是藉由將設在晶圓支架內之電 極供電而達成，而一電源將電極偏壓以產生此靜電引力。 在處理完晶圓之後.，電源之輸出極性在一控制速率下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 切換，Μ減少晶圓與晶圓支架之間的吸引力。此舉允許晶 圓藉由習用機械式晶圓操作裝置而從其支架處移去。受控 制之切換可利用逐漸降低施加在支架電極之電位差幅度之 逐漸降低而達成。藉由晶圓與支架之間吸引力之漸消，晶 圓可在不損傷的情況下移去，因而增加離子植入機之效率 C. 在習用晶圓處理系統中由於貯存在晶圓支架内之電荷 而造成晶圓與晶圓支架之間有殘餘吸力之情況有可能發生 ，在檢視靜電夾具之構造和结構之後，支架可定義成串聯 之多個電容器，不同的電容器由於不同材料層而有不同介 電常數。所有的電容器在晶圓支架之簡單短路下無法完全 放電，因為一旦內部達到一定穩定狀態（一電容器在過程 中變成另一電容器之放電源），放電電流即停止流動。本 發明實際操作時可持續放電直到所餘電荷可忽略不計。 偏置電壓之衰減幅度可利用頻率調制而逼近，所謂頻 率調制是以從低到高之可變頻率切換電源（横越二支撐電 極者）之電壓極性。這種技術是基於電容器並非理想，仍 會因晶圓支架之彈性體材料而有實際上”浪費” （lossy )之介電常數。讓電容器做這個動作可使貯存之能量散發

C 從上所述，本發明之目的為一協助晶圓操作同時維持 晶圓控制之離子植入裝置和方法，而此最好是依據本發明 所揭示和請求之晶圓釋放裝置及方法之结構與方式。本發 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0 X 297公釐） ----；---^--J 装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '-° S120S4 A7 _B7五、發明説明（4 ) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 及路 應制概 圖 最亦由 層層介 示 電 。 供 控 路' 見 一 ί 層璃璃 與 圖測 圖 力Μ線 ί 括 6 一玻玻 圓 附量 面。 動 出 之 2 包 1 及在於 晶 所容 平圖 之 輸 性 Ιο 件Μ插置 到 合 電 之面 。路 之 極 圓 1 構 ，係係 口 配一 架剖圖電 路 出 晶成座 846 開 在和 支之示應 電 輸 體總基 122 成 徵， 圓取概感 測 之 導具一層、件 總 特成 晶 所之之 偵 源 半夾，電 2 元 頭 和。 總 之面路中 容 電 一此 4 介 2 熱 夾 點楚 具 機平電 Α 電 之 持 ，1 之極加 過 優清 夾 入 3 應 4 之 中 握 ο 板成電一 穿 、 更 電 植 I 感和 A 。 1 和 1 底製。而。伸 的會 靜 子 3 容 4 4 統圖 撐 成之璃 ο - 間延 目將 一 離 之電圖 和糸制 支總成玻 2 間之 8 他下 、 一中一應 4 制控 | 具製一層之 6 2 其明 源 於 2 係供 圖控為 述為夾鉬、電 οι 頭 及說 電 用圖AK用之 8 詳者之 或 } 介 2 件接 的之 D 一 使沿 4 用 使機圖 例示工 鋁成之層構管 目 例介係 。係係 各係 係入各 施所加 化製成 電座體 一施簡 1 圖 2 3 4 5 6 植 7 簧中利氧鋁製介基氣 此實示 圖示圖 圖圖圖 。圖子圖 。佳圖M由化 鋁和與 一 的佳圖 概 路 離 圖最 } 是氧化 88 明 較 ',」 之 電 一 示卩、 3 好由氧 1 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21〇X：297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 ^12034 ΑΊ Β7 五、發明説明（J·) 電層2 0之間的介面，Μ提供晶圓與夾頭之間的氣體傳導 式冷卻，如美國第4 ，2 6 1 ，7 6 2號專利案中所述者 。