JP7122864B2 - クリーニング方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、クリーニング方法及び基板処理装置に関する。
従来から、大流量のガスを処理容器内に供給し、圧力上昇による対流を発生させ、その対流により処理容器内に付着したパーティクルを剥離させ、剥離したパーティクルをガスの粘性力により排気することが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００５－２４３９１５号公報
しかしながら、処理容器内には、可動部品があり、可動部品の裏面や可動部品と非可動部品との隙間のパーティクルを除去することが困難な場合がある。
本開示は、エッジリングとその周辺のパーティクルを除去する技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、処理室内の静電チャックに載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングとを有するエッジリングのクリーニング方法であって、前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、前記中央エッジリングを上又は下の少なくともいずれかに移動させる工程とを有するクリーニング方法が提供される。
一の側面によれば、エッジリングとその周辺のパーティクルを除去することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す縦断面図。 一実施形態に係るエッジリング及び移動機構の一例を示す図。 一実施形態と比較例に係るパーティクルの状態の一例を示す図。 一実施形態に係るクリーニング１のクリーニング処理及びウェハ処理の一例を示すフローチャート。 一実施形態に係るクリーニング２のクリーニング処理及びウェハ処理の一例を示すフローチャート。 一実施形態に係るクリーニング３のクリーニング処理及びウェハ処理の一例を示すフローチャート。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［基板処理装置］
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置５の構成の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置５の構成の一例を示す。一実施形態では、基板処理装置５として容量結合型の平行平板プラズマ処理装置を例に挙げて説明する。
基板処理装置５は、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型真空容器である処理容器１０を有している。処理容器１０の内部はプラズマ処理を行う処理室となっている。処理容器１０は、接地されている。
処理容器１０内の下部中央には、ウェハＷを載置する円板状の載置台１２が下部電極を兼ねる基板保持台として配置されている。載置台１２は、静電チャック３６と基台１２ａとを有する。基台１２ａは、たとえばアルミニウムからなり、処理容器１０の底から垂直上方に延びる導電性筒状支持部１６及びその内部に隣接して設けられたハウジング１００により支持されている。
導電性筒状支持部１６と処理容器１０の側壁との間には、環状の排気路１８が形成されている。排気路１８の上部または入口には環状のバッフル板２０が取り付けられ、底部に排気ポート２２が設けられている。処理容器１０内のガスの流れを載置台１２上のウェハＷに対して軸対象に均一にするためには、排気ポート２２を円周方向に等間隔で複数設ける構成が好ましい。
各排気ポート２２には排気管２４を介して排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１０内の載置台１２とシャワーヘッド５１との間に形成されたプラズマ生成空間Ｓを所望の真空度まで減圧する。処理容器１０の側壁の外には、ウェハＷの搬入出口２７を開閉するゲートバルブ２８が取り付けられている。
載置台１２には、第２の高周波電源３０が整合器３２および給電線３４を介して電気的に接続されている。第２の高周波電源３０は、ウェハＷに引き込むイオンのエネルギーを制御するために適した第２の周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ等）の高周波ＬＦを可変のパワーで出力できるようになっている。整合器３２は、第２の高周波電源３０側のインピーダンスと負荷（プラズマ等）側のインピーダンスの間で整合をとるためのリアクタンス可変の整合回路を収容している。
基台１２ａの上面には、ウェハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック３６が設けられている。静電チャック３６には、導電膜からなる電極３６ａが設けられ、電極３６ａは一対の絶縁膜３６ｂの間に挟み込まれている。電極３６ａには直流電源４０がスイッチ４２および被覆線４３を介して電気的に接続されている。ウェハＷは、直流電源４０から供給される直流電圧（ＨＶ）による静電力によって静電チャック３６上に吸着保持される。
載置台１２の内部には、たとえば円周方向に延びる環状の冷媒流路４４が設けられている。冷媒流路４４には、チラーユニットより供給された所定温度の冷媒たとえば冷却水ｃｗが配管４６，４８を介して循環する。これにより、冷媒の温度によって静電チャック３６上のウェハＷの温度が制御される。なお、載置台１２の内部には、ヒータが設けられ、ヒータと冷媒の温度によってウェハＷの温度を制御してもよい。
