JPH1098093A - ワークピースを保持する単極静電チャック及び装置 - Google Patents
ワークピースを保持する単極静電チャック及び装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 導電性基部と、その上に堆積された絶縁層と
を備えた単極静電チャックを提供する。 【解決手段】 導電性材料から構成されるウェハ離間用
マスク１０２が、絶縁層の頂面上に堆積される。ウェハ
離間用マスクは、前記絶縁層に関して離間した関係でワ
ークピースを支持する複数の支持部材１２０を備える。
前記複数の支持部材の少なくとも１つの支持部材が、電
源１１２に接続するように構成されている。チャック電
圧電源が、導電性台座基部とウェハ支持マスクの間に接
続される。このようにして、ワークピースは、プラズマ
がウェハに近接して生成されない状態でも、チャック上
に引き付けられ、その上で保持される。
を備えた単極静電チャックを提供する。 【解決手段】 導電性材料から構成されるウェハ離間用
マスク１０２が、絶縁層の頂面上に堆積される。ウェハ
離間用マスクは、前記絶縁層に関して離間した関係でワ
ークピースを支持する複数の支持部材１２０を備える。
前記複数の支持部材の少なくとも１つの支持部材が、電
源１１２に接続するように構成されている。チャック電
圧電源が、導電性台座基部とウェハ支持マスクの間に接
続される。このようにして、ワークピースは、プラズマ
がウェハに近接して生成されない状態でも、チャック上
に引き付けられ、その上で保持される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理システ
ムで半導体ウェハを支持する基板支持チャックに関し、
特に、支持されたウェハに接触するチャックの１つの電
極を有する単極静電チャックに関する。
ムで半導体ウェハを支持する基板支持チャックに関し、
特に、支持されたウェハに接触するチャックの１つの電
極を有する単極静電チャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】静電チャックが、コンピュータグラフィ
ックスプロッタの用紙から半導体処理システム内の半導
体ウェハに至るまで様々な用途においてワークピースを
保持するために用いられる。静電チャックは、デザイン
の点では変化しているが、これらは全て、ワークピース
及び電極のそれぞれに反対の極性の電荷を誘導するよう
に、チャック内の１つ以上の電極に電圧を与える原理に
基づいている。反対の極性の電荷の間に働く静電引力
が、ワークピースをチャックに対して押しつけ、それに
よってワークピースを保持する。半導体ウェハ処理装置
において、静電チャックが、処理中にウェハを支持台座
にクランプするために用いられる。この支持台座は、吸
熱器又は熱源としてだけではなく、電極としても作用す
る。このような支持台座は、化学気相成長法（ＣＶＤ）
又は物理気相成長法（ＰＶＤ）のみならず、エッチング
プロセスにおいても用いられる。
ックスプロッタの用紙から半導体処理システム内の半導
体ウェハに至るまで様々な用途においてワークピースを
保持するために用いられる。静電チャックは、デザイン
の点では変化しているが、これらは全て、ワークピース
及び電極のそれぞれに反対の極性の電荷を誘導するよう
に、チャック内の１つ以上の電極に電圧を与える原理に
基づいている。反対の極性の電荷の間に働く静電引力
が、ワークピースをチャックに対して押しつけ、それに
よってワークピースを保持する。半導体ウェハ処理装置
において、静電チャックが、処理中にウェハを支持台座
にクランプするために用いられる。この支持台座は、吸
熱器又は熱源としてだけではなく、電極としても作用す
る。このような支持台座は、化学気相成長法（ＣＶＤ）
又は物理気相成長法（ＰＶＤ）のみならず、エッチング
プロセスにおいても用いられる。
【０００３】特に、静電チャックが、導電性台座基部を
被う絶縁材料層により形成されたチャック体を備える。
単極静電チャックにおいては、電圧が、ある内部チャン
バ接地基準に関して導電性台座基部に与えられる。ウェ