在介電層2 ◦之頂部表面形成有一氣體分配槽2 9 Μ協 助氣體之分配。 基座構件1 6界定出一具有一溝30之歧管，Μ利冷 却流體之流動。在所示之最佳實施例中，溝3 0之形狀為 螺線形；然而，其亦可沿一迂迴路經流動，或為一列互相 連接的溝。溝3 0由底板1 4封閉以形成一封閉管路，而 底板1 4係靠在歧管上密封。在底板1 4上設有冷媒入口 管接頭3 2和一冷媒出口管接頭3 4用之開口。由於本夾 頭缌成係要在較大的溫度範圍下工作，流經歧管之冷媒最 好是液體或氣體，視其應用而定。 〔夾具结構〕 介電層20最好是由高純度（99 · 5%)之薄層（ 大約為0· 25mm)氧化鋁所形成。然後，電極22各 24形成在介電層之底部表面（由圖2觀之），而且最好 是將糊狀銅鋁或銀鈀金屬粉末和玻璃原料K網板印刷方式 印在介電層2 ◦上，然後將之加熱至大約7 ◦ OC。如圖 1中所示，電極由平面圖觀之主要為半圖形。 加熱元件2 6係將糊狀_粉末和玻璃原料Μ網板印刷 印在連續迂管形式之歧管上，迂管之幾何形狀最好是圖3 中所示之形狀，Κ在外緣提供較高之加熱能量密度，俾使 夾頭之溫度均勻。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） ----；---；-丨-'!裝------訂------7. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明U ) 一旦電極2 2各2 4以及加熱元件2 6被燒在介電層 2 0上，介電層2 0即被固定在歧管上。在上述組裝完畢 後，底板1 4即藉由銅銲或一密封玻璃而密封在歧管1 6 之底部。 如圖3中所示，通孔3 6、3 8形成穿過底板1 4、 歧管6和介電層1 8 ，使一第一導體40與電極2 2連接 ，亦使一第二導體4 2得與電極2 4連接。導體4 0和4 2係藉由銅銲或其他便利方式而附接到電極上，例如利用 可與電極結合之彈簧接點，導體40和4 2亦連接到一電 源4 4 (見圖1 )，其提供大約3仟伏特直流電之訊號， K產生一靜電夾持力給置放在介電層2 0之表面之半導體 晶圓1 2。電源4 4包括二組件4 4 a和4 4 b ，二者係 耦合在一起，K提供一雙極輸出。 通孔46和48亦形成穿過底板1 4和歧管1 6，使 一第三導體5 0得以附接到一加熱元件2 6之一端子（同 樣是利用銅銲或類似方式） > 亦使一第四導體5 2以類似 方式附接到加熱元件2 6之另一端子，俾將加熱元件2 6 連接到一個第二電源54 (典型上在120伏特操作）。 通孔3 6和3 8M及用於氣體管接頭2 8之孔最好是機製 在结構內，而且Μ密封玻璃密封通孔36和38，且Μ密 封玻璃將管接頭固定在其孔内。 〔電容感應電路〕 如圖1中所示，由電極22和24而來之二輸入端1 -8 ~ 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •Η^ 訂 ^t3QS4 A7 B7 五、發明説明（Ί ) 1 ◦和1 1 2係耦合到一電容感應電路1 1 4。一跨越二 輸入端1 1 0和1 1 2之電容與二電極2 2 $ 2 4之間的 電容相應，而且由晶圓和施加到電極之電壓所影響。這兩 個輸入端耦合到一個在一積體電路2 2內之運運算放大器 ，此積體電路係一可購得M L F 3 5 6型電路，而且可由 國家半導體公司（National Seuiqandductor)取得。 運算放大器1 20產生一輸出，K與輸入端1 1 0 ，1 1 2之間之電容直接有關之頻率一起振盪。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由運算放大器1 2 0而來之振盪輸出訊號在0和5伏 +特之.間變動，此訊號被整型，然後耦合到一比較放大器1 30，比較放大器1 30具有有一參考輸入1 32，其係 * 被齊納二極體1 3 4所定義大约在5伏特，比較放大器1 3 ◦產生一方波訊號輸出，該輸出具有50%工作週期， 其0N之週期隨著所感應之t容量變化。