JP2022181831A - クリーニングを制御する方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ処理装置のチャンバ内の表面の状態に応じてクリーニングを制御する技術を提供する。
【解決手段】
開示される方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内で生成されたプラズマにより基板を処理する工程を含む。基板は、チャンバ内に設けられた基板支持部上且つ基板支持部上に載置されたエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。プラズマの生成中にエッジリングに直流電圧が印加される。方法は、基板を処理する工程においてプラズマが生成されているときに、エッジリングの自己バイアス電位を測定する工程を更に含む。方法は、自己バイアス電位に応じて、チャンバ内の表面のクリーニングを制御する工程を更に含む。
【選択図】図1
【解決手段】
開示される方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内で生成されたプラズマにより基板を処理する工程を含む。基板は、チャンバ内に設けられた基板支持部上且つ基板支持部上に載置されたエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。プラズマの生成中にエッジリングに直流電圧が印加される。方法は、基板を処理する工程においてプラズマが生成されているときに、エッジリングの自己バイアス電位を測定する工程を更に含む。方法は、自己バイアス電位に応じて、チャンバ内の表面のクリーニングを制御する工程を更に含む。
【選択図】図1
Description
本開示の例示的実施形態は、クリーニングを制御する方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
基板に対するプラズマ処理においてプラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置を用いて基板に対するプラズマ処理が行われると、チャンバ内の表面に反応生成物等の堆積物が形成される。堆積物は、基板の処理に影響するので、クリーニングによって除去される。このようなクリーニングについては、下記の特許文献1及び2に記載されている。
本開示は、プラズマ処理装置のチャンバ内の表面の状態に応じてクリーニングを制御する技術を提供する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置のチャンバ内の表面のクリーニングを制御する方法が提供される。方法は、チャンバ内で生成されたプラズマにより基板を処理する工程を含む。基板は、チャンバ内に設けられた基板支持部上且つ基板支持部上に載置されたエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。プラズマの生成中にエッジリングに直流電圧が印加される。方法は、基板を処理する工程においてプラズマが生成されているときに、エッジリングの自己バイアス電位を測定する工程を更に含む。方法は、自己バイアス電位に応じて、チャンバ内の表面のクリーニングを制御する工程を更に含む。
一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置のチャンバ内の表面の状態に応じてクリーニングを制御することが可能となる。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置のチャンバ内の表面のクリーニングを制御する方法が提供される。方法は、チャンバ内で生成されたプラズマにより基板を処理する工程を含む。基板は、チャンバ内に設けられた基板支持部上且つ基板支持部上に載置されたエッジリングによって囲まれた領域内に配置される。プラズマの生成中にエッジリングに直流電圧が印加される。方法は、基板を処理する工程においてプラズマが生成されているときに、エッジリングの自己バイアス電位を測定する工程を更に含む。方法は、自己バイアス電位に応じて、チャンバ内の表面のクリーニングを制御する工程を更に含む。
プラズマにより基板が処理されているときには、基板の周りに配置されているエッジリングに堆積物が付着する。プラズマの生成中のエッジリングの自己バイアス電位は、エッジリングに堆積物が付着することにより変化する。したがって、プラズマの生成中のエッジリングの自己バイアス電位は、プラズマ処理装置のチャンバ内の表面の状態を反映する。故に、上記実施形態によれば、プラズマ処理装置のチャンバ内の表面の状態に応じてクリーニングを制御することが可能となる。
一つの例示的実施形態において、クリーニングを制御する工程は、自己バイアス電位と閾値との比較によりクリーニングが必要であるか否かを判定する工程を含んでいてもよい。クリーニングを制御する工程は、クリーニングが必要であると判定された場合に、クリーニングを行う工程を更に含んでいてもよい。