ハは、ウェハの下面に蓄積された電荷と台座基部に与え
られた電圧間で作用するクーロン力により保持される。
チャックに近接して生成されたプラズマが、ウェハから
地面への導電性通路を与える。
被う絶縁材料層により形成されたチャック体を備える。
単極静電チャックにおいては、電圧が、ある内部チャン
バ接地基準に関して導電性台座基部に与えられる。ウェ
ハは、ウェハの下面に蓄積された電荷と台座基部に与え
られた電圧間で作用するクーロン力により保持される。
チャックに近接して生成されたプラズマが、ウェハから
地面への導電性通路を与える。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この形態の単極静電チ
ャックは、クランプ電圧が台座基部に与えられる前に、
チャンバ内でプラズマを生成することが必要である。結
果として、静電クランプが効力を生じる前に、ウェハが
チャック体上の位置から動く可能性がある。また、ＰＶ
Ｄ処理においては、堆積工程の前に、すなわちプラズマ
生成前に、ウェハは加熱されるのが通常である。従っ
て、ウェハ処理が開始されるまで、チャックするのに必
要なプラズマが利用できないために、単極チャックが、
ＰＶＤ法において有用ではないことが分かる。プラズマ
が処理チャンバ内で生成される前に、単極チャックのク
ランプ力が効力を生じれば、これは有益である。そのた
めに、当業分野において、処理チャンバ内にプラズマが
存在しない状態でウェハをクランプする単極静電チャッ
クに対するニーズが存在する。
ャックは、クランプ電圧が台座基部に与えられる前に、
チャンバ内でプラズマを生成することが必要である。結
果として、静電クランプが効力を生じる前に、ウェハが
チャック体上の位置から動く可能性がある。また、ＰＶ
Ｄ処理においては、堆積工程の前に、すなわちプラズマ
生成前に、ウェハは加熱されるのが通常である。従っ
て、ウェハ処理が開始されるまで、チャックするのに必
要なプラズマが利用できないために、単極チャックが、
ＰＶＤ法において有用ではないことが分かる。プラズマ
が処理チャンバ内で生成される前に、単極チャックのク
ランプ力が効力を生じれば、これは有益である。そのた
めに、当業分野において、処理チャンバ内にプラズマが
存在しない状態でウェハをクランプする単極静電チャッ
クに対するニーズが存在する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】従来技術に関するこれま
での不利益が、プラズマが存在しない状態でワークピー
スをチャックする本発明の単極チャックにより解消され
る。特に、本発明は、絶縁層をその上に堆積された導電
性台座基部で形成されるチャック体を有する単極チャッ
クである。導電性材料により構成されるウェハ離間用マ
スクが、絶縁層のウェハ支持面上に堆積される。このよ
うなウェハ離間用マスクを構成する材料は、チタン、チ
タン窒化物、ステンレス鋼等の金属を含む。物理気相成
長（ＰＶＤ）システムに用いられるチャック体の１つの
例が、導電性台座基部として従来のヒータ組立体を有す
る。ヒータ組立体ハウジング及びウェハの下にある表面
は、典型的にはステンレス鋼で作られる。しかしなが
ら、ヒータが用いられない別のシステムにおいては、台
座基部が、単純にアルミニウム又はステンレス鋼の円筒
形ブロックであってもよい。絶縁層が、台座基部の全体
表面にわたって均一に堆積され、基部をウェハから絶縁
する。複数の支持部材からなるウェハ離間用マスクが、
絶縁層上に堆積される。ウェハ離間用マスクの支持部材
が、絶縁層の支持面に関して離間した関係でウェハ又は
別のワークピースを保持する。ウェハの下面と絶縁層面
の間の距離が、支持部材の厚さにより定められる。
での不利益が、プラズマが存在しない状態でワークピー
スをチャックする本発明の単極チャックにより解消され
る。特に、本発明は、絶縁層をその上に堆積された導電
性台座基部で形成されるチャック体を有する単極チャッ
クである。導電性材料により構成されるウェハ離間用マ
スクが、絶縁層のウェハ支持面上に堆積される。このよ
うなウェハ離間用マスクを構成する材料は、チタン、チ