對一個4英吋之 圓型晶圓而言，該周期在無晶圓時大約為2 0微秒；而有 晶圓在介電層2 ◦上時該周期為3 0微秒；若有晶圓而且 電源4 4施加夾持電壓（大約3仟伏特）到電極上時，該 周期為4 0微秒。 由比較放大器1 3 0而來之輸出點亮和熄滅與相關光 電探測器光電隔絕之發光二極體1 40各1 42。一個頂 部光電感應器1 4 4係用於診斷目的，而感應器1 4 4之 輸出1 4 8可耦合到一示波器，K監視與電容量變化之頻 率。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（Υ ) 一第二光電感應器1 4 6產生一訊號，Μ打開和熄滅 耦合到一類比開關1 5 2 (見圖4 A )之電晶體1 5 0。 此類比開HI 1 5 2具有一個輸入（I N )耦合到電晶體1 5 0之集極，當電晶體導通和斷路時，開關1 5 2之輸出 端S 1 ，S 2根據比較器1 3 0來之方波頻率輸出而依序 從接地到8伏特變化其狀態。 類比開關1 5 2之輸出由一電阻，電容電路1 5 4整 合，使輸入到一運算放大器1 6 2之非反相輸入1 6 0為 與由電路1 1 4感應所得之電容量直接有關之電壓電平。 操作放大器1 6 2之功能如同一電壓輸出器，使得標註為 FVOUT之輸出1 64為直接與所感應之電容量有關之 直接輸出訊號。此直流輸出訊號係由一植入機控制糸統2 5 0 (見圖6 )所使用，以監視糸統之性能。將晶圓放置 到夾頭之晶圓操作器係在感應到現有晶圓的狀況下才會被 致動。一但感應到有晶圓，由控制電路2 5 0之輸出作動 直流電源4 4，以致能電極2 2和2 4，使夾具和晶圓之 間有靜電吸引力。 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 現在請參閱圖5，圖中所示者為適合產生用於電容感 應電路1 14之電壓的電源供應電路200。在圖5左端 之二輸入端2 1 ◦、2 1 2提供一電壓，K致能一發光二 極體2 1 3 ，此電壓由於一齊納二極體2 1 4之電壓夾持 操作而產生一 1 2伏特訊號。此1 2伏特訊號然後被耦合 到積體電路電壓調整器2 1 6和2 1 8，以產生+8和+ -1 0- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 312034 A7 B7 五、發明説明（？） 5伏特。一直流至直流變換器220提供正、負1 5伏特 訊號。這些電壓被施加到圖4、圖4A中之線路上，以產 生本發明之電容感應能力。 〔晶圓之釋放] 圖6中之植入機控制系統2 5 0與圖7和圖8中之晶 圓釋放電路3 0 ◦相接，而晶圓釋.放電路3 0 0係以雙極 輸出结構作動電源44，電路3 0 0包括一邏輯驅動電路 3 1 0 ，其具有耦合至二電源供應組件44 a 、44b之 輸出端0 U T 1和◦ U T 2。電源供應組件最好是可由佛 羅里達州·奧蒙海灘（〇 r πι ο n d B e a c h)之伽瑪高電壓公司 (Gamma High Voltage)購得之MC- 3 0型電源供應器 。二輸入端I N 1和I N2控制輸出端OUT 1和OUT 2。當I N 1為正時，邏輯電路3 1 0之輸出端OUT 1 為正，而且做為一電流源，Μ作動一第一電力供應組件4 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 a。當此發生時，跨越裝設在晶圓支撐物之二電極之電 壓為一第一極性。當I N 2為正極時，邏輯電路3 1 0之 輸出端0 U T 2為正極而且做為一電流源，Μ觸動電力供 應組件44 Β，使得跨越二電極之電壓之極性被切換。電 路3 10可由SGS湯普森公司（Thompson)之L6 20 2號零件取得。 當一片晶圓放在支撐層2 0上Μ後，在晶圓植入之前 ，電源4 4之一組件被觸動，Μ維持晶圓和支架之間的靜 電吸引力。