JP2004511901A - 静電気的にクランプされるプラズマ処理用エッジリング - Google Patents
静電気的にクランプされるプラズマ処理用エッジリング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004511901A JP2004511901A JP2002534582A JP2002534582A JP2004511901A JP 2004511901 A JP2004511901 A JP 2004511901A JP 2002534582 A JP2002534582 A JP 2002534582A JP 2002534582 A JP2002534582 A JP 2002534582A JP 2004511901 A JP2004511901 A JP 2004511901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge ring
- chuck
- wafer
- plasma chamber
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 17
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Description
発明の分野
本発明は、プラズマ処理用に改良された装置及び方法に関し、特に、半導体基板をエッチングするプラズマ用に改良された装置及び方法に関する。
発明の背景
半導体処理の分野では、真空チャンバにエッチングガス又はデポジションガスを供給し、このガスにRF電界を加えてガスにエネルギを与えてプラズマ状態にすることによって、基板上の材料をエッチングしたり、化学気相成長(CVD)をするために、真空処理チャンバが一般的に用いられる。平行平板の例としては、誘導結合プラズマ(ICP)とも呼ばれる変圧器結合プラズマ(TCP(登録商標))、電子サイクロトロン共鳴(ECR)リアクタ、及びこれらの構成要素が、本願と同じ出願人による U.S. Patent Nos.4,340,462、4,948,458、5,200,232、及び 5,820,723 に開示されている。U.S. Patent No.4,793,975 も平行平板プラズマリアクタを開示している。
【0002】
半導体基板の処理中では、基板は、機械的なクランプ及び静電気的なクランプ(ESC)によって、真空チャンバ内の基板ホルダ上の所定位置に、一般的に保持される。このようなクランピングシステム及びその構成要素の例としては、本願と同じ出願人による U.S. Patent Nos. 5,262,029 及び 5,838,529 がある。単極チャックの例としては、U.S. Patent No. 4,665,463 があり、複極チャックの例としては、U.S. Patent Nos. 4,692,836 及び U.S. Patent Nos. 5,055,964 がある。基板を冷却するためには、ヘリウム等の冷却ガスが基板の裏面に供給されうる。このような冷却の例としては、U.S. Patent Nos. 5,160,152、5,238,499、5,350,479、及び 5,534,816 がある。
【0003】
基板支持体は、ウエハ上方の領域にプラズマを閉じ込め、及び/又は、プラズマによる侵食からESCを保護するために、基板の周囲に消耗(犠牲)エッジリングを含むことができる。例えば、エッジリング機構が、本願と同じ出願人による U.S. Patent Nos. 5,805,408、5,998,932、及び 6,013,984 に記載されている。他のエッジリング機構の他の例としては、U.S. Patent Nos. 5,494,523、5,986,874、6,022,809、6,096,161、及び 6,117,349 がある。
【0004】
犠牲リングがウエハを取り囲むプラズマ処理機構では、リングと基板支持体の下にある部分との間の熱的接触を改善することが望ましい。熱結合を改善することによって、リングの温度制御の改善が実現され、リングとウエハとの間に必要とされる間隙が小さくなりうる。また、ウエハの端部付近におけるプラズマの均一性を改善するために、ウエハ上方の領域におけるベースプレートからプラズマまでのRFインピーダンス経路が、エッジリングの領域におけるベースプレートからプラズマまでのRFインピーダンス経路とより近く一致することが望ましい。
発明の要約
本発明は、プラズマ反応チャンバ内で基板支持体を取り囲むように構成された結合リングアセンブリを提供するものである。結合リングアセンブリは、環状の支持面を有する部材と、支持面上にある静電チャックと、を備える。
【0005】
本発明は、また、処理すべきウエハをその上に搭載可能なウエハ支持体と、処理中にその上でエッジリングを支持可能な静電エッジリングチャックと、を備えるプラズマ反応チャンバを提供するものである。好適な実施の形態に係るプラズマ反応チャンバにおいては、基板支持体は、その上面に静電ウエハチャックを有するベースプレートを備える。他の好適な実施の形態に係るプラズマ反応チャンバにおいては、エッジリングチャックは、結合リングアセンブリの一部である。
【0006】
本発明は、また、プラズマチャンバ内のウエハ等の半導体基板を処理する方法を提供するものであり、このプラズマチャンバは、基板支持体と、基板支持体の上面の上の静電ウエハチャックと、その上にエッジリングを支持可能な静電エッジリングチャックと、を備える。好適な実施の形態によれば、この方法は、ウエハをウエハチャックに静電気的にクランプする工程と、エッジリングをエッジリングチャックに静電気的にクランプする工程と、プラズマチャンバの内部にプロセスガスを供給する工程と、このプロセスガスにエネルギを加えてプラズマ状態にする工程と、このプラズマを用いてウエハを処理する工程と、を含む。
好適な実施の形態の説明
本発明は、プラズマリアクタ用に改良された基板支持機構であって、シリコンウエハ等の半導体基板を取り囲む犠牲エッジリングを提供するものである。この機構では、エッジリングは、下にある基板支持体上に単に置かれているだけであ、重力及び/又は基板支持体との摩擦接触によって所定位置に保持されており、このリングは、基板のプラズマ処理中に非常に高温になりうる。基板がエッジリングの一部の上に位置する場合には、プラズマ処理中のエッジリングの熱膨張によって、高温のエッジリングが基板を基板支持体から持ち上げてしまわないように、エッジリングと基板との間に十分な間隙を与えることが必要となる。基板にRFバイアスを供給する電動電極を備える基板支持体に、基板を固定させる静電チャックが用いられる場合には、電動電極からESC及び基板を通ってプラズマまでのRFインピーダンス経路が、電動電極の外側部分からエッジリングを通ってプラズマまでのRFインピーダンス経路と異なる場合があり、これによって、基板のエッジで不均一なプラズマ密度が生じうる。本発明は、基板支持体に対するエッジリングの熱結合を改善する静電エッジリングチャックを提供することによって、このような問題を解決するものである。更に、本発明に係るエッジリングチャック及びエッジリング用の材料を選択することによって、RFインピーダンス経路マッチングが改善される結果、基板全体にわたってより均一なプラズマ密度を提供することが可能である。
【0007】
図1は、本発明の一実施形態に係る平行平板プラズマ反応チャンバ10を示す図である。この装置は、上部電極11と下部電極アセンブリ12とを備える。下部電極アセンブリは、ベースプレート13と、その上面に搭載された静電ウエハチャック14と、を備える。結合リング15は、ベースプレートのフランジ16上に置かれる。結合リング15は、その上面の上に搭載されたエッジリングチャック17を有する。エッジリング18は、エッジリングチャック17の露出した上面の上に支持される。ウエハ19は、ウエハチャック及びエッジリング18の内面と重なり合うようにウエハチャック14の上に搭載される。ウエハ19は、ウエハチャック14のエッジのプラズマ中のイオンへの露出が減少するように、ウエハチャックのエッジと重なり合う。ウエハチャック14のエッジのプラズマへの露出は、侵食の原因となり、それによってチャック14の寿命を減らすことになりうる。エッジリング18は、プラズマ中のイオンからウエハチャック14のエッジを更に保護するため、ウエハチャック14を取り囲む。エッジリング18は、消耗品又は交換可能な部品である。ウエハ19は、ウエハチャック14にかぶさっており、エッジリング18の一部は、ウエハ19のエッジの下に延びている。典型的には、ウエハ19は、ウエハチャック14のエッジを1〜2mmかぶさる。ウエハチャック14の保護をより強化するため、エッジリング18の上部は、ウエハ19の下側にできるだけ近く配置される。処理中にエッジリングが膨張するため、ウエハの下側とエッジリングとの間には間隙が必要とされる。エッジリングがウエハ裏面に接近し過ぎると、処理中にエッジリングの熱膨張によって、ウエハが外れて、処理が中止しうる。
【0008】
図2は、図1の下部電極アセンブリ12の拡大図である。ウエハ19は、エッジリング18と重なり合って、ウエハ裏面とエッジリング18との間にギャップ又は間隙を形成するように図示されている。エッジリング18の内側のエッジは、ウエハチャック14の外端と接しているため、ウエハ19に対して所望の位置でエッジリング18を保持する。図に示すように、エッジリング18は、結合リング15と、その上面に固定された静電エッジリングチャック17と、を備える結合リングアセンブリ上に置かれている。エッジリングチャック17は、結合リング15の全体にわたって延びることができるか、或いは、エッジリングチャック17は、結合リング15の上面の窪みに配置されうる。結合リング15は、複数のボルト24のような機械的取り付け又は接着取り付けを用いるか、或いは、用いないで、ベースプレート13上に支持されうる。エッジリングチャック17は、ボルト24の1つの通路を通して延びるリード線28を用いて、DC電源26のような適切な電源構成によって、DC電力が供給されうる。エッジリング15とベースプレート13との間の熱の移動を改善するため、ガス供給源30からヘリウム又はプロセスガスなどの伝熱ガスが、結合リング15とベースプレート13との間、及び/又は、エッジリングチャック17とエッジリング18との間の境界面に、ガス通路32を介して供給されうる。ガス通路32は、例えば、ボルト28の通路を通して延びるなどのように、ベースプレート13の周りに空いたスペースの1つ又は複数の位置で、ベースプレート13及び結合リング15を通して延びることができる。エッジリングチャック17は、単極又は複極であってもよい。