一つの例示的実施形態において、方法は、クリーニングを終了すべきか否かを判定する工程を更に含んでいてもよい。クリーニングを終了すべきか否かは、チャンバ内で生成されたプラズマを用いてクリーニングが行われているときに測定されるエッジリングの自己バイアス電位と閾値とを比較することにより、判定される。方法は、クリーニングを終了すべきと判定された場合に、クリーニングを終了する工程を更に含んでいてもよい。
一つの例示的実施形態において、直流電圧は、エッジリングの外周に沿って延在する導体部を介してエッジリングに印加されてもよい。
一つの例示的実施形態において、自己バイアス電位は、基板を処理する工程において直流電圧の印加が停止されているときに測定され得る。
別の例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、プラズマ生成部、直流電源、センサ、及び制御部を備える。基板支持部は、チャンバ内に設けられており、その上に載置される基板及びエッジリングを支持するように構成されている。プラズマ生成部は、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されている。直流電源は、エッジリングに直流電圧を印加するように構成されている。センサは、エッジリングの自己バイアス電位を測定するように構成されている。制御部は、基板支持部上且つエッジリングに囲まれた領域内に配置された基板を処理するために、チャンバ内でプラズマを生成するようプラズマ生成部を制御する。制御部は、基板を処理するためにチャンバ内でプラズマが生成されているときに、エッジリングに直流電圧を印加するよう直流電源を制御する。制御部は、基板を処理するためにチャンバ内でプラズマが生成されているときにセンサによって測定されるエッジリングの自己バイアス電位に応じて、チャンバ内の表面のクリーニングを制御する。
一つの例示的実施形態において、制御部は、自己バイアス電位と閾値との比較によりクリーニングが必要であると判定された場合に、クリーニングを行うための制御を実行してもよい。
一つの例示的実施形態において、クリーニングを終了すべきと判定された場合に、クリーニングを終了する制御を実行してもよい。クリーニングを終了すべきか否かは、チャンバ内で生成されたプラズマを用いてクリーニングが行われているときに測定されるエッジリングの自己バイアス電位と閾値とを比較することにより、判定される。
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、エッジリングの外周に沿って延在する導体部を更に備えていてもよい。直流電源は、導体部を介してエッジリングに直流電圧を印加するよう、導体部を介してエッジリングに電気的に接続されていてもよい。
一つの例示的実施形態において、制御部は、基板を処理するためにチャンバ内でプラズマが生成されているときに直流電圧の印加が停止されている状態でセンサによって測定される自己バイアス電位を用いるよう構成されていてもよい。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
図1は、一つの例示的実施形態に係るクリーニングを制御する方法の流れ図である。図1に示す方法MTは、プラズマ処理装置におけるチャンバ内の表面のクリーニングを制御するために行われる。
図2は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図3は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の部分拡大断面図である。方法MTは、図2及び図3に示すプラズマ処理装置1に適用され得る。
プラズマ処理装置1は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置1は、チャンバ10を備えている。チャンバ10は、その中に内部空間10sを提供している。一実施形態において、チャンバ10は、チャンバ本体12を含んでいてもよい。チャンバ本体12は、略円筒形状を有している。内部空間10sは、チャンバ本体12の中に提供されている。チャンバ本体12は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ本体12は、電気的に接地されている。チャンバ本体12の内壁面、即ち、内部空間10sを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
プラズマ処理装置1は、基板支持部14を更に備えている。基板支持部14は、チャンバ10内に設けられており、その上に載置された基板Wを支持するように構成されている。基板Wは、略円盤形状を有する。
基板支持部14は、その上に載置されるエッジリングERを更に支持するように構成されている。エッジリングERは、リング形状を有しており、シリコン、炭化シリコンといった材料から形成されている。基板Wは、基板支持部14上且つエッジリングERによって囲まれた領域内に配置される。