静電チャック３６の上面とウェハＷの裏面との間には、伝熱ガス供給部から供給された伝熱ガス（例えばＨeガス等）がガス供給管５０を介して供給される。伝熱ガスは、静電チャック３６の上面とウェハＷの裏面との伝熱効率を高める機能を有する。なお、載置台１２には、ウェハＷの搬入及び搬出のために載置台１２を貫通して上下に移動可能なプッシャーピンおよびその昇降機構等が設けられている。
処理容器１０の天井の開口には、シャワーヘッド５１が設けられている。シャワーヘッド５１は、その外縁部を被覆するシールドリング５４を介して処理容器１０の天井部の開口に取り付けられ、天井部を閉塞する。シャワーヘッド５１は、アルミニウム又はシリコンにより形成されてもよい。シャワーヘッド５１は、載置台１２に対向する上部電極としても機能する。
シャワーヘッド５１には、ガスを導入するガス導入口５６が形成されている。シャワーヘッド５１の内部にはガス導入口５６から分岐した拡散室５８が設けられている。ガス供給源６６から供給されたガスは、ガス導入口５６を介して拡散室５８に供給され、拡散されて多数のガス供給孔５２からプラズマ生成空間Ｓに導入される。
シャワーヘッド５１には、整合器５９および給電線６０を介して第１の高周波電源５７が電気的に接続されている。第１の高周波電源５７は、高周波放電によるプラズマの生成に適した周波数であって、第２の周波数よりも高い第１の周波数（例えば４０ＭＨｚ等）のプラズマ生成用の高周波ＨＦを可変のパワーで出力できるようになっている。整合器５９は、第１の高周波電源５７側のインピーダンスと負荷（プラズマ等）側のインピーダンスとの間で整合をとるためのリアクタンス可変の整合回路を収容している。
制御部７４は、たとえばマイクロコンピュータを含み、基板処理装置５内の各部の動作および装置全体の動作を制御する。基板処理装置５内の各部としては、排気装置２６、第１の高周波電源５７、第２の高周波電源３０、整合器３２，整合器５９、スイッチ４２、８２，８５、ガス供給源６６、チラーユニット、伝熱ガス供給部等が挙げられる。
基板処理装置５において、エッチング等の各種のウェハＷへのプラズマ処理を行うには、先ずゲートバルブ２８を開状態にして搬入出口２７からウェハＷを処理容器１０内に搬入する。ウェハＷはプッシャーピン上に置かれた状態でプッシャーピンを移動させることで静電チャック３６の上に載置される。そして、ゲートバルブ２８を閉めてから、ガス供給源６６から所定のガスを所定の流量および流量比で処理容器１０内に導入し、排気装置２６により処理容器１０内の圧力を所定の設定値まで減圧する。さらに、第１の高周波電源５７をオンにしてプラズマ生成用の高周波ＨＦを所定のパワーで出力させ、整合器５９，給電線６０を介してシャワーヘッド５１に印加する。
一方、イオン引き込み制御用の高周波ＬＦを印加する場合には、第２の高周波電源３０をオンにして高周波ＬＦを所定のパワーで出力させ、整合器３２および給電線３４を介して載置台１２に印加する。また、静電チャック３６の上面とウェハＷの裏面との間に伝熱ガスを供給するとともに、スイッチ４２をオンにして直流電源４０からの直流電圧を、静電チャック３６の電極３６ａに印加し、静電吸着力により伝熱ガスをウェハＷの裏面に閉じ込める。
載置台１２の外周側であってウェハＷの近傍には、ウェハＷの外縁を環状に囲むエッジリング３８が設けられている。エッジリング３８は、内側エッジリング３８ｉ、中央エッジリング３８ｍ、外側エッジリング３８ｏに３分割されている。外側エッジリング３８ｏには、電極８３が埋め込まれ、電極８３には直流電源８４がスイッチ８５および被覆線８６を介して電気的に接続されてもよい。これにより、外側エッジリング３８ｏに直流電圧を印加することができる。
また、シャワーヘッド５１には、直流電源８１がスイッチ８２および被覆線８７を介して電気的に接続されてもよい。これにより、シャワーヘッド５１に直流電圧を印加することができる。
［３分割エッジリング］
３分割されたエッジリング３８のうち、内側エッジリング３８ｉは、処理室内の載置台１２に載置されたウェハＷの最も近傍に設けられる。中央エッジリング３８ｍは、内側エッジリング３８ｉの外側に設けられ、移動機構２００により上下に移動が可能になっている。外側エッジリング３８ｏは、中央エッジリング３８ｍの外側に設けられる。
移動機構２００は、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させる。移動機構２００は、リフトピン１０２を有する。リフトピン１０２は、ピエゾアクチュエータ１０１による動力によって部材１０４ａ及び軸受部１０５を介して上下に移動する。これにより、連結部１０３が上下に移動し、これに応じて連結部１０３に連結されている中央エッジリング３８ｍが上下に移動する。
（エッジリングの構成）
次に、エッジリング３８及びその周辺の構成について、図２を参照しながら詳述する。
図２は、エッジリング３８及びその周辺を拡大した縦断面の一例を示す図である。図２には、一実施形態に係るエッジリング３８、移動機構２００及びピエゾアクチュエータ１０１が示されている。
内側エッジリング３８ｉは、ウェハＷの外周の近傍にてウェハＷを下から囲むように設けられる部材であって、エッジリング３８の最も内側の部材である。中央エッジリング３８ｍは、内側エッジリング３８ｉの外側にて内側エッジリング３８ｉを囲むように設けられる部材である。外側エッジリング３８ｏは、中央エッジリング３８ｍの外側に設けられる部材であって、エッジリング３８の最も外側の部材である。内側エッジリング３８ｉは、伝熱シート３９ｉを介して静電チャック３６の上面に固定されている。中央エッジリング３８ｍは、移動機構２００により上下に移動が可能である。外側エッジリング３８ｏは、伝熱シートを介して静電チャック３６の上面に固定されている。