為達此目的，到電路3 1 0之ENABLE輸 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央梂準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（) 入312為h i gh ，而輸入端INI和IN2二者之一 在離子植入時維持為正極。此舉使得有一固定電壓施加到 電極2 2和2 4。以維持晶圓和支架之間的靜電吸引力。 當晶圓要從支架上釋放時，到電路3 1 0之致能輸入 E N A B L E仍維持為h ί g h ，但二輸入端I N 1和I N 2由一正反器3 2 0而來之Q和_反0輸出而交替地打開 和關閉。電源之極性切換頻率係由正反器3 2 0之輸入3 2 2所控制。正反器3 2 0係被作成一個除K 2之計數器 ，使得若是輸入之頻率為f ，輸出改變狀態成為頻率為f / 2。當Q與反Q輸出切換時，組件4 4 A a和4 4 b的 其他一個被觸動，以切換跨越在晶圓支架内之二電極之極 性。 現在請參閱圖7 ，正反器320之輸入322係由一 具有二輸入端332和334之”和”和330而來。’’ 和”閘3 3 0之一輸入端3 3 2取決於由控制器2 5 0而 來之控制訊號，而控制器2 5 ◦係施加跨越接到一光電隔 離器344之二輸入端340和342。當輸入端340 相對於另一輸入端34 2為正極時，電流流經在光電隔離 器340内之發光二極體344 a ，Μ觸動一光電感測器 344b。此舉產生一縐合到輸入端332之低輸出。跨 越二輸入端34 0和34 2之電壓是在控制器2 5 0感應 到有一晶圓在支架上且因應之而觸動晶圓和支架之間的靜 電吸引力而由控制器2 5 0施加之。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----；--^~丨~'J裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（ii ) 當由控制器2 5 ◦施加一夾具觸動電壓到輸入端34 0和3 4 2時，由輸入端3 3 2到”和”'閘3 3 0之訊號 為1 o w ，使”和”閛3 3 0之輸出為1 o w ，並雄持正 反器3 2 0在某一狀態（在該狀態下在夾持時並不重要 )。如圖7中所示，光電隔離器3 4 4之低輸出訊號係施 加到一”反或”閘3 5 0 ，”反或”閘3 5 0具有一輸出 端，其經由一反相器352而耦合到一”和”閘354 ( 見圖8)。光電隔離器344之低輸出導致’’和”閘35 4輸出為h i sh ，使邏輯驅動電路3 1 0之致能輸出3 1 2接收一觸動訊號。二輸入端I N 1和I N 2使組件4 4 a和4 4 b二者之一被觸動，使得有一電壓差施加到晶 圓支架内之電極。此舉觸動晶圓支架與晶圓之間的靜電吸 引力。由反相器3 5 3到”和”閘3 5 4之第二輸入端接 收一個由FV0UT訊號1 64衍出之硬體產生的晶圓感 應訊號。 在離子植入之後，控制器2 5 0反觸動靜電吸引力， 其係藉由提供一控制訊號導致施加在晶圓電極上之電壓極 性的來回改變，藉此散發晶圓與電極之間的靜電能量。 當控制器2 5 0反觸動晶圓夾持時，光電隔離器之輸 出訊號為h i g h ，因而確保”和”閘3 3 0之一輸入端 亦為h i gh。兩個額外的由控制器產生之輸入端36〇 和3 6 2耦合到一第二光電隔離器3 64。當輸入端3 6 0之電壓比輸入端3 6 2之電壓遷正時，第二光電隔離器 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 「裝 訂 J/· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局舅工消费合作社印製 A7 五、發明説明（a ) 3 64被觸動而且光電隔離器之低輸出經由一反相器3 6 6耦合，因而變為h i g h。此高輸入訊號被耦合到一第 一單擊370 (one-shot )，造成由單擊370之Q輸 出3 7 3為h i g h 。