基板支持部14は、基台16及び静電チャック18を含んでいてもよい。基台16は、アルミニウムといった金属から形成されており、略円盤形状を有している。一実施形態において、基台16は、底板15上に配置されていてもよく、底板15を介してチャンバ10の底部に支持されていてもよい。底板15は、石英又は酸化アルミニウムのような絶縁性材料から形成される。
静電チャック18は、基台16上に設けられている。静電チャック18は、その上に載置される基板Wと静電チャック18との間に発生する静電引力により、基板Wを保持するように構成されている。静電チャック18は、その上に載置されるエッジリングERを更に保持するように構成されていてもよい。
一実施形態では、部材21が基台16及び静電チャック18の外周に沿って設けられていてもよい。部材21は、石英のような絶縁性材料から形成されており、基台16及び静電チャック18の外周を覆っている。
一実施形態では、導体部22が、エッジリングERの外周に沿って延在していてもよい。導体部22は、アルミニウムのような導体から形成されている。導体部22は、リング形状を有していてもよい。後述する直流電圧DCEは、導体部22を介してエッジリングERに当該エッジリングERの外周から印加される。直流電圧DCEは、基台16及び導体部22を介してエッジリングERに印加されてもよい。導体部22の一部は、エッジリングERの外周に直接的又は間接的に接触していてもよい。例えば、導体部22の上端部の内周面が、部材25を介してエッジリングERの外周に接触していてもよい。また、導体部22の別の一部が、基台16の外周に直接的に又は間接的に接触していてもよい。例えば、導体部22の下端部の内周面が、部材26を介して基台16の外周に接触していてもよい。部材25及び部材26の各々は、弾性を有し、導体から形成される。
導体部22は、基台16、静電チャック18、及びエッジリングERの各々の外周に沿って延在し、部材21によって覆われていてもよい。また、導体部22の上端は、カバーリング23によって覆われていてもよい。カバーリング23は、石英のような絶縁性材料から形成されており、部材21、導体部22、及びエッジリングERの外縁部上で延在している。
プラズマ処理装置1は、上部電極30を更に備えている。上部電極30は、基板支持部14の上方に設けられている。上部電極30は、部材32と共にチャンバ本体12の上部開口を閉じている。部材32は、絶縁性材料から形成されている。上部電極30は、部材32を介してチャンバ本体12の上部に支持されている。
上部電極30は、天板34及び支持体36を含んでいる。天板34の下面は、内部空間10sを画成している。天板34は、複数のガス孔34hを提供している。複数のガス孔34hの各々は、天板34を板厚方向(鉛直方向)に貫通している。天板34は、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板34は、アルミニウム製の部材の表面に耐プラズマ性の膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といった絶縁性の膜であり得る。
支持体36は、天板34を着脱自在に支持している。支持体36は、例えばアルミニウムといった金属から形成されている。支持体36は、その内部においてガス拡散室36dを提供している。また、支持体36は、複数のガス孔36hを更に提供している。複数のガス孔36hは、ガス拡散室36dから下方に延びて、複数のガス孔34hにそれぞれ連通している。また、ガス拡散室36dには、ガス供給部38が接続されている。ガス供給部38は、処理ガス、クリーニングガスのようなガスをチャンバ10内に供給するように構成されている。
プラズマ処理装置1は、排気装置40を更に備えている。排気装置40は、自動圧力制御弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、内部空間10sを減圧することができる。
プラズマ処理装置1は、高周波電源51を更に備えている。高周波電源51は、一実施形態のプラズマ生成部を構成する。以下、図2及び図3に加えて、図4を参照する。図4は、高周波電力RF、バイアスエネルギーBE、及び直流電圧DCEの各々の一例を示す図である。図4において、高周波電力RFの「ON」は高周波電力RFが供給されていることを示しており、高周波電力RFの「OFF」は高周波電力RFの供給が停止されていることを示している。また、バイアスエネルギーBEの「ON」はバイアスエネルギーBEが供給されていることを示しており、バイアスエネルギーBEの「OFF」はバイアスエネルギーBEの供給が停止されていることを示している。また、直流電圧DCEの「ON」は直流電圧DCEがエッジリングERに印加されていることを示しており、直流電圧DCEの「OFF」は直流電圧DCEのエッジリングERへの印加が停止されていることを示している。