【0009】
図3〜図5は、本発明の様々な他の実施形態を示す図であり、エッジリングチャックが、結合リング上ではなくベースプレート上に搭載される。図3に示すように、エッジリングチャックはベースプレート32上に支持され、ウエハチャック36はウエハ38を支持する。熱の移動を促進するために、ガス供給源30は、ガス通路32を通してエッジリングチャック34とエッジリング30との間の境界面に、伝熱ガスを供給することができる。
【0010】
図4は、一体型(ワンピース)ウエハ及びエッジリングチャックを備える本発明のプラズマチャンバの他の実施形態を示す図である。図に示すように、一体型ウエハ/エッジリングチャック40の上面の周辺部には、窪みが設けられており、これによって、チャックの中央部に搭載されたウエハ42が、チャックの周辺部に搭載されたエッジリング44と重なり合うことができる。エッジリングチャックの電極は、図に示すようにDC電源46によって電力が供給される。チャックのエッジリング部の内部電極(単極)又は複数の電極(複極)は、チャックのウエハ部の内部電極又は複数の電極から電気的に絶縁されていることが望ましい。
【0011】
図5は、本発明に係るプラズマチャンバの他の実施形態を示す図であり、エッジリングの上面及びウエハチャック50、52がほぼ共面にあるように、エッジリングチャック50及びウエハチャック52がベースプレート54上に直接搭載される。ベースプレート54上の溝56は、エッジリング50とウエハチャック52とを分離する。エッジリング58は、ベースプレート56の溝と半径方向に延びる部分62とを連結するように構成された軸方向に延びる部分60を有する。半径方向に延びる部分62の下面は、エッジリングチャック50上に置かれる。エッジリング60の軸方向に延びる部分は、処理中にエッジリングの膨張を許容する大きさに作られる。エッジリングの軸方向及び半径方向に延びる部分60、62は、ウエハ66がエッジリング58の内面と重なり合うことを許容するように構成された遷移部64によって接続される。他の実施形態と同様に、エッジリング58の下面には、伝熱ガス68が供給される。エッジリング60の軸方向に延びる部分とベースプレート56の溝との間の境界面には、ベースプレートとエッジリングとの熱結合を更に改善するために、伝熱ガスが供給されてもよい。
【0012】
より優れたエッジリングの温度制御によって、多数のプロセス上の利点が得られる。第一に、エッジリングの温度制御によって、エッジリングの熱膨張を低減し、エッジリングの上部とウエハの下面との間の小さな間隙が可能となる。例えば、エッジリングが、下にある結合リング又は基板支持体上に単に置かれただけの場合では、ウエハ裏面とエッジリングとの間の間隙は、典型的には0.005又は0、006インチの範囲にある。しかしながら、静電気的にクランプされるエッジリングを用いると、この間隙は0、002〜0、003インチにまで減少されうる。エッジリングとウエハとの間の間隙を減少させることによって、ウエハチャックのエッジが、プラズマによる侵食からより強く保護される。さらに、プラズマ処理中に生じたパーティクルがチャックのエッジに堆積しにくくなる。パーティクルの堆積は、ウエハがウエハチャックと均一に接触する妨げとなるため、クランプ能力が減少してしまう。エッジリングの温度を減少させることによっても、プラズマ中のイオンとエッジリング材料との化学反応の速度がより低温ではより低下するため、エッジリングの寿命を延ばすことができる。
【0013】
エッジリングをクランプするために静電チャックを用いることによっても、ウエハのエッチング特性が改善されうる。エッチング均一性の改善は、ウエハ及びエッジリングを通るRFインピーダンス経路のマッチングだけでなく、ウエハ及びエッジリングの温度のマッチングにも原因する。第一に、ウエハ及びエッジリングの処理中の温度が同様であれば、ウエハのエッジ付近のエッチング特性はよりう均一になりうる。第二に、ウエハチャックと同じ材料で作られたエッジリングチャックを用いることによって、RFを動力とするベースプレートから高温のエッジリングまでのインピーダンス経路は、RFを動力とするベースプレートからウエハまでのインピーダンス経路に、より近くなりうる。これは、ウエハ及びエッジリングが同じ材料(例えば、シリコン)で作られる場合に、特に当てはまる。ウエハ及びエッジリング表面付近のプラズマ領域の電流密度は、これらの表面のRFインピーダンスによって影響される。エッジリング及びウエハのRFインピーダンスをマッチングすることによって、プラズマからウエハ表面への電流の流れがウエハのエッジ付近でより均一になりうるため、プラズマの均一性及びリアクタのエッチング特性が向上する。
【0014】
静電気的にエッジリングをクランプすることによって、また、接着又は機械的な締め付け等の他のエッジリングの固定方法と比べた場合に、結果として、プラズマ処理装置の動作コストの低減がもたらされる。例えば、エッジリングを他の部材と接着させる必要がないため、消耗エッジリングのコストが低減されうる。また、静電気的なクランピングによって、エッジリングは、装置を動作させる前に、独立した工程で被覆される露出したネジ頭を持つこともない。
【0015】
エッジリングは、特に限定しないが、シリコン(silicon)、窒化シリコン(silicon nitride)、SiC(silicon carbide)、窒化アルミニウム(aluminum nitride)を含む任意の導電性材料で作られてもよい。エッジリングの材料は、RF結合の均一性を改善するため、ウエハの材料と同じであるのが好ましい。
【0016】
エッジリングチャックは、陽極酸化アルミニウム(anodized aluminum)、ポリイミド(polyimide)、及びセラミック材料を含む従来の静電ウエハチャックに用いられるような任意の適切な材料で作られてもよい。エッジリングチャックは、アルミナ(alumina)又は窒化アルミニウム(aluminum nitride)のようなセラミック材料で作られるのが好ましい。エッジリングチャックの1又は複数の電極は、任意の適切な導電性材料で作られてもよい。焼結セラミック(sintered ceramic)チャックを用いると、電極は、シンタリング中に生じる高温に耐えうるタングステン(tungsten)又はモリブデン(molybdenum)のような耐熱金属で作られるのが好ましい。エッジリングチャックは、2つのセラミック基板(ceramic green sheets)の間の耐熱金属電極(タングステンインク)をはさんで、焼結構造を形成するために加熱するようなシンタリング処理によって作られてもよい。エッジリングチャックは、クーロン(完全に絶縁性の)又はジョンソン−ラーベック型(半導体の)であってもよい。
【0017】
エッジリングチャックは、ウエハチャックを固定するための従来から知られている任意の方法及び材料を用いて、結合リング又は基板支持体に固定されうる。エッジリングチャックは、例えば、シリコーン接着剤のような高温ポリマー接着剤を用いて固定されてもよい。
【0018】
本発明は、その好適な実施の形態と関連して説明されたが、当業者であれば、特に示していないが、特許請求の範囲で定められた発明の思想及び範囲から逸脱しない限り、追加、削除、変更、及び置換が可能であることを理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明に係る平行平板プラズマ処理装置の部分図である。
【図2】
本発明の一実施形態に係る結合リング上に搭載されるエッジリングチャックを備えるプラズマチャンバの部分図である。
【図3】
本発明の他の実施形態に係るベースプレート上に搭載されるエッジリングチャックを備えるプラズマチャンバの部分図である。
【図4】
ベースプレート上に搭載される一体型エッジリング/ウエハチャックを備える本発明に係るプラズマチャンバの部分図である。
【図5】
ウエハとエッジリングチャックとの間のベースプレートの溝に収まるように構成されたエッジリングを備える本発明の他の実施の形態に係るプラズマチャンバの部分図である。
Claims (25)
- プラズマ反応チャンバ内で基板支持体を取り囲むように構成された結合リングアセンブリであって、
環状の支持面を有する部材と、
前記支持面上の静電チャックと、
を備えることを特徴とする結合リングアセンブリ。 - 前記静電チャックは、1つ又は複数の埋込み電極を含むセラミック体を含むことを特徴とする請求項1に記載の結合リングアセンブリ。
- 前記静電チャックは、接着剤で前記支持面に接着されていることを特徴とする請求項1に記載の結合リングアセンブリ。
- 前記部材及び前記静電チャックを通って延びる少なくとも1つのガス通路を更に備え、前記ガス通路は、前記静電チャックの露出面に伝熱ガスを供給するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の結合リングアセンブリ。
- 前記静電チャックによって前記部材にクランプされるように構成されたエッジリングを更に備えることを特徴とする請求項1に記載の結合リングアセンブリ。
- プラズマ反応チャンバであって、
その上に処理すべきウエハを搭載可能な基板支持体と、
処理中にその上にエッジリングを支持可能な静電エッジリングチャックと、
を備えることを特徴とするプラズマ反応チャンバ。 - 前記基板支持体はベースプレートを備え、前記ベースプレートは、その上面に静電ウエハチャックを有することを特徴とする請求項6に記載のプラズマチャンバ。
- 前記エッジリングチャックは結合リングアセンブリの一部であって、前記結合リングアセンブリは環状ベースを備え、前記環状ベースはその上面の上に静電エッジリングチャックを有し、前記環状ベースの下面は前記基板支持体の上面に接触することを特徴とする請求項6に記載のプラズマチャンバ。
- 前記ウエハチャックの上面は、前記エッジリングチャックの上面よりも高いことを特徴とする請求項7に記載のプラズマチャンバ。
- 前記ウエハとエッジリングチャックとの間の前記ベースプレートに溝を備えることを特徴とする請求項7に記載のプラズマチャンバ。
- エッジリングを更に備え、前記エッジリングは、前記エッジリングの下面が前記エッジリングチャックと接触するように前記エッジリングチャック上に支持されることを特徴とする請求項6に記載のプラズマチャンバ。
- 前記エッジリングは、導電性材料を含むことを特徴とする請求項11に記載のプラズマチャンバ。
- 前記エッジリングは、シリコンを含むことを特徴とする請求項12に記載のプラズマチャンバ。
