KR20010052264A - 세라믹 및 금속을 일체식으로 소결하여 형성한 정전기 척 - Google Patents

세라믹 및 금속을 일체식으로 소결하여 형성한 정전기 척 Download PDF

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Abstract

세라믹 층(14)과 척을 금속 받침대에 직접적으로 장착하기 위한 금속 배면부(12)를 갖춘 정전기 척 및 상기 정전기 척을 간단한 소결단계를 이용하여 제조하는 방법이 설명되어 있다. 상기 세라믹 층(14), 바람직하게 ALN은 내부에 형성되어 상기 금속 배면부(12), 바람직하게 Mo 내부에 형성된 구멍을 통해 연장함으로써 금속(33,34)에 의해 전극(30,31)을 연결하기 위한 일체형 관통체를 형성한다.

Description

세라믹 및 금속을 일체식으로 소결하여 형성한 정전기 척 {ELECTROSTATIC CHUCK FORMED BY INTEGRAL CERAMIC AND METAL SINTERING}
정전기 척은 물리적 증착(PVD)처리 시스템, 화학적 증착(CVD) 처리 시스템 및 에칭 시스템에서와 같은 처리공정 중에 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 정전기기적으로 흡인하여 유지하기 위한 기술분야에 공지되어 있다.
그러한 정전기 척의 일례가 도시야 와타나베 등의 발명자에 의해 1992년 5월 26일자로 전압을 정전기 척에 가하기 위한 장치 및 방법이란 명칭으로 허여된 미국 특허 제 5,117,121호에 설명되어 있다. 상기 특허는 본 발명에 참조되었다. 정전기 척은 일반적으로 유전체 재료, 예를들어 알루미나-티타늄 산화물 화합물, 알루미늄-질화물, 폴리이미드 등으로 제조되며 상기 유전체 재료내에 한 쌍의 전극이 함침되어 있는 시이트 또는 블록을 포함한다. 전압이 전극 사이에 인가될 때, 기판은 존슨-라벡 효과(Johnsen-Rahbek effect) 또는 쿨룽 효과에 따라 정전기 척에 정전기기적으로 흡인된다.
웨이퍼를 반도체 웨이퍼 처리시스템내의 진공챔버내에 정전기적으로 유지하기 위해서는 정전기 척의 세라믹 몸체가 통상 스테인레스 스틸로 제조되는 금속 받침대(metal pedestal)에 볼트에 의해 직접 장착된다. 상기 세라믹 몸체와 금속 받침대는 팽창 계수가 상이하며, 상기 세라믹 몸체와 금속 받침대가 반도체 웨이퍼 처리공정 중에 열전달을 겪게 되므로 세라믹 몸체와 금속 받침대는 상이하게 팽창하게 되며, 세라믹 몸체를 금속 받침대에 직접적으로 장착하여 연결한 경우의 상이한 열 팽창으로 상대적으로 고가인 세라믹 정적 척의 부수적인 손실에 의한 세라믹 파손을 초래하며, 상기 파손 중에 세라믹 정전기 척상에 잔류하는 더 중요하고 더 고가인 부분 처리된 반도체 웨이퍼의 파손을 초래한다.
또한, 플라즈마 강화 처리공정을 이용하는 다수의 반도체 웨이퍼 처리 시스템에 있어서 상기 받침대 자체는 받침대에 의해 지지된 웨이퍼가 챔버내의 플라즈마에 대해 편향되도록 RF 신호에 따라 편향된다. 웨이퍼를 효과적으로 편향시키기 위해, RF 에너지가 정전기 척을 통해 정전기 척상에 유지된 웨이퍼에 연결된다. 상기 받침대로부터 정전기 척을 통해 RF 에너지를 연결함으로써, RF 에너지의 일부는 세라믹과 척 고정된 전극에 의해 분산된다. 웨이퍼에 연결되는 RF 에너지의 양을 증가시키기 위해서는 RF 에너지를 받침대에 가하기 보다는 웨이퍼에 근접해 있는 RF 전극에 가하는 것이 바람직하다. 그와 같이, 세라믹 몸체내에 함침된 고 전류용량의 전극이 필요한데, 이는 상당히 크고 두꺼운 전극, 즉 고전류 이송능력을 갖는 전극을 함침하고 RF 에너지를 이송하는 정전기 척의 세라믹 몸체내에 상당히 큰 관통체(feedthroughs)를 함침함으로써 달성될 수 있다. 그러나, 그러한 정전기 척 조립체는 바람직하지 않게 RF 전류에 의해 세라믹 몸체를 가열하는 결과를 초래한다. 그러한 가열은 또한 세라믹의 파괴를 초래할 수 있다. 척 내부의 열적 변화를 조절하고 세라믹 파손을 방지하기 위해, 상기 세라믹 몸체는 상당히 두껍게 제조된다. 그러나, 세라믹을 더욱 두껍게 제조함에 따라 더욱 많은 RF 에너지가 세라믹내에 분산되어 받침대 보다는 척 내부에 있는 RF 전극에 RF 에너지를 가함으로써 얻은 어떠한 장점이 손실되게 된다.
