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Abstract

【課題】改善されたESC寿命、ESCの浸食の低減、及び/又は粒子状堆積物の蓄積の低減のうちの1又は複数を提供すること。【解決手段】本発明によると:上面を備えた静電チャック;静電チャックの上に配置されて静電チャックの上面を覆うカバーであって、カバーは、静電チャックの上面に隣接する第一の面、基板を支持するための第二の面、及び第二の面から第一の面へ冷却ガスを流すためのカバーを通って延びる1又は複数の導管部、を備えた、カバー、を備えた基板支持体が提供され、カバーは、誘電性材料から作られている。【選択図】図3

Description

本発明は、基板を支持するための支持体に関し、詳細には、プラズマ処理装置に用いるための半導体基板を支持するための基板支持体に関する。本発明はまた、関連するプラズマ処理装置、及び基板を支持する方法にも関する。
静電チャック(ESC)は、多くの場合、マイクロエレクトロニクス製造プロセス時に基板を適切な位置に固定するために用いられる。例えば、ESCは、半導体基板をESCに静電固定するために、プラズマエッチングプロセス及びプラズマ堆積プロセスで用いられ得る。ESCはまた、典型的には、そのようなプロセスにおいて基板温度の制御を補助するためにも用いられる。例えば、基板は、典型的には、プラズマ処理時にプラズマによって加熱される。加えて、RFバイアスを基板に容量結合させるためのプロセス要件が存在する場合があり、これは、基板の熱負荷にさらに寄与し得る。ESCは、基板から熱が移動可能となるように冷却されたESCに基板を静電固定することによって、基板温度を制御する。ESCが、多くの場合、プラズマ処理装置において不可欠で高価なコンポーネントであることは明らかである。
しかし、処理条件に曝露されるESCの面は、例えばスパッタリング又はイオン衝撃により、経時で浸食する可能性がある。加えて、基板破壊、及び/又は薄膜堆積を例とするESC面の汚染も、ESCの劣化に寄与し得る。これらの因子は、高価なESCの交換及び機器のダウンタイムをもたらす結果となり得る。
図1は、プラテン5に取り付けられた静電チャック(ESC)4を備えた既知の基板支持体2を示す。環状カバー6が、そうでなければ露出するESC4のエッジ領域を保護している。基板7は、ESC4の上に配置されている。この例では、基板処理時のプラズマ均一性を制御するために、環状フォーカスリング8が用いられている。そのような基板支持体2が、プラズマエッチング機器を例とするプラズマ処理装置で用いられる場合、粒子状堆積物9が環状カバー6上に形成され得る。ポリマー堆積物などの粒子状堆積物9の蓄積は、汚染の問題に繋がり得る。
図2は、使用を通して環状カバー16上にポリマー堆積物12が蓄積したESC10の平面図を示す。リフトピン14も示される。粒子状堆積物12は、次の処理工程を汚染し得る。環状カバー16又はESC10上でのこれらの堆積物の蓄積を回避することが望ましい。
本発明は、その実施形態の少なくともいくつかにおいて、上記で述べた問題、要望、及び必要性のうちの少なくともいくつかに対処しようとするものである。特に、本発明は、その実施形態の少なくともいくつかにおいて、改善されたESC寿命、ESCの浸食の低減、及び/又は粒子状堆積物の蓄積の低減のうちの1又は複数を提供する。これは、効率的で効果的なESCの機能性及び固定性を維持しながら実現することができる。すなわち、基板の効果的な熱制御、及び支持体上の適切な位置に基板を固定するための基板への充分な固定力をESCが提供しながら、実現することができる。
本発明の第一の態様によると:
上面を備えた静電チャック(ESC);
静電チャックの上に配置されて静電チャックの上面を覆うカバーであって、カバーは、静電チャックの上面に隣接する第一の面、基板を支持するための第二の面、及び第二の面から第一の面へ冷却ガスを流すためのカバーを通って延びる1又は複数の導管部、を備えた、カバー
を備えた基板支持体が提供され、カバーは、誘電性材料から作られている。
本発明の第二の態様によると、
チャンバー;及び
チャンバー内に配置された本発明の第一の態様に従う基板支持体、
を備えたプラズマ処理装置が存在する。
本発明の第三の態様によると、カバーの第二の面上に配置された基板と組み合わされた本発明の第二の態様に従うプラズマ処理装置が提供される。
本発明の第四の態様によると、本発明の第一の態様に従う基板支持体を用いて基板を処理する方法が存在し、この方法は:
