KR101317942B1 - 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈 - Google Patents

반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101317942B1
KR101317942B1 KR1020130026834A KR20130026834A KR101317942B1 KR 101317942 B1 KR101317942 B1 KR 101317942B1 KR 1020130026834 A KR1020130026834 A KR 1020130026834A KR 20130026834 A KR20130026834 A KR 20130026834A KR 101317942 B1 KR101317942 B1 KR 101317942B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
thermal conductive
conductive ring
diameter portion
chuck
Prior art date
Application number
KR1020130026834A
Other languages
English (en)
Inventor
임채일
장철원
Original Assignee
(주)테키스트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)테키스트 filed Critical (주)테키스트
Priority to KR1020130026834A priority Critical patent/KR101317942B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101317942B1 publication Critical patent/KR101317942B1/ko
Priority to JP2014045865A priority patent/JP2014179606A/ja
Priority to US14/204,549 priority patent/US20140262193A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Abstract

본 발명은 정전척에 구비된 에지링을 효과적으로 냉각시킬 수 있도록 된 새로운 구조의 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈은 열전소자(32)를 이용하여 에지링(20)의 열을 강제로 상기 대경부(11)의 상면으로 배출하여 에지링(20)을 냉각시킴으로, 에지링(20)의 온도분포가 척바디(10)의 소경부(12) 상면과 유사한 분포를 갖도록 효과적으로 냉각시켜, 반조체 제조시 불량이 발생될 가능성을 줄이고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈{edge ring cooling module for semi-conductor manufacture chuck}
본 발명은 반도체 제조용 척에 구비된 에지링을 효과적으로 냉각시킬 수 있도록 된 새로운 구조의 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체제조에 사용되는 정전척(ESC chuck)은 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 원판형상의 대경부(11)와 상기 대경부(11)에 비해 지름이 작은 원판형상을 이루도록 상기 대경부(11)의 상면 중앙부에서 상측으로 돌출된 소경부(12)로 구성된 척바디(10)와, 상기 소경부(12)의 외부에 결합된 에지링(20)으로 구성되며, 상기 척바디(10)에는 도시 안 된 정전기발생수단이 구비되어, 상기 정전기발생수단으로 척바디(10)에 정전기를 발생시켜 소경부(12)의 상면에 배치된 웨이퍼를 고정할 수 있도록 구성된다.
이러한 정전척의 구성은 공개특허 2003-0043013호를 비롯한 다수의 선행문건에 자세히 나타나 있음으로, 자세한 설명은 생략한다.
한편, 이러한 정전척을 이용하여 반도체를 제작할 때는, 정전척의 상면에 웨이퍼를 고정한 후 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 가공함으로, 상기 정전척의 상면이 고온으로 가열된다.
따라서, 이러한 정전척은 상기 척바디(10)에 냉각수를 이용한 냉각수단을 구비하여, 척바디(10)의 상면이 균일한 온도분포를 갖도록 냉각시킬 수 있도록 하고 있다.
그런데, 이러한 정전척은 상기 척바디(10)에만 냉각수단이 구비되어 척바디(10)는 냉각시킬 수 있으나 상기 에지링(20)을 충분히 냉각시키지 못하였다.
따라서, 에지링(20) 상면의 온도가 불균일하게 되며, 이에 따라 웨이퍼를 가공하여 반도체를 제조하는 공정에서 불량이 발생될 가능성이 높아지는 문제점이 있었다.
이러한 문제점은 전술한 정전척 이외에, 상단에 에지링이 구비된 모든 종류의 반도체 제조용 척에 동일하게 발생되었다.
따라서, 이러한 문제점을 해결할 수 있는 새로운 방법이 필요하게 되었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 정전척에 구비된 에지링을 효과적으로 냉각시킬 수 있도록 된 새로운 구조의 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈을 제공함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 원판형상의 대경부(11)와 상기 대경부(11)에 비해 지름이 작은 원판형상을 이루도록 상기 대경부(11)의 상면 중앙부에서 상측으로 돌출된 소경부(12)로 구성된 척바디(10)와, 상기 소경부(12)의 외부에 결합된 에지링(20)을 포함하는 정전척에 있어서, 상기 에지링(20)에 대응되는 링형태로 구성된 하부열전도링(31)과, 상기 하부열전도링(31)의 상면에 밀착고정된 열전소자(32)와, 상기 에지링(20)에 대응되는 링형태로 구성되며 상기 열전소자(32)의 상면에 밀착고정되는 상부열전도링(33)을 포함하며, 상기 하부열전도링(31)이 상기 대경부(11)의 상면에 밀착고정되도록 상기 소경부(12)의 외측에 끼워지며, 상기 에지링(20)은 상기 상부열전도링(33)의 상면에 밀착되도록 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈이 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내경은 상기 소경부(12)의 외경에 비해 크게 구성되어, 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내주면이 상기 소경부(12)의 외주면으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈이 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 사이에 상기 열전소자(32)의 외부를 감싸도록 배치되며 상하면이 상기 하부열전도링(31)의 상면과 상부열전도링(33)의 하측면에 밀착되는 링형상의 인슐레이터(34)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈이 제공된다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 하부열전도링(31) 및 상부열전도링(33)은 세라믹이나 지르코늄 또는 석영재질로 구성되어, 반도체 제조시 사용되는 플라즈마에 의해 상기 열전소자(32)가 영향을 받는 것을 방지할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈이 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈은 열전소자(32)를 이용하여 에지링(20)의 열을 강제로 상기 대경부(11)의 상면으로 배출하여 에지링(20)을 냉각시킴으로, 에지링(20)의 온도분포가 척바디(10)의 소경부(12) 상면과 유사한 분포를 갖도록 효과적으로 냉각시켜, 반조체 제조시 불량이 발생될 가능성을 줄이고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 정전척을 도시한 측단면도,
도 2는 종래의 정전척의 분해상태를 도시한 측단면도,
도 3은 본 발명에 따른 에지링 냉각모듈이 구비된 정전척을 도시한 측단면도,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈의 분해사시도,
도 5는 본 발명에 따른 에지링 냉각모듈이 구비된 정전척의 분해상태 측단면도이다.
이하, 본 발명을 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈을 도시한 것으로, 정전기를 이용하여 웨이퍼를 고정하는 정전척에 적용된 것을 예시한 것이다.
이에 따르면, 상기 정전척은 원판형상의 대경부(11)와 상기 대경부(11)에 비해 지름이 작은 원판형상을 이루도록 상기 대경부(11)의 상면 중앙부에서 상측으로 돌출된 소경부(12)로 구성된 척바디(10)와, 상기 소경부(12)의 외부에 결합된 에지링(20)으로 구성된 것은 종래와 동일하다.
이때, 상기 척바디(10)에는 도시 안 된 정전기발생수단과 냉각수단이 구비되어, 척바디(10)가 정전기를 띄도록 하여 척바디(10)의 상면에 웨이퍼를 고정할 수 있도록 함과 동시에, 정전척에 웨이퍼를 고정한 상태로 플라즈마를 이용하여 반도체를 제조할 때 플라즈마에 의해 가열된 척바디(10)를 적절한 온도로 냉각시킬 수 있도록 구성된다.
그리고, 본 발명에 따른 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈(30)은 상기 에지링(20)의 하측면에 밀착되어 에지링(20)의 열을 상기 대경부(11)의 상면으로 방출하도록 구성된다.
이를 자세히 설명하면, 상기 에지링 냉각모듈(30)은, 상기 에지링(20)에 대응되는 링형태로 구성된 하부열전도링(31)과, 상기 하부열전도링(31)의 상면에 밀착고정된 열전소자(32)와, 상기 에지링(20)에 대응되는 링형태로 구성되며 상기 열전소자(32)의 상면에 밀착고정되는 상부열전도링(33)과, 상기 열전소자(32)의 외부를 감싸도록 배치되는 인슐레이터(34)를 포함하며, 상기 하부열전도링(31)이 상기 대경부(11)의 상면에 밀착고정되도록 상기 소경부(12)의 외측에 끼워지며, 상기 에지링(20)은 상기 상부열전도링(33)의 상면에 밀착되도록 결합된다.
상기 하부열전도링(31)은 열전도율이 높으면서 플라즈마를 차단하는 기능이 있는 재질로 구성된다.
바람직하게는 상기 하부열전도링(31)은 석영재질로 구성된다.
상기 열전소자(32)는 전원이 인가되면 상면의 열을 흡수하여 하측면으로 배출하도록 구성된 것으로, 다수개로 구성되어 상기 하부열전도링(31)의 상면에 일정간격으로 구비된다.
상기 상부열전도링(33)은 열전도율이 높으면서 플라즈마를 차단하는 기능이 있는 재질로 구성된다.
바람직하게는 상기 상부열전도링(33)은 세라믹 또는 지르코늄으로 구성된다.
상기 인슐레이터(34)는 전술한 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)과 같이, 플라즈마를 차단하는 기능이 있는 세라믹이나 지르코늄 또는 석영재질로 구성된 것으로, 도 3에 도시한 바와 같이, 내경이 상기 열전소자(32)가 이루는 원에 비해 큰 링형태로 구성되어, 상하면이 상기 하부열전도링(31)의 상면과 상부열전도링(33)의 하측면에 밀착되도록 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 사이에 배치된다.
이때, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)은 외경이 상기 대경부(11)의 외경과 대응되도록 구성되며, 내경은 상기 소경부(12)의 외경에 비해 크게 구성되어, 도 3에 도시한 바와 같이, 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)을 설치하였을 때, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내주면이 상기 소경부(12)의 외주면으로부터 이격되도록 구성된다.
따라서, 상기 하부열전도링(31)의 하측면이 상기 대경부(11)의 상면에 밀착되도록 에지링 냉각모듈(30)을 고정한 후, 에지링 냉각모듈(30)의 상면에 상기 에지링(20)을 밀착고정하여 정전척의 조립을 완료할 수 있다.
그리고, 상기 열전소자(32)에 전원을 인가하면, 상기 열전소자(32)가 상기 상부열전도링(33)의 열을 흡수하여 상기 하부열전도링(31)을 통해 대경부(11)의 상면으로 열을 배출한다.
따라서, 상기 반도체 제조시 플라즈마에 의해 가열된 에지링(20)의 열은 상기 상부열전도링(33)과 열전소자(32) 및 하부열전도링(31)을 통해 척바디(10)의 대경부(11) 상면으로 방출되어, 상기 척바디(10)에 구비된 냉각수단에 의해 냉각된다.
이와 같이 구성된 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈은 열전소자(32)를 이용하여 에지링(20)의 열을 강제로 상기 대경부(11)의 상면으로 배출하여 에지링(20)을 냉각시킴으로, 에지링(20)의 온도분포가 척바디(10)의 소경부(12) 상면과 유사한 분포를 갖도록 효과적으로 냉각시켜, 반조체 제조시 불량이 발생될 가능성을 줄이고, 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
그리고, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내경은 상기 소경부(12)의 외경에 비해 크게 구성되어, 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내주면이 소경부(12)의 외주면으로부터 이격됨으로, 소경부(12)의 열이 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)으로 전달되어 에지링 냉각모듈(30)의 냉각성능이 저하되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 사이에 열전소자(32)의 외부를 감싸는 링형상의 인슐레이터(34)가 구비되어, 반도체 제조시 사용되는 플라즈마가 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 둘레부에 형성된 틈을 통해 상기 열전소자(32)에 작용되어 열전소자(32)에 작동오류가 발생되거나, 열전소자(32)가 플라즈마에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)은 열전도율이 높으면서 플라즈마를 차단하는 기능이 있는 세라믹이나 지르코늄 또는 석영으로 구성됨으로, 플라즈마가 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)을 통해 열전소자(32)에 영향을 주는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
본 실시예의 경우, 상기 에지링 냉각모듈은 정전척에 적용되는 것을 예시하였으나, 본 발명에 따른 에지링 냉각모듈은 정전척 이외에, 상단에 에지링이 구비된 모든 종류의 반도체 제조용 척에 모두 적용될 수 있다.
그리고, 상기 열전소자(32)는 다수개로 구성되어 상기 하부열전도링(31)의 상면에 일정간격으로 구비된 것을 예시하였으나, 상기 열전소자(32)를 상기 하부열전도링(31)의 상면에 대응되는 링형태로 구성하는 것도 가능하다.
10. 척바디 11. 대경부
12. 소경부 20. 에지링
30. 에지링 냉각모듈 31. 하부열전도링
32. 열전소자 33. 상부열전도링
34. 인슐레이터

Claims (4)

  1. 원판형상의 대경부(11)와 상기 대경부(11)에 비해 지름이 작은 원판형상을 이루도록 상기 대경부(11)의 상면 중앙부에서 상측으로 돌출된 소경부(12)로 구성된 척바디(10)와,
    상기 소경부(12)의 외부에 결합된 에지링(20)을 포함하는 정전척에 있어서,
    상기 에지링(20)에 대응되는 링형태로 구성된 하부열전도링(31)과,
    상기 하부열전도링(31)의 상면에 밀착고정된 열전소자(32)와,
    상기 에지링(20)에 대응되는 링형태로 구성되며 상기 열전소자(32)의 상면에 밀착고정되는 상부열전도링(33)과,
    상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 사이에 상기 열전소자(32)의 외부를 감싸도록 배치되며 상하면이 상기 하부열전도링(31)의 상면과 상부열전도링(33)의 하측면에 밀착되는 링형상의 인슐레이터(34)를 포함하며,
    상기 하부열전도링(31)이 상기 대경부(11)의 상면에 밀착고정되도록 상기 소경부(12)의 외측에 끼워지며,
    상기 에지링(20)은 상기 상부열전도링(33)의 상면에 밀착되도록 결합되고,
    상기 인슐레이터(34)는 플라즈마를 차단하는 기능이 있는 세라믹이나 지르코늄 또는 석영재질로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내경은 상기 소경부(12)의 외경에 비해 크게 구성되어,
    상기 하부열전도링(31)과 상부열전도링(33)의 내주면이 상기 소경부(12)의 외주면으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 하부열전도링(31) 및 상부열전도링(33)은 세라믹이나 지르코늄 또는 석영재질로 구성되어,
    반도체 제조시 사용되는 플라즈마에 의해 상기 열전소자(32)가 영향을 받는 것을 방지할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈.
KR1020130026834A 2013-03-13 2013-03-13 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈 KR101317942B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130026834A KR101317942B1 (ko) 2013-03-13 2013-03-13 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈
JP2014045865A JP2014179606A (ja) 2013-03-13 2014-03-10 半導体製造用チャックのエッジリング冷却モジュール
US14/204,549 US20140262193A1 (en) 2013-03-13 2014-03-11 Edge ring cooling module for semi-conductor manufacture chuck

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130026834A KR101317942B1 (ko) 2013-03-13 2013-03-13 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101317942B1 true KR101317942B1 (ko) 2013-10-16

Family

ID=49638408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130026834A KR101317942B1 (ko) 2013-03-13 2013-03-13 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140262193A1 (ko)
JP (1) JP2014179606A (ko)
KR (1) KR101317942B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170003682A (ko) * 2014-05-13 2017-01-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 다이싱 동안 웨이퍼 프레임 지지 링 냉각에 의한 다이싱 테이프 열 관리
US20170330734A1 (en) * 2016-05-12 2017-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma processing apparatus
KR20190101036A (ko) * 2018-02-22 2019-08-30 주식회사 에프에스티 정전척 및 반도체처리장치의 제어장치

