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Abstract

静電クランプ装置及び静電クランプ装置に結合されたワークピースへの汚染を低減する方法を開示する。一実施例によれば、静電クランプ装置は、本体の表面上にワークピースと接触するためのエンボスメント部分を備えるとともに、本体内に少なくとも2つの電極を備え、前記2つの電極は前記エンボスメント部分の下方で分離部分により分離されている。

Description

本発明は、一般的には集積回路の製造に関し、特にはワークピースを結合する静電クランプ装置及び結合状態におけるワークピースの汚染を低減する方法に関する。
集積回路(IC)製造システムにおいては、例えばイオン注入のような処理のためにウェハを支持/保持するために静電チャックが広く使用されている。静電チャックはチャック本体内に少なくとも1つの電極を有している。電圧がこれらの電極に供給されると、チャック本体の表面近くに電解が生成されるため、ウェハをチャック表面にクランプし保持することができる。チャック表面は、ウェハを支持するとともにウェハとの物理的接触を低減するためにメサと呼ばれるエンボスメント部分を含むことができる。
クランプ状態では、クランプされたウェハの背面はチャック表面、例えば静電チャックのメサと物理的に接触する。この物理的接触は粒子を生成し、ウェハを汚染するとともにウェハの処理チャンバを汚染する可能性があり、これらの粒子は一般に背面粒子と呼ばれている。汚染背面粒子は通常ウェハから製造されるデバイスを損傷し、歩留まり損失を招く。
本発明の第1の態様はワークピースを結合する静電クランプ装置であり、該静電クランプ装置は、本体の表面上にワークピースと接触するためのエンボスメント部分を備えるとともに、本体内に少なくとも2つの電極を備え、前記2つの電極は前記エンボスメント部分の下方で分離部分により分離されていることを特徴とする。
本発明の第2の態様はワークピースを結合する静電クランプ装置であり、該静電クランプ装置は、本体の表面上にワークピースと接触するためのエンボスメント部分を備えるとともに、本体内に少なくとも2つの電極を備え、前記2つの電極は、前記2つの電極に電圧が供給されたとき、前記2つの電極により生成される前記エンボスメント部分の近傍の電界が前記本体の表面に実質的に平行になるように構成されていることを特徴とする。
本発明の第3の態様は静電チャックにより支持されたワークピースに対する汚染を低減する方法であり、該方法は、静電チャックのエンボスメント部分の近傍に静電チャックの表面に実質的に平行な電界を生成するステップを具えることを特徴とする。
本発明の上記の特徴及び他の特徴は以下に記載する本発明の実施例のより詳しい説明から明らかになる。
本発明の一実施例による静電クランプ装置の概略平面図を示す。 本発明の一実施例による図1の静電クランプ装置の概略断面図を示す。 本発明の代替実施例による静電クランプ装置の概略平面図を示す。
いくつかの実施例を図面を参照して詳細に説明する。
図面は正確な縮尺ではない点に注意されたい。図面は本発明の代表的な特徴のみを示すことを意図し、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきでない。図面において、同類の符号は全図を通して同類の素子を示す。
本発明は、背面粒子はウェハが静電チャックのメサと接触する位置の周囲に主として位置するという発見に基づくものである。本発明は、表面のエンボスメント部分の近傍にチャック本体の表面にほぼ平行な電界を生成することによって、ワークピースに対する背面粒子の汚染を低減する。このような表面平行電界を生成するためには任意の方法を使用することができ、それらのすべてが本発明に含まれる。例えば、図1は本発明の一実施例による静電クランプ装置(クランプ装置)10の平面図を示す。図2は図1の静電クランプ装置の断面図を示す。
図1及び図2を参照すると、クランプ装置10は本体表面14を有する本体12を含む。エンボスメント部分(エンボスメント)16、例えばメサは表面14にある。エンボスメント16はクランプ装置10に結合されるワークピース30(図2に仮想的に示されている)と接触することができる。少なくとも2つの電極18が本体12内の表面14の下の層内にある。一実施例によれば、少なくとも2つの電極、例えば18a,18bはエンボスメント16の下方で分離部分20、例えば空隙により分離される。分離部分20の一部分はエンボスメント16の真下に位置する。図2に示すように、エンボスメント16の真下には電極は存在しない。
