JP4448860B2 - ワークピースを保持する双極静電チャック - Google Patents

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Description

本発明は、支持面にワークピースを静電的に保持する基板支持チャックに関し、特に、チャックに支持されるワークピースに与えられる静電力をバランスさせる装置を備えた双極静電チャックに関する。
基板支持チャックが、半導体処理システム内で基板を支持するために広く用いられている。静電チャックの1つの例が、本件出願人に譲渡された、特許文献1に開示されている。この静電チャックは、埋め込まれた一対の共面電極を有する誘電性材料を含んだ従来のチャック体を備える。この電極は、半月状すなわちD形状であって、各電極が、チャック体の支持面に支持されるワークピースの半分に締付け力を与える。
動作中、チャック電圧が各電極に与えられ、電極の間に電界を生成させる。この電界は、チャック面にある電荷に対して逆の極性に分極化されたウェハの下面に電荷を分散させる。ウェハの電荷とチャック面の電荷の間のクーロン力が、ウェハをチャックに引き付ける。このようにして、ウェハは、チャック面に保持(締付)される。
ウェハを保持する静電力は、ウェハの下面全体にわたって均一であるのが理想的である。しかしながら、現実には、この静電力は、ウェハにわたってかなり変化する。この力は、誘電体厚さ、ウェハ裏面粗さ、チャック面粗さの相違、チャック面導電率の変動などにより変化する。これらの違いは、各電極に対する締付け電圧を不均一に分布させる。
例えば、上述の欧州特許で示されたような双極誘電静電チャックにおいて、2つの電極とウェハの組合せが、事実上、一対の直列接続されたコンデンサを形成する。例えば、ウェハと各電極との間の間隔が均一でない場合、一方の電極からウェハ(第1コンデンサ)までの電圧降下は、他方の電極とウェハの間の間隔(第2コンデンサ)にわたる電圧降下とは異なる。これらの異なる電圧降下が、ウェハの半分にそれぞれ与えられる締付け力を等しくないものとする。
別の例として、双極セラミック静電チャック(例えば、特許文献2)においては、各電極とウェハが、事実上、一対の直列接続された抵抗を形成する。例えば、ウェハと各電極の間隔が等しくない場合には、一方の電極からウェハ(第1抵抗)までの電圧降下が、他方の電極とウェハの間の間隔(第2抵抗)にわたる電圧降下とは異なる。これらの電圧降下が等しくないために、異なる締付け力が、ウェハの半分のそれぞれに与えられる。
これらの静電力をバランスさせるために用いられる装置の1つの例が、上述した欧州特許に開示されている。この特許は、2(dual)電源により駆動される双極誘電チャックを開示する。2電源の中心タップは、ウェハ処理中にウェハに近接して形成されるプラズマに延びる基準電極に接続される。
そのために、電源の中心タップは、プラズマ電圧に到達し、すなわち、電極に与えられる電源電圧が、プラズマ電位に対して基準とされる。従って、全体としてプラズマに接触するウェハは、基準接点に間接的に接続される。結果として、ウェハから各電極までの等しくない電圧降下が、等しくない電圧降下を補償するように中心タップ電圧が変化するときに、等しい電圧を実現するように調節される。
しかしながら、このバランスを実現するために、プラズマが、プラズマに曝される基準接点及びウェハに近接して生成されなければならない。物理気相成長法(PVD)のような半導体処理の場合において、ウェハが、プラズマに曝される前に、例えば加熱などの処理を行われる。従って、処理が始まるまで、プラズマの存在を必要とする上述のチャック装置は有効ではない。このように、このチャック装置は、プラズマを利用しない又はプロセス周期全体にわたりプラズマを利用しないプロセスに対して有用でない。
欧州特許出願 0 439 000 B1 米国特許第 5,117,121号 米国特許第 4,184,188号 米国特許第 4,384,918号
そのために、該分野において、ワークピースに近接するプラズマの存在に依存せずに、静電チャックとワークピースの間で静電力を自動的にバランスさせる装置及びそれに付随する方法に対する必要性がある。
従来技術の不利益は、チャックがチャック上に位置するワークピースに与える静電力をバランスさせる装置を備えた本発明の静電チャックにより解消される。
特に、本発明は、一対の埋め込まれた共面電極を有するチャック体を含む双極静電チャックである。さらに、このチャックは、チャック体の支持面上にある複数の支持部材を有するウェハ離間用マスクを備える。ウェハ離間用マスクは、チタン、チタン窒化物、ステンレス鋼等の導電性材料により製造される。この支持部材は、チャックの支持面に対して離間した関係でウェハ又は別のワークピースを保持する。ウェハの下側面とチャックの間の距離は、支持部材の厚さにより定められる。
双極チャック内の各電極は、中心タップを有する2電源の端子にそれぞれ接続される。電源の中心タップは、ウェハ離間用マスクに接続される。このように、誘電体厚さ、ウェハ裏面粗さ、チャック面粗さ、チャック面導電性の相違又は静電力に変化を生じさせる別の物理的差異によるウェハ及び電極の間の距離の変化が、電源の中心タップに接続される離間用マスクを有することによってバランスされる。実際に、フィードバックループが生成され、ウェハの一面に対するウェハのもう一面にかかる静電力の上昇が、相対的な中心タップ電圧値を上昇させる。このように、静電力を生じさせる電圧差が、ウェハの両面において一定に維持される。櫛形電極が用いられるとき、静電力は、ウェハの下面全体にわたりより均一に分布される。
ウェハが処理チャンバで処理された後、ウェハがチャックから取り除かれる前に、ウェハがチャックを外される。チャックを外すことは、電源を非作動にすること、例えば出力端子及び中心タップと、電極及び離間用マスクとの接続をそれぞれ断つことによって実現される。しかしながら、電源が非作動にされた後でも、チャック面及びウェハ下面の両方に蓄積された電荷は保持される。この余分な電荷を取り除くために、電極とウェハ離間用マスクの両方が接地される。短時間で、余分な電荷が取り除かれ、ウェハがチャックから容易に外される。
図1は、静電チャック100のチャック体110の支持面122上に位置するウェハ離間用マスク102の垂直横断面を示す。本発明の用途を例示するために、図1は、半導体ウェハ108を支持する離間用マスク102と、チャック内の両方の電極及びウェハ離間用マスクをバイアスするために用いられる電源126の概要を示す。図2は、(ウェハ108を外した)図1のウェハ離間用マスク102の頂面図を示す。本発明をよく理解するために、以下の説明を読むにあたって、図1及び2の両方を参照されたい。