タン窒化物、ステンレス鋼等の金属を含む。物理気相成
長（ＰＶＤ）システムに用いられるチャック体の１つの
例が、導電性台座基部として従来のヒータ組立体を有す
る。ヒータ組立体ハウジング及びウェハの下にある表面
は、典型的にはステンレス鋼で作られる。しかしなが
ら、ヒータが用いられない別のシステムにおいては、台
座基部が、単純にアルミニウム又はステンレス鋼の円筒
形ブロックであってもよい。絶縁層が、台座基部の全体
表面にわたって均一に堆積され、基部をウェハから絶縁
する。複数の支持部材からなるウェハ離間用マスクが、
絶縁層上に堆積される。ウェハ離間用マスクの支持部材
が、絶縁層の支持面に関して離間した関係でウェハ又は
別のワークピースを保持する。ウェハの下面と絶縁層面
の間の距離が、支持部材の厚さにより定められる。
【０００６】電源が、導電性台座基部とウェハ支持マス
クの少なくとも１つの支持部材の間に接続される。この
ようにして、非常に強い電界が、ウェハと導電性台座基
部の間の絶縁層にわたって生成される。ウェハ上に生成
される電位は、台座基部に与えられる電位とは異なり、
典型的には反対の極性に分極化される。このようにし
て、ウェハ下面の電荷が、クーロン力により導電性台座
基部の電荷に引き付けられ、ウェハがチャックに引き付
けられて、チャック上に保持（クランプ）される。この
保持は、プラズマがチャック及びウェハに近接して生成
されなくても実現される。本発明の特別な具体例におい
て、ウェハ離間用マスクが、例えば物理気相成長（ＰＶ
Ｄ）法を用いて金属支持部材のパターンをチャック体の
絶縁層上に堆積することによって製造される。この絶縁
層は、ＰＶＤ法を用いて、台座基部に生成される。絶縁
層と離間用マスクの両方が、化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）、プラズマスプレー堆積法、ろう付、溶射堆積法等
を用いて堆積されてもよい。離間用マスクの支持部材
が、複数の離間したパッドのような所定のパターンに堆
積される。少なくとも１つのパッドが電源に接続され
る。特に、離間用マスク内の複数の選択された金属パッ
ドが、導電性トレースを介して高電圧電源の１つの端子
に接続される。電源の別の端子は、導電性台座基部に接
続される。
クの少なくとも１つの支持部材の間に接続される。この
ようにして、非常に強い電界が、ウェハと導電性台座基
部の間の絶縁層にわたって生成される。ウェハ上に生成
される電位は、台座基部に与えられる電位とは異なり、
典型的には反対の極性に分極化される。このようにし
て、ウェハ下面の電荷が、クーロン力により導電性台座
基部の電荷に引き付けられ、ウェハがチャックに引き付
けられて、チャック上に保持（クランプ）される。この
保持は、プラズマがチャック及びウェハに近接して生成
されなくても実現される。本発明の特別な具体例におい
て、ウェハ離間用マスクが、例えば物理気相成長（ＰＶ
Ｄ）法を用いて金属支持部材のパターンをチャック体の
絶縁層上に堆積することによって製造される。この絶縁
層は、ＰＶＤ法を用いて、台座基部に生成される。絶縁
層と離間用マスクの両方が、化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）、プラズマスプレー堆積法、ろう付、溶射堆積法等
を用いて堆積されてもよい。離間用マスクの支持部材
が、複数の離間したパッドのような所定のパターンに堆
積される。少なくとも１つのパッドが電源に接続され
る。特に、離間用マスク内の複数の選択された金属パッ
ドが、導電性トレースを介して高電圧電源の１つの端子
に接続される。電源の別の端子は、導電性台座基部に接
続される。
【０００７】半導体ウェハの処理中に本発明を用いた結
果として、反応チャンバ内でプラズマが生成される前
に、ウェハがチャック上に配置され保持されることが可
能となる。
果として、反応チャンバ内でプラズマが生成される前
に、ウェハがチャック上に配置され保持されることが可
能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従った単極静電
チャック１００の垂直横断面を示す。本発明の用途を例