反Q輸出同時為1 o w而且耦到閘 350 Μ致能驅動電路3 1 0。由是，即使由控制器而來 之訊號3 4 0被移去，驅動電路仍.然被致能。單擊3 7 0 之Q輸出係被耦合到一第二單擊3 8 0，其结構有如一振 盪電路。此單擊之Q輸出係經由一内部電路反饋一觸動輸 入端，而該内部電路使第二單擊3 8 0 Κ —大約2 OH ζ 既定頻率振盪，此使得到”和”閘3 3 0之輸入端3 3 4 在該頻率下脈動。如上所述，”和”閘3 3 0之輸入端係 耦合到一個作用為除M2計數器之正反器，此使得電極之 極性來回振盪一與第一單擊3 7 0之輸出時間相等的時間 。在單擊370計時完了後，由此單擊370之Q輸出反 觸動振盪單擊3 8 0，同時將致能訊號從電路3 1 0處移 去。 依據本發明的控制釋放機構之第二實施例，控制器2 5 0直接觸動輸入端3 4 0和34 2以用於控制之0Ν/ OFF間隔。當輸入端340為h i gh時，接點322 為1 ow。藉由使輸人端340之時鐘脈衝在一控制或可 變速率下，由電路3 1 0而來之頻率切換受到控制，而此 控制二電源供應組件4 4 a和4 4 b之極性切換。在單擊 370之輸人端之三個跳躍接點PI 、P2、P3之設定 -14- 本紙張尺度適用中國國家標车（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----'--丨·--裝------訂------^ 乂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 3 ί 2 〇 3 4 Α7 Β7 五、發明説明（) 係取決於控制器進行單擊3 7 0 K及多諧振盪器3 8 0之 切換或組合。一跨接P 1各P 2之跳線使單擊3 7 0去能 ，而跨接P 2和P 3之接片則致能該單擊3 7 0。 〔操作〕 在操作時，要被加工之晶圓1 2係放置在層2 0之表 面，而電源4 4將被供能以施加一靜電吸引力在晶圓和層 2 0之間，其力量足K使晶圓維持在夾頭上。然後夾頭1 0可被轉動和移動，Μ將晶圓帶至一晶圓處理站，例如一 離子植入室。 植入機控制糸統2 5 0 (見圖6)具有多個裝置介面 Μ接數由感應器252 (例如壓力計、伏特計、量測機械 位置之編碼器，Μ及FV0UT輸出164)而來之輸入 ，而且送出操作命令到機器和電子元件2 54 ((例如閥 、動力供應器、機械臂、Κ及靜電夾具電源44)。 在該控制系統内設有不同之交叉檢查，其必須在送出 操作命令（例如閥到低溫泵之間不能開啟，除非確認該室 已在大概真空下）之前加Μ進行。輸出端164指示晶圓 所在Μ及晶圓是否被夾住，並提供重要資訊作為交叉檢查 ，以實行晶圓操作和植入操作。例如，本缌成1 0不會旋 轉到垂直位置，除非確認晶圓被毽固地夾住。同樣地，夾 具不會被觸動，除非確認有晶圓在夾具上。當一種重要交 叉檢查故障時，控制糸統2 5 0有能力將植入機放置到Η 0 L D情況（暫停不動作），以預防機器或晶圓之損壞。 -1 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠） _ 一1 裝------訂_------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明説明（A A7 B7 者 查記者 位 5 逆性吸 電狀 明示 作 檢並作 12 性極電 應之 發揭 操叉，操 到器極替靜 感上。本所 一 交號許 移制之交的 容 ο 力但之 供一訊允 被控 ο 被間 電 1 能，内 提 有告訊 即，4極之 之具 之紹之 是 當警資 ο 後 器電圓 加夾 圓介圍 就 是一此 1 然應。晶 增在 晶過範 能別生。0'成。供性和 所圓理做和 功特產上作總去源極架 ，晶處例神 個-上器搡該'移電該支 術表地施精 二訊幕錄器，處動換圓 技代率實之 第資銀記機理架觸切晶 之 ο 效佳圍 的之面據的處支 K 率低 備 ο 有最範 查 態介數常子從 ◦頻降 裝 3 及定利。 