中央エッジリング３８ｍは、ウェハＷの周縁部を囲む環状部３８ｍ１と、３つのタブ部３８ｍ２とを有する。タブ部３８ｍ２は、環状部３８ｍ１の外周側に等間隔に配置され、環状部３８ｍ１の外周側から突出した矩形状の部材である。環状部３８ｍ１の縦断面はＬ字状である。環状部３８ｍ１のＬ字状の段差部は、縦断面がＬ字状の内側エッジリング３８ｉの段差部に接触した状態から、中央エッジリング３８ｍが上に持ち上げられると、離れた状態になる。
（移動機構及び駆動部）
中央エッジリング３８ｍのタブ部３８ｍ２は、環状の連結部１０３に接続されている。連結部１０３は、導電性筒状支持部１６に設けられた空間１６ａの内部を上下に移動する。
ハウジング１００は、アルミナなどの絶縁物から形成されている。ハウジング１００は、導電性筒状支持部１６の内部にて側部及び底部が導電性筒状支持部１６に隣接して設けられている。ハウジング１００の内部下側には凹部１００ａが形成されている。ハウジング１００の凹部１００ａには、移動機構２００が設けられている。移動機構２００は、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させるための機構であり、リフトピン１０２と軸受部１０５を含む。
リフトピン１０２は、ハウジング１００及び載置台１２を貫通し、導電性筒状支持部１６に設けられた空間１６ａにて連結部１０３の下面に接触している。軸受部１０５は、ハウジング１００の内部に設けられた部材１０４ａに嵌合している。リフトピン１０２のピン孔には、真空空間と大気空間とを切るためのＯリング１１１が設けられている。
軸受部１０５の先端の凹部１０５ａには、リフトピン１０２の下端が上から嵌め込まれている。ピエゾアクチュエータ１０１による位置決めによって部材１０４ａを介して軸受部１０５が上下に移動すると、リフトピン１０２が上下に移動し、連結部１０３の下面を押し上げたり、押し下げたりする。これにより、連結部１０３を介して中央エッジリング３８ｍが上下に移動する。
ピエゾアクチュエータ１０１の上端は、ネジ１０４ｃにより部材１０４ａにネジ止めされ、ピエゾアクチュエータ１０１の下端は、ネジ１０４ｄにより部材１０４ｂにネジ止めされている。これにより、ピエゾアクチュエータ１０１は、部材１０４ａ、１０４ｂの間にてハウジング１００に固定されている。
ピエゾアクチュエータ１０１は、ピエゾ圧電効果を応用した位置決め素子で、約０．００６ｍｍ（６μｍ）の分解能で位置決めを行うことができる。ピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量に応じてリフトピン１０２が上下へ移動する。これにより、中央エッジリング３８ｍが、０．００６ｍｍを最小単位として所定の高さだけ移動する。
ピエゾアクチュエータ１０１は、リフトピン１０２の下方に位置するハウジング１００の内部空間に、リフトピン１０２と一対一に設けられている。つまり、３箇所に存在するリフトピン１０２に、一対一に対応して３つの移動機構２００及びピエゾアクチュエータ１０１がハウジング１００の内部に設けられている。部材１０４ａ、１０４ｂは環状部材であり、３つのピエゾアクチュエータ１０１は、上下でネジ止めされた部材１０４ａ、１０４ｂにより相互に接続される。なお、ピエゾアクチュエータ１０１は、駆動部の一例である。
リフトピン１０２は、中央エッジリング３８ｍの円周方向に等間隔に３箇所設けられている。かかる構成により、リフトピン１０２は、環状の連結部１０３を介して３箇所から中央エッジリング３８ｍを押し上げ、所定の高さに持ち上げるようになっている。
外側エッジリング３８ｏの下面には、中央エッジリング３８ｍのタブ部３８ｍ２の上部に、タブ部３８ｍ２よりも広い幅の凹部が形成されている。リフトピン１０２の押し上げにより、中央エッジリング３８ｍが最上位まで移動すると、タブ部３８ｍ２が、凹部内に納まる。これにより、外側エッジリング３８ｏを固定させたまま、中央エッジリング３８ｍを上へ持ち上げることができる。
以上に説明したように、かかる構成では、ハウジング１００に載置台１２及び静電チャック３６が支持され、ハウジング１００に移動機構２００及び駆動部が取り付けられる。これにより、静電チャック３６の設計変更を必要とせず、既存の静電チャック３６を使用して中央エッジリング３８ｍのみを上下に移動させることができる。
また、本実施形態では、静電チャック３６の上面と中央エッジリング３８ｍの下面の間には所定の空間が設けられ、中央エッジリング３８ｍを上方向だけでなく、下方向へも移動可能な構造となっている。これにより、ウェハＷの処理前及び処理中に中央エッジリング３８ｍを、上方向だけでなく、所定の空間内を下方向に所定の高さだけ移動することができる。中央エッジリング３８ｍを上方向だけでなく下方向へも移動させることで、シースの制御範囲を広げることができる。
ただし、駆動部は、ピエゾアクチュエータ１０１に限定されず、約０．００６ｍｍの分解能で位置決めの制御が可能なモータを使用してもよい。また、駆動部は、１つ又は複数であり得る。更に、駆動部は、ウェハＷを持ち上げるプッシャーピンを上下に移動させるモータを共用してもよい。この場合、ギア及び動力切替部を用いてモータの動力を、ウェハＷ用のプッシャーピンと中央エッジリング３８ｍ用のリフトピン１０２とで切り替えて伝達する機構と、約０．００６ｍｍの分解能でリフトピン１０２の上下移動を制御する機構が必要になる。ただし、３００ｍｍのウェハＷの外周に配置される中央エッジリング３８ｍの径は３１０ｍｍ程度と大きいため、本実施形態のようにリフトピン１０２毎に別々の駆動部を設けることが好ましい。