として示すために、図１が、半導体ウェハ１０８を支持
する離間用マスク１０２を示す。図２は、（ウェハ１０
８を取り除いた）図１のウェハ離間用マスク１０２の頂
面図を示す。本発明を最適に理解するために、以下の説
明を読む際に、図１及び２の両方を参照されたい。好適
な具体例において、単極静電チャック１００が、導電性
台座基部１０４及びその上に堆積される絶縁層１０６か
らなるチャック体１０５を含む。導電性台座基部は、典
型的には物理気相成長（ＰＶＤ）システム用の従来のヒ
ータ組立体である。このようなヒータ組立体は、本願明
細書の一部として組み込まれる1995年12月15日に本件出
願人により出願された米国特許出願第08/567,625号に開
示されている。しかしながら、台座基部は、単純にステ
ンレス鋼又はアルミニウムの円筒形ブロックであっても
よい。
チャック１００の垂直横断面を示す。本発明の用途を例
として示すために、図１が、半導体ウェハ１０８を支持
する離間用マスク１０２を示す。図２は、（ウェハ１０
８を取り除いた）図１のウェハ離間用マスク１０２の頂
面図を示す。本発明を最適に理解するために、以下の説
明を読む際に、図１及び２の両方を参照されたい。好適
な具体例において、単極静電チャック１００が、導電性
台座基部１０４及びその上に堆積される絶縁層１０６か
らなるチャック体１０５を含む。導電性台座基部は、典
型的には物理気相成長（ＰＶＤ）システム用の従来のヒ
ータ組立体である。このようなヒータ組立体は、本願明
細書の一部として組み込まれる1995年12月15日に本件出
願人により出願された米国特許出願第08/567,625号に開
示されている。しかしながら、台座基部は、単純にステ
ンレス鋼又はアルミニウムの円筒形ブロックであっても
よい。
【０００９】５から 200ミクロンの厚さを有する絶縁層
１０６が、台座基部１０４の頂面１１１に堆積される。
絶縁層（又はフィルム）は、スパッタリング、化学気相
成長法（ＣＶＤ）、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶ
Ｄ）等の従来の方法で堆積される。このフィルムは、ア
ルミナ、ダイヤモンド、ドープされたシリコン又はガラ
ス材料等の多くの絶縁材料の１つから構成される。この
フィルムは、台座の側壁１１４及びフランジ１１６の頂
面だけでなく、台座基部の上面全体をも被う。ウェハ離
間用マスク１０２は、典型的にはＰＶＤ法を用いて堆積
される。しかしながら、別の金属コーティング法も利用
可能であり、所定のパターンに金属材料を堆積するため
に用いられることができる。これらの離間用マスクは、
チタン、ステンレス鋼、ニッケル及びポリシリコン等の
様々な導電体の１つから製造されることができる。離間
用マスクの材料は、絶縁層の支持面に、ウェハ１０８又
は別のワークピースを保持する所定の厚さに堆積され
る。例えば、その厚さはおよそ２μｍである。ウェハ支
持マスクが、本願明細書の一部として組み込まれる1996
年３月８日に本件出願人により出願された米国特許出願
第08/612,652号に開示されている。
１０６が、台座基部１０４の頂面１１１に堆積される。
絶縁層（又はフィルム）は、スパッタリング、化学気相
成長法（ＣＶＤ）、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥ−ＣＶ
Ｄ）等の従来の方法で堆積される。このフィルムは、ア
ルミナ、ダイヤモンド、ドープされたシリコン又はガラ
ス材料等の多くの絶縁材料の１つから構成される。この
フィルムは、台座の側壁１１４及びフランジ１１６の頂
面だけでなく、台座基部の上面全体をも被う。ウェハ離
間用マスク１０２は、典型的にはＰＶＤ法を用いて堆積
される。しかしながら、別の金属コーティング法も利用
可能であり、所定のパターンに金属材料を堆積するため
に用いられることができる。これらの離間用マスクは、
チタン、ステンレス鋼、ニッケル及びポリシリコン等の
様々な導電体の１つから製造されることができる。離間
用マスクの材料は、絶縁層の支持面に、ウェハ１０８又
は別のワークピースを保持する所定の厚さに堆積され