檢狀者 之正離 M7 控由 制路以特專代 叉器作轉存 Μ 得 3 受藉 控電 ；Κ 請替 交機操運貯處圓擊 1{ 有放進已申和 之關 一 上 以被晶單以圓 現釋改明附化 串有在機作圓理給接晶 紹圓之發所變 連。即碟動晶處號直放 介晶質本在有 一 6 ，磁正旦該訊是釋。6 4 品然落所 這 2 時一修 | 在出或並} 圖 1 訊雖括之 面障在取 ，發，置力 1 資 包計 表故錄採 置 ο 轉偏引 路態 欲設 ----；—'—『裝------訂彳-----^銥 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局負工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 , () 極極 ，，，圓加預 其 bo 性動供個 置 架 ο 電電 應架端晶施 一 , 4 1 極驅之一 裝 支 2 兩於 供支兩該地率 置 43 雙 二出另 理 圓丨 該號 源圓極自替頻。裝，ί 該第輸之。 處 晶層 至信 電晶電 Κ 交 制力理 a 路至及動出能 圓 之電 接壓 該該該用由控引處 4 電接一驅輸去 晶 上介；連偏 至至至，藉一吸圓 4 器連第該器被 之 其 一}} 性 接圓 一及，K 電晶 t 動出該至動組 圓 於第 44 極 連晶之 K 後，靜之組驅輸當接驅模 晶 }124 二 }該號，之極 的述模 輯一得連二應 體 2 含，丨第 ο 定信架成電架所應邏每使該第供 導 1 包 2 應及 5 固壓 支完該支項供 一,，， 及之 半 {並2 供一 2, 偏圓 值至圓 1 兩 含出個 時一接 值 圓} {源第 { 時性 晶佈號晶第含包輸一準第連 佈 晶 ο 極電之及統值極 該圓信對圍包 路補同位該所 子 一 2 電出制 ·，糸佈 二 至晶壓圓範應電互不高及致 離 撐，兩輸控極制子第圓於偏晶利供統二之輯號導 Μ 支 8 與性已電控離或晶，性低專源糸第組邏信， 用Μ1 圓 極供該值於一 該圓極降請電制及模為一準 種 用，晶雙提電佈 Κ 第 引晶二 Κ 申性控一 應係 加位 1 16 該 一由充一用該吸該第，如極植第供一施低 .:_1 合 }藉以} 路加地放及段.雙佈一源之係輯 1 含 a ，結 bK- C 電施電釋一間 2 該該有電出組邏 包4其 用端 含由靜 架第時 ，及 具出輸模為 其 1, ，兩 包藉 K 支該定 中 }}輸器應係 I I^i m - - I - - j I j - -- l-ii -- -- 、一ej (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 4 3 ο 2 5 ABCD 六、申請專利範圍 3 · —種使用於半導體晶圓（12)處理之晶圓操作 方法，包含步驟： a )放置一預被處理之半導體晶圓於一晶圓支架（1 4， 16， 18，20)之上； b)藉由一第一極性直流信號將該晶圓支架作電氣偏 壓，因而產生一靜電吸引力於該晶圓與該晶圓支架之間， 進而將該晶圓靜電式地吸引到該支架； c )處理該晶圓，同時K該第一極性直流信號來保持 該電氣偏壓，Μ便保持介於該晶圓與該晶圓支架之間的一 吸引力； d )於該晶圓處理完成之後，藉由施加一第二直流極 性信號，其係極性相反於該第一極性直流信號’至該晶圓 支架，而消散介於晶圓與該晶圓支架間之吸引力，然後， 以一控制頻率交替地施加具有第一及第二極性之信號達一 預定時間段，以降低介於該晶圓與該晶圓支架間之靜電吸 引力。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印褽 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 ·如申請專利範圍第3項所述之晶圓操作方法，當 該吸引力已被消散完之後，又額外地包含一步驟將一晶圓 由該晶圓支架移開。 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）