- 前記エッジリングは、その上面の内側のエッジに窪みを有し、前記窪みは、前記ウエハチャックに搭載されたウエハの下に嵌められるように構成されていることを特徴とする請求項11に記載のプラズマチャンバ。
- 前記ベースプレートは、導電性材料を含むことを特徴とする請求項7に記載のプラズマチャンバ。
- 前記ベースプレートは、RF駆動される電極であることを特徴とする請求項15に記載のプラズマチャンバ。
- エッジリングを更に備え、前記エッジリングは、前記エッジリングの下面が前記エッジリングチャックと接触するように前記エッジリングチャック上に支持されることを特徴とする請求項7に記載のプラズマチャンバ。
- 前記プラズマ反応チャンバは、前記ベースプレートに対向する上部電極を有する平行平板リアクタを含むことを特徴とする請求項17に記載のプラズマチャンバ。
- 前記ウエハの外端が、前記ウエハの下面と前記エッジリングの上面との間に間隙をもって前記エッジリングにかぶさるように前記ウエハチャック上に搭載されるウエハを含むことを特徴とする請求項18に記載のプラズマチャンバ。
- 前記ウエハは、前記エッジリングの内側のエッジにかぶさることを特徴とする請求項19に記載のプラズマチャンバ。
- 前記間隙は、最大で約0.002〜約0.003インチの間隔を有することを特徴とする請求項19に記載のプラズマチャンバ。
- 前記結合リングアセンブリは、前記基板支持体にボルト締め又はネジ止めされていることを特徴とする請求項8に記載のプラズマチャンバ。
- 当該プラズマチャンバは、半導体エッチング装置であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマチャンバ。
- 請求項7に記載のプラズマチャンバで半導体基板を処理する方法であって、
ウエハを前記ウエハチャックに静電気的にクランプする工程と、
前記エッジリングチャックにエッジリングを静電気的にクランプする工程と、
前記プラズマチャンバの内側にプロセスガスを供給する工程と、
前記プロセスガスにエネルギを与えてプラズマ状態にする工程と、
前記プラズマを用いて前記ウエハを処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記エッジリングの対向面と前記環状ベースとの間に伝熱ガスを供給することによって、前記エッジリングの温度を調節する工程を更に含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/680,515 | 2000-10-06 | ||
US09/680,515 US6475336B1 (en) | 2000-10-06 | 2000-10-06 | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
PCT/US2001/030286 WO2002031219A1 (en) | 2000-10-06 | 2001-09-26 | Electrostatically clamped edge ring for plasma processing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004511901A true JP2004511901A (ja) | 2004-04-15 |
JP2004511901A5 JP2004511901A5 (ja) | 2008-11-13 |
JP4913313B2 JP4913313B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=24731424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002534582A Expired - Lifetime JP4913313B2 (ja) | 2000-10-06 | 2001-09-26 | エッジリングクランピングアセンブリ、プラズマ反応チャンバ、及び半導体基板を処理する方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6475336B1 (ja) |
EP (1) | EP1332241B1 (ja) |
JP (1) | JP4913313B2 (ja) |
KR (1) | KR100807136B1 (ja) |
CN (2) | CN1285757C (ja) |
AT (1) | ATE407232T1 (ja) |
AU (1) | AU2001296352A1 (ja) |
CA (1) | CA2419130A1 (ja) |
DE (1) | DE60135672D1 (ja) |
IL (2) | IL154439A0 (ja) |
WO (1) | WO2002031219A1 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032965A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体食刻装置 |
JP2008078208A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
JP2010199177A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
JP2012500498A (ja) * | 2008-08-19 | 2012-01-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電チャック用エッジリング |
JP2012109608A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-06-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
JP2013514633A (ja) * | 2009-12-03 | 2013-04-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 小型のプラズマチャンバシステム及び方法 |
JP2014150104A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2016122740A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法及び基板処理装置 |
KR20160121429A (ko) * | 2015-04-09 | 2016-10-19 | 램 리써치 코포레이션 | 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거 |
KR20170008138A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-23 | 램 리써치 코포레이션 | 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝 |
JPWO2016052291A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2018037662A (ja) * | 2011-09-16 | 2018-03-08 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理中における磁場パターンの制御/調整方法 |
KR20210030202A (ko) | 2019-09-09 | 2021-03-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지기 및 플라즈마 처리 장치 |
KR20210030349A (ko) | 2019-09-06 | 2021-03-17 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
JP2021515383A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-06-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
JP2021097102A (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
JP2022140572A (ja) * | 2016-06-22 | 2022-09-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 結合リング内に電極を使用することによってエッジ領域におけるイオンの方向性を制御するためのシステム及び方法 |
US11610798B2 (en) | 2017-11-06 | 2023-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck assembly, electrostatic chuck, and focus ring |
US11920239B2 (en) | 2015-03-26 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
Families Citing this family (119)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4676074B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
TWI234417B (en) * | 2001-07-10 | 2005-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma procesor and plasma processing method |
US20030106646A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
US6896765B2 (en) * | 2002-09-18 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber |
US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
JP4260450B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2009-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置における静電チャックの製造方法 |