好適な具体例においては、静電チャック100が、セラミック又は誘電チャック体110に埋め込まれた少なくとも2つの電極106を有する。このチャック体は、例えばアルミニウム窒化物、窒化硼素又はアルミナにより製造される。高温処理中に、チャック体のセラミック材料が半導電性になり、ウェハをチャックに保持するジョンセン・ラーベック効果を促進する。チャックが低温でのみ用いられる場合には、セラミック又は誘電性材料のいずれかがチャック体を形成するために用いられる。例えば、セラミック静電チャックが、1992年5月26日に発行された特許文献2に開示されており、本願明細書の一部として組み込まれる。誘電静電チャックの例が、1980年1月15日に発行された特許文献3及び1983年5月24日に発行された特許文献4に開示されており、両方とも本願明細書の一部として組み込まれる。
ウェハ離間用マスク102が、典型的には物理気相成長法(PVD)を用いて、チャック体110の支持面122上に堆積される。この材料は、化学気相成長法(CVD)、プラズマスプレー堆積法、ろう付、溶射堆積法等により堆積される。典型的には、マスクの形成に用いられる材料は、チタン、チタン窒化物、ステンレス鋼等の金属である。
離間用マスク材料は、支持面122上の汚染粒子がウェハに接触しないように、支持面上にウェハ108又はワークピースを保持する所定の厚さに堆積される。例えばその厚さは、2ミクロンである。
図2は、堆積材料の複数の離間パッド118として形成された支持部材を有するマスクパターンを例として示す。各パッド118は、およそ0.25cm(0.1インチ)の径を有する。点線で示されている同心リングが、0.64cm(0.25インチ)だけ間隔を開けられ、各リング内のパッドが、およそ0.64cm(0.25インチ)だけ互いに間隔を開けられる。一般的には、パッドの数、間隔およびサイズは、静電チャックにより与えられる締付け力により定められる。例えば、力が大きく、パッドが互いに比較的離されている場合には、ウェハは、パッドの間でたわむ。一方で、チャックの表面上に多くのパッドを配置しすぎる場合には、締付け力を促進する静電フィールドに干渉するおそれがある。そのために、パッドは、最適に支持し、且つ締付け力への干渉を制限するように、慎重に配置されなければならない。
高温でセラミックチャックを用いるときには、このチャックは、高温(例えば300℃以上)で半導電性となる。このような場合、導電性パッドは、電極上に配置されるべきではない。締付け力を生成するジョンセン・ラーベック効果を生成するために、電流がウェハからセラミックチャックに流されなければならない。
しかしながら、これらの電流は、ウェハの損傷を避けるために比較的低いレベルに維持されなければならない。そのようなものとして、パッドは一般に電極位置の間に配置され、非常に強い静電フィールド内に存在しないようにし、十分な電流をウェハを通ってウェハ接触点、マスクに流さないようにする。図1及び2に示された本発明の具体例において、電極構造(例えば、2つの半月状電極)が、離間するマスクパッド118に同心状に整列するホール112を備える。各ホール112の径は、対応するパッド118の径よりも(例えばおよそ0.25cm(0.1インチ)だけ)僅かに大きい。また、マスクとウェハの間の接触領域のサイズを最小にすることが、ウェハを流れる電流を小さくするのに加えられ、役立つ。
一方で、(例えば300℃より低い)低温では、セラミックチャックが、電流をほとんど流さないか、又は全く流さず、本発明のこれらの用途に対して、支持部材が、チャック支持面上のどこにでも配置されることができる。さらに、誘電チャック上の離間用マスクの用途、電極に対する支持部材の配置は、一般に無関係である。チャック上のウェハの適切かつ均一な支持を確実にするために、支持部材が、離間用マスクを有さずにウェハの下面に接触するチャックの表面全体にわたって均一に分散されるべきである。
ウェハに対するチャック電圧の接続を容易にするために、少なくとも1つの支持部材120が、電源126の中心タップに接続される。一般的に、ウェハの下面に対して電源の信頼性の高い接続を実現するために、複数の(例えば4つの)支持部材120−120が、電源126の1つの端子に接続される。支持部材120−120から電源126への導電性接続が、多くの方法によって達成されることができる。示された具体例は、チャック体支持面122の回りに均一に分布する4つの「バイアスされた」支持部材120−120を備える。しかしながら、ウェハに対する接続を確実にするためには、ウェハが非常に反りかえっている場合でも、多くの(例えば9個の)バイアスされた支持部材を用いることができる。さらに、チャック体の内部にある支持部材が、トレース150及び152のような任意的な連結トレースにより相互接続されることができる。
電源への接続に適したバイアスされた支持部材120は、平面図の形式では卵形であり、チャック体の支持面122に「張り出し」ている。このように、離間用マスクの堆積中には、これらの支持部材が、チャック体110の支持面122、側壁114及びフランジ116に沿って形成される。さらに、堆積中に、導電性トレース124が、全てのバイアスされた支持部材120−120を相互接続するために形成される。特に、導電性トレース124が、フランジ116上に形成され、チャック体全体を取り囲む。当然のことながら、付加的な支持部材が、選択された部材を、チャック体の表面上に堆積された導電性トレースに相互接続することによってバイアスされることができる。支持部材120をバイアスするために、導電性トレース124が、高電圧電源126の1つの端子(中心タップ)に接続される導電性ワイヤに接続される。
各電極が、2電圧電源126内のそれぞれの電源の1つの端子に接続される。電極1061が電源128の負の端子に接続され、一方で電極1062が電源130の正の端子に接続される。電源128の正の端子と電源130の負の端子は、共通の端子すなわち中心タップ132を形成するように互いに接続される。この中心タップは、ワイヤ134を介してウェハ離間用マスク102に接続される。ワイヤ134の末端は導電性トレース124に接続され、中心タップでの電位が、「バイアスされた」支持部材120−120に与えられる。このように、チャック体110のフランジ116上の共通の端子が、ウェハ離間用マスク102の全てのバイアスされた支持部材120−120を相互接続する。各電源に対する典型的な電圧は、300ボルトDCである。
動作中、ウェハがチャックされるとき、ウェハを保持する静電力がバランスされるように、変動中心タップ電圧が、ウェハと各電極の間の電圧が比較的等しくなることを保証する。変動中心タップ電圧が、ウェハに対する各電極の電圧降下を等しく維持するように調節する。従って、ウェハを保持する静電力が、自己バランスする。このように、ウェハ全面にわたる力が、実質的に均一な大きさに維持される。