따라서, 본 기술분에서는 상당히 얇은 세라믹 몸체와 웨이퍼에 상당히 근접 위치된 RF 편향 전극 및 금속 받침대에 직접 장착되지 않는 세라믹 몸체를 갖춘 정전기 척을 필요로 한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리시스템에 관한 것이며, 보다 상세하게는 기판을 상기 처리시스템 내에 유지하기 위한 정전기 척에 관한 것이다.
도 1은 본 발명을 구현한 정전기 척의 평면도이며,
도 2는 도 1의 2-2선을 따라 화살표 방향으로 취한 횡단면도이며,
도 3은 본 발명의 정전기 척을 이용하는 PVD 반도체 웨이퍼의 개략적인 수직 횡단면도이다.
종래기술과 관련된 단점들은 본 발명을 구현한 정전기 척에 의해 극복된다. 본 발명의 정전기 척은 처킹 전극(chucking electrode)을 포함하는 세라믹 몸체를 포함하며, 상기 세라믹 몸체는 RF 편향전극을 형성하는 금속 배면부에 장착된다. 세라믹 몸체, 처킹 전극 및 금속 배면부로 구성된 전체 조립체는 단일 소결공정을 사용하여 제조된다. 금속 배면부는 금속 받침대에 직접 장착되도록 설계된다. 상기 금속 배면부는 적어도 하나의 관통 구멍을 가지며 상기 세라믹 몸체는 상기 구멍을 통해 연장하는 적어도 하나의 부분을 포함한다. 적어도 하나의 금속 전극이 세라믹 몸체내에 함침되어 상기 금속 배면부로부터 이격되며 적어도 하나의 금속 관통체가 금속 전극과 일체로 형성되어 금속 배면부내의 구멍을 통해 연장하는 세라믹 몸체의 일부를 통해 연장하여 그 내부에 함침된다.
본 발명의 정전기 척을 제조하기 위한 본 발명의 방법은 세라믹 몸체를 형성하도록 세라믹 분말을 동시에 소결하는 단계, 및 상기 금속 배면부를 형성하고 금속 전극과 금속 관통체를 일체로 형성하도록 금속 분말을 소결하는 단계를 포함한다. 세라믹 분말 및 금속 분말은 실질적으로 동일한 팽창계수를 갖도록 선택되며 상기 세라믹과 금속 분말은 재료 사이의 입계에서 접합되도록 상당히 높은 열과 압력하에서 동시에 소결된다. 이러한 접합으로 세라믹 몸체를 상기 부분들 사이의 전체 경계면에 걸쳐서 금속 배면부에 장착시키며 세라믹 몸체내에 금속 전극과 금속 관통체를 함침한다. 이와 같이, 단일 정전기 척이 제조된다.
본 발명의 정전기 척을 이용하는 PVD 반도체 웨이퍼 처리장치, CVD 반도체 웨이퍼 처리장치, 이온 주입 장치 및 반도체 웨이퍼 에칭장치와 같은 기판 처리장치는 종래의 볼트 또는 기타 체결기 및 클램프에 의해 받침대에 고정될 수 있는 정전기 척으로부터 장점을 취할 수 있다. 상기 척의 금속 배면부가 금속 받침대에 고정되므로, 금속부품의 팽창계수가 적어 열적 차이로 인한 척의 파괴를 방지할 수 있다. 또한, 금속 배면부는 웨이퍼로부터 일정한 거리에 있는 RF 편향 전극을 형성하도록 편향될 수 있다. 이러한 방법으로, 상기 세라믹은 RF 전극에 의해 발생된 열을 분산시킬 수 있는 두께를 가지지 않아도 된다. 따라서, 세라믹은 상당히 얇아질 수 있다. 이와 같이, 상기 전극(배면부)도 RF 에너지를 전극에 효과적으로 연결하도록 상당히 근접해 있으며, 일체형 RF 전극이 세라믹 내에 함침되어 있지 않으므로 배면판을 통해 흐르는 RF 전류는 영향을 끼칠 정도로 세라믹을 가열하지 않는다.
본 발명의 사상은 첨부도면과 관련하여 다음의 상세한 설명을 고려함으로써 용이하게 이해될 수 있다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도면에서 공통인 동일한 소자를 나타내기 위해서 가능하다면 동일한 도면부호를 사용했다.