図1に示すように、一実施例によれば、分離部分20は、エンボスメント16の真下に位置する少なくとも1つの第1部分22と、第1部分22からそれぞれの2つの電極18(即ち分離部分20により分離された2つの電極18)、例えば18a,18bに沿って伸びる少なくとも1つの第2部分24とを含む。つまり、第2部分24はエンボスメント24より下にあるが、真下ではない。
図1に示すように、一実施例によれば、第1部分22はエンボスメント16により覆われる平面領域を取り囲む平面領域を覆う。すなわち、エンボスメント16が分離部分20と同一平面に投影した場合、エンボスメント16の平面領域は第1部分22の平面領域内に完全に入る。図2に示すように、エンボスメント16のほぼ真下の位置における電極18a及び18b間のx軸方向の間隔26はエンボスメント16のx軸方向の平面寸法28より大きい。第1部分22の平面領域はエンボスメント16の平面領域より僅かに大きくする、即ち10パーセント以下だけ大きくするのが好ましい。
一実施例によれば、第1部分22はエンボスメント16の平面形状にほぼ類似するがそれより大きな平面形状を有する。図1は、エンボスメント16及び第1部分22が両方とも楕円形/円形の平面形状であることを示す。しかし、本発明はいかなる特定形状のエンボスメント16及び/又は第1部分22にも限定されない。第1部分22は、エンボスメント16のz方向の高さ25の約2倍のz方向の高さにすることができる。しかし、これは必要ではなく、エンボスメント16の高さに対して第1部分22の他の高さ23も可能であり、これも本発明に含まれる。本明細書において、「高さ」は静電チャック10の表面14に垂直なz方向の寸法をいう。
図1に示すように、一実施例によれば、第2部分24は電極18a及び18bが分離されるx方向において第1部分22より狭い。これに対応して、2つの電極18a及び18bの少なくとも1つはそれぞれのエンボスメント16のほぼ真下に凹部29を含む。エンボスメント16のほぼ真下の位置における電極18a及び18b間の距離26は別の位置、即ち凹部29以外の位置における電極18a及び18b間の距離27より大きい。
図3に示すように、代替実施例によれば、静電クランプ装置110は電極118a及び118bが分離されるx軸方向において第1部分122とほぼ同じ幅である第2部分124を含む。
複数のエンボスメント16が、例えば図1に示すように一列に位置する場合には、複数のエンボスメント16の真下の各第1部分22は直接隣接する第1部分22と第2部分24を共有する。分離部分20はそれぞれの電極18a,a8bに沿って一列に接続された複数の第1部分22及び複数の第2部分24を含む。
図1及び図3に示すように、一実施例によれば、第1部分22/122の周囲において、それぞれの2つの直接隣接した電極、例えば18a/118a及び18b/118bは互いにほぼ平行である。凹部29の含有は電極18a及び18b間の平行位置に影響を与えない。図1及び図3は、電極18a/118a及び18b/118bはy軸全体にわたって互いにほぼ平行であることを示し、これは特定の実施例である。本発明の範囲は図1及び図3に示す構成により限定されない。
一実施例によれば、分離部分20により分離された2つの直接隣接する電極18、例えば18a及び18bは電圧源(図示せず)の異なる極性(図1及び図3に”+”及び”−”で示されている)に接続される。その結果として、クランプ電圧が電極18a及び18bに供給されると、エンボスメント16に隣接して本体12の表面14にほぼ平行な電界が生成される。任意のタイプのクランプ電圧を使用することができ、それらのすべてが本発明に含まれる。例えば、クランプ電圧は直流(DC)又は交流(AC)の一つとすることができる。一実施例によれば、クランプ電圧として少なくとも1000ボルトのピークツーピーク振幅及び約30Hzから約300Hzの範囲の周波数を有するバイポーラ方形波電圧を使用することができる。図1及び図3で使用する”+”及び”−”は電極18を特定の極性に限定するものでなく、隣接する電極18、例えば18a及び18bはクランプ電圧の異なる極性に接続されることを示すのみである。
本発明の種々の態様の以上の説明は例示及び説明のために提示されている。この説明は本発明を網羅することを意図するものでなく、また本発明を開示の正確な例に限定することを意図するものでない。そして、多くの変更及び変形が可能であること明らかである。当業者に明らかなこれらの変更及び変形は添付の請求項により特定される本発明の範囲に含まれることが意図される。