上面を備えた静電チャックを提供する工程;
静電チャックの上に、静電チャックの上面を覆うためにカバーを配置する工程であって、カバーは、静電チャックの上面に隣接する第一の面、基板を支持するための第二の面、及び第一の面から第二の面へ冷却ガスを流すためのカバーを通って延びる1又は複数の導管部を備えている、工程;
基板をカバーの第二の面上に配置する工程;
基板を適切な位置に静電固定するために静電チャックを運転する工程であって、基板は、カバーを通して静電チャックと静電結合される、工程;
基板を冷却するために、1又は複数の導管部を通して第一の面から第二の面へ冷却ガスを流す工程;並びに
基板を処理する工程、
を含む。
方法工程は、適切ないかなる順序で行われてもよい。例えば、冷却ガスを流す工程は、基板を処理する工程に対して前に、後に、又は同時に行われてよい。
カバーは、ESCの上面に重なり、例えばプラズマエッチング又はプラズマ堆積などのプラズマ処理の過程で、上面を苛酷な処理条件に曝露されることから保護する。これによって、静電チャックの浸食が防止され、したがって、静電チャックの寿命が大きく延長される。その代わりに、カバーは、比較的廉価な消耗部品であるように設計される。カバーは、プラズマ処理の過程で処理条件に曝露され、経時で浸食され得る。
基板の処理工程の後、第四の態様の方法は、さらに、カバーを、第一の態様に従う第二のカバーに取り替えることを含んでよい。方法工程は、第二の基板を処理するために繰り返されてよく、この場合、カバーは、第二のカバーに取り替えられる。例えば、方法は、さらに、静電チャック上に、静電チャックの上面を覆うために第二のカバーを配置することを含んでよい。第二のカバーは、静電チャックの上面に隣接する第一の面、第二の基板を支持するための第二の面、及び第一の面から第二の面へ冷却ガスを流すための、カバーを通って延びる1又は複数の導管部を備えていてよい。方法は、第二の基板をカバーの第二の面上に配置することを含んでよい。方法は、第二の基板を適切な位置に静電固定するために静電チャックを運転することを含んでよく、第二の基板は、第二のカバーを通して静電チャックと静電結合される。方法は、第二の基板を冷却するために、1又は複数の導管部を通して第二のカバーの第一の面から第二の面へ冷却ガスを流すことを含んでよい。方法は、第二の基板を処理することを含んでよい。
静電チャックは、カバーを通して基板を基板支持体に固定する静電固定力を提供するように操作可能であってよい。静電チャックは、カバーを通して基板と静電結合する。基板に作用する静電固定力は、カバーを静電チャックに固定するように作用する。好ましくは、カバーは、それ以外では、静電固定又は機械固定のいずれによっても静電チャックに固定されない。基板とESCとの間にカバーを用いることは、直観に反しており、明快ではない。カバーは、ESCと処理中の基板との間の熱伝導性を低下させると考えられる。同様に、そのようなカバーは、基板のESCへの固定効果を低下させるとも考えられる。しかし、本発明者らは、1又は複数の導管部を備え、適切な厚さを有するカバーが、適切な熱制御及び基板の固定を提供することができることを見出した。
カバーは、100〜1500μm、好ましくは、300〜1000μmの厚さを有してよい。より厚いカバーは、より長い寿命の消耗部品を提供する。しかし、より厚いカバーは、基板と静電チャックとの間の静電結合をより大きい度合いで減衰させ、それによって、基板に掛かる固定力が低下する。固定力が弱すぎる場合、基板は、裏側冷却ガスを受けた場合に、部分的に持ち上がる、又は移動してしまう可能性がある。基板は、少なくとも25Torr(約3.33kPa)の裏側冷却ガスが適用された場合に、支持体に固定された状態を維持することが好ましい。対照的に、より薄いカバーは、より短い寿命を有するが、静電チャックと基板との間のより強い静電結合を可能とする。
カバーの第二の面は、平面であってよい。カバーは、ディスク又はディスク様であってよい。ディスク又はディスク様とは、本明細書において、実質的に平坦で、円形の形状又は外観を有する基板を意味するために用いられる。カバーの平面である第二の面は、カバーと基板との間の高い表面積での接触を提供する補助となる。このことにより、カバーと基板との間の良好な熱接触が確保され、それによって基板の冷却を促進することができる。所望に応じて、カバーの第二の面は、第二の面全体にわたるガスの伝導性を向上させるために、チャネル又は溝を備えていてもよい。