高周波電源51は、プラズマ生成用の高周波電力RFを発生する電源である。高周波電力RFは、27~100MHzの範囲内の周波数、例えば40MHz又は60MHzの周波数を有する。高周波電源51は、整合器51mを介して基板支持部14内の電極に電気的に接続されている。一実施形態では、高周波電源51は、整合器51mを介して基台16に電気的に接続されていてもよい。或いは、高周波電源51は、整合器51mを介して上部電極30に電気的に接続されていてもよい。整合器51mは、高周波電源51の負荷側のインピーダンスを高周波電源51の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を有している。高周波電力RFは、チャンバ10内に高周波電界を生成する。生成された高周波電界により、プラズマがチャンバ10内のガスから生成される。
一実施形態において、プラズマ処理装置1は、バイアス電源52を更に備えていてもよい。バイアス電源52は、プラズマから基板Wにイオンを引き込むためのバイアスエネルギーBEを発生するように構成されている。バイアスエネルギーは、電気的エネルギーである。バイアスエネルギーBEは、バイアス周波数を有する。バイアス周波数は、高周波電力RFの周波数よりも低く、例えば100kHz~13.56MHzの範囲内の周波数である。
一実施形態において、バイアスエネルギーBEは、バイアス周波数を有する高周波電力、即ち高周波バイアス電力LFであってもよい。この場合に、バイアス電源52は、整合器52mを介して基板支持部14内の電極に電気的に接続される。例えば、バイアス電源52は、整合器52mを介して基台16に電気的に接続される。整合器52mは、バイアス電源52の負荷側のインピーダンスをバイアス電源52の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を有している。
別の実施形態において、バイアスエネルギーBEは、バイアス周波数の逆数である時間間隔で周期的に印加される電圧のパルスPVであってもよい。電圧のパルスPVは、正の極性又は負の極性を有する。電圧のパルスは、負の直流電圧のパルスであってもよい。電圧のパルスは、矩形波、三角波、インパルス波のような任意の波形を有していてもよい。
プラズマ処理装置1は、直流電源53を更に備えている。直流電源53は、上述の直流電圧DCEを発生するように構成されている。直流電源53は、スイッチ53sを介してエッジリングERに電気的に接続される。直流電源53は、スイッチ53s、基台16、及び導体部22を介してエッジリングERに電気的に接続されていてもよい。
プラズマ処理装置1は、センサ54を更に備えている。センサ54は、電圧センサであり、エッジリングERの自己バイアス電位を測定するように構成されている。センサ54は、エッジリングERの電位を直接的に測定してもよく、エッジリングERとスイッチ53sとを互いに接続する電気的パス上の電位を測定してもよい。図示の例では、センサ54は、スイッチ53sと基台16とを互いに接続する電気的パス上の電位を測定するように設けられている。
プラズマ処理装置1は、制御部80を更に備えている。制御部80は、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置1の各部を制御する。具体的に、制御部80は、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいてプラズマ処理装置1の各部を制御する。制御部80による制御により、方法MTがプラズマ処理装置1において実行される。
以下、再び図1を参照し、それがプラズマ処理装置1に適用される場合を例にとって、方法MTについて説明する。方法MTは、工程STaで開始する。工程STaは、基板Wが基板支持部14上且つエッジリングERによって囲まれた領域内に配置された状態で行われる。工程STaでは、チャンバ10内で生成されたプラズマにより基板Wが処理される。工程STaにおける基板Wの処理の一例は、プラズマエッチングである。
工程STaでは、処理ガスがガス供給部38からチャンバ10内に供給される。工程STaでは、チャンバ10内の圧力が指定された圧力に排気装置40によって減圧される。工程STaでは、高周波電力RFが、処理ガスからプラズマを生成するために高周波電源51によって供給される。工程STaでは、バイアスエネルギーBEが、プラズマから基板Wにイオンを引き込むためにバイアス電源52によって供給されてもよい。
また、工程STaでは、直流電圧DCEが直流電源53によってエッジリングERに印加される。直流電圧DCEの電圧レベルは、基板W上の上方でのプラズマとシースとの界面の高さ方向の位置とエッジリングERの上方でのプラズマとシースとの界面の高さ方向の位置との差を低減するか解消するように、設定され得る。工程STaでは、図4に示すように直流電圧DCEが間欠的にOFFに設定される。即ち、工程STaでは、直流電圧DCEのエッジリングERへの印加が間欠的に停止される。このため、工程STaでは、スイッチ53sが交互に開閉される。
工程STaにおいて、ガス供給部38、排気装置40、高周波電源51、バイアス電源52、直流電源53、及びスイッチ53sは、制御部80によって制御される。