ウェハが、チャックから取り除かれる、すなわちチャックから外されるときに、電源126は、非作動になる。しかしながら、余分な電荷がウェハ及びチャックの支持面上に残る。この余分な電荷は、ウェハをチャックに保持する。この余分な電荷を「放出」させる又は放電させるために、スイッチ136が設けられる。スイッチ136は、中心タップ132と地面とを接続する。このスイッチは、閉じているときには、バイアスされた支持部材120、及び電極106を接地する。支持部材120は直接的に接地されているが、電極は、それぞれの電源(比較的低いインピーダンス)を通って接地される。このように、余分な電荷は、比較的素早く除去され、ウェハは、チャックから取り外されることができる。
代わりに、2つのスイッチ138及び140が、電極106を直接的に接地し、マスクを電源を介して接地するために用いられることができる。この構成もまた、余分な電荷を除去する。又、3つのスイッチ136、138及び140の全てが、マスク及び電極を直接的に接地するために用いられることが可能であり、電源インピーダンスを通る放電を避けることができる。
チャックを外す多くの別の技術が、双極チャックの余分な電荷を迅速に除去するために有用である。例えば、1995年10月17日に発行された米国特許第5,459,632号は、本願明細書の一部として組み込まれており、余分な電荷を最適に流出するために、特定のチャックを外す電圧レベルを電極に与える別の技術を開示する。この積極的にチャックを外す技術は、他のものと同じく、本発明の一部に使用してもよいことが分かる。
本発明の教示を組み込んだ様々な具体例が、詳細に示され説明されてきたが、当業者であれば、これらの教示に含まれている別の様々な具体例を容易に考え出すことができる。
本発明に従ってバイアスされている静電チャックの垂直横断面を示す。 ウェハ離間用マスクに関するパターンの頂面を示す。

Claims (7)

  1. ワークピースを保持する双極静電チャックであって、
    少なくとも2つの電極を備えた、支持表面をもつチャック体と、
    前記チャック体の前記支持表面上に設けられた導電性材料のウェハ離間用マスクと
    を備え、
    前記ウェハ離間用マスクが、前記チャック体の前記支持表面の上方に離間し前記ワークピースを支持する複数の支持部材を備え、
    前記複数の支持部材の少なくとも1つの支持部材が電源の1つの端子ワイヤで接続されることを特徴とする双極静電チャック。
  2. 前記電源の1つの端子ワイヤで接続される前記少なくとも1つの支持部材が、前記チャック体の縁に隣接して配置されることを特徴とする請求項1に記載の双極静電チャック。
  3. 前記電源の1つの端子ワイヤで接続される前記少なくとも1つの支持部材が、前記複数の支持部材のサブセットを含むことを特徴とする請求項2に記載の双極静電チャック。
  4. 前記サブセットに含まれる各支持部材が、前記チャック体の縁に隣接して配置され、縁に張り出しており、
    前記サブセットにおける各支持部材の第1部分が前記ワークピースに接触し、前記サブセットにおける前記支持部材の第2部分が電気的相互接続されることを特徴とする請求項3に記載の双極静電チャック。
  5. 前記複数の支持部材のサブセットにおける各支持部材が、相互接続トレースにより電気的に相互接続されることを特徴とする請求項4に記載の双極静電チャック。
  6. 前記電源の1つの端子ワイヤで接続される前記支持部材少なくとも1つを、支持部材の少なくとも別の1つに電気的に接続する相互接続トレースを備えることを特徴とする請求項1に記載の双極静電チャック。
  7. ワークピースを保持する双極静電チャックであって、
    少なくとも2つの電極を備えた、表面を有するチャック体と、
    前記チャック体の前記表面上に設けられた導電性材料のウェハ離間用マスクと
    を備え、
    前記ウェハ離間用マスクが電源の1つの端子ワイヤで接続されることを特徴とする双極静電チャック。
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Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997962A (en) * 1995-06-30 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Plasma process utilizing an electrostatic chuck
US6370007B2 (en) * 1995-09-20 2002-04-09 Hitachi, Ltd. Electrostatic chuck
US5745332A (en) * 1996-05-08 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece
US5764471A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US6117246A (en) * 1997-01-31 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
US6217655B1 (en) 1997-01-31 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
JP3650248B2 (ja) * 1997-03-19 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5880924A (en) * 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
US6104595A (en) * 1998-04-06 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for discharging an electrostatic chuck
US6159055A (en) * 1998-07-31 2000-12-12 Applied Materials, Inc. RF electrode contact assembly for a detachable electrostatic chuck
US6572814B2 (en) 1998-09-08 2003-06-03 Applied Materials Inc. Method of fabricating a semiconductor wafer support chuck apparatus having small diameter gas distribution ports for distributing a heat transfer gas
US6219219B1 (en) * 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
US6790375B1 (en) * 1998-09-30 2004-09-14 Lam Research Corporation Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors
US6125025A (en) * 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6965506B2 (en) * 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US6259592B1 (en) 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
US6215642B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-10 Nikon Corporation Of Japan Vacuum compatible, deformable electrostatic chuck with high thermal conductivity
US6466426B1 (en) 1999-08-03 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate
DE10050413A1 (de) * 1999-10-14 2001-04-19 Schlumberger Technologies Inc Elektrostatische Spannvorrichtung
US6723274B1 (en) 1999-12-09 2004-04-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High-purity low-resistivity electrostatic chucks
AU4516701A (en) * 1999-12-09 2001-06-18 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Electrostatic chucks with flat film electrode
US6603650B1 (en) 1999-12-09 2003-08-05 Saint-Gobain Ceramics And Plastics, Inc. Electrostatic chuck susceptor and method for fabrication
US6567257B2 (en) 2000-04-19 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck
US7479456B2 (en) * 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
JP3626933B2 (ja) * 2001-02-08 2005-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板載置台の製造方法
KR20030001813A (ko) * 2001-06-28 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 Esc 장치 및 esc 장치를 이용한 화학적 기상 증착방법과 식각 방법
KR100511854B1 (ko) 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
DE10240356B4 (de) * 2002-07-01 2007-08-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrostatisches Halteelement
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
JP2004183044A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
US20040226516A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Daniel Timothy J. Wafer pedestal cover
EP1500984B1 (en) * 2003-07-23 2014-02-26 ASML Netherlands B.V. Article holder for a lithographic apparatus
US7133120B2 (en) * 2004-05-04 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, article support member, and method
US7352554B2 (en) * 2004-06-30 2008-04-01 Axcelis Technologies, Inc. Method for fabricating a Johnsen-Rahbek electrostatic wafer clamp
US7375946B2 (en) * 2004-08-16 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US7821767B2 (en) * 2004-11-04 2010-10-26 Ulvac, Inc. Electrostatic chuck device
US7511936B2 (en) * 2005-07-20 2009-03-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for dynamic plasma treatment of bipolar ESC system
EP1959488A4 (en) * 2005-12-06 2011-01-26 Creative Tech Corp ELECTRODE SHEET FOR ELECTROSTATIC CHUCK, AND ELECTROSTATIC CHUCK
US7715170B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck with separated electrodes
US8198567B2 (en) * 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
CN102160167B (zh) * 2008-08-12 2013-12-04 应用材料公司 静电吸盘组件
KR101641130B1 (ko) * 2008-10-09 2016-07-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대형 플라즈마 처리 챔버를 위한 rf 복귀 경로
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