第二の面は、基板支持領域、及び基板支持領域の半径方向外側の周辺領域を備えていてよく、それによって、基板が支持されている時、基板は、基板支持領域に重なっている。周辺領域は、覆われないままであってもよい。基板支持領域及び周辺領域は、同一平面内であってよい。
好ましくは、カバーは、支持される基板の直径よりも大きい直径を有する。カバーの基板支持領域は、基板を直接支持するカバーの領域に対応する。基板の直径を超えて延びているカバーを提供することは、基板支持体上に粒子状堆積物が蓄積されることを低減する補助となる。特に、処理時に露出した周辺領域を有することにより、イオン衝撃を露出した領域で発生させることが可能となる。いかなる理論又は推論にも束縛されるものではないが、プラズマ処理時、プラズマからのイオンは、カバーの露出した周辺領域に衝撃し、それによって、粒子状堆積物又は汚染物は、周辺領域から除去されるものと考えられる。このことは、基板支持体上に汚染物が蓄積することを防止する又は少なくとも低減する補助となる。
1又は複数の導管部は、基板支持領域に配置されていてよい。典型的には、導管部は、支持されている基板の下側に冷却ガスを供給する。冷却ガスは、基板に対して効率的な冷却を提供することができる。好ましくは、導管部は、冷却ガスの実質的に均一な流れが支持されている基板の下側に供給されるように配列される。
静電チャックの上面は、静電固定力を提供するための固定領域を備えていてよい。静電固定力は、固定領域の下にあり、静電チャック本体内に含有されている適切な電極構造によって提供されてよい。静電チャックの上面は、さらに、固定領域の半径方向外向きに延びるエッジ領域を備えていてよい。固定力は、静電固定力であってよい。静電チャックの上面は、平面であってよい。固定領域は、エッジ領域と同一平面内であってよい。
固定領域は、基板支持領域の直径よりも大きい直径を有していてよい。固定領域は、支持されている基板の直径を超えて延びていてよい。このことにより、基板と静電チャックとの間の静電結合が向上する。基板は、その全直径にわたって静電チャックと静電結合してよい。
カバー及び静電チャックは、各々ある直径を有してよく、カバーの直径は、静電チャックの直径に等しい、又は静電チャックの直径よりも大きい。好ましくは、カバーは、静電チャックの上面を完全に覆っている。カバーの周辺領域は、静電チャックのエッジ領域を超えて延びていてよい。カバーは、静電チャック全体に対する保護バリアを提供する。このことは、静電チャックの上面を苛酷な処理条件から保護し、静電チャックの寿命を延長する補助となり得る。
カバーは、Al23又はAlNなどの誘電性材料から作られていてよい。Al23及びAlNは、いずれも容易に機械加工することができ、この用途によく適している。AlNは、Al23と比較して改善された熱伝導性を提供するが、追加のコストが掛かる。
カバーは、静電チャックの運転によって引き起こされる基板の静電固定以外によっては静電チャックに取り付けられていないことによって、交換可能であり得る。交換可能カバーは、消耗部品であってよい。カバーには、電極がなくてよい。
静電チャックは、カバーの第一の面に冷却ガスを提供するための1又は複数の冷却チャネルをさらに備えていてよい。1又は複数の冷却チャネルは、カバー中の1又は複数の導管部を通して流すための冷却ガスを提供し得る。
冷却ガスは、ヘリウムであってよい。静電チャックとカバーの第一の面との間の冷却ガスは、少なくとも10Torr(約1.33kPa)、好ましくは少なくとも25Torr(約3.33kPa)であってよい。より高いガス圧力は、基板からの熱移動を改善することができる。
静電チャックは、上側誘電性プレートを備えていてよい。静電チャックの上面は、上側誘電性プレートであってよい。カバーは、上側誘電性プレートの上に配置されてよい。カバーは、静電チャックの上側誘電性プレートを完全に覆っていてよい。カバーの直径は、上側誘電性プレートの直径よりも大きくてよい。
静電チャックは、さらに、DC電源によって給電される少なくとも1つのDC電極を備えていてよい。典型的には、DC電源は、高電圧DC電源である。静電チャックは、さらに、RFバイアスによって給電される少なくとも1つのRF電極を備えていてよい。DC電極及び/又はRF電極は、金属電極であってよい。DC電極は、静電チャックの固定領域を定めてよい。RF電極は、基板支持領域を超えて延びていてよい。RFバイアスは、約380kHz〜約13.56MHzの周波数を有してよい。金属電極は、静電チャック中、上側誘電性プレートと下側誘電性プレートとの間に埋め込まれていてよい。静電チャックの上面は、誘電性材料から作られていてよい。