도 1 및 도 2는 본 발명을 구현한 정전기 척(10)을 도시한다. 상기 정전기 척(10)은 본 발명에서 금속 배면부(또는 배면판)(12)로서 지칭된 전도성 재료층 또는 재료부 및 세라믹 재료 층(14)과 같은 상당히 낮은 저항재료 층을 포함한다. 상기 세라믹 재료 층(14)은 상세히 후술하는 방식으로 금속 배면부(12)에 장착된다. 상기 금속 배면부(12)는 상부(15) 및 바닥(16)을 포함하는 보통 디스크 형상의 금속 몸체이며 관통 연장하는 복수, 예를들어 4 개의 장착 구멍(20,21,22,23)을 가진다. 상기 장착구멍(20-23)은 이후의 도 3에 도시하고 설명하는 바와 같이, 금속 배면부(12)와 그에 따른 정전기 척을 금속 받침대에 장착하기 위한 볼트와 같은 나사 부재를 수용하기 위한 것이다. 상기 금속 배면부(12)도 상부(15)로부터 바닥(16)으로 관통 연장하는 한 쌍의 구멍(24,25)을 포함한다. 상기 세라믹 재료 몸체(14)는 일반적으로 디스크 형태의 상부(26) 및 두 개의 일체로 형성되고 수직하게 하방으로 연장하는 일반적으로 중공의 원통형 부재 또는 원통형부(27,28)를 포함한다.
상기 정전기 척(10)은 세라믹 재료 몸체의 상부(26)내에 함침된 일반적으로 반달 형상인 한 쌍의 금속 전극(30,31) 및 상기 세라믹 재료의 몸체(14)의 중공의 원통형부(27,28)를 통해 하방으로 동심으로 연장하고 금속 전극(30,31)에 대해 각각 일체로 형성된 2개의 직선의 원통형 금속 관통체(33)를 포함한다. 도 2로부터, 금속 관통체(33,34)의 부분들이 세라믹 몸체(14)의 상부(26)내에 함침되고 상기 금속 관통체의 일부분이 세라믹 몸체(14)의 중공의 원통형부(27,28)내에 함침되어 있음을 알 수 있다.
본 발명의 제조방법에 따른 정전기 척(10)은 이후의 도 3에 도시하고 설명하는 바와 같이 RF 편향가능한 정전기 척인 모두 소결된 단일체의 분리가능한 정전기 척이다.
본 발명의 제조방법에 따라 상기 정전기 척(10)은 금속 배면부(12), 금속 전극(30,31) 및 금속 관통체(33,34)를 형성하도록 금속 분말을 소결하고 세라믹 재료 몸체(14)를 형성하도록 세라믹 분말을 동시에 소결함으로써 제조될 수 있다고 이해할 수 있다. 금속 배면부(12)와 세라믹 몸체(14) 사이의 차등 열팽창을 방지하기 위해, 소결용 금속 분말과 세라믹 분말이 실질적으로 동일한 팽창계수를 갖도록 선택된다. 예를들어, 금속분말용으로는 약 5.2 × 10-6/。K의 팽창 계수를 갖는 몰리브덴이고 세라믹 분말용으로는 약 4.4 × 10-6/。K의 팽창 계수를 갖는 알루미늄-질화물이다. 소결분야의 당업자들에게 공지된 방법으로, 상기 몰리브덴 분말과 알루미늄-질화물 분말은 전술한 도 1 및 도 2에 도시된 구조와 형상을 금속 배면부(12) 및 세라믹 재료 몸체(14)에 제공하도록 적합한 몰드내에 놓여진다. 언급한 바와 같이, 몰리브덴 분말과 알루미늄-질화물 분말은 약 1200℃ 및 약 10-100 바아의 압력에서 동시에 소결된다. 이러한 소결공정은 소결분말의 입계에서 접합을 수행하여 소결된 몰리브덴 분말과 소결된 알루미늄-질화물 사이를 결합하게 된다. 이는 세라믹부와 배면부 사이의 전체 계면에 걸쳐서 세라믹 재료 몸체(14)를 금속 배면부(12)에 장착시키게 된다.
소결된 모든 정전기 척이 바람직하지만, 다른 실시예에서는 세라믹 몸체와 금속 배면부를 소결하기 이전에 세라믹 분말 내측으로 삽입되는 각각의 관통체와 직선 전극을 포함한다. 예비성형된 전극은 몰리브덴 박판으로 제조된다. 직선 전극박판의 대안은 금속 메쉬로 제조된 전극이다. 그러한 박판 또는 메쉬는 열적인 싸이클 중에 세라믹 척에 대한 과도한 물리적 응력을 부과하지 않는다.