Families Citing this family (256)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
USD810705S1 (en) * 2016-04-01 2018-02-20 Veeco Instruments Inc. Self-centering wafer carrier for chemical vapor deposition
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
USD839224S1 (en) * 2016-12-12 2019-01-29 Ebara Corporation Elastic membrane for semiconductor wafer polishing
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) * 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2967411B2 (ja) * 1998-02-27 1999-10-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 発電装置及びその発電装置を使用してなる電子時計
KR20040093043A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치, 포커스 링 및 서셉터
US7141763B2 (en) * 2004-03-26 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for rapid temperature change and control
KR20080046822A (ko) * 2006-11-23 2008-05-28 삼성전자주식회사 포커스 링 내부에 조절 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0945692A4 (en) * 1997-10-06 2004-12-15 Matsushita Refrigeration COLLECTING PIPE WITH THERMOELECTRIC UNIT AND COOLING DEVICE USING THE THERMOELECTRIC UNIT
US6364957B1 (en) * 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US6347521B1 (en) * 1999-10-13 2002-02-19 Komatsu Ltd Temperature control device and method for manufacturing the same
JP4592916B2 (ja) * 2000-04-25 2010-12-08 東京エレクトロン株式会社 被処理体の載置装置
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
DE10397020B4 (de) * 2002-07-11 2022-08-04 Temptronic Corp. Werkstück-Einspannvorrichtung mit Temperatursteuereinheit mit Abstandshaltern zwischen Schichten, die einen Zwischenraum für thermoelektrische Module schaffen und Verfahren zum Halten eines Werkstücks
US7988814B2 (en) * 2006-03-17 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component
JP2007258500A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 基板支持装置
US8043430B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
US8449679B2 (en) * 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
DE202010015933U1 (de) * 2009-12-01 2011-03-31 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Eine Randringanordnung für Plasmaätzkammern
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5642531B2 (ja) * 2010-12-22 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5732941B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2967411B2 (ja) * 1998-02-27 1999-10-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 発電装置及びその発電装置を使用してなる電子時計
KR20040093043A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치, 포커스 링 및 서셉터
US7141763B2 (en) * 2004-03-26 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for rapid temperature change and control
KR20080046822A (ko) * 2006-11-23 2008-05-28 삼성전자주식회사 포커스 링 내부에 조절 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170003682A (ko) * 2014-05-13 2017-01-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 다이싱 동안 웨이퍼 프레임 지지 링 냉각에 의한 다이싱 테이프 열 관리
KR102469595B1 (ko) * 2014-05-13 2022-11-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 다이싱 동안 웨이퍼 프레임 지지 링 냉각에 의한 다이싱 테이프 열 관리
US20170330734A1 (en) * 2016-05-12 2017-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma processing apparatus
KR20190101036A (ko) * 2018-02-22 2019-08-30 주식회사 에프에스티 정전척 및 반도체처리장치의 제어장치
KR102091515B1 (ko) 2018-02-22 2020-03-20 주식회사 에프에스티 정전척 및 반도체처리장치의 제어장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014179606A (ja) 2014-09-25
US20140262193A1 (en) 2014-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101317942B1 (ko) 반도체 제조용 척의 에지링 냉각모듈
KR102435723B1 (ko) 플라즈마 다이싱 동안 다이싱 테이프 열 관리를 위한 냉각 페디스털
US9972520B2 (en) Aluminum nitride electrostatic chuck used in high temperature and high plasma power density semiconductor manufacturing process
KR101757378B1 (ko) 보다 작은 웨이퍼들 및 웨이퍼 피스들을 위한 웨이퍼 캐리어
US10273572B2 (en) Heating chamber and semiconductor processing apparatus
JP6557202B2 (ja) プラズマダイシングのための装置
TWI606546B (zh) 靜電夾頭裝置
US9117868B1 (en) Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing
CN106716602B (zh) 在等离子体切割期间通过晶片框架支撑环冷却的切割胶带热管理
TWI689037B (zh) 夾具總成
KR101582207B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US10714373B2 (en) Electrostatic chuck and wafer processing apparatus
WO2018032684A1 (zh) 卡盘、反应腔室及半导体加工设备
JP6320564B2 (ja) ゲートリングのセンタリングおよび固定が改善されたターンオフ電力半導体およびその製造方法
KR101591455B1 (ko) 정전척 및 이의 리페어 방법
KR102411024B1 (ko) 작업물 홀딩 및 가열 장치
KR101303005B1 (ko) 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치
KR100783569B1 (ko) 캡 형 정전척
CN111326468A (zh) 静电吸盘装置
KR20130095873A (ko) 반도체 제조설비의 대구경 정전척
CN108461441B (zh) 承载装置及工艺腔室
JP2006005374A (ja) プラズマ処理装置及びウエハのプラズマ処理方法
KR20050014412A (ko) 웨이퍼 고정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161006

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181008

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191007

Year of fee payment: 7