例えば、静電チャックの上面は、Al23又はAlNから作られていてよい。静電チャックの上面は、カバーと同じ誘電性材料又は異なる誘電性材料から作られていてよい。静電チャックの上面は、カバーと類似した又は同じ熱膨張性を有する材料から作られていてよい。上側誘電性プレートは、静電チャックの上面を構成していてよい。上側誘電性プレートは、およそカバーの厚さである、又はカバーの厚さ未満である厚さを有してよい。上側誘電性プレートは、3mm未満、2mm未満、又は1mm未満の厚さを有してよい。上側誘電性プレートは、100〜1500μm、200〜1500μm、又は300〜1000μmの厚さを有してよい。カバーは、使用時に、上側誘電性プレートを苛酷なプラズマ処理条件から保護することができる。したがって、静電チャックの上側誘電性プレートの厚さを、静電チャックの使用可能寿命に影響を与えることなく、公知の静電チャックの上側誘電性プレートよりも薄くすることができる。より薄い上側誘電性プレートは、改善された静電固定力も提供することができる。
DC電源は、約1500V超、好ましくは約2000V超、より好ましくは約3000V超、最も好ましくは約3500V超の電圧を供給し得る。DC電源は、約2kVの電圧を供給し得る。DC電源は、約3.5kVの電圧を供給し得る。DC電源は、約5kVの電圧を供給し得る。
基板支持体は、さらに、使用時にカバーから基板を分離するように操作可能であるリフトアセンブリを備えていてよい。リフトアセンブリは、カバーから基板を持ち上げるように操作可能であり得る。すなわち、リフトアセンブリは、カバーとは独立して基板支持体から基板を持ち上げることができ、それによって、基板がカバーから持ち上げられた場合に、カバーは静電チャック上のその位置に維持される。リフトアセンブリは、1又は複数のリフト部材を備えていてよく、この場合、リフトアセンブリは、カバーの対応する開口部を通ってリフト部材を動かして、カバーから基板を分離するように操作可能である。リフト部材は、リフトピンであってよい。リフトアセンブリは、中央リフトピン、及び中央リフトピンから延びる少なくとも3つのアームを備えていてよい。これによって、基板を持ち上げる安定な支持が得られる。カバーは、リフトアセンブリに対して相補的な形状の開口部を備えていてよい。第二のリフトアセンブリが、静電チャックの上面からカバーを持ち上げるように操作可能であってよい。
プラズマ処理装置は、プラズマエッチング装置であってよい。プラズマ処理装置は、さらに、フォーカスリングを備えていてよい。フォーカスリングは、処理時におけるチャンバー中のプラズマの均一性を改善する補助となり得る。フォーカスリングは、処理されるべき基板のエッジを囲んでいてよい。フォーカスリングは、カバー、基板支持領域、及び/又はカバーの周辺領域を囲んでいてよい。
基板は、半導体基板であってよい。基板は、シリコン基板であってよい。基板は、ウェハであってよい。
カバーの第二の面は、基板支持領域、及び基板支持領域の外側の周辺領域を備えていてよく、それによって、基板は、基板支持領域に重なる。周辺領域は、覆われないままであってもよい。導管部が、基板支持領域に配置されていてよい。
本発明について上記で記載してきたが、その記載は、上記において、又は以下の記載、図面、若しくは請求項において示される特徴のいかなる発明的組み合わせにも拡張される。例えば、本発明の1つの態様に関する開示されるいかなる特徴も、本発明の他のいずれの態様のいずれの特徴とも組み合わされてよい。
本発明の実施形態について、ここで、単なる例として、添付の図面を参照して記載する。
図1は、先行技術の基板支持体の断面図である。 図2は、先行技術の平坦形状静電チャックの平面図であり、挿入図は、静電チャックの一部をより高い倍率で示している。 図3は、第一の実施形態に従う基板支持体の断面図である。 図4は、第一の実施形態に従う基板支持体の一部切り取り透視図である。 図5は、第一の実施形態に従うカバーの透視図である。 図6は、第一の実施形態のカバーにおける標準化された吹き飛ばし圧力を示すグラフである。
図3及び4は、全体として20で示される第一の実施形態に従う基板支持体の図を示す。誤解を避けるために記すと、同一である特徴を示すために同じ符号が用いられている。基板支持体20は、静電チャック(ESC)22、及び静電チャック22上に配置されたカバー24を備える。ESC22は、典型的には、プラテン25に取り付けられている、又はプラテン25によって支持されている。プラテン25は、典型的には、アルミニウム又はステンレス鋼から作られた金属ボディである。カバー24は、典型的には、Al23又はAlNなどの誘電性材料又はセラミック材料から作られている。カバー24は、必要に応じて交換することができるように、ESC22から取り外し可能である。カバー24は、ESC22の上面26に重なっている。第一の実施形態では、カバー24は、上面26が露出しないように、ESC22の上面26を完全に覆っている。特に、ESC22の上面26は、プラズマ処理時に完全に覆われている。ある実施形態では、カバーは、ESC22の上面26がプラズマ処理時に完全に覆われていることを確保するために、1又は複数の補助カバー部材(図示せず)を備えていてよい。
カバー24(図5でより詳細に示される)は、ESC22の上面26に隣接する第一の面24aを有する。第一の面24aは、典型的には、上面26の全領域にわたって上面26と接触している。このことは、上面26とカバー24との間の良好な熱接触を提供し、ESC22とカバー24との間の効率的な熱交換を可能とする。カバー24は、ESC22とは反対の方向に向いた第二の面24bを有する。第二の面24bは、基板28を支持するために上方向に向けられている。典型的には、基板28は、カバー24の第二の面24bの上に載っている。基板28は、典型的には、シリコンウェハなどの半導体基板である。図3は、カバー24上の基板28の位置を示す。
カバー24は、さらに、カバー24を通して延びる1又は複数の開口部又は導管部27を備える。より詳細には、導管部27は、第一の面24aから第二の面24bに延び、冷却ガスがそこを通って流れることを可能とする。
第一の実施形態では、カバー24は、基板28よりも大きい直径を有する。すなわち、基板28は、カバー24の周辺部から張り出さない。カバー24は、基板28を支持する基板支持領域30を備える。基板28は、基板支持領域30に重なり、基板支持領域30を覆う。カバー24は、さらに、基板支持領域30から外向きに延びる周辺領域32を備える。第一の実施形態では、基板支持領域30及び周辺領域32は、同一平面内である。周辺領域32は、基板28によって覆われず、典型的には、プラズマ処理時に覆われない状態で維持される。ある実施形態では、追加の環状フォーカスリング50が、カバー24の外側周辺部(例:周辺領域32の外側周辺部)に重なっていてよい。
本発明者らは、ウェハ28の直径を超えて延びるカバー24が、驚くべきことに、ポリマー堆積物などの粒子状堆積物の基板支持体20上への蓄積を防止する補助となる、又は少なくとも低減する補助となることを見出した。いかなる理論又は推論にも束縛されるものではないが、プラズマ処理時におけるカバー24の露出した領域のイオン衝撃が、粒子状堆積物を上方向に向いた面24bから除去するものと考えられる。したがって、基板28よりも大きい直径を有するカバー24は、不要な堆積物の形成を低減する補助となる。
導管部27は、冷却ガスを基板28の裏面に適用することができるように、基板支持領域30に位置する。冷却ガスは、基板から熱を移動させ、基板28を冷却する効率的な方法を提供する。冷却ガスは、典型的には、ヘリウムであるが、本技術分野において公知である他の冷却剤が用いられてもよい。
ESC22及び/又はプラテン25は、典型的には、冷却接続部36によって供給される1又は複数の冷却チャネルを備える。冷却チャネルは、ESCを通して、上面26に隣接するカバーの第一の面24aに冷却ガスを流す。ガスが供給される場合、冷却ガスの層が、典型的には、ESCの上面26とカバーの第一の面24aとの間に存在する。これは、ESC22とカバー24との間の効率的な冷却を提供する。加えて、冷却ガスは、導管部27を通って、基板28とカバーの上向き面24bとの間に冷却ガス層を形成する。これにより、カバー24を通して、基板28と冷却されたESC22との間に効率的な熱交換を発生させることができる。冷却ガス層は、基板28とESC22との間の熱交換を促進する補助となる。
ESC22は、典型的には、上側及び下側誘電性プレート22a、22bの間に埋め込まれた1又は複数の金属電極34を備える。ある実施形態では、金属電極は、DCバイアスによって給電されるDC電極である。DCバイアスは、典型的には、静電固定力を発生させる。ある実施形態では、金属電極は、RFバイアスによって給電されるRF電極である。RFバイアスは、処理されている基板に容量結合することができる。1又は複数の電極の直径は、固定領域を定める。第一の実施形態では、固定領域は、基板支持領域30を超えて、したがって、基板28の直径を超えて延びている。このことは、有益なことには、RF電極による基板の静電結合が行われる拡張領域(すなわち、基板28の直径を超える)を提供する。上面26は、さらに、固定領域の外向きに延びるエッジ領域を備える。
基板支持体20は、さらに、リフトアセンブリ42を備える。リフトアセンブリ42は、カバー24をESC22上の適切な位置に保持した状態で、基板28を基板支持体20から持ち上げるように構成される。第一の実施形態では、リフトアセンブリ42は、外向きに延びる3つのアーム46を有する中央リフトピン44を備える。ある実施形態では、持ち上げる際に基板28を安定させる補助とするために、追加のリフトピンが備えられていてもよい。カバー24は、基板28をカバー24とは独立して持ち上げることができるように、3つのアーム46をカバー24に通すことを可能とするための相補的開口部48を備える。
運転時、ESC22は、基板28を適切な位置に固定する静電固定力を提供する。すなわち、基板28とESC22との間にクーロン引力が存在する。典型的には、カバー24は、静電的にも又は機械的にもESC22に直接固定されない。カバー24は、基板28とESC22との間の静電固定力によって、適切な位置に固定される。基板28が受ける静電結合の度合いは、カバー24の材料及び厚さに依存する。カバーは、典型的には、Al23又はAlNなどの誘電性材料又はセラミック材料から作られている。そのような誘電性材料は、基板28とESC22との間の充分な静電結合を維持した状態で、良好な熱伝導性を提供する。カバー24の厚さは、典型的には、所望される条件を提供するために最適化される。カバー24の厚さは、典型的には、ESCの上側誘電性プレート22aに類似の厚さである。
より厚いカバー24は、ESC22と基板28との間の静電結合を低下させる。したがって、基板28とESC22との間の静電固定力が弱くなり、基板28を取り外す又は持ち上げるのに必要とされる「吹き飛ばし」圧力が低下される。「吹き飛ばし」圧力は、基板を支持体から取り外す又は持ち上げるのに必要とされる裏面圧力である。他方、より厚いカバー24は、カバー24の使用可能寿命を延長し、したがって、カバー24の交換頻度が低減される。
対照的に、より薄いカバー24は、ESC22と基板28との間のより大きい静電結合を呈し、より高い「吹き飛ばし」圧力を呈する。しかし、より薄いカバー24は、交換を必要とするまでの使用可能寿命がより短い。カバーは、典型的には、100〜1500μm、好ましくは、300〜1000μmの厚さを有する。
図6は、ESCが5kV(曲線60)及び2kV(曲線62)で給電される場合に、予測される「吹き飛ばし」圧力(単位Torr)がカバー24の厚さ(単位μm)と共に変動する様子のプロットを示す。この例での上側誘電体22aの厚さは、1mmである。典型的には、「吹き飛ばし」圧力は、好ましくは少なくとも10Torr(約1.33kPa)、より好ましくは少なくとも25Torr(約3.33kPa)である。吹き飛ばし圧力がより高い場合、基板28が基板支持体20から取り外される前に、より高い圧力の冷却ガスを基板28の裏面に適用可能となる。より高い裏面圧力の冷却ガスは、基板28とESC22との間の熱移動を補助することができる。カバー24は、カバー24の導管部27及び誘電性材料の両方を通して、基板28とESC22との間の熱伝導性経路を提供する。
これに関して限定はされないが、第一の実施形態の基板支持体20は、プラズマエッチング装置及びプラズマ堆積装置などのプラズマ処理装置において特定の用途を有する。環状フォーカスリング50が、プラズマの均一性を制御するために、及びプラズマ中のイオンの方向を制御するために、基板支持体20の周囲に配置されてよい。プラズマ処理において、カバー24の露出された周辺領域32は、プラズマ条件から保護されず、経時で浸食され得る。カバー24は、支持されている基板28よりも大きい直径を有することから(すなわち、張り出しがない)、粒子状堆積物の形成は、回避される、又は少なくとも低減される。加えて、カバー24は、ESC22の上面26をプラズマ処理条件への曝露から保護し、したがって、ESC22の浸食を防止する。このことは、ESC22の使用可能寿命を延長する。

Claims (17)

  1. 上面を備えた静電チャック;
    前記静電チャックの上に配置されて前記静電チャックの前記上面を覆うカバーであって、前記カバーは、前記静電チャックの前記上面に隣接する第一の面、基板を支持するための第二の面、及び前記第二の面から前記第一の面へ冷却ガスを流すための前記カバーを通って延びる1又は複数の導管部、を備えた、カバー、