制御部７４は、ピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量が、中央エッジリング３８ｍの消耗量に応じた量になるように、ピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量を決定してもよい。制御部７４は、中央エッジリング３８ｍの消耗量に関わらず、ウェハ処理及びクリーニング処理においてプロセス条件に応じてピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量を決定してもよい。
さらに、以下に説明するように、本実施形態では、クリーニング処理時に中央エッジリング３８ｍを上下に動作させる。これにより、中央エッジリング３８ｍの裏面及び中央エッジリング３８ｍの周辺に付着したパーティクルを効果的に除去することができる。
[パーティクルが溜まりやすい場所]
かかる構成のエッジリング３８を有する処理容器１０内においてパーティクルが溜まりやすい箇所を見つけるための実験を行った。一実施形態と比較例に係るパーティクルの状態の一例を示す図３を参照して、その結果について説明する。
図３（ａ）では、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させてプラズマ処理を実行した場合に、パーティクルが溜まりやすい場所を示す。Ｒで示すように、内側エッジリング３８ｉの表面全体と、中央エッジリング３８ｍの内側面と裏面側にパーティクルが溜まりやすいことがわかった。
図３（ｂ）では、中央エッジリング３８ｍを下げた状態で、大流量のＮ２ガスを処理容器１０内に供給し、圧力上昇による対流を発生させた。そして、その対流により処理容器内に付着したパーティクルを剥離させ、剥離したパーティクルをＮ２ガスの粘性力により排気するクリーニングを行った。
この結果、Ａで示すウェハＷの外周側壁及びウェハＷの下の静電チャック３６の側壁、及び内側エッジリング３８ｉと中央エッジリング３８ｍの内側面のパーティクルを除去できた。しかし、Ｒで示す内側エッジリング３８ｉの上面及び外側面と、中央エッジリング３８ｍの内側エッジリング３８ｉに近い内側面及び裏面側のパーティクルを剥離させることができず、クリーニングが不十分であることがわかった。
（実施形態：クリーニング１）
これに対して、一実施形態にかかるクリーニング１について説明する。クリーニング１では、まず、静電チャック３６の電極３６ａに直流電圧を印加した。そして、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させた。この結果、図３（ａ）にてパーティクルが溜まりやすいとされた箇所のすべて、すなわち、ウェハＷの外周側壁及びウェハＷの下の静電チャック３６の側壁、内側エッジリング３８ｉの表面全体と、中央エッジリング３８ｍの裏面側のすべてにおいて、図３（ｃ）のＡに示すようにパーティクルを除去できた。
クリーニング１では、電極３６ａに直流電圧を印加した。これにより、エッジリング３８と静電チャック３６との間に電界が発生する。この状態で中央エッジリング３８ｍを上下に移動させると、中央エッジリング３８ｍと、内側エッジリング３８ｉ及び外側エッジリング３８ｏとの空間を変化させることで、その空間に生じる電界の向きや強さを変えることができる。その際、中央エッジリング３８ｍを持ち上げたり、下げたりすることで中央エッジリング３８ｍの周りの空間の変化により発生する電界の向きや強さがクリーニング中常時変化する。これにより、中央エッジリング３８ｍ及びその周辺にてパーティクルが取れやすい状況になり、クリーニング効果を高めることができる。これにより、図３（ｃ）に示すように、中央エッジリング３８ｍの裏面やその周辺の、除去することが困難であったパーティクルを剥離させ、除去することができたと考えられる。
なお、静電チャック３６の電極３６ａに印加する直流電圧は、プラスの電圧でもよいし、マイナスの電圧でもよいし、プラスとマイナスの電圧を交互に印加してもよい。プラスの直流電圧を印加することで、マイナスに帯電したパーティクルが剥離しやすくなる。またり、プラスの直流電圧を印加することで、マイナスに帯電したパーティクルが剥離しやすくなる。中央エッジリング３８ｍの周辺に付着した付着物の種類によって、電極３６ａに印加する直流電圧のプラス・マイナスを制御してもよい。プラスとマイナスの直流電圧を交互に印加した場合には、プラスの電荷及びマイナスの電荷をもつ荷電粒子のいずれも剥離しやすくなる。
また、外側エッジリング３８ｏの電極８３に直流電圧を印加し、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させてもよい。この場合にも、静電チャック３６の電極３６ａに直流電圧を印加し、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させた場合と同じクリーニング効果が得られる。なお、外側エッジリング３８ｏの替わりに内側エッジリング３８ｉに電極８３を埋め込み、電極８３に直流電圧を印加し、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させてもよい。