工程STbは、工程STaが行われている期間において行われる。工程STbでは、工程STaにおいてプラズマが生成されているときに、エッジリングERの自己バイアス電位Vbが、センサ54によって測定される。自己バイアス電位Vbは、直流電圧DCEのエッジリングERへの印加が停止しているときに、測定される。
続く工程STcでは、工程STbにおいて測定された自己バイアス電位Vbに応じて、チャンバ10内の表面のクリーニングが制御される。一実施形態において、工程STcは、工程STc1及び工程STc2を含んでいてもよい。工程STc1では、工程STbにおいて測定された自己バイアス電位Vbと閾値との比較により、チャンバ10内の表面のクリーニングが必要か否かが判定される。例えば、工程STbにおいて測定された自己バイアス電位Vbの絶対値が閾値以下である場合に、チャンバ10内の表面のクリーニングが必要であると判定される。一方、工程STbで測定された自己バイアス電位の絶対値が閾値よりも大きい場合に、チャンバ10内の表面のクリーニングが不要であると判定される。工程STc1の判定は、制御部80によって行われ得る。
工程STc1においてクリーニングが必要であると判定されると、処理は工程STc2に移る。工程STc2では、チャンバ10内の表面のクリーニングが行われる。工程STc2は、基板Wがチャンバ10から搬出され、基板支持部14上に物体が載置されていない状態で行われてもよい。或いは、工程STc2は、基板Wがチャンバ10から搬出され、基板支持部14上にダミー基板が載置されている状態で行われてもよい。工程STc2におけるクリーニングは、チャンバ10内でクリーニングガスからプラズマを生成することにより、行われ得る。クリーニングガスは、チャンバ10内の表面における堆積物を除去するために選択されたガスである。クリーニングガスは、例えば、酸素ガス又はCOガスのような酸素含有ガスである。クリーニングガスは、一つ以上の他のガスから構成されていてもよい。
工程STc2では、クリーニングガスがガス供給部38からチャンバ10内に供給される。工程STc2では、チャンバ10内の圧力が指定された圧力に排気装置40によって減圧される。工程STc2では、高周波電力RFが、チャンバ10内で処理ガスからプラズマを生成するために高周波電源51によって供給される。工程STc2では、バイアスエネルギーBEが、バイアス電源52によって供給されてもよく、供給されなくてもよい。工程STc2において、ガス供給部38、排気装置40、高周波電源51、及びバイアス電源52は、制御部80によって制御される。
一実施形態において、方法MTは、工程STd及び工程STeを更に含んでいてもよい。工程STdは、工程STc2が行われている期間において行われる。工程STdでは、工程STc2においてクリーニングガスからプラズマが生成されているときのエッジリングERの自己バイアス電位Vdが、センサ54によって測定される。
続く工程STeでは、工程STc2のクリーニングが制御される。工程STeは、工程STe1及び工程STe2を含む。工程STe1では、工程STc2のクリーニングを終了すべきか否かが判定される。工程STe1の判定は、制御部80によって行われる。クリーニングを終了すべきか否かは、工程STdにおいて測定された自己バイアス電位Vdと閾値とを比較することにより、判定される。例えば、工程STdで測定された自己バイアス電位Vdの絶対値が閾値以下である場合には、工程STc2のクリーニングを継続すべきと判定される。この場合には、工程STc2及び工程STdが継続される。
一方、工程STdで測定された自己バイアス電位Vdの絶対値が閾値よりも大きい場合には、工程STe2において工程STc2のクリーニングが終了される。工程STe2では、クリーニングガスの供給及び高周波電力RFの供給が停止される。工程STc2においてバイアスエネルギーBEが供給されている場合には、工程STe2においてバイアスエネルギーBEの供給も停止される。工程STe2において、ガス供給部38、高周波電源51、及びバイアス電源52は、制御部80によって制御される。
プラズマにより基板Wが処理されているときには、基板Wの周りに配置されているエッジリングERに堆積物が付着する。プラズマの生成中のエッジリングERの自己バイアス電位は、エッジリングERに堆積物が付着することにより変化する。したがって、プラズマの生成中のエッジリングERの自己バイアス電位は、プラズマ処理装置1のチャンバ10内の表面の状態を反映する。故に、方法MTによれば、プラズマ処理装置1のチャンバ10内の表面の状態に応じてクリーニングを制御することが可能となる。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、方法MTが適用されるプラズマ処理装置は、プラズマ処理装置1とは別の容量結合型のプラズマ処理装置であってもよい。また、方法MTが適用されるプラズマ処理装置は、他のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。そのようなプラズマ処理装置としては、誘導結合型プラズマ処理装置、電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置が例示される。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