SG10201402319QA (en) 2009-05-15 2014-07-30 Entegris Inc Electrostatic chuck with polymer protrusions
US8901935B2 (en) * 2009-11-19 2014-12-02 Lam Research Corporation Methods and apparatus for detecting the confinement state of plasma in a plasma processing system
JP2013511814A (ja) * 2009-11-19 2013-04-04 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理システムを制御するための方法および装置
US8501631B2 (en) * 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
CN105196094B (zh) 2010-05-28 2018-01-26 恩特格林斯公司 高表面电阻率静电吸盘
FR2985087B1 (fr) * 2011-12-21 2014-03-07 Ion Beam Services Support comportant un porte-substrat electrostatique
US9295148B2 (en) 2012-12-14 2016-03-22 Lam Research Corporation Computation of statistics for statistical data decimation
US9502216B2 (en) 2013-01-31 2016-11-22 Lam Research Corporation Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system
US9114666B2 (en) 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US9368329B2 (en) 2012-02-22 2016-06-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system
US10128090B2 (en) 2012-02-22 2018-11-13 Lam Research Corporation RF impedance model based fault detection
US9462672B2 (en) 2012-02-22 2016-10-04 Lam Research Corporation Adjustment of power and frequency based on three or more states
US10325759B2 (en) 2012-02-22 2019-06-18 Lam Research Corporation Multiple control modes
US9171699B2 (en) 2012-02-22 2015-10-27 Lam Research Corporation Impedance-based adjustment of power and frequency
US9390893B2 (en) 2012-02-22 2016-07-12 Lam Research Corporation Sub-pulsing during a state
US9197196B2 (en) 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
US9842725B2 (en) 2013-01-31 2017-12-12 Lam Research Corporation Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system
US9320126B2 (en) 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
JP6192711B2 (ja) 2012-04-23 2017-09-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 静電クランプ、リソグラフィ装置および方法
JP5971556B2 (ja) * 2012-07-03 2016-08-17 日新イオン機器株式会社 静電チャックおよび静電チャックモジュール
US9408288B2 (en) 2012-09-14 2016-08-02 Lam Research Corporation Edge ramping
JP6100564B2 (ja) * 2013-01-24 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
US9779196B2 (en) 2013-01-31 2017-10-03 Lam Research Corporation Segmenting a model within a plasma system
US9620337B2 (en) 2013-01-31 2017-04-11 Lam Research Corporation Determining a malfunctioning device in a plasma system
US9107284B2 (en) 2013-03-13 2015-08-11 Lam Research Corporation Chamber matching using voltage control mode
US9119283B2 (en) 2013-03-14 2015-08-25 Lam Research Corporation Chamber matching for power control mode
US20140273825A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor Chip Configuration with a Coupler
US9502221B2 (en) 2013-07-26 2016-11-22 Lam Research Corporation Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching
US9101038B2 (en) 2013-12-20 2015-08-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including declamping electrode and method of declamping