また、シャワーヘッド５１に直流電圧を印加し、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させてもよい。つまり、電極３６ａ、電極８３、シャワーヘッド５１の少なくともいずれかに直流電圧を印加しながら、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させることでクリーニング１の効果を得ることができる。後述するクリーニング３についても同様に、電極３６ａ、電極８３、シャワーヘッド５１の少なくともいずれかに直流電圧を印加しながら、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させてもよい。
（本実施形態：クリーニング２）
次に、一実施形態にかかるクリーニング２について説明する。クリーニング２では、まず、中央エッジリング３８ｍの下部にクリーニングガスを供給した。そして、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させた。この結果、図３（ａ）にてパーティクルが溜まりやすいとされた箇所のすべての面において、図３（ｃ）に示すようにパーティクルを除去できた。
クリーニング２では、クリーニングガスの一例としてＮ２ガスを供給した。その状態で中央エッジリング３８ｍを上下に移動させると、中央エッジリング３８ｍが上がった状態では、Ｎ２ガスが中央エッジリング３８ｍの下側に回り込む。その状態で中央エッジリング３８ｍを下げることで、剥離しているパーティクルをＮ２ガスとともに中央エッジリング３８ｍの下側から側面方向に押し流す。
このようにして、クリーニング２ではＮ２ガスの粘性力によりエッジリング３８の可動部品である中央エッジリング３８ｍ及びその周りで浮いたパーティクルを押し流すことができる。その際、中央エッジリング３８ｍを持ち上げたり、下げたりすることで中央エッジリング３８ｍ及びその周りでのガス流速がクリーニング中常時変化する。これにより、中央エッジリング３８ｍ及びその周辺にてパーティクルが取れやすい状況になり、クリーニング効果を高めることができる。
なお、一実施形態にかかるクリーニング２を使用する場合、基板処理装置５は静電チャック３６を必ずしも有しなくてもよい。
（本実施形態：クリーニング３）
最後に、一実施形態に係る実施形態にかかるクリーニング３について説明する。一実施形態に係る実施形態にかかるクリーニング３は、一実施形態にかかるクリーニング１とクリーニング２とを組み合わせたクリーニング方法である。
これによれば、クリーニング１とクリーニング２の両方の効果を得ることができる。例えば、プラス及びマイナスの荷電粒子のパーティクルは、クリーニング１の方法で発生させる電界を使って除去し、中性の粒子のパーティクルは、クリーニング２の方法で供給するＮ２ガスの流れを使って除去することができる。これにより、中央エッジリング３８ｍ及びその周辺にてさらにパーティクルが取れやすい状況になり、クリーニング効果をより高めることができる。
なお、クリーニング１～３の方法では、中央エッジリング３８ｍを必ずしも上下に移動させる必要はなく、中央エッジリング３８ｍを上方向又は下方向のいずれかに移動してもよい。
また、クリーニング１～３の方法では、中央エッジリング３８ｍを可動部品として上下に移動させたが、これに限られず、内側エッジリング３８ｉ及び外側エッジリング３８ｏの少なくともいずれかを可動部品として移動機構２００により上下に移動させてもよい。
また、クリーニング２、３の方法では、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させながら、Ｎ２ガスをパージした。しかし、クリーニングガスは、Ｎ２ガスに限られず、Ｎ２ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス等の不活性ガスを使用することができる。このとき、大流量のＮ２ガス等のクリーニングガスを処理容器１０内に供給し、圧力上昇による対流を発生させ、その対流により処理容器１０内に付着したパーティクルを剥離することが好ましい。
[クリーニング処理及びウェハ処理]
最後に、一実施形態にかかるクリーニング１～３の方法を使用したクリーニング処理及びウェハ処理の一例について、図４～図６を参照して説明する。図４は、一実施形態に係るクリーニング１のクリーニング処理及びウェハ処理の一例を示すフローチャートである。図５は、一実施形態に係るクリーニング２のクリーニング処理及びウェハ処理の一例を示すフローチャートである。図６は、一実施形態に係るクリーニング３のクリーニング処理及びウェハ処理の一例を示すフローチャートである。図４～図６の各処理は、制御部７４により制御される。図４～図６の各処理が開始されるタイミングは、ウェハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）終了後、又は、ロット間、又は、ウェハＷ毎であってもよい。
（クリーニング１）
まず、クリーニング１のクリーニング処理及びウェハ処理について説明する。図４の処理が開始されると、制御部７４は、処理容器１０内を真空排気する（ステップＳ１０）。次に、制御部７４は、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を開始する（ステップＳ１２）。次に、制御部７４は、静電チャック３６の電極３６ａに対して直流電圧（ＨＶ）の印加を開始する（ステップＳ１４）。
