JPH11157953A - セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置 - Google Patents

セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置

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JPH11157953A
JPH11157953A JP9332157A JP33215797A JPH11157953A JP H11157953 A JPH11157953 A JP H11157953A JP 9332157 A JP9332157 A JP 9332157A JP 33215797 A JP33215797 A JP 33215797A JP H11157953 A JPH11157953 A JP H11157953A
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ceramics
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隆司 茅本
Toshihiko Hanamachi
年彦 花待
Tadashi Iguchi
忠士 井口
Ryusuke Adachi
隆介 安達
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 強度、耐久性に優れた金属とセラミッ
クスとの構造体及びこの構造体を用い、熱伝達効率が高
く、強度、耐久性に優れた静電チャック装置を提供す
る。 【解決手段】 セラミックスが、マグネシアセラミッ
クスを含み、これと金属とを直接またはその熱膨張係数
に応じて両者の複合材を介して接合することにより、構
造体の強度、耐久性を向上することができる。また、こ
れを用いることで、熱伝達効率が高く、強度、耐久性に
優れた静電チャック装置を作製することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスと金
属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置に関
し、特にセラミックスの材質及び接合部分に特徴を有す
る上記構造体及びそれを用いた静電チャック装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】現在、セラミックスと金属とを接合して
なる構造体は、例えば本願出願人による特願平8−20
9362号明細書に記載されているような静電チャック
装置などの様々な分野で利用されており、これらのろう
接接合技術はいくつか確立されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年上記静
電チャック装置も含めてセラミックスと金属との構造体
として大型のものも求められている。しかしながら、小
型のものであれば接合が可能なセラミックスと金属との
組み合わせでも、そのサイズが大きいために接合が困難
であることが多い。
【0004】また、この構造体の使用環境として温度的
に厳しいと、金属とセラミックスとの熱膨張係数の差が
大きいために熱衝撃によって接合部にて剥離したり、セ
ラミックスにクラックが生じるという問題があった。
【0005】加えて、この構造体の使用環境として厳し
い腐食雰囲気であるとセラミックスの耐食性が問題とな
り、更にこの腐食によってセラミックスに添加されてい
る焼結助剤が不純物として漏出し、使用環境を汚染する
という問題もある。
【0006】本発明は上記したような従来技術の問題点
に鑑みなされたものであり、その主な目的は、強度、耐
久性に優れた金属とセラミックスとの構造体及びこの構
造体を用い、熱伝達効率が高く、強度、耐久性に優れた
静電チャック装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、セラミックスと金属との構造体であって、前記
セラミックスが、マグネシアセラミックスを含み、前記
マグネシアセラミックスと前記金属とが直接またはその
熱膨張係数に応じてセラミックスと金属との複合材(例
えばAl−SiC)を介して接合されていることを特徴
とするセラミックスと金属との構造体及びこの構造体を
用いた静電チャック装置を提供することにより達成され
る。
【0008】マグネシアセラミックスはアルミナ、窒化
アルミ等のセラミックスと比較して比較的熱膨張係数が
大きい(表1)。
【0009】
【表1】
【0010】従って、熱膨張係数の差によりアルミナ、
窒化アルミ等のセラミックスとは接合が不可能であった
多くの種類の金属とも直接のろう接が可能となり、サイ
ズ的にも大型のものが製作可能である。更に、使用時の
熱的衝撃に対しても強く、剥離やセラミックスへのクラ
ックが発生し難い。そのためアルミナ、窒化アルミ等と
金属とを接合したものでは耐えられなかった熱サイクル
に対しても十分耐えられる構造体の作製が可能である。
【0011】また、焼結方法によってはマグネシアセラ
ミックスは焼結助剤を添加することなく緻密な焼結体を
得ることが可能である。即ち、99.9%以上の高純度
なマグネシアセラミックスを得ることが可能であり、腐
食によって使用環境を汚染するなどの問題がない。
【0012】尚、用途によってはマグネシアに二酸化珪
素、二酸化チタン、炭化チタン及びアルミナ等を混合
し、配合比を変化させることによって、所望の絶縁性、
熱伝導性などの特性を付与したものを作製することも可
能である。
【0013】ここで、直接マグネシアセラミックスと接
合できる金属は、フェライト系ステンレスなどのマグネ
シアセラミックスと同等の熱膨張係数を有するものであ
り、アルミニウムやアルミニウム合金のような高熱膨張
合金とはその熱膨張係数に応じてセラミックスと金属と
の複合材を介して接合すると良い。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
について添付の図面を参照して詳しく説明する。
【0015】図1は、本発明が適用されたセラミックス
と金属との構造体としての加熱/冷却ステージの構造を
示す断面図である。この加熱/冷却ステージは、ステン
レスなどの熱膨張係数が14×10-6/℃付近の金属か
らなり、冷却用のウォータジャケット1aが設けられた
ベース部材1と、このベース部材1上にろう接により接
合されたマグネシアセラミックスからなるプレート2と
を有している。
【0016】マグネシアの熱膨張係数は比較的大きく
(14×10-6(1/℃))、ステンレスなどの金属と
の熱膨張係数(12×10-6(1/℃)〜15×10-6(1/
℃))の差が小さいため、これら金属とは直接接合する
ことが可能となっている。また、そのサイズもφ150
mm〜φ300mmの大型のものもろう接可能となって
いる。また、熱サイクルに対して耐久性が高く、接合部
で剥離することや、セラミックスからなるプレート2に
クラックが発生することがない。更に、ろう接接合は接
合界面での面接触を得ることができることから、マグネ
シアと金属とをろう接接合することによって、両者間の
密着性が向上し、接合部での熱損失が最小限に抑えられ
る。加えて、マグネシアセラミックスは、熱伝導率が比
較的大きいことから他のセラミックスと比較して効率良
く加熱/冷却を行うことができ、また均熱性の保持が可
能である。従って、この構造体を用いることでステージ
上のサンプルの緻密な温度制御が可能となる。
【0017】尚、ベース部材1の材料はステンレスに限
らず熱膨張係数がマグネシアセラミックスと同程度、具
体的には12×10-6(1/℃)〜15×10-6(1/℃)の
範囲のものであれば良い。この範囲は本発明者の知見及
び各種試験から定められるものであり、これを外れると
接合部の剥離、セラミックスのクラックの発生頻度が急
増する。
【0018】図2は、本発明が適用されたシリコンウエ
ハを保持するための静電チャック装置の構造を示す断面
図である。この静電チャック装置は、冷却用のウォータ
ジャケット11aが設けられたアルミニウムまたはその
合金からなるベース部材11と、このベース部材11上
に設けられたダンパ層13と、このダンパ層13上に設
けられたマグネシア静電チャック12とを有している。
【0019】マグネシア静電チャック12は、マグネシ
アをベースとし、これに二酸化珪素、二酸化チタン、炭
化チタン及びアルミナから選択される1種または2種以
上を添加したセラミックスからなる下部絶縁層と、金属
電極層と、上部絶縁層とから構成されている。金属電極
層には外部から選択的に電源が供給されるようになって
いる。
【0020】ベース部材11とダンパ層13との間及び
静電チャック12とダンパ層13との間はその全面でろ
う接されている。これにより密着性が高くなり、機械的
な締結や接着剤を用いる場合と比較して、静電チャック
12からベース部材11に効率良く熱が伝達されること
となる。逆にウォータジャケットに代えてベース部材1
1にヒータを組み込んだ場合には、シリコンウエハが効
率的に加熱されることとなる。
【0021】ここで、アルミニウムまたはその合金から