US7582186B2 (en) * | 2002-12-20 | 2009-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system |
CN101996843B (zh) * | 2003-01-07 | 2013-05-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及聚焦环 |
JP5492578B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4547182B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US20050103274A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Cheng-Tsung Yu | Reliability assessment system and method |
US7244336B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-07-17 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift |
US20050193951A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Muneo Furuse | Plasma processing apparatus |
JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US20050279457A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method, and plasma control unit |
US20060043067A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Lam Research Corporation | Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber |
US7670436B2 (en) * | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
GB0424371D0 (en) * | 2004-11-04 | 2004-12-08 | Trikon Technologies Ltd | Shielding design for backside metal deposition |
JP4849829B2 (ja) * | 2005-05-15 | 2012-01-11 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | センタ装置 |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7431788B2 (en) * | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Method of protecting a bond layer in a substrate support adapted for use in a plasma processing system |
KR101218114B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2013-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 식각 장치 |
US20070032081A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Jeremy Chang | Edge ring assembly with dielectric spacer ring |
US7762114B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070125646A1 (en) | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
KR100733080B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2007-06-29 | 삼성전자주식회사 | 식각장치 |
US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
JP5069452B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体 |
US7837826B2 (en) * | 2006-07-18 | 2010-11-23 | Lam Research Corporation | Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof |
US20080066868A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Tokyo Electron Limited | Focus ring and plasma processing apparatus |
KR101386175B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2014-04-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각장치 및 방법과 그 식각장치의 정전척 |
US20080194113A1 (en) * | 2006-09-20 | 2008-08-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and apparatus for semiconductor etching including an electro static chuck |
US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US8104770B2 (en) * | 2007-02-01 | 2012-01-31 | Parker-Hannifin Corporation | Semiconductor process chamber |
JP5317424B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20080289766A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Samsung Austin Semiconductor Lp | Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US20080296261A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for improving treatment uniformity in a plasma process |
US20090025636A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-01-29 | Applied Materials, Inc. | High profile minimum contact process kit for hdp-cvd application |
EP2203598B1 (en) * | 2007-09-25 | 2016-07-13 | Roger Vanderlinden | Sealed pick-up head for a mobile sweeper |
KR101553423B1 (ko) | 2007-12-19 | 2015-09-15 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 진공 프로세싱 장치용 필름 점착제 |
MY166000A (en) | 2007-12-19 | 2018-05-21 | Lam Res Corp | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
CN101471275B (zh) * | 2007-12-26 | 2011-04-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种被处理体的保持装置 |
US20090261065A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Lam Research Corporation | Components for use in a plasma chamber having reduced particle generation and method of making |
US8409355B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Applied Materials, Inc. | Low profile process kit |
TWI475594B (zh) | 2008-05-19 | 2015-03-01 | Entegris Inc | 靜電夾頭 |
US8652260B2 (en) * | 2008-08-08 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for holding semiconductor wafers |
US8449679B2 (en) * | 2008-08-15 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Temperature controlled hot edge ring assembly |
US8454027B2 (en) * | 2008-09-26 | 2013-06-04 | Lam Research Corporation | Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring |
JP5100617B2 (ja) * | 2008-11-07 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | リング状部材及びその製造方法 |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US8139340B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-03-20 | Plasma-Therm Llc | Conductive seal ring electrostatic chuck |
KR101359070B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2014-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 탑재대 구조, 성막 장치 및 원료 회수 방법 |
US8861170B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
JP5731485B2 (ja) | 2009-05-15 | 2015-06-10 | インテグリス・インコーポレーテッド | ポリマー突起を有する静電チャック |
JP5496568B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9299539B2 (en) * | 2009-08-21 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measuring wafer bias potential |
US8637794B2 (en) | 2009-10-21 | 2014-01-28 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
DE202010014805U1 (de) * | 2009-11-02 | 2011-02-17 | Lam Research Corporation (Delaware Corporation) | Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche |
SG10201407637TA (en) * | 2009-11-30 | 2015-01-29 | Lam Res Corp | An electrostatic chuck with an angled sidewall |
JP5496630B2 (ja) | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック装置 |
SG180882A1 (en) | 2009-12-15 | 2012-07-30 | Lam Res Corp | Adjusting substrate temperature to improve cd uniformity |
US8623145B2 (en) * | 2010-03-25 | 2014-01-07 | Parker-Hannifin Corporation | Substrate processing apparatus with composite seal |
US9025305B2 (en) | 2010-05-28 | 2015-05-05 | Entegris, Inc. | High surface resistivity electrostatic chuck |
US8791392B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-07-29 | Lam Research Corporation | Methods of fault detection for multiplexed heater array |
JP5503503B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8546732B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-10-01 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing |
US8946058B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-02-03 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
KR101235151B1 (ko) | 2011-07-15 | 2013-02-22 | 주식회사 템네스트 | 반도체 제조설비의 정전척 |
US9307578B2 (en) | 2011-08-17 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | System and method for monitoring temperatures of and controlling multiplexed heater array |
US8624168B2 (en) | 2011-09-20 | 2014-01-07 | Lam Research Corporation | Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing |
US8461674B2 (en) | 2011-09-21 | 2013-06-11 | Lam Research Corporation | Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing |
KR101319824B1 (ko) * | 2012-01-05 | 2013-10-23 | (재)한국나노기술원 | 냉각장치가 구비된 웨이퍼 클램프 |
US9324589B2 (en) | 2012-02-28 | 2016-04-26 | Lam Research Corporation | Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing |
US8809747B2 (en) | 2012-04-13 | 2014-08-19 | Lam Research Corporation | Current peak spreading schemes for multiplexed heated array |
US10727092B2 (en) * | 2012-10-17 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support ring |
JP2014107387A (ja) | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びフォーカスリングを保持する方法 |
CN103972132B (zh) | 2013-01-24 | 2017-07-11 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和载置台 |
JP6400273B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2018-10-03 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック装置 |
KR101317942B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2013-10-16 | (주)테키스트 | 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈 |
CN104124126B (zh) * | 2013-04-26 | 2016-12-28 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种承载装置及等离子体加工设备 |
DE102013012082A1 (de) * | 2013-07-22 | 2015-01-22 | Aixtron Se | Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung |
US10804081B2 (en) * | 2013-12-20 | 2020-10-13 | Lam Research Corporation | Edge ring dimensioned to extend lifetime of elastomer seal in a plasma processing chamber |
CN105575863B (zh) * | 2014-11-10 | 2019-02-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置、基片卸载装置及方法 |
US10109510B2 (en) * | 2014-12-18 | 2018-10-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for improving temperature uniformity of a workpiece |
US9922806B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-03-20 | Tokyo Electron Limited | Etching method and plasma processing apparatus |
US10358721B2 (en) * | 2015-10-22 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus |
JP6595335B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2019-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10340171B2 (en) | 2016-05-18 | 2019-07-02 | Lam Research Corporation | Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds |
US11069553B2 (en) * | 2016-07-07 | 2021-07-20 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity |
KR102604063B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2023-11-21 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US9922857B1 (en) | 2016-11-03 | 2018-03-20 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring |
US10910195B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-02-02 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
CN109750279A (zh) * | 2017-11-07 | 2019-05-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种用于热化学气相沉积的基片托盘和反应器 |
US10766057B2 (en) | 2017-12-28 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Components and systems for cleaning a tool for forming a semiconductor device, and related methods |
US20220344134A1 (en) * | 2018-01-19 | 2022-10-27 | Applied Materials, Inc. | Process kit for a substrate support |
KR20200039840A (ko) * | 2018-01-22 | 2020-04-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전원식 에지 링을 이용한 프로세싱 |
CN110323117B (zh) | 2018-03-28 | 2024-06-21 | 三星电子株式会社 | 等离子体处理设备 |
JP7122864B2 (ja) * | 2018-05-14 | 2022-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び基板処理装置 |
JP2018164092A (ja) * | 2018-05-28 | 2018-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP7101055B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック、フォーカスリング、支持台、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法 |
KR102600003B1 (ko) | 2018-10-30 | 2023-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 챔버 및 반도체 소자의 제조 방법 |
JP7145041B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持器、プラズマ処理装置、及びフォーカスリング |
WO2020117421A1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance |
US20220162749A1 (en) * | 2019-02-08 | 2022-05-26 | Lam Research Corporation | Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ald) substrate processing chambers |
KR102335472B1 (ko) * | 2019-09-04 | 2021-12-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102697630B1 (ko) | 2019-10-15 | 2024-08-23 | 삼성전자주식회사 | 식각 장치 |
CN112701027B (zh) * | 2019-10-22 | 2024-09-17 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 等离子体处理装置及边缘环的更换方法 |
JP6781320B2 (ja) * | 2019-10-24 | 2020-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
CN111180370A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-05-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆承载托盘及半导体加工设备 |
KR20220102201A (ko) | 2021-01-12 | 2022-07-20 | 삼성전자주식회사 | 척 어셈블리, 그를 포함하는 반도체 소자의 제조 장치, 및 반도체 소자의 제조방법 |
CN115249606A (zh) * | 2021-04-28 | 2022-10-28 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法 |
CN115440558A (zh) * | 2021-06-03 | 2022-12-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体蚀刻设备 |
KR102637744B1 (ko) * | 2021-09-30 | 2024-02-19 | 주식회사 나이스플라즈마 | 클램프 링이 구비된 클램프 척 |
CN114293176A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 拓荆科技股份有限公司 | 晶圆支撑盘及工艺腔体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08293539A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および装置 |
JPH1064989A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | 静電チャック用シールド |
JPH10242244A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Applied Materials Inc | 多基板処理装置 |
JPH10303288A (ja) * | 1997-04-26 | 1998-11-13 | Anelva Corp | プラズマ処理装置用基板ホルダー |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4340462A (en) | 1981-02-13 | 1982-07-20 | Lam Research Corporation | Adjustable electrode plasma processing chamber |
GB2147459A (en) | 1983-09-30 | 1985-05-09 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck for semiconductor wafers |
US4692836A (en) | 1983-10-31 | 1987-09-08 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Electrostatic chucks |
US4793975A (en) | 1985-05-20 | 1988-12-27 | Tegal Corporation | Plasma Reactor with removable insert |
US5262029A (en) | 1988-05-23 | 1993-11-16 | Lam Research | Method and system for clamping semiconductor wafers |
US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
JP3129452B2 (ja) | 1990-03-13 | 2001-01-29 | 富士電機株式会社 | 静電チャック |
US5238499A (en) | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
US5055964A (en) | 1990-09-07 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck having tapered electrodes |
US5200232A (en) | 1990-12-11 | 1993-04-06 | Lam Research Corporation | Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors |
JPH06124998A (ja) * | 1992-10-12 | 1994-05-06 | Tadahiro Omi | プラズマ処理装置 |
US5350479A (en) | 1992-12-02 | 1994-09-27 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for high power plasma processing |
DE69420774T2 (de) | 1993-05-13 | 2000-01-13 | Applied Materials, Inc. | Kontrolle der Kontamination in einem Plasma durch Ausgestaltung des Plasmaschildes unter Verwendung von Materialien mit verschiedenen RF-Impedanzen |