る。例えば、その厚さはおよそ２μｍである。ウェハ支
持マスクが、本願明細書の一部として組み込まれる1996
年３月８日に本件出願人により出願された米国特許出願
第08/612,652号に開示されている。
【００１０】図２が、複数の離間したパッド１１８−１
１８として堆積された金属材料で形成された支持部材を
有するマスクパターンを例示する。各パッドは、およそ
0.25cm(0.1インチ) の径を有している。点線で示される
同心リングは、0.64cm（0.25インチ）だけ離間され、各
リング内のパッドは、互いにおよそ0.64cm（0.25イン
チ）だけ離間される。一般的には、パッドの数、間隔及
びサイズは、静電チャックにより与えられるクランプ力
により定められる。例えば、力が大きくて、パッドが互
いに比較的離されている場合には、ウェハがパッド間で
撓む。一方で、チャックの表面上にパッドを多く配置し
すぎるときには、誘電性ウェハの裏面に結合することに
よってクランプ力を促進する静電フィールドが干渉され
るおそれがある。そのために、パッドは、適切に支持
し、クランプ力への干渉を制限するように、慎重に配置
されなければならない。当然のことながら、同心リン
グ、半径、又は同心リングと半径の組合せを含む支持部
材の別のパターンが用いられてもよい。
１８として堆積された金属材料で形成された支持部材を
有するマスクパターンを例示する。各パッドは、およそ
0.25cm(0.1インチ) の径を有している。点線で示される
同心リングは、0.64cm（0.25インチ）だけ離間され、各
リング内のパッドは、互いにおよそ0.64cm（0.25イン
チ）だけ離間される。一般的には、パッドの数、間隔及
びサイズは、静電チャックにより与えられるクランプ力
により定められる。例えば、力が大きくて、パッドが互
いに比較的離されている場合には、ウェハがパッド間で
撓む。一方で、チャックの表面上にパッドを多く配置し
すぎるときには、誘電性ウェハの裏面に結合することに
よってクランプ力を促進する静電フィールドが干渉され
るおそれがある。そのために、パッドは、適切に支持
し、クランプ力への干渉を制限するように、慎重に配置
されなければならない。当然のことながら、同心リン
グ、半径、又は同心リングと半径の組合せを含む支持部
材の別のパターンが用いられてもよい。
【００１１】チャック電圧をウェハに容易に接続するた
めに、少なくとも１つの支持部材１２０が電圧源１１２
に接続される。一般的には、ウェハの下面への接続の信
頼性を高めるために、複数（例えば４つ）の支持部材１
２０−１２０が、電圧源１１２の１つの端子に接続され
る。支持部材１２０−１２０から電源１１２の導電性接
続が、様々な方法により実現できる。示された具体例
は、チャック体支持面１２２の回りに均一に分布する４
つの「バイアスされた」支持部材１２０−１２０を備え
る。しかしながら、ウェハに対する接続を確実にするた
めに、ウェハがかなり反りかえっている場合でも、多く
（例えば９個）のバイアスされた支持部材が用いられる
ことができる。又、チャック体の内部にある支持部材
が、トレース１２６及び１２８などの任意的な連結トレ
ースにより相互接続されることができる。
めに、少なくとも１つの支持部材１２０が電圧源１１２
に接続される。一般的には、ウェハの下面への接続の信
頼性を高めるために、複数（例えば４つ）の支持部材１
２０−１２０が、電圧源１１２の１つの端子に接続され
る。支持部材１２０−１２０から電源１１２の導電性接
続が、様々な方法により実現できる。示された具体例
は、チャック体支持面１２２の回りに均一に分布する４
つの「バイアスされた」支持部材１２０−１２０を備え
る。しかしながら、ウェハに対する接続を確実にするた
めに、ウェハがかなり反りかえっている場合でも、多く
（例えば９個）のバイアスされた支持部材が用いられる
ことができる。又、チャック体の内部にある支持部材
が、トレース１２６及び１２８などの任意的な連結トレ
ースにより相互接続されることができる。
【００１２】チャック体の縁にあるバイアスされた支持
部材は、平面図によると卵形であり、チャック体の支持
面１２２に「張り出し」ている。このように、離間用マ
スクの堆積中に、これらの支持部材が、チャック体１０
５の支持面１２２、側壁１１４及びフランジ１１６に沿
って形成される。さらに、支持部材の堆積中に、相互接
続トレース１２４が、バイアスされた全ての支持部材１
２０−１２０を相互接続するために形成される。特に、
相互接続トレース１２４は、フランジ１１６上に形成さ
れ、チャック体全体を取り囲む。支持部材１２０をバイ
アスするために、相互接続トレース１２４が、高電圧源
１１２の１つの端子に接続される導電性ワイヤに接続さ
れる。高電圧源１１２の別の端子は、導電性台座基部１
０４に接続される。このようにして、高電圧が、絶縁層
１０６にわたって与えられる。プラズマが存在しない状
態で 200mm径ウェハを効果的にクランプするために、与
えられる電圧は、およそ 300ボルトＤＣである。
部材は、平面図によると卵形であり、チャック体の支持
面１２２に「張り出し」ている。このように、離間用マ
スクの堆積中に、これらの支持部材が、チャック体１０
５の支持面１２２、側壁１１４及びフランジ１１６に沿
って形成される。さらに、支持部材の堆積中に、相互接
続トレース１２４が、バイアスされた全ての支持部材１
２０−１２０を相互接続するために形成される。特に、
相互接続トレース１２４は、フランジ１１６上に形成さ
れ、チャック体全体を取り囲む。支持部材１２０をバイ
アスするために、相互接続トレース１２４が、高電圧源
１１２の１つの端子に接続される導電性ワイヤに接続さ
れる。高電圧源１１２の別の端子は、導電性台座基部１
０４に接続される。このようにして、高電圧が、絶縁層
１０６にわたって与えられる。プラズマが存在しない状
態で 200mm径ウェハを効果的にクランプするために、与
えられる電圧は、およそ 300ボルトＤＣである。
【００１３】台座基部及びウェハ離間用マスクにチャッ
ク電圧を用いると、ウェハの下面および台座基部の表面
にわたって電荷が分散される。これらの電荷の反対の極
性が、ウェハと台座基部の間に静電引力を生成する。こ
の引力は、処理チャンバ内のプラズマによらずにウェハ
をチャックに保持し、ウェハに導電性接地通路を提供す
る。結果として、ＰＶＤ法において、プラズマが生成さ
れる前にウェハが静電的にチャックされ、加熱される。
本発明の教示を組み込んだ様々な具体例が詳細に示され
説明されてきたが、当業者であれば、これらの教示を組
み込んだ多くの様々な具体例を容易に得ることができ
る。
ク電圧を用いると、ウェハの下面および台座基部の表面
にわたって電荷が分散される。これらの電荷の反対の極
性が、ウェハと台座基部の間に静電引力を生成する。こ
の引力は、処理チャンバ内のプラズマによらずにウェハ
をチャックに保持し、ウェハに導電性接地通路を提供す
る。結果として、ＰＶＤ法において、プラズマが生成さ
れる前にウェハが静電的にチャックされ、加熱される。
本発明の教示を組み込んだ様々な具体例が詳細に示され
説明されてきたが、当業者であれば、これらの教示を組
み込んだ多くの様々な具体例を容易に得ることができ
る。
【図１】本発明による単極静電チャックの垂直横断面を
示す。
示す。
【図２】ウェハ離間用マスクのパターンの例の頂面図を
示す。
示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ステファニー イー ハーヴィー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95054 サンタ クララ パークヴィュー ドライヴ 600 アパートメント 312
Claims (16)
- 【請求項１】 ワークピースを保持する単極静電チャッ
クであって、 表面を有するチャック体と、 前記チャック体の前記表面上にある導電性材料のウェハ
離間用マスクとを備え、 前記ウェハ離間用マスクが、電源に接続するように構成
されていることを特徴とする単極静電チャック。 - 【請求項２】 前記チャック体が、 台座表面を有する導電性ウェハ台座基部と、 前記導電性台座基部の前記表面上に堆積され、前記チャ
ック体の前記表面を形成する絶縁層とを備えることを特