なるベース部材11の熱膨張係数は12×10-6(1/
℃)よりも大きくなっているが、ダンパ層13がセラミ
ックスと金属との複合材(例えばAl−SiC)からな
り、その熱膨張係数が12×10-6(1/℃)〜15×
10-6(1/℃)となっていることから、マグネシア静
電チャック12の下部絶縁層(熱膨張係数:14×10
-6(1/℃)程度)との間の応力が緩和され、接合部の
剥離、セラミックスのクラック発生が防止される。ま
た、マグネシアセラミックスは熱膨張係数が比較的大き
いことから、熱サイクルに対して耐久性が高いことから
も接合部の剥離、セラミックスのクラック発生が防止さ
れる。
【0022】また、上記加熱/冷却ステージの場合と同
様に静電チャック12とダンパ層13とベース部材11
との間がろう接により接合されているため、密着性が高
く、接合界面での熱損失が最小限に抑えられている。更
に、マグネシアセラミックスは熱伝導率が比較的大きな
セラミックスであることから、この静電チャックモジュ
ールを用いることによって高い熱伝導効率を得ることが
可能となり、シリコンウエハの加熱、冷却、均熱等の緻
密な温度制御が可能となる。
【0023】加えて、マグネシアセラミックスは耐プラ
ズマ性に優れたセラミックスであることから、これを用
いることで、従来のアルミナ静電チャックよりも寿命が
長くなる利点もある。
【0024】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によるセラミックスと金属との構造体及びそれを用い
た静電チャック装置によれば、セラミックスが、マグネ
シアセラミックスを含み、これと金属とを直接またはそ
の熱膨張係数に応じて両者の複合材を介して接合するこ
とにより、構造体の強度、耐久性を向上することができ
る。また、これを用いることで、熱伝達効率が高く、強
度、耐久性に優れた静電チャック装置を作製することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】、本発明が適用された加熱/冷却ステージの構
造を示す断面図。
【図2】本発明が適用されたシリコンウエハを保持する
ための静電チャック装置の構造を示す断面図。
【符号の説明】
1 ベース部材 1a ウォータジャケット 2 プレート 11 ベース部材 11a ウォータジャケット 12 静電チャック 13 ダンパ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安達 隆介 神奈川県横浜市金沢区福浦3丁目10番地 日本発条株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミックスと金属との構造体であ
    って、 前記セラミックスが、マグネシアセラミックスを含み、 前記金属が、前記マグネシアセラミックスと同程度の熱
    膨張係数を有し、 前記マグネシアセラミックスと前記金属とが直接接合さ
    れていることを特徴とするセラミックスと金属との構造
    体。
  2. 【請求項2】 セラミックスと金属との構造体であっ
    て、 前記セラミックスが、マグネシアセラミックスを含み、 前記金属が、前記マグネシアセラミックスよりも大きな
    熱膨張係数を有し、 前記マグネシアセラミックスと前記金属とが、セラミッ
    クスと金属との複合材を介して接合されていることを特
    徴とするセラミックスと金属との構造体。
  3. 【請求項3】 前記セラミックス及び前記金属の熱膨
    張係数が12×10-6(1/℃)乃至15×10-6(1
    /℃)となっていることを特徴とする請求項1に記載の
    セラミックスと金属との構造体。
  4. 【請求項4】 前記セラミックスの熱膨張係数が12
    ×10-6(1/℃)乃至15×10-6(1/℃)であ
    り、 前記金属の熱膨張係数が15×10-6(1/℃)よりも
    大きく、 前記複合材の熱膨張係数が12×10-6(1/℃)乃至
    15×10-6(1/℃)となっていることを特徴とする
    請求項2に記載のセラミックスと金属との構造体。
  5. 【請求項5】 前記セラミックスが、焼結助剤を含ま
    ない高純度なマグネシア単体またはマグネシアに二酸化
    珪素、二酸化チタン、炭化チタン及びアルミナから選択
    される1種または2種以上を添加したものからなると共
    に熱膨張係数が12×10-6(1/℃)乃至15×10
    -6(1/℃)となっていることを特徴とする請求項1乃
    至請求