US9594105B2 (en) 2014-01-10 2017-03-14 Lam Research Corporation Cable power loss determination for virtual metrology
US10950421B2 (en) 2014-04-21 2021-03-16 Lam Research Corporation Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system
CN104051495B (zh) * 2014-05-28 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 封装装置和封装设备
US10002782B2 (en) 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
US9536749B2 (en) 2014-12-15 2017-01-03 Lam Research Corporation Ion energy control by RF pulse shape
US9824941B2 (en) * 2015-11-17 2017-11-21 Lam Research Corporation Systems and methods for detection of plasma instability by electrical measurement
US9623679B1 (en) * 2015-11-18 2017-04-18 Xerox Corporation Electrostatic platen for conductive pet film printing
CN110720138A (zh) * 2017-06-22 2020-01-21 应用材料公司 用于晶粒接合应用的静电载具
JP2023500106A (ja) * 2019-10-29 2023-01-04 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. リソグラフィ装置および静電クランプの設計
KR20220004893A (ko) * 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102715367B1 (ko) * 2021-12-02 2024-10-08 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1443215A (en) * 1973-11-07 1976-07-21 Mullard Ltd Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
GB2106325A (en) * 1981-09-14 1983-04-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck
GB2154365A (en) * 1984-02-10 1985-09-04 Philips Electronic Associated Loading semiconductor wafers on an electrostatic chuck
GB2147459A (en) * 1983-09-30 1985-05-09 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck for semiconductor wafers
JPS60261377A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 静電チャックの製造方法
JPH0697676B2 (ja) * 1985-11-26 1994-11-30 忠弘 大見 ウエハサセプタ装置
JPH0652758B2 (ja) * 1987-02-09 1994-07-06 日本電信電話株式会社 静電チヤツク
WO1988009054A1 (en) * 1987-05-06 1988-11-17 Labtam Limited Electrostatic chuck using ac field excitation
JP2779950B2 (ja) * 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
US5001594A (en) * 1989-09-06 1991-03-19 Mcnc Electrostatic handling device
DE69103915T2 (de) * 1990-01-25 1995-05-11 Applied Materials Inc Elektrostatische Klemmvorrichtung und Verfahren.
FR2661039B1 (fr) * 1990-04-12 1997-04-30 Commissariat Energie Atomique Porte-substrat electrostatique.
US5179498A (en) * 1990-05-17 1993-01-12 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
US5452177A (en) * 1990-06-08 1995-09-19 Varian Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp
KR0164618B1 (ko) * 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
US5460684A (en) * 1992-12-04 1995-10-24 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5463526A (en) * 1994-01-21 1995-10-31 Lam Research Corporation Hybrid electrostatic chuck
US5459632A (en) * 1994-03-07 1995-10-17 Applied Materials, Inc. Releasing a workpiece from an electrostatic chuck
US5531835A (en) * 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US5572398A (en) * 1994-11-14 1996-11-05 Hewlett-Packard Co. Tri-polar electrostatic chuck
US5764471A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck

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