US5838529A (en) | 1995-12-22 | 1998-11-17 | Lam Research Corporation | Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates |
US5805408A (en) | 1995-12-22 | 1998-09-08 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates |
US5820723A (en) | 1996-06-05 | 1998-10-13 | Lam Research Corporation | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
CN1178392A (zh) * | 1996-09-19 | 1998-04-08 | 株式会社日立制作所 | 静电吸盘和应用了静电吸盘的样品处理方法及装置 |
US5740009A (en) * | 1996-11-29 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improving wafer and chuck edge protection |
US5986874A (en) | 1997-06-03 | 1999-11-16 | Watkins-Johnson Company | Electrostatic support assembly having an integral ion focus ring |
US6039836A (en) | 1997-12-19 | 2000-03-21 | Lam Research Corporation | Focus rings |
KR100258984B1 (ko) | 1997-12-24 | 2000-08-01 | 윤종용 | 건식 식각 장치 |
US6013984A (en) | 1998-06-10 | 2000-01-11 | Lam Research Corporation | Ion energy attenuation method by determining the required number of ion collisions |
US5998932A (en) | 1998-06-26 | 1999-12-07 | Lam Research Corporation | Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber |
DE29813326U1 (de) * | 1998-07-29 | 1998-12-10 | PROTEC Gesellschaft für Werkstoff- und Oberflächentechnik mbH, 57234 Wilnsdorf | Verbesserte Vorrichtung zum Schutz von elektrostatischen Haltesystemen in Anlagen zur Bearbeitung von Wafern |
US6117349A (en) | 1998-08-28 | 2000-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite shadow ring equipped with a sacrificial inner ring |
KR100292410B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-06-01 | 윤종용 | 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버 |
US6170429B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-01-09 | Lam Research Corporation | Chamber liner for semiconductor process chambers |
JP4119551B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2008-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持台、及びプラズマ処理装置 |
US6022809A (en) | 1998-12-03 | 2000-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite shadow ring for an etch chamber and method of using |
US6159299A (en) * | 1999-02-09 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer pedestal with a purge ring |
US6344105B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-02-05 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etch rate uniformity |
-
2000
- 2000-10-06 US US09/680,515 patent/US6475336B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-26 JP JP2002534582A patent/JP4913313B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-26 DE DE60135672T patent/DE60135672D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-26 KR KR1020037003501A patent/KR100807136B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-26 AT AT01977216T patent/ATE407232T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-09-26 AU AU2001296352A patent/AU2001296352A1/en not_active Abandoned
- 2001-09-26 IL IL15443901A patent/IL154439A0/xx active IP Right Grant
- 2001-09-26 CN CNB018167756A patent/CN1285757C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-26 CN CNB2006101592011A patent/CN100424849C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-26 WO PCT/US2001/030286 patent/WO2002031219A1/en active Application Filing
- 2001-09-26 EP EP01977216A patent/EP1332241B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-26 CA CA002419130A patent/CA2419130A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-02-13 IL IL154439A patent/IL154439A/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08293539A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および装置 |
JPH1064989A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | 静電チャック用シールド |
JPH10242244A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Applied Materials Inc | 多基板処理装置 |
JPH10303288A (ja) * | 1997-04-26 | 1998-11-13 | Anelva Corp | プラズマ処理装置用基板ホルダー |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006032965A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体食刻装置 |
JP2008078208A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
JP2012500498A (ja) * | 2008-08-19 | 2012-01-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電チャック用エッジリング |
JP2010199177A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
JP2013514633A (ja) * | 2009-12-03 | 2013-04-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 小型のプラズマチャンバシステム及び方法 |
JP2018037662A (ja) * | 2011-09-16 | 2018-03-08 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理中における磁場パターンの制御/調整方法 |
US10872748B2 (en) | 2011-09-16 | 2020-12-22 | Lam Research Corporation | Systems and methods for correcting non-uniformities in plasma processing of substrates |
JP2012109608A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-06-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