1…プラズマ処理装置、10…チャンバ、14…基板支持部、51…高周波電源、53…直流電源、54…センサ、W…基板、ER…エッジリング。
Claims (10)
- プラズマ処理装置のチャンバ内の表面のクリーニングを制御する方法であって、
前記チャンバ内で生成されたプラズマにより基板を処理する工程であり、前記基板は、前記チャンバ内に設けられた基板支持部上且つ該基板支持部上に載置されたエッジリングによって囲まれた領域内に配置されており、前記プラズマの生成中に前記エッジリングに直流電圧が印加される、該工程と、
基板を処理する前記工程において前記プラズマが生成されているときに、前記エッジリングの自己バイアス電位を測定する工程と、
前記自己バイアス電位に応じて、前記チャンバ内の表面のクリーニングを制御する工程と、
を含むクリーニングを制御する方法。 - クリーニングを制御する前記工程は、
前記自己バイアス電位と閾値との比較により前記クリーニングが必要であるか否かを判定する工程と、
前記クリーニングが必要であると判定された場合に、前記クリーニングを行う工程と、
を含む、請求項1に記載のクリーニングを制御する方法。 - 前記チャンバ内で生成されたプラズマを用いて前記クリーニングが行われているときに測定される前記エッジリングの自己バイアス電位と閾値とを比較することにより、前記クリーニングを終了すべきか否かを判定する工程と、
前記クリーニングを終了すべきと判定された場合に、前記クリーニングを終了する工程と、
を更に含む、請求項1又は2に記載のクリーニングを制御する方法。 - 前記直流電圧は、前記エッジリングの外周に沿って延在する導体部を介して前記エッジリングに印加される、請求項1~3の何れか一項に記載のクリーニングを制御する方法。
- 基板を処理する前記工程において、前記自己バイアス電位は、前記直流電圧の印加が停止されているときに測定される、請求項1~4の何れか一項に記載のクリーニングを制御する方法。
- チャンバと、
前記チャンバ内に設けられており、その上に載置される基板及びエッジリングを支持するように構成された基板支持部と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
前記エッジリングに直流電圧を印加するように構成された直流電源と、
前記エッジリングの自己バイアス電位を測定するように構成されたセンサと、
前記プラズマ生成部及び前記直流電源を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記基板支持部上且つ前記エッジリングに囲まれた領域内に配置された基板を処理するために、前記チャンバ内でプラズマを生成するよう前記プラズマ生成部を制御し、
前記基板を処理するために前記チャンバ内で前記プラズマが生成されているときに、前記エッジリングに直流電圧を印加するよう前記直流電源を制御し、
前記基板を処理するために前記チャンバ内で前記プラズマが生成されているときに前記センサによって測定される前記エッジリングの自己バイアス電位に応じて、前記チャンバ内の表面のクリーニングを制御する、
よう構成されている、プラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記自己バイアス電位と閾値との比較により前記クリーニングが必要であると判定された場合に、前記クリーニングを行うための制御を実行するよう構成されている、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、前記チャンバ内で生成されたプラズマを用いて前記クリーニングが行われているときに測定される前記エッジリングの自己バイアス電位と閾値とを比較することにより前記クリーニングを終了すべきと判定された場合に、前記クリーニングを終了する制御を実行するよう構成されている、請求項6又は7に記載のプラズマ処理装置。
- 前記エッジリングの外周に沿って延在する導体部を更に備え、
前記直流電源は、前記導体部を介して前記エッジリングに前記直流電圧を印加するよう、前記導体部を介して前記エッジリングに電気的に接続されている、
請求項6~8の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、前記基板を処理するために前記チャンバ内で前記プラズマが生成されているときに前記直流電圧の印加が停止されている状態で前記センサによって測定される前記自己バイアス電位を用いるよう構成されている、請求項6~9の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
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