상기 금속 배면부(12)는 약 12㎜의 두께를 가지며 상기 세라믹 몸체(14)는 약 3㎜의 두께를 가진다. 상기 세라믹 몸체(14)는 일반적으로 금속 배면부(12)보다 얇다. 약 12 내지 25㎜의 두께를 갖는 세라믹 몸체를 통상적으로 포함하는 종래의 정전기 척에 비해서, 상기 세라믹 몸체(14)의 박판화는 RF 에너지가 세라믹 몸체를 통해 웨이퍼에 연결될 때 RF 전력손실을 실질적으로 감소시킨다. 함침된 RF 전극을 갖는 종래기술의 척은 함침 전극에 의해 발생된 열을 발산시키고 세라믹 파괴를 초래하는 척 전반에 걸친 열적 변화를 감소시키기 위해 두꺼운 세라믹을 가져야 한다. 본 발명에 있어서 RF 전극을 형성하는 배면부를 세라믹 배면에 결합시키므로, 상기 세라믹은 RF 전극을 통해 흐르는 RF 전류에 의해 실질적으로 가열되지 않는다. 또한, 금속 받침대에 장착될 때 금속 받침대는 척 세라믹의 온도를 조절하는 히트 싱크(heat sink)를 형성한다. 이와 같이, 본 발명의 세라믹 부분은 종래기술에 따른 척의 세라믹 부분 보다 상당히 얇다.
도 3은 본 발명의 정전기 척(10)을 포함하는 PVD 반도체 웨이퍼 처리시스템의 개략적인 횡단면도이다. 본 발명은 PVD 시스템에 한정되지 않으며 본 발명의 정전기 척을 유리하게 사용할 수 있는 CVD 및 에칭 장치 또는 기타 장치에 사용될 수 있다고 이해해야 한다. 상기 처리장치(40)는 일반적으로 원통형인 벽(43) 및 내측 증착챔버(45)를 형성하는 일체 형성된 바닥(44)을 포함하는 중공의 원통형 밀폐용기(42)를 포함한다. 상기 챔버는 예를들어 아르곤과 같은 이온화 가스를 함유한다. 예를들어, 티타늄과 같은 증착재료용 타겟(48)은 적합한 절연성 장착부재(49)에 의해 상기 밀폐용기(42)의 상부에 적합하게 장착된다. 네가티브 DC 전압원(52)이 타겟(48)과 원통형 벽(43) 사이에 연결되어 상기 전압원(52)과 원통형 벽(43)을 지면에 접지시킨다. 상기 네가티브 DC 전압원(52)은 타겟(48)과 챔버의 접지부 사이에 전기장을 설정한다. 상기 전기장은 아르곤 가스(46)를 이온화시켜 양전하 아르곤 이온(Ar+)을 생성한다. 적합한 금속 받침대(54)는 종래기술에 공지된 방식으로 밀폐용기(42)의 바닥에 적절히 장착되는 금속 기저부(55)를 포함한다. 중공의 금속 튜브(56)는 받침대 기저부(55)에 장착된다. 금속 기저부(55) 및 금속 튜브(56)는 예를들어, 스테인레스 스틸로 제조된다.
본 발명의 정전기 척(10)은 적합한 나사부재 또는 볼트(58,59)에 의해 금속 배면부(12)를 금속 받침대(54)에 직접적으로 장착함으로써 금속 받침대(54)에 장착된다. 금속 배면부는 금속 기저부(54)의 주변부 위에 클램프된다. 적합한 DC 공급원(60)이 제공되며 상기 DC 공급원(60)으로부터 중공의 금속튜브(56) 및 받침대(54)를 통해 금속 관통체(33,34)로 리드(61,62)가 연장되어 있다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 적합한 환형 증착 링(64)이 세라믹 재료의 몸체(14)로부터 외측 주변부로 연장하는 금속 배면부(12)의 주변부 상부(15)에 놓인다. 보통 환형의 증착 차폐물(66)이 제공되어 밀폐용기(42)의 내측 상부 및 증착 링(64)에 섀도우 링(68)에 의해 연결된다. 본 기술분야에 공지된 바와 같이, 증착 링(64), 차폐물(66) 및 섀도우 링(68)은 원통형 벽(43), 금속 배면부(12), 및 세라믹 재료의 몸체(14)의 내측에 증착재료의 원치않는 증착을 방지한다.
본 실시예에서, 반도체 웨이퍼(70)는 받침대(54)를 하강시켜 챔버측에 위치된 슬릿 밸브(도시않음)를 경유하여 척 상에 웨이퍼를 위치시킴으로써 정전기 척 상에 놓여진다. 그후, 받침대는 도 3에 도시된 처리위치로 상승되며, 공급원(60)으로부터의 DC 전압이 금속 관통체(33,34)에 가해질 때, 전술한 와따나베 특허에 설명된 대로 존슨-라벡 효과에 따라 상기 반도체 웨이퍼(70)가 정전기 척(10)에 의해 정전기적으로 흡인되어 유지된다. 증착챔버(45)를 배기 또는 진공화하기에 적합한 배기펌프(72)가 제공된다. 또한, 적합한 RF 전원(74)이 제공되어 원통형 튜브(56)와 접지 사이에 연결된다. 이와 같이, RF 전원은 금속튜브(56), 금속 받침대(54) 및 정전기 척(10)의 금속 배면부(12)에 연결된다. 따라서, 상기 정전기 척(10)은 RF 편향 가능한 정전기 척이다.
작동에 있어서, 상기 DC 전원(52)은 양전하 아르곤 이온(Ar+)을 생성하도록 아르곤(46)을 이온화하는 전술한 전기장을 설정하며 양전하 아르곤 이온은 음편향 타겟(48)에 흡인된다. 상기 이온들은 타겟(48)과 충돌하여 반도체 웨이퍼(70)의 상면상에 증착될 재료들을 이동시킨다. 상기 RF 공급원(74)은 전술한 RF 바이어스를 정전기 척(10)과 반도체 웨이퍼(70)에 공급한다. RF 바이어스는 본 기술분야에 공지된 바와 같이 플라즈마를 강화하고 증착효율을 개선한다.
요약하면, 본 발명의 정전기 척의 몇몇 장점은 RF 전력 분산을 감소시키고 RF전원에 의해 구동되는 전기 임피던스를 감소시키기에 충분히 세라믹 몸체(14)가 얇으며, 금속 층(12)을 통과하나 세라믹 몸체(14)을 통과하지 않게 정전기 척(10)을 금속 받침대(54)에 장착시키는 것에 의해(도 3) 세라믹 몸체와 금속 받침대 사이의 차등 열팽팡을 실질적으로 극복할 수 있으며, 동일한 팽창계수를 갖는 금속 분말 및 세라믹 분말로 금속 몸체 또는 층(12)과 세라믹 층 또는 몸체(14)를 소결함으로써 금속 층(12)과 세라믹 층(12) 사이의 차등 팽창을 실질적으로 감소시켜서 세라믹 층(14)의 파괴를 실질적으로 감소시킬 수 있다는 점이다.
본 발명의 전술한 실시예에서 한 쌍의 반달형 전극을 갖는 정전기 척과 관련하여 설명하였지만, 상기 전극의 형상과 숫자에 본 발명이 한정되는 것이 아니라고 이해해야 한다. 상기 전극은 어떤 임의 형상이나 크기를 가질 수 있으며 단극 정전기 척에 사용된 바와 같은 단일 전극으로부터 웨이퍼의 띠형 처어킹에 사용되는 정전기 척에서와 같이 다수의 전극에 이르기까지 전극 숫자가 변화될 수 있다.
다수의 변경예들이 본 발명의 사상과 정신으로부터 이탈함이 없이 본 발명의 범주내에서 실시될 수 있다고 이해해야 한다.

Claims (24)

  1. 반도체 웨이퍼와 같은 기판 유지장치로서,
    전도성 재료 층과,
    상기 전도성 재료 층의 적어도 일부분 위에 놓이는 제 1 부분 및 상기 전도성 재료 층을 통해 연장하는 제 2 부분을 갖춘 저 저항 재료 층과,
    상기 전도성 재료 층으로부터 이격되게 상기 저 저항 재료 층의 제 1 부분 내에 잔류하는 하나 이상의 전극, 및
    상기 저 저항 재료 층의 제 1 부분의 일부분을 관통해 연장하는 제 1 부분 및 상기 저 저항 재료 층의 제 2 부분을 관통해 연장하는 제 2 부분을 가지며 상기 전도성 재료 층으로부터 이격되어 있는 전기 커넥터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유지장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 재료 층은 소결된 제 1 금속 층이며, 상기 저 저항 재료 층은 소결된 세라믹 층이며, 상기 전극은 소결된 제 2 금속 층이며, 상기 전기 커넥터는 소결된 제 3 금속 층이며, 상기 소결된 세라믹 층 및 상기 소결된 금속은 실질적으로 동일한 팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2, 및 제 3 금속은 소결된 몰리브덴 층이며, 상기 소결된 세라믹 층은 소결된 알루미늄-질화물 층인 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 재료 층은 소결된 제 1 금속 층이며, 상기 저 저항 재료 층은 소결된 세라믹 층이며, 상기 소결된 세라믹 층 및 소결된 금속은 실질적으로 동일한 팽창 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 전극은 금속 판 또는 금속 메쉬인 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 반도체 웨이퍼를 정전기적으로 흡인하기 위한 정전기 척으로서,
    상부 및 바닥을 가지며 상기 상부로부터 바닥으로 수직하게 연장하는 하나 이상의 구멍을 갖는 금속 층과,
    상기 금속 층의 적어도 일부분 위에 놓이는 상부를 가지며 상기 금속 층 내에 형성된 상기 구멍을 통해 하방향으로 연장하는 일체형 수직 하방 연장 중공의 원통형부를 갖는 세라믹 재료 층과,
    상기 금속 층으로부터 이격되게 세라믹 재료 층의 상부에 함침된 하나 이상의 전극, 및
    상기 전극과 일체로 형성되고 전극으로부터 수직 하방으로 연장하며 상기 세라믹 재료 층의 상부 내에 부분적으로 함침되고 상기 금속 층으로부터 이격되게 상기 세라믹 재료 층의 중공의 원통형부를 통해 동심으로 하방향으로 연장하여 내부에 부분적으로 함침된 하나 이상의 금속 관통체를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 금속 층은 상부로부터 바닥으로 수직하게 관통하여 연장는 두 개의 구멍을 가지며, 상기 세라믹 재료 층은 상기 금속 층 내에 형성된 상기 구멍을 하방향으로 각각 관통하여 연장하는 일체 형성되고 하방으로 수직연장하는 두 개 이상의 중공의 원통형 부재를 포함하며, 상기 두 개 이상의 전극은 상기 금속 층으로부터 이격되게 세라믹 재료 층의 상부내에 함침된 두 개 이상의 전극을 포함하며, 상기 하나 이상의 금속 관통체는 상기 전극으로부터 수직하게 하방으로 연장하고 상기 금속 층으로부터 이격되게 상기 세라믹 재료 층의 중공의 원통형부를 통해 각각 동심으로 하방향으로 연장하며 각각 일체로 형성되는 두 개 이상의 금속 관통체를 포함하며, 상기 두 개 이상의 관통체는 두 개의 전극을 처어킹 전압원에 연결하는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 금속 층은 소결된 제 1 금속 층이며, 상기 세라믹 재료 층은 소결된 세라믹 재료 층이며, 상기 전극은 소결된 제 2 금속 층이며, 상기 금속 관통체는 소결된 제 3 금속 층이며, 상기 소결된 제 1 금속 및 소결된 세라믹, 상기 소결된 제 2 금속 및 소결된 제 3 금속 층은 실질적으로 동일한 팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 금속 층은 몰리브덴이고 상기 세라믹 재료 층은 알루미늄-질화물인 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 금속 재료 층은 제 1 두께를 가지며, 상기 세라믹 재료 층의 상부는 제 2 두께를 가지며, 상기 제 2 두께는 제 1 두께 보다 작은 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 두께는 약 12㎜이고 상기 제 2 두께는 약 3㎜인 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  12. 기판 처리 중에 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 정전기적으로 흡인하여 금속 받침대에 장착하기 위한 정전기 척에 있어서,
    세라믹 재료 층 및 금속 배면 층으로서, 상기 세라믹 재료 층이 상기 금속 배면 층에 장착되고 상기 금속 배면 층이 금속 받침대에 장착되며, 상기 금속 배면 층이 관통 연장하는 하나 이상의 구멍을 가지며 상기 세라믹 재료 층이 상기 구멍을 관통 연장하는 적어도 하나의 부분을 가지는 세라믹 및 금속 배면 층과,
    상기 금속 배면 층으로부터 이격되게 상기 세라믹 재료 층 내부에 함침된 하나 이상의 금속 전극, 및
    상기 금속 재료 층과 일체로 형성되고 상기 구멍을 관통 연장하는 세라믹 재료 층의 상기 적어도 하나의 부분들을 통해 연장하고 내부에 함침되는 하나 이상의 금속 관통체를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 금속 배면 층은 관통 연장하는 두 개 이상의 구멍을 가지며, 상기 세라믹 재료 층은 상기 구멍을 관통 연장하는 두 개 이상의 부분들을 가지며, 상기 하나 이상의 금속 전극은 상기 금속 배면 층으로부터 이격되게 상기 세라믹 재료 층 내에 함침된 두 개 이상의 금속 전극을 포함하며, 상기 하나 이상의 금속 관통체는 상기 두 개 이상의 금속 전극과 각각 일체로 형성된 두 개 이상의 금속 관통체를 포함하며, 상기 두 개 이상의 금속 관통체는 상기 구멍을 통해 연장하는 상기 세라믹 재료의 상기 두 개 이상의 부분을 통해 각각 연장하는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 세라믹 재료 층은 소결된 세라믹이며, 상기 금속 배면층은 소결된 제 1 금속 재료 층이며, 상기 하나 이상의 금속 전극 및 상기 하나 이상의 금속 관통체는 일체로 형성된 소결된 제 2 금속 재료 층이며, 상기 소결된 세라믹, 상기 소결된 제 1 금속 및 소결된 제 2 금속은 실질적으로 동일한 팽창계수를 가지며 상기 소결된 세라믹을 소결된 제 1 및 제 2 금속에 접합시키도록 약 122℃ 및 약 10 내지 100 바아의 압력에서 동시에 소결되는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 소결된 세라믹은 소결된 알루미늄-질화물이고 상기 소결된 제 1 및 제 2 금속은 소결된 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 금속 배면 층은 RF 전원에 연결되고 상기 세라믹 층은 RF 손실을 실질적으로 감소시키기에 충분히 얇은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 세라믹 층은 약 3㎜의 두께를 가지고 상기 제 2 금속 배면층은 약 12㎜의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 정전기 척.
  18. 정전기 척의 제조방법으로서,
    상부 및 바닥을 가지며 상기 상부로부터 바닥으로 수직하게 관통 연장하는 하나 이상의 구멍을 갖는 금속 층을 형성하도록 제 1 금속 분말을 소결하는 단계와,
    상기 금속 층 위에 적어도 부분적으로 놓이는 상부를 가지며 상기 금속 층내에 형성된 구멍을 통해 하방으로 연장하는 일체 형성되고 수직하방으로 연장하는 하나 이상의 보통 중공의 원통형 부재를 더 가지는 세라믹 재료 층을 형성하도록 세라믹 분말을 소결하는 단계와,
    상기 금속 층으로부터 이격되고 세라믹 재료 층의 상부내에 함침된 하나 이상의 전극을 형성하도록 제 2 금속 분말을 소결하는 단계, 및
    상기 전극으로부터 수직하방으로 연장하여 일체로 형성되고 상기 세라믹 재료 층의 상부에 부분적으로 함침되며 상기 금속 층으로부터 이격되게 상기 세라믹 재료 층의 보통 중공의 원통형 부재를 통해 동심으로 하방으로 연장하여 부분 함침된 하나 이상의 금속 관통체를 형성하도록 제 2 금속 분말을 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 척의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 금속 분말은 몰리브덴 분말이고 상기 세라믹 분말은 알루미늄-질화물 분말인 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 소결단계는 소결된 단일 부품의 정전기 척을 생성하도록 동시에 수행되며, 상기 제 1 및 제 2 금속 분말과 세라믹 분말은 실질적으로 동일한 팽창계수를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 소결단계는 약 1200℃ 및 약 10 내지 100 바아의 압력하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 재료를 증착시키는 장치에 있어서,
    처리가스를 함유하는 증착 챔버와,
    상기 증착 챔버의 상부에 제공된 증착재료를 함유하는 타겟과,
    상기 증착챔버의 바닥에 장착된 받침대와,
    상기 받침대에 장착되는 금속 배면부와 상기 금속배면부 상에 장착되는 세라믹 재료 층을 가지는 정전기 척으로서, 상기 금속 배면부가 관통 연장하는 하나 이상의 구멍을 가지며 상기 세라믹 재료 층이 상기 금속 배면부의 적어도 일부분 위에 놓이는 상부 및 상기 상부로부터 상기 구멍을 관통하여 하방으로 연장하는 하나 이상의 중공의 원통형부를 가지는 정전기 척과,
    상기 기판을 정전기 척에 정전기적으로 흡인하도록 DC 전압을 전극에 가하기 위해 상기 받침대를 통해 금속 관통체 및 금속 전극에 연결되는 DC 전압원, 및
    RF 전력을 기판에 가하기 위해 금속 배면부에 연결된 RF 전력원을 포함하며,
    상기 정전기 척은 상기 배면부 위로 이격되게 세라믹 재료 층의 상부에 함침된 하나 이상의 금속 전극 및 상기 세라믹 재료 층의 중공의 원통형부를 통해 하방으로 연장하고 상기 금속 전극과 일체로 형성되는 하나 이상의 금속 관통체를 더 포함하며, 상기 세라믹 재료 층이 기판을 수용하는 상부 지지면을 포함하는 것을 특징으로 장치.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 금속 배면부는 소결된 제 1 금속이며, 상기 세라믹 재료 층은 소결된 세라믹이며, 상기 금속 전극 및 상기 금속 관통체는 소결된 제 1 금속이며, 상기 소결된 금속 및 소결된 세라믹 재료는 실질적으로 동일한 팽창계수를 가지며 상기 소결된 세라믹 재료를 소결된 금속에 접합시키도록 동시에 소결되는 것을 특징으로 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 금속 배면부는 제 1 두께를 갖는 일반적으로 디스크 형태의 금속 층이며, 상기 세라믹 재료 층의 상부는 제 2 두께를 갖는 일반적으로 디스크 형태의 세라믹 재료 층의 상부이며 상기 제 2 두께는 상기 제 1 두께 보다 작은 것을 특징으로 하는 장치.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11157953A (ja) * 1997-12-02 1999-06-15 Nhk Spring Co Ltd セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置
JP2002057207A (ja) * 2000-01-20 2002-02-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置
US6370006B1 (en) * 2000-02-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a plurality of gas inlet channels
TWI254403B (en) 2000-05-19 2006-05-01 Ngk Insulators Ltd Electrostatic clamper, and electrostatic attracting structures
KR100384060B1 (ko) * 2000-12-04 2003-05-14 삼성전자주식회사 반도체장치 애싱설비의 척 플레이트 및 이를 이용한 척조립체
JP4311600B2 (ja) * 2001-01-30 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャック用接合構造体及びその製造方法
GB0104341D0 (en) * 2001-02-22 2001-04-11 Trikon Holdings Ltd Electronic chuck
US6754062B2 (en) 2002-02-27 2004-06-22 Praxair S.T. Technology, Inc. Hybrid ceramic electrostatic clamp
JP4034096B2 (ja) * 2002-03-19 2008-01-16 日本碍子株式会社 半導体支持装置
JP3595323B2 (ja) * 2002-11-22 2004-12-02 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20070223173A1 (en) * 2004-03-19 2007-09-27 Hiroshi Fujisawa Bipolar Electrostatic Chuck
US20050274324A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-15 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and mounting unit thereof
US7546670B2 (en) * 2006-05-05 2009-06-16 International Business Machines Corporation Method for producing thermally matched probe assembly
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US8194384B2 (en) * 2008-07-23 2012-06-05 Tokyo Electron Limited High temperature electrostatic chuck and method of using
US9064911B2 (en) * 2008-10-24 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Heated cooling plate for E-chucks and pedestals