JP2014150104A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 載置台及びプラズマ処理装置 |
US11705356B2 (en) | 2013-01-31 | 2023-07-18 | Tokyo Electron Limited | Mounting table and plasma processing apparatus |
US10727101B2 (en) | 2013-01-31 | 2020-07-28 | Tokyo Electron Limited | Mounting table and plasma processing apparatus |
JPWO2016052291A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-04-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2016122740A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電吸着方法及び基板処理装置 |
US11920239B2 (en) | 2015-03-26 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
KR102654243B1 (ko) * | 2015-04-09 | 2024-04-04 | 램 리써치 코포레이션 | 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거 |
KR20160121429A (ko) * | 2015-04-09 | 2016-10-19 | 램 리써치 코포레이션 | 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거 |
KR20170008138A (ko) * | 2015-07-13 | 2017-01-23 | 램 리써치 코포레이션 | 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝 |
KR102570642B1 (ko) * | 2015-07-13 | 2023-08-23 | 램 리써치 코포레이션 | 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝 |
JP2022140572A (ja) * | 2016-06-22 | 2022-09-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 結合リング内に電極を使用することによってエッジ領域におけるイオンの方向性を制御するためのシステム及び方法 |
JP7376648B2 (ja) | 2016-06-22 | 2023-11-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 結合リング内に電極を使用することによってエッジ領域におけるイオンの方向性を制御するためのシステム及び方法 |
US11610798B2 (en) | 2017-11-06 | 2023-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck assembly, electrostatic chuck, and focus ring |
KR102505152B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2023-02-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 링 구조체들 및 시스템들 |
KR20230032002A (ko) * | 2017-12-15 | 2023-03-07 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 링 구조체들 및 시스템들 |
JP7101778B2 (ja) | 2017-12-15 | 2022-07-15 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
KR20220045086A (ko) * | 2017-12-15 | 2022-04-12 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 링 구조체들 및 시스템들 |
JP2021515383A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-06-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム |
KR102652428B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2024-03-27 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 챔버에서 사용하기 위한 링 구조체들 및 시스템들 |
US11410868B2 (en) | 2019-09-06 | 2022-08-09 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck |
KR20210030349A (ko) | 2019-09-06 | 2021-03-17 | 토토 가부시키가이샤 | 정전 척 |
KR20210030202A (ko) | 2019-09-09 | 2021-03-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지기 및 플라즈마 처리 장치 |
JP2021097102A (ja) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
JP7361588B2 (ja) | 2019-12-16 | 2023-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッジリング及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60135672D1 (de) | 2008-10-16 |
AU2001296352A1 (en) | 2002-04-22 |
EP1332241A1 (en) | 2003-08-06 |
EP1332241B1 (en) | 2008-09-03 |
EP1332241A4 (en) | 2006-08-16 |
WO2002031219A8 (en) | 2002-09-06 |
JP4913313B2 (ja) | 2012-04-11 |
IL154439A0 (en) | 2003-09-17 |
CN1917164A (zh) | 2007-02-21 |
CN1468322A (zh) | 2004-01-14 |
ATE407232T1 (de) | 2008-09-15 |
WO2002031219A1 (en) | 2002-04-18 |
KR100807136B1 (ko) | 2008-02-27 |
IL154439A (en) | 2006-04-10 |
KR20030051645A (ko) | 2003-06-25 |
US6475336B1 (en) | 2002-11-05 |
CN100424849C (zh) | 2008-10-08 |
CA2419130A1 (en) | 2002-04-18 |
CN1285757C (zh) | 2006-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4913313B2 (ja) | エッジリングクランピングアセンブリ、プラズマ反応チャンバ、及び半導体基板を処理する方法 | |
US20230019718A1 (en) | Substrate support pedestal | |
US6104596A (en) | Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same | |
JP4007640B2 (ja) | 静電チャック用シールド | |
TWI438861B (zh) | 環形夾具及背側氣冷靜電夾頭 | |
CN103081088B (zh) | 静电夹盘和使用静电夹盘的方法 | |
JP4435565B2 (ja) | 電極プレートの保持装置、シャワーヘッド電極アセンブリの組み立て方法及び半導体基板の処理方法 | |
US8084375B2 (en) | Hot edge ring with sloped upper surface | |
JP4256257B2 (ja) | 高温静電チャック | |
JP4034145B2 (ja) | サセプタ装置 | |
US6377437B1 (en) | High temperature electrostatic chuck | |
KR20110049867A (ko) | 정전 척 조립체 | |
WO2011063084A2 (en) | Electrostatic chuck with reduced arcing | |
KR20140071467A (ko) | 온도 제어되는 정전기 척 | |
WO2013049586A1 (en) | Electrostatic chuck | |
JP2005520337A (ja) | プラズマ処理のための改良された基板ホルダ | |
JP2020047924A (ja) | 支持体 | |
CN115053323A (zh) | 用于衬底处理的静电边缘环安置系统 | |
TWI732446B (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR20230082956A (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
CN117790389A (zh) | 静电吸盘 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080925 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4913313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |