TWI845545B - 基材支持件，電漿處理裝置，及處理基材的方法 - Google Patents

Abstract

依據本發明提供一基材支持件，其包含：一靜電吸盤，其包含一上表面；一蓋，其定位在該靜電吸盤上以覆蓋該靜電吸盤之該上表面，該蓋包含與該靜電吸盤之該上表面相鄰之一第一面、用於支持一基材之一第二面及延伸穿過該蓋以允許一冷卻氣體由該第二面流至該第一面的一或多個導管；其中該蓋由一介電材料形成。

Description

基材支持件，電漿處理裝置，及處理基材的方法

本發明係有關於用於支持一基材之支持件，特別是用於支持在一電漿處理裝置中使用之一半導體基材的基材支持件。本發明亦有關於相關的電漿處理裝置以及支持一基材之方法。

靜電吸盤(ESC)經常被用於在微電子製造程序中夾持定位一基材。例如，一ESC可用於電漿蝕刻及沈積製程以便將一半導體基材靜電地夾持在該ESC上。ESC亦通常被用於在該等製程中協助調節基材溫度。例如，該基材通常在電漿處理時被該電漿加熱。此外，有將一RF偏壓與該基材電容地耦合之一處理要求，這可進一步有助於基材熱負載。該ESC藉由將該基材靜電地夾持在該冷卻之ESC上使得熱可傳送遠離該基材來調節該基材溫度。顯然在一電漿處理裝置中該ESC通常是一重要且昂貴之組件。

但是，暴露於該等處理條件的該ESC之表面會例如因濺鍍或離子轟炸而在經過一段時間後腐蝕。此外，例如藉由薄膜沈積產生之該ESC表面之基材斷裂及/ 或污染亦促進該ESC之劣化。這些因素會導致昂貴之ESC更換及工具停工時間。

圖1顯示一習知基材支持件2，該基材支持件2包含附接在一平台5上之一靜電吸盤(ESC)4。一環形蓋6保護該ESC 4之另外的暴露邊緣區域。一基材7定位在該ESC 4上。在這例子中，使用一環形聚焦環8來控制基材處理時之電漿均一性。當在例如一電漿蝕刻工具之一電漿處理裝置中使用該基材支持件2時，可在該環形蓋6上形成微粒沈積物9。如聚合物沈積物之微粒沈積物9的累積會產生污染問題。

圖2顯示一ESC 10之平面圖，其中在經過使用後多個聚合物沈積物12累積在一環形蓋16上。圖中亦顯示多個升降銷14。該等微粒沈積物12會污染後續之處理步驟。因此需要避免這些沈積物累積在該環形蓋16或ESC 10上。

本發明至少在其某些實施例中尋求解決上述問題、需要及需求中之至少某些問題、需要及需求。詳而言之，本發明至少在其某些實施例中提供以下一或多者：較佳ESC壽命；較少ESC腐蝕；及/或較少微粒沈積物累積。這可達成同時維持有效率及有效之ESC功能及夾持。即，同時該ESC提供有效之基材熱調節及將該基材固定定位在該支持件上的該基材上之一足夠夾持力。

依據本發明之一第一態樣，提供一種基材支 持件，其包含：一靜電吸盤(ESC)，其包含一上表面；一蓋，其定位在該靜電吸盤上以覆蓋該靜電吸盤之該上表面，該蓋包含與該靜電吸盤之該上表面相鄰之一第一面、用於支持一基材之一第二面及延伸穿過該蓋以允許一冷卻氣體由該第二面流至該第一面的一或多個導管；其中該蓋由一介電材料形成。

依據本發明之一第二態樣，提供一種電漿處理裝置，其包含：一腔室；及依據本發明之第一態樣的該基材支持件，其設置在該腔室內。

依據本發明之一第三態樣，提供一種依據本發明之第二態樣的電漿處理裝置，其與定位在該蓋之該第二表面上的一基材組合。

依據本發明之一第四態樣，提供一種使用本發明之第一態樣的基材支持件來處理一基材的方法，該方法包含以下步驟：提供包含一上表面之一靜電吸盤；將一蓋定位在該靜電吸盤上以覆蓋該靜電吸盤之該上表面，該蓋包含與該靜電吸盤之該上表面相鄰之一第一面、用於支持該基材之一第二面及延伸穿過該蓋以允許一冷卻氣體由該第一面流至該第二面的一或多個導管；將該基材定位在該蓋之該第二面上； 操作該靜電吸盤以便將該基材靜電地夾持定位，其中該基材透過該蓋與該靜電吸盤靜電地耦合；使一冷卻氣體透過該等一或多個導管由該第一面流至該第二面以便冷卻該基材；及處理該基材。

該等方法步驟可以任何適當順序實行。例如，使該冷卻氣體流動之步驟可在處理該基材之步驟前、後或與其同時地實行。

該蓋重疊在該ESC之上表面上以便例如，在如電漿蝕刻或沈積之電漿處理時，保護該上表面免於暴露於嚴苛之處理條件。這防止該靜電吸盤之腐蝕且因此顯著地增加該靜電吸盤之壽命。此外，該蓋係設計成一比較便宜之可消耗部件。該蓋在電漿處理時暴露於多個處理條件且會在經過一段時間後被腐蝕。

在處理該基材之步驟後，該第四態樣之方法可更包含用依據該第一態樣之一第二蓋取代該蓋的步驟。該等方法步驟可重複以處理一第二基材，其中該第二蓋取代該蓋。例如，該方法可更包含將該第二蓋定位在該靜電吸盤上以覆蓋該靜電吸盤之該上表面的步驟。該第二蓋可包含與該靜電吸盤之該上表面相鄰的一第一面、用於支持該第二基材之一第二面及延伸穿過該蓋以允許一冷卻氣體由該第一面流至該第二面的一或多個導管。該方法可包含將該第二基材定位在該蓋之該第二面上的步驟。該方法可包含操作該靜電吸盤以將該第二基材靜電地夾持 定位，其中該第二基材透過該第二蓋與該靜電吸盤靜電地耦合。該方法可包含使一冷卻氣體透過該等一或多個導管由該第二蓋之該第一面流至該第二面以冷卻該第二基材的步驟。該方法可包含處理該第二基材之步驟。

該靜電吸盤可操作以提供透過該蓋將該基材夾持在該基材支持件上之一靜電夾持力。該靜電吸盤透過該蓋與該基材靜電地耦合。作用在該基材上之靜電夾持力可用以將該蓋夾持在該靜電吸盤上。較佳地，該蓋未另外被靜電地或機械地夾持在該靜電吸盤上。在一基材與該ESC之間使用一蓋係反直覺且非簡單明瞭的。可預期的是一蓋減少該ESC與一被處理基材間之導熱性。類似地，可預期的是一蓋減少該基材對該ESC之夾持作用。但是，本發明人發現包含一或多個導管且具有一適當厚度之一蓋可提供該基材之適當熱調節及夾持。

該蓋可具有100至1500μm，且300至1000μm較佳之一厚度。一較厚蓋提供具有一較長壽命之一可消耗部件。但是，一較厚蓋使該基材與該靜電吸盤間之靜電耦合較大幅度地降低，藉此減少該基材感受到之夾持力。若該夾持力太弱，該基材會在受到一背側冷卻氣體作用時升降或位移。較佳地，當施加至少25托耳之一背側冷卻氣體時，該基材保持被夾持。相反地，一較薄蓋具有一較短壽命，但容許該靜電吸盤與該基材間之較大靜電耦合。

該蓋之第二面可為平面。該蓋可為一圓盤或 呈圓盤狀。在此使用之圓盤或呈圓盤狀表示具有一實質平坦、圓形狀或外觀的一基材。該蓋之一平面第二面有助於在該蓋與該基材之間提供一高表面積接觸。這確保在該蓋與該基材間之一良好熱接觸，而這可促進基材冷卻。或者，該蓋之第二面可包含多個通道或槽以增加通過該第二面之氣體傳導性。

該第二面可包含一基材支持件區域及由該基材支持件區域徑向地向外之一周邊區域，使得當一基材被支持時，該基材重疊在該基材支持件區域上。該周邊區域可保持未被覆蓋。該基材支持件區域及該周邊區域可共平面。

較佳地，該蓋具有比該被支持基材之直徑大的一直徑。該蓋之該基材支持件區域對應直接支持該基材的該蓋之區域。提供延伸超過該基材之直徑的一蓋有助於減少微粒沈積物累積在該基材支持件上。詳而言之，具有在處理時暴露之一周邊區域容許在該暴露區域發生離子轟炸。在未被任何理論或推測束縛的情形下，吾人相信在電漿處理時，來自該電漿之離子轟炸該蓋之暴露周邊區域使得微粒沈積物或污染物由該周邊區域移除。這有助於防止或至少減少污染物累積在該基材支持件上。

該一或多個導管可設置在該基材支持件區域中。通常，該等導管供應一冷卻氣體至該被支持基材之底側。該冷卻氣體可為該基材提供有效冷卻。較佳地，該等導管係配置成使得一實質均勻之冷卻氣體流供應至該 被支持基材之底側。

該靜電吸盤之上表面可包含用於提供一靜電夾持力之一夾持區域。該靜電夾持力可由收容在該靜電吸盤之本體內的一適當電極結構提供，且該靜電吸盤之本體位於該夾持區域下方。該靜電吸盤之上表面可更包含由該夾持區域徑向向外地延伸之一邊緣區域。該夾持力可為一靜電夾持力。該靜電吸盤之上表面可為平面。該夾持區域可與該邊緣區域共平面。

該夾持區域可具有比該基材支持件區域之直徑大的一直徑。該夾持區域可延伸超過該被支持基材之直徑。這增強該基材與該靜電吸盤間之靜電耦合。該基材可在其全直徑上與該靜電吸盤靜電地耦合。

該蓋及該靜電吸盤可各具有一直徑，且該蓋之直徑等於或大於該靜電吸盤之直徑。較佳地，該蓋完全地覆蓋該靜電吸盤之上表面。該蓋之周邊區域可延伸超過該靜電吸盤之邊緣區域。該蓋在該靜電吸盤上方提供一保護障壁。這保護該靜電吸盤之上表面不受嚴苛處理環境影響，且可有助於增加該靜電吸盤之壽命。

該蓋可由如Al₂O₃或AlN之介電材料形成。Al₂O₃及AlN都可輕易地切削且亦良好地適合這應用。相較於Al₂O₃，AlN提供較佳導熱性，但成本較高。

該蓋係由於未附接於該靜電吸盤而是透過該基材藉由操作該靜電吸盤產生靜電夾持而可更換。該可更換蓋可為一可消耗部件。該蓋可沒有電極。

該靜電吸盤可更包含用於提供該冷卻氣體至該蓋之該第一面的一或多個冷卻通道。該一或多個冷卻通道可提供用於流過該蓋中之該一或多個導管的一冷卻氣體。

該冷卻氣體可為氦。該靜電吸盤與該蓋之第一面間的該冷卻氣體可為至少10托耳，且至少25托耳較佳。一較高氣體壓力可改善遠離該基材之熱傳送。

該靜電吸盤可包含一上介電板。該靜電吸盤之上表面可為該上介電板。該蓋可定位在該上介電板上。該蓋可完全地覆蓋該靜電吸盤之上介電板。該蓋之直徑可比該上介電板之直徑大。

該靜電吸盤可更包含由一DC電源供應之至少一DC電極。通常，該DC電源係一高電壓DC電源。該靜電吸盤可更包含由一RF偏壓供應之至少一RF電極。該DC電極及/或該RF電極可為一金屬電極。該DC電極或該等DC電極可界定該靜電吸盤之夾持區域。該RF電極或該等RF電極可延伸超過該基材支持件區域。該RF偏壓可具有大約380kHz至大約13.56MHz之一頻率。該等金屬電極可埋在該靜電吸盤中且在一上介電板與一下介電板之間。該靜電吸盤之上表面可由一介電材料形成。例如，該靜電吸盤之上表面可由Al₂O₃或AlN形成。該靜電吸盤之上表面可由與該蓋相同或不同之一材料形成。該靜電吸盤之上表面可由具有與該蓋類似或相同熱膨脹性質之一材料形成。該上介電板可包含該靜電吸盤之上表面。該上介 電板可具有大約等於或小於該蓋之厚度的一厚度。該上介電板可具有小於3mm、小於2mm或小於1mm之一厚度。該上介電板可具有100至1500μm、200至1500μm或300至1000μm之一厚度。該蓋可在使用時保護該上介電板不受嚴苛電漿處理條件影響。因此，該靜電吸盤之上介電板的厚度可作成比習知靜電吸盤之上介電板薄且不影響該靜電吸盤之可使用壽命。一較薄上介電板亦可提供一較佳靜電夾持力。

該DC電源可供應大於大約1500V，大於大約2000V較佳，大於大約3000V更佳且大於大約3500V最佳之一電壓。該DC電源可供應大約2kV之一電壓。該DC電源可供應大約3.5kV之一電壓。該DC電源可供應大約5kV之一電壓。

該基材支持件可更包含一升降總成，該升降總成在使用時可操作以使一基材由該蓋分離。該升降總成可操作以使該基材由該蓋升降。即，該升降總成可使該基材與該蓋無關地由該基材支持件升降，使得當該基材由該升降時，該蓋保持在其在該靜電吸盤上之位置。該升降總成可包含一或多個升降構件，其中該升降總成可操作以使該等升降構件移動通過該蓋中之多個對應孔以使該基材由該蓋分離。該等升降構件可為升降銷。該升降總成可包含一中心升降銷及由該中心升降銷延伸之至少三臂部。這為該基材提供一穩定升降支持。該蓋可包含形狀與該升降總成互補之一孔。一第二升降總成可操作以使該蓋由該靜 電吸盤之上表面升降。

該電漿處理裝置可為一電漿蝕刻裝置。該電漿處理裝置可更包含一聚焦環。該聚焦環可有助於改善處理時該腔室中之電漿的均一性。該聚焦環可包圍一欲處理基材之邊緣。該聚焦環可包圍該蓋、該蓋之基材支持件區域及/或周邊區域。

該基材可為一半導體基材。該基材可為一矽基材。該基材可為一晶圓。

該蓋之該第二面可包含一基材支持件區域及由該基材支持件區域向外之一周邊區域使得該基材重疊在該基材支持件區域上。該周邊區域可保持未被覆蓋。該等導管可設置在該基材支持件區域中。

雖然本發明已說明如上，但它可擴展至以上或在以下說明、圖式或申請專利範圍中提出之特徵的任何發明組合。例如，關於本發明之一態樣揭露的任何特徵可與本發明之任何其他態樣的任何特徵組合。

2:基材支持件

4,10,22:靜電吸盤(ESC)

5:平台

6,16:環形蓋

7:基材

8:環形聚焦環

9:微粒沈積物

12:聚合物(微粒)沈積物

14:升降銷

20:基材支持件

22a:上介電板

22b:下介電板

24:蓋

24a:第一面

24b:第二面

25:平台

26:上表面

27:孔或導管

28:基材(晶圓)

30:基材支持件區域

32:周邊區域

34:金屬電極

36:冷卻連接部

42:升降總成

44:中心升降銷

46:臂部

48:互補孔

50:環形聚焦環

60,62:線

以下只舉例參照附圖說明本發明之實施例，其中：圖1係一習知基材支持件之橫截面圖；圖2係一習知平坦靜電吸盤之平面圖，其中該插圖以較高放大倍率顯示該靜電吸盤之一部份；圖3係依據一第一實施例之一基材支持件的橫截面圖； 圖4係依據該第一實施例之一基材支持件的剖開立體圖；圖5係依據該第一實施例之一蓋的立體圖；及圖6係顯示依據該第一實施例之一蓋的標準化吹洩壓力的圖。

圖3與4顯示大致以20顯示之依據一第一實施例的一基材支持件的圖。為避免懷疑，使用相同符號來表示相同之特徵。該基材支持件20包含一靜電吸盤(ESC)22及定位在該靜電吸盤22上之一蓋24。該ESC 22通常附接在一平台25上且被該平台25支持。該平台25通常係由鋁或不鏽鋼形成之一金屬本體。該蓋24通常由如Al₂O₃或AlN之一介電材料或一陶瓷材料形成。該蓋24可由該ESC 22分開使得它可依需要更換。該蓋24重疊在該ESC 22之一上表面26上。在該第一實施例中，該蓋24完全地覆蓋該ESC 22之上表面26使得該上表面26未暴露。詳而言之，該ESC 22之上表面26在電漿處理時被完全地覆蓋。在某些實施例中，該蓋可包含一或多個輔助蓋構件(未圖示)以確保該ESC 22之上表面26在電漿處理時被完全地覆蓋。

該蓋24(更詳細地顯示在圖5中)具有與該ESC 22之上表面26相鄰的一第一面24a。該第一面24a通常在該上表面26之全區域上接觸該上表面26。這在該上表面26與該蓋24之間提供一良好熱接觸，且容許該ESC 22 與該蓋24間之有效熱交換。該蓋24具有遠離該ESC 22之一第二面24b。該第二面24b朝向上以便支持一基材28。通常，該基材28放置在該蓋24之第二面24b上。該基材28通常係一半導體基材，例如一矽晶圓。圖3顯示該基材28在該蓋24上之位置。

該蓋24更包含延伸穿過該蓋24之一或多個孔或導管27。更詳而言之，該等導管27由該第一面24a延伸至該第二面24b以允許一冷卻氣體流過該等導管。

在該第一實施例中，該蓋24具有比該基材28大之一直徑。即，該基材28未伸出該蓋24之圓周緣。該蓋24包含支持該基材28之一基材支持件區域30。該基材28重疊且覆蓋在該基材支持件區域30上。該蓋24更包含由該基材支持件區域30向外延伸之一周邊區域32。在該第一實施例中，該基材支持件區域30及該周邊區域32共平面。該周邊區域32未被基材28覆蓋且通常在電漿處理時保持未被覆蓋。在某些實施例中，另一環形聚焦環50可重疊在該蓋24之外周緣(例如該周邊區域32之外周緣)上。

本發明人發現延伸超過該晶圓28之直徑的一蓋24令人意外地有助於防止或至少減少如聚合物沈積物之微粒沈積物累積在該基材支持件20上。在不希望受任何理論或推測束縛的情形下，吾人相信在電漿處理時，該蓋24之暴露周邊區域之離子轟炸由面向上之表面24b移除微粒沈積物。因此，具有比該基材28大之一直徑 的一蓋24有助於減少形成不必要之沈積物。

該等導管27設置在該基材支持件區域30中使得一冷卻氣體可施加在該基材28之一背側。該冷卻氣體將熱傳送遠離該基材且提供一有效方法來冷卻該基材28。該冷卻氣體通常係氦，但亦可使用所屬技術領域中習知之其他冷卻劑。

該ESC 22及/或平台25通常包含由多個冷卻連接部36供應之一或多個冷卻通道。該等冷卻通道使該冷卻氣體流過該ESC至與該上表面26相鄰的該蓋之第一面24a。當供應一氣體時，一冷卻氣體層通常存在該ESC之上表面26與該蓋之第一面24a間。這在該ESC 22與該蓋24之間提供有效之冷卻。此外，該冷卻氣體流過該等導管27以便在該基材28與該蓋之向上面24b間形成一冷卻氣體層。這容許該基材28與該冷卻ESC 22之間透過該蓋24產生有效熱交換。該等冷卻氣體層有助於促進該基材28與該ESC 22間之熱交換。

該ESC 22通常包含埋在上與下介電板22a、22b間之一或多個金屬電極34。在某些實施例中，該等金屬電極係由一DC偏壓供應之多個DC電極。該DC偏壓通常產生一靜電夾持力。在某些實施例中，該等金屬電極係由一RF偏壓供應之多個RF電極。一RF可與該被處理基材電容地耦合。該一或多個電極之直徑界定一夾持區域。在該第一實施例中，該夾持區域延伸超過該基材支持件區域30且因此超過該基材28之直徑。這有利地提供一 延伸區域(即超過該基材28之直徑)，且該基材透過該延伸區域被該等RF電極電容地耦合。該上表面26更包含由該夾持區域向外地延伸之一邊緣區域。

該基材支持件20更包含一升降總成42。該升降總成42係組配成使該基材28由該基材支持件20升降同時保持該蓋24定位在該ESC 22上。在該第一實施例中，該升降總成42包含一中心升降銷44，該中心升降銷44具有由其向外延伸之三臂部46。在某些實施例中可設置多個另外之升降銷以便在升降時穩定該基材28。該蓋24包含一互補孔48以容許該等三臂部46通過該蓋24，使得該基材28可與該蓋24無關地升降。

操作時，該ESC 22提供夾持定位該基材28之一靜電夾持力。即，在該基材28與該ESC 22之間具有一庫倫引力。通常，該蓋24未直接靜電地或機械地夾持在該ESC 22上。該蓋24係藉由該基材28與該ESC 22間之靜電夾持力固定定位。該基材28經受之靜電耦合程度取決於該蓋24之材料及厚度。該蓋通常由如Al₂O₃或AlN之一介電或陶瓷材料形成。該等介電材料提供良好導熱性同時在該基材28與該ESC 22之間維持足夠靜電耦合。該蓋24之厚度通常被最佳化以提供所需條件。該蓋24之厚度通常係類似於該ESC之上介電板22a的一厚度。

一較厚蓋24使該ESC 22與該基材28間之靜電耦合減少。因此，該基材28與該ESC 22間之靜電夾持力較弱，且使該基材28位移或升降所需之「吹洩」壓力 減少。該「吹洩」壓力係使該基材28由該支持件位移或升降所需之背側壓力。另一方面，一較厚蓋24增加該蓋24之可使用壽命，且因此減少該蓋24之更換頻率。

相反地，一較薄蓋24在該ESC 22與該基材28之間具有較大靜電耦合，且具有一較高「吹洩」壓力。但是，一較薄蓋24具有在需要更換前之一較短可使用壽命。該蓋通常具有100至1500μm，且300至1000μm較佳之一厚度。

圖6顯示當用5kV(線60)及2kV(線62)供應該ESC時，該預測「吹洩」壓力(托耳)如何隨著該蓋24之厚度(μm)變化的圖。該上介電板22a之厚度在這例子中係1mm。通常，該「吹洩」壓力宜為至少10托耳，且至少25托耳更佳。一更高吹洩壓力可在該基材由該基材支持件20位移前對該基材28之背側施加一更高冷卻氣體壓力。一更高冷卻氣體背側壓力可有助於在該基材28與該ESC 22間之熱傳送。該蓋24在該基材28與該ESC 22之間透過該等導管27且透過該蓋24之介電材料提供一熱傳導途徑。

雖然在這方面沒有限制，但該第一實施例之基材支持件20在電漿處理裝置中，例如在電漿蝕刻及沈積裝置中具有特定用途。一環形聚焦環50可設置成環繞該基材支持件20以控制該電漿之均一性及控制該電漿中之離子的方向。在電漿處理時，該蓋24之暴露周邊區域32未受到保護而免受該等電漿條件之影響且在經過一段 時間後腐蝕。因為該蓋24具有比該被支持基材28大之一直徑(即沒有伸出)，所以可避免或至少減少形成微粒沈積物。此外，該蓋24保護該ESC 22之上表面26免於暴露於電漿處理條件，因此防止該ESC 22之腐蝕。這增加該ESC 22之可使用壽命。

20:基材支持件

22:靜電吸盤(ESC)

22a:上介電板

22b:下介電板

24:蓋

25:平台

26:上表面

27:孔或導管

28:基材(晶圓)

30:基材支持件區域

32:周邊區域

34:金屬電極

50:環形聚焦環

Claims (17)

1. 一種基材支持件，其包含：一靜電吸盤，其包含一上表面；一蓋，其定位在該靜電吸盤上以覆蓋該靜電吸盤之該上表面，該蓋包含與該靜電吸盤之該上表面相鄰之一第一面、用於支持一基材之一第二面及延伸穿過該蓋以允許一冷卻氣體由該第二面流至該第一面的一或多個導管；其中該蓋由一介電材料形成。
2. 如請求項1之基材支持件，其中該蓋具有100至1500μm，且較佳300至1000μm之一厚度。
3. 如請求項1或2之基材支持件，其中該蓋係一圓盤或呈圓盤狀。
4. 如請求項1或2之基材支持件，其中該第二面包含一基材支持件區域及由該基材支持件區域徑向地向外之一周邊區域，使得當該基材被支持時，該基材重疊在該基材支持件區域上。
5. 如請求項4之基材支持件，其中該一或多個導管設置在該基材支持件區域中。
6. 如請求項4之基材支持件，其中該靜電吸盤之該上表面包含用於提供一靜電夾持力之一夾持區域及由該夾持區域徑向向外地延伸之一邊緣區域。
7. 如請求項6之基材支持件，其中該夾持區域具有比該基材支持件區域之直徑大的一直徑。
8. 如請求項1或2之基材支持件，其中該蓋及 該靜電吸盤各具有一直徑，且該蓋之直徑等於或大於該靜電吸盤之直徑。
9. 如請求項1或2之基材支持件，其中該蓋係由Al₂O₃或AlN形成。
10. 如請求項1或2之基材支持件，其中該蓋係由於未附接於該靜電吸盤而是透過該基材藉由操作該靜電吸盤產生靜電夾持而可更換。
11. 如請求項1或2之基材支持件，其中該靜電吸盤更包含用於提供該冷卻氣體至該蓋之該第一面的一或多個冷卻通道。
12. 如請求項1或2之基材支持件，其中該靜電吸盤更包含由一DC電源供應之至少一DC電極。
13. 如請求項1或2之基材支持件，其中該靜電吸盤更包含由一RF電源供應之至少一RF電極。
14. 如請求項1或2之基材支持件，更包含一升降總成，該升降總成在使用時可操作以使一基材由該蓋分離。
15. 如請求項14之基材支持件，其中該升降總成包含一或多個升降構件，其中該升降總成可操作以使該等升降構件移動通過該蓋中之多個對應孔以使該基材由該蓋分離。
16. 一種電漿處理裝置，其包含：一腔室；及如請求項1至15中任一項之基材支持件，其設置在該 腔室內。
17. 一種使用如請求項1至15中任一項之基材支持件來處理一基材的方法，該方法包含以下步驟：提供包含一上表面之一靜電吸盤；將一蓋定位在該靜電吸盤上以覆蓋該靜電吸盤之該上表面，該蓋包含與該靜電吸盤之該上表面相鄰之一第一面、用於支持該基材之一第二面及延伸穿過該蓋以允許一冷卻氣體由該第一面流至該第二面的一或多個導管；將該基材定位在該蓋之該第二面上；操作該靜電吸盤以便將該基材靜電地夾持定位，其中該基材透過該蓋與該靜電吸盤靜電地耦合；使該冷卻氣體透過該等一或多個導管由該第一面流至該第二面以便冷卻該基材；及處理該基材。