US7957118B2 (en) * 2009-04-30 2011-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-zone electrostatic chuck and chucking method
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
KR101680787B1 (ko) 2009-05-15 2016-11-29 엔테그리스, 아이엔씨. 중합체 돌기들을 가지는 정전 척
KR101731136B1 (ko) 2010-05-28 2017-04-27 엔테그리스, 아이엔씨. 표면저항이 높은 정전 척
CN104752119B (zh) * 2013-12-25 2017-08-25 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法
CN104752118B (zh) * 2013-12-25 2017-02-15 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法
US11532497B2 (en) * 2016-06-07 2022-12-20 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck design with radio frequency coupling
TWI717554B (zh) * 2016-10-03 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 使用pvd釕的方法與裝置
US11289355B2 (en) * 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
DE112018005933B4 (de) 2017-11-21 2021-11-18 Watlow Electric Manufacturing Company Keramiksockelanordnung und Verfahren zur Bildung einer Keramiksockelanordnung
KR102655866B1 (ko) 2018-01-31 2024-04-05 램 리써치 코포레이션 정전 척 (electrostatic chuck, ESC) 페데스탈 전압 분리
US11086233B2 (en) 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
JP2021529440A (ja) * 2018-07-07 2021-10-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高周波電力プロセスのための半導体処理装置
US20200155119A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Composite acoustic absorber for ultrasound transducer array
KR102387231B1 (ko) 2020-07-17 2022-04-15 와이엠씨 주식회사 정전척의 유전체 층의 봉공처리방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60261377A (ja) * 1984-06-08 1985-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 静電チャックの製造方法
FR2567684B1 (fr) * 1984-07-10 1988-11-04 Nec Corp Module ayant un substrat ceramique multicouche et un circuit multicouche sur ce substrat et procede pour sa fabrication
JPS6131636U (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 株式会社 徳田製作所 静電チヤツク
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JP2779950B2 (ja) * 1989-04-25 1998-07-23 東陶機器株式会社 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置
FR2661039B1 (fr) * 1990-04-12 1997-04-30 Commissariat Energie Atomique Porte-substrat electrostatique.
JPH0478133A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5255153A (en) * 1990-07-20 1993-10-19 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck and plasma apparatus equipped therewith
JP3238925B2 (ja) * 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same
JP2938679B2 (ja) * 1992-06-26 1999-08-23 信越化学工業株式会社 セラミックス製静電チャック
US5413360A (en) * 1992-12-01 1995-05-09 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
US5460684A (en) * 1992-12-04 1995-10-24 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
JP3220274B2 (ja) * 1993-03-16 2001-10-22 日本碍子株式会社 耐腐食性セラミック体の接合構造
KR100260587B1 (ko) * 1993-06-01 2000-08-01 히가시 데쓰로 정전척 및 그의 제조방법
WO1995020838A1 (en) * 1994-01-31 1995-08-03 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with conformal insulator film
US5801915A (en) * 1994-01-31 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer
US5822171A (en) * 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
KR960015719A (ko) * 1994-10-12 1996-05-22 이온 충돌을 이용하여 반도체 기판상에 평탄한 층을 형성하기 위한 방법 및 장치
US5691876A (en) * 1995-01-31 1997-11-25 Applied Materials, Inc. High temperature polyimide electrostatic chuck
US5886863A (en) * 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
JP3485390B2 (ja) * 1995-07-28 2004-01-13 京セラ株式会社 静電チャック
EP0764979A3 (en) * 1995-09-20 1998-07-15 Hitachi, Ltd. Electrostatically attracting electrode and a method of manufacture thereof

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Publication number Publication date
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TW425593B (en) 2001-03-11
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