    を備え、前記カバーは、誘電性材料から作られている、基板支持体。
  2. 前記カバーが、100〜1500μm、好ましくは300〜1000μmの厚さを有する、請求項1に記載の支持体。
  3. 前記カバーが、ディスク又はディスク様である、請求項1又は2に記載の支持体。
  4. 前記第二の面が、基板支持領域、及び前記基板支持領域の半径方向外側の周辺領域を備え、それによって、基板が支持されている時、前記基板は、前記基板支持領域に重なっている、請求項1から3の何れか一項に記載の支持体。
  5. 前記1又は複数の導管部が、前記基板支持領域に配置されている、請求項4に記載の支持体。
  6. 前記静電チャックの前記上面が、静電固定力を提供するための固定領域、及び前記固定領域から半径方向外向きに延びるエッジ領域を備える、請求項4又は5に記載の支持体。
  7. 前記固定領域が、前記基板支持領域の直径よりも大きい直径を有する、請求項6に記載の支持体。
  8. 前記カバー及び前記静電チャックが、各々ある直径を有し、前記カバーの直径は、前記静電チャックの直径に等しい、又は前記静電チャックの直径よりも大きい、請求項1から7の何れか一項に記載の支持体。
  9. 前記カバーが、Al23又はAlNから作られている、請求項1から8の何れか一項に記載の支持体。
  10. 前記カバーが、前記静電チャックの運転によって引き起こされる前記基板の静電固定以外によっては前記静電チャックに取り付けられていないことによって、交換可能である、請求項1から9の何れか一項に記載の支持体。
  11. 前記静電チャックが、前記カバーの前記第一の面に前記冷却ガスを提供するための1又は複数の冷却チャネルをさらに備える、請求項1から10の何れか一項に記載の基板支持体。
  12. 前記静電チャックが、DC電源によって給電される少なくとも1つのDC電極をさらに備える、請求項1から11の何れか一項に記載の基板支持体。
  13. 前記静電チャックが、RF電源によって給電される少なくとも1つのRF電極をさらに備える、請求項1から12の何れか一項に記載の基板支持体。
  14. 使用時に前記カバーから基板を分離するように操作可能であるリフトアセンブリをさらに備える、請求項1から13の何れか一項に記載の基板支持体。
  15. 前記リフトアセンブリが、1又は複数のリフト部材を備え、前記リフトアセンブリが、前記カバーの対応する開口部を通って前記リフト部材を動かして、前記カバーから前記基板を分離するように操作可能である、請求項14に記載の基板支持体。
  16. チャンバー;及び
    前記チャンバー内に配置された請求項1から15の何れか一項に記載の基板支持体、
    を備えたプラズマ処理装置。
  17. 請求項1から15の何れか一項に記載の基板支持体を用いて基板を処理する方法であって、前記方法は:
    上面を備えた静電チャックを提供する工程;
    前記静電チャックの上に、前記静電チャックの前記上面を覆うためにカバーを配置する工程であって、前記カバーは、前記静電チャックの前記上面に隣接する第一の面、前記基板を支持するための第二の面、及び前記第一の面から前記第二の面へ冷却ガスを流すための前記カバーを通って延びる1又は複数の導管部を備えている、工程;
    前記基板を前記カバーの前記第二の面上に配置する工程;
    前記基板を適切な位置に静電固定するために前記静電チャックを運転する工程であって、前記基板は、前記カバーを通して前記静電チャックと静電結合される、工程;
    前記基板を冷却するために、前記1又は複数の導管部を通して前記第一の面から前記第二の面へ冷却ガスを流す工程;並びに
    前記基板を処理する工程、
    を含む、方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10971327B1 (en) * 2019-12-06 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Cryogenic heat transfer system
KR102199738B1 (ko) * 2020-04-24 2021-01-08 (주)코리아스타텍 건식 식각장비용 직냉식 정전척
KR20230004790A (ko) * 2020-04-29 2023-01-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 균일성 개선을 위한 히터 커버 플레이트