次に、制御部７４は、所定時間が経過したかを判定する（ステップＳ１５）。制御部７４は、所定時間が経過するまで待ち、所定時間が経過したと判定すると、電極３６ａに対して直流電圧（ＨＶ）の印加を停止する（ステップＳ１６）。次に、制御部７４は、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を停止する（ステップＳ１８）。
次に、制御部７４は、ウェハＷを搬入し（ステップＳ２０）、ウェハＷにエッチング処理等の所定の処理を実行し（ステップＳ２２）、本処理を終了する。処理済みのウェハＷは搬出され、次のウェハＷの処理が行われる。
これによれば、クリーニング処理時において、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させつつ静電チャック３６に直流電圧を印加することで、中央エッジリング３８ｍの周りの電界の強度及び向きを変化させることができる。これにより、中央エッジリング３８ｍ及びその周辺のパーティクルを除去することができる。これにより、ウェハＷ処理時にパーティクル及びディフェクトの発生を抑制することができ、ウェハＷの歩留まりを高め、生産性を向上させることができる。
（クリーニング２）
次に、クリーニング２のクリーニング処理及びウェハ処理について説明する。図５の処理が開始されると、制御部７４は、処理容器１０内を真空排気する（ステップＳ１０）。次に、制御部７４は、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を開始する（ステップＳ１２）。次に、制御部７４は、Ｎ２ガスの導入を開始する（ステップＳ３０）。次に、制御部７４は、排気装置２６を用いてＮ２ガスをパージする（ステップＳ３２）。
次に、制御部７４は、所定時間が経過したかを判定する（ステップＳ１５）。制御部７４は、所定時間が経過するまで待ち、所定時間が経過したと判定すると、Ｎ２ガスの導入を停止する（ステップＳ３４）。次に、制御部７４は、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を停止する（ステップＳ１８）。
次に、制御部７４は、ウェハＷを搬入し（ステップＳ２０）、ウェハＷにエッチング処理等の所定の処理を実行し（ステップＳ２２）、本処理を終了する。処理済みのウェハＷは搬出され、次のウェハＷの処理が行われる。
これによれば、クリーニング処理時において、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させつつＮ２ガスをパージすることで、Ｎ２ガスの粘性力により中央エッジリング３８ｍ及びその周りで浮いたパーティクルを押し流すことができる。これにより、中央エッジリング３８ｍ及びその周辺のパーティクルを除去することができる。これにより、ウェハＷ処理時にパーティクル及びディフェクトの発生を抑制することができ、ウェハＷの歩留まりを高め、生産性を向上させることができる。
（クリーニング３）
次に、クリーニング３のクリーニング処理及びウェハ処理について説明する。図６の処理が開始されると、制御部７４は、処理容器１０内を真空排気する（ステップＳ１０）。次に、制御部７４は、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を開始する（ステップＳ１２）。次に、制御部７４は、静電チャック３６の電極３６ａに直流電圧（ＨＶ）の印加を開始する（ステップＳ１４）。次に、制御部７４は、Ｎ２ガスの導入を開始する（ステップＳ３０）。次に、制御部７４は、排気装置２６を用いてＮ２ガスをパージする（ステップＳ３２）。
次に、制御部７４は、所定時間が経過したかを判定する（ステップＳ１５）。制御部７４は、所定時間が経過するまで待ち、所定時間が経過したと判定すると、Ｎ２ガスの導入を停止する（ステップＳ３４）。次に、制御部７４は、直流電圧（ＨＶ）の印加を停止し（ステップＳ１６）、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を停止する（ステップＳ１８）。
次に、制御部７４は、ウェハＷを搬入し（ステップＳ２０）、ウェハＷにエッチング処理等の所定の処理を実行し（ステップＳ２２）、本処理を終了する。処理済みのウェハＷは搬出され、次のウェハＷの処理が行われる。これによれば、クリーニング処理時において、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させ、これに加えて、Ｎ２ガスをパージし、かつ、静電チャック３６に直流電圧を印加する。これにより、中央エッジリング３８ｍの裏面やその周辺のパーティクルを含めた処理容器１０内のパーティクルをより効果的に除去することができる。
なお、中央エッジリング３８ｍは、上記のクリーニング処理だけでなく、ウェハＷ処理中に駆動することでシースを制御する用途に使用することができる。これにより、ウェハＷのエッジ部のエッチングレート等のプロセス特性を制御することができる。
以上に説明したように、本実施形態にかかる基板処理装置にて実行されるクリーニング処理によれば、エッジリングとその周辺のパーティクルを除去することができる。
今回開示された一実施形態に係るクリーニング方法及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
本明細書では、基板の一例としてウェハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