Claims (22)

  1. ワークピースを結合する静電クランプ装置であって、該静電クランプ装置は、
    本体の表面上にワークピースと接触するためのエンボスメント部分を備えるとともに、本体内に少なくとも2つの電極を備え、
    前記2つの電極は前記エンボスメント部分の下方で分離部分により分離されていることを特徴とする静電クランプ装置。
  2. 前記分離部分は、前記エンボスメント部分のほぼ真下の第1部分と、前記第1部分から前記少なくとも2つの電極に沿って伸びる第2部分とを含むことを特徴とする請求項1記載の静電クランプ装置。
  3. 前記第1部分は、前記エンボスメント部分により覆われる平面領域を取り囲む平面領域を覆うことを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  4. 前記第1部分は、前記エンボスメント部分の平面形状にほぼ類似し且つそれより大きい平面形状を有することを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  5. 前記第1部分は、前記エンボスメント部分の高さの約2倍の高さを有することを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  6. 前記第2部分は、前記少なくとも2つの電極が分離される軸方向において前記第1部分より狭いことを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  7. 前記第2部分は、前記少なくとも2つの電極が分離される軸方向において前記第1部分とほぼ同じ幅であることを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  8. 一列の位置する複数のンボスメント部分を備え、複数のエンボスメント部分のほぼ真下の各第1部分は直接隣接する第1部分と第2部分を共有することを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  9. 前記少なくとも2つの電極は、前記分離部分の前記第1部分に隣接して互いにほぼ平行であることを特徴とする請求項2記載の静電クランプ装置。
  10. 前記2つの電極に電圧が供給されたとき、前記エンボスメント部分の近傍の電界が前記本体の表面に実質的に平行であることを特徴とする請求項1記載の静電クランプ装置。
  11. 前記電圧は直流(DC)又は交流(AC)の一つであることを特徴とする請求項10記載の静電クランプ装置。
  12. 前記分離部分は前記本体内の空隙を含むことを特徴とする請求項1記載の静電クランプ装置。
  13. ワークピースを結合する静電クランプ装置であって、該静電クランプ装置は、本体の表面上にワークピースと接触するためのエンボスメント部分を備えるとともに、本体内に少なくとも2つの電極を備え、前記2つの電極は、前記2つの電極に電圧が供給されたとき、前記2つの電極により生成される前記エンボスメント部分の近傍の電界が前記本体の表面に実質的に平行になるように構成されていることを特徴とする静電クランプ装置。
  14. 前記2つの電極は、前記エンボスメント部分のほぼ真下の位置の周囲で互いにほぼ平行であることを特徴とする請求項13記載の静電クランプ装置。
  15. 前記2つの電極は分離部分で分離されていることを特徴とする請求項13記載の静電クランプ装置。
  16. 前記エンボスメント部分のほぼ真下の位置における前記少なくとも2つの電極間の距離は該距離の方向における前記エンボスメント部分の平面寸法より大きいことを特徴とする請求項15記載の静電クランプ装置。
  17. 前記少なくとも2つの電極のうちの少なくとも1つは、前記エンボスメント部分のほぼ真下の位置における前記少なくとも2つの電極間の距離が別の位置における前記少なくとも2つの電極間の距離より大きなるように、前記エンボスメント部分のほぼ真下に凹部を含むことを特徴とする請求項16記載の静電クランプ装置。
  18. 前記少なくとも2つの電極は前記本体内の空隙により分離されていることを特徴とする請求項15記載の静電クランプ装置。
  19. 静電チャックのエンボスメント部分の近傍に静電チャックの表面に実質的に平行な電界を生成するステップを具えることを特徴とする静電チャックにより支持されたワークピースに対する汚染を低減する方法。
  20. 前記静電チャックの表面に実質的に平行な電界は分離部分で分離された2つの電極に電圧を供給することによって生成され、前記分離部分が前記エンボスメント部分のほぼ真下の位置において前記エンボスメントより大きい平面領域を覆っていることを特徴とする請求項19記載の方法。
  21. 前記電圧は直流(DC)又は交流(AC)の一つであることを特徴とする請求項20記載の方法。
  22. 前記分離部分は前記エンボスメント部分の高さのほぼ2倍の高さを有する空隙であることを特徴とする請求項20記載の方法。
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