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705080A (en) * 1994-07-06 1998-01-06 Applied Materials, Inc. Plasma-inert cover and plasma cleaning process
US5886863A (en) * 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member
US5805408A (en) 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
US5589003A (en) * 1996-02-09 1996-12-31 Applied Materials, Inc. Shielded substrate support for processing chamber
US6259592B1 (en) * 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
US6195246B1 (en) * 1999-03-30 2001-02-27 Electron Vision Corporation Electrostatic chuck having replaceable dielectric cover
JP2003168725A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Kyocera Corp ウエハ支持部材及びその製造方法
TWI327336B (en) * 2003-01-13 2010-07-11 Oc Oerlikon Balzers Ag Arrangement for processing a substrate
US8422193B2 (en) 2006-12-19 2013-04-16 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
JP2008159900A (ja) 2006-12-25 2008-07-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック付きセラミックヒーター
KR20080088961A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 제조 장치용 정전기척 및 이의 운용 방법
JP5025576B2 (ja) * 2008-06-13 2012-09-12 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
KR100953736B1 (ko) 2009-07-27 2010-04-19 주식회사 아토 증착 장치 및 반도체 소자의 제조 방법
US8371567B2 (en) * 2011-04-13 2013-02-12 Novellus Systems, Inc. Pedestal covers
KR20120137986A (ko) 2011-06-14 2012-12-24 삼성디스플레이 주식회사 정전척
WO2013111363A1 (ja) 2012-01-26 2013-08-01 京セラ株式会社 静電チャック
CN105359265B (zh) 2013-08-05 2018-12-14 应用材料公司 原位可移除式静电夹盘
JP6024921B2 (ja) 2013-11-01 2016-11-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10002782B2 (en) * 2014-10-17 2018-06-19 Lam Research Corporation ESC assembly including an electrically conductive gasket for uniform RF power delivery therethrough
TW201817152A (zh) 2016-08-10 2018-05-01 美商康寧公司 利用靜電吸盤與凡得瓦力塗佈玻璃基板之設備與方法
US10923385B2 (en) * 2016-11-03 2021-02-16 Lam Research Corporation Carrier plate for use in plasma processing systems

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