５：基板処理装置
１０：処理容器
１２：載置台
２０：バッフル板
２６：排気装置
３０：第２の高周波電源
３６：静電チャック
３８：エッジリング
３８ｉ：内側エッジリング
３８ｍ：中央エッジリング
３８ｍ１：環状部
３８ｍ２：タブ部
３８ｏ：外側エッジリング
４０：直流電源
４４：冷媒流路
５１：シャワーヘッド
５７：第１の高周波電源
６６：ガス供給源
７４：制御部
１００：ハウジング
１０１：ピエゾアクチュエータ
１０２：リフトピン
１０３：連結部
１０５：軸受部
２００：移動機構

Claims (13)

  1. 処理室内の静電チャックに載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、
    前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、
    前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングとを有するエッジリングのクリーニング方法であって、
    前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
    前記中央エッジリングを上又は下の少なくともいずれかに移動させる工程と、
    を有するクリーニング方法。
  2. 処理室内の載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、
    前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、
    前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングとを有するエッジリングのクリーニング方法であって、
    前記中央エッジリングの下部にクリーニングガスを供給する工程と、
    前記クリーニングガスが供給された状態で、前記中央エッジリングを上下動させる工程と、
    を有するクリーニング方法。
  3. 前記内側エッジリングは、前記処理室内の静電チャックに載置された基板の近傍に設けられ、
    前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
    前記中央エッジリングの下部にクリーニングガスを供給する工程と、
    前記中央エッジリングを上又は下の少なくともいずれかに移動させる工程と、
    を有する請求項１又は２に記載のクリーニング方法。
  4. 前記クリーニングガスは不活性ガスである、
    請求項２又は３のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  5. 前記直流電圧を印加する工程において、前記静電チャックにプラスの電圧とマイナスの電圧とを交互に印加する、
    請求項１に記載のクリーニング方法。
  6. 前記直流電圧を印加する工程において、前記中央エッジリングに付着した付着物の種類によって、印加する前記直流電圧の極性を制御する、
    請求項１又は５に記載のクリーニング方法。
  7. 前記内側エッジリング及び／又は前記外側エッジリングは電極を備え、前記電極に直流電圧を印加する工程をさらに有する、
    請求項１～６のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  8. 前記内側エッジリング及び／又は前記外側エッジリングは電極を備え、前記基板に対向する位置に設けられるシャワーヘッドと、前記電極とのいずれか１つ以上に直流電圧を印加する工程をさらに有する、
    請求項１～７のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  9. 前記内側エッジリング及び／又は前記外側エッジリングは上下に移動可能であり、
    前記内側エッジリング及び／又は前記外側エッジリングを上又は下の少なくともいずれかに移動させる工程をさらに有する、
    請求項１～８のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  10. 前記直流電圧を印加する工程の後、前記直流電圧の印加を開始してから所定時間経過したかを判定する工程をさらに有する、
    請求項１、５及び６のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  11. 前記クリーニングガスをパージする工程をさらに有する、
    請求項２～４のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  12. 前記クリーニングガスを供給する工程の後、前記クリーニングガスの供給を開始してから所定時間経過したかを判定する工程をさらに有する、
    請求項２～４及び１１のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  13. 処理室内の静電チャックに載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、
    前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、
    前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングとを有するエッジリングと、