徴とする請求項１に記載の単極静電チャック。 - 【請求項３】 前記ウェハ離間用マスクが、前記チャッ
ク体の前記表面に関して離間した関係で前記ワークピー
スを支持する複数の支持部材を備え、 前記複数の支持部材の少なくとも１つの支持部材が、電
源に接続するように構成されていることを特徴とする請
求項１に記載の単極静電チャック。 - 【請求項４】 電源に接続するように構成されている前
記支持部材が、前記チャック体の縁に近接して配置され
ることを特徴とする請求項３に記載の単極静電チャッ
ク。 - 【請求項５】 前記複数の支持部材が、電源に接続する
ように構成されている支持部材のサブセットを含むこと
を特徴とする請求項３に記載の単極静電チャック。 - 【請求項６】 前記支持部材のサブセットの各支持部材
が、前記チャック体の縁に近接して、その縁に張り出
し、 前記サブセットの前記支持部材の第１部分が前記ワーク
ピースに接触し、前記サブセットの前記支持部材の第２
部分が電源に接続する構成を有していることを特徴とす
る請求項５に記載の単極静電チャック。 - 【請求項７】 前記支持部材のサブセットの前記支持部
材の各々が、相互接続トレースにより相互接続されるこ
とを特徴とする請求項６に記載の単極静電チャック。 - 【請求項８】 電源に接続するように構成されている前
記少なくとも１つの支持部材を、少なくとも１つの別の
支持部材に接続する相互接続トレースを備えることを特
徴とする請求項３に記載の単極静電チャック。 - 【請求項９】 ワークピースを保持する装置であって、 表面を有するチャック体と、 前記チャック体の前記表面上にある導電性材料のウェハ
離間用マスクと、 前記チャック体に接続する第１端子と前記ウェハ離間用
マスクに接続する第２端子を備えた電源とを有すること
を特徴とする装置。 - 【請求項１０】 前記チャック体が、 台座表面を有する導電性ウェハ台座基部と、 前記導電性台座基部の前記表面上に堆積され、前記チャ
ック体の前記表面を形成する絶縁層とを備えることを特
徴とする請求項９に記載の装置。 - 【請求項１１】 前記ウェハ離間用マスクが、前記チャ
ック体の前記表面に関して離間した関係で前記ワークピ
ースを支持する複数の支持部材を備え、 前記複数の支持部材の少なくとも１つの支持部材が、前
記電源に接続されることを特徴とする請求項９に記載の
装置。 - 【請求項１２】 前記電源に接続される前記支持部材
が、前記チャック体の縁に近接することを特徴とする請
求項１１に記載の装置。 - 【請求項１３】 前記複数の支持部材が、前記電源に接
続するように構成されている支持部材のサブセットを含
むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。 - 【請求項１４】 前記支持部材のサブセットの各支持部
材が、前記チャック体の縁に近接して、その縁に張り出
し、 前記サブセットの前記支持部材の第１部分が前記ワーク
ピースに接触し、前記サブセットの前記支持部材の第２
部分が前記電源に接続されることを特徴とする請求項１
３に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記支持部材のサブセットの前記支持
部材の各々が、相互接続トレースにより相互接続される
ことを特徴とする請求項１４に記載の装置。 - 【請求項１６】 前記電源に接続される前記少なくとも
１つの支持部材を、少なくとも１つの別の支持部材に接
続する相互接続トレースを備えることを特徴とする請求
項１１に記載の装置。
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|---|---|---|---|
| US08/639842 | 1996-05-08 | ||
| US08/639,842 US5745332A (en) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098093A true JPH1098093A (ja) | 1998-04-14 |
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