    制御部とを有する基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基板をプラズマ処理する工程と、
    前記エッジリングをクリーニングする工程と、
    を含み、
    前記クリーニングする工程は、
    前記静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
    前記中央エッジリングを上又は下の少なくともいずれかに移動させる工程と、
    を含む、処理を制御する、基板処理装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018219509A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 Asml Netherlands B.V. Particle removal apparatus and associated system
JP7370259B2 (ja) * 2020-01-27 2023-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN111341719B (zh) * 2020-03-18 2023-04-14 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置、半导体设备及残余电荷的检测方法
JP7409976B2 (ja) * 2020-06-22 2024-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム、プラズマ処理装置及びエッジリングの交換方法
JP7455012B2 (ja) * 2020-07-07 2024-03-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
KR102522687B1 (ko) * 2020-10-20 2023-04-18 에이피시스템 주식회사 박막 제조 장치
KR20220104955A (ko) * 2021-01-19 2022-07-26 에스케이하이닉스 주식회사 중간 전극을 가진 기판 처리 장치
JP2022181831A (ja) 2021-05-27 2022-12-08 東京エレクトロン株式会社 クリーニングを制御する方法及びプラズマ処理装置
CN113430504B (zh) * 2021-08-26 2021-11-09 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 一种晶圆便捷升降夹紧的化学气相沉积设备
WO2023120679A1 (ja) * 2021-12-23 2023-06-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012146743A (ja) 2011-01-07 2012-08-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2012222235A (ja) 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2016146472A (ja) 2015-01-16 2016-08-12 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体ウエハ処理中におけるエッジ処理制御のための可動式エッジ連結リング

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5507874A (en) * 1994-06-03 1996-04-16 Applied Materials, Inc. Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP4330467B2 (ja) 2004-02-26 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プロセス装置及び該プロセス装置内のパーティクル除去方法
JP5317424B2 (ja) 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20110080811A (ko) * 2010-01-07 2011-07-13 세메스 주식회사 정전척 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP5976377B2 (ja) * 2012-04-25 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012146743A (ja) 2011-01-07 2012-08-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2012222235A (ja) 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2016146472A (ja) 2015-01-16 2016-08-12 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体ウエハ処理中におけるエッジ処理制御のための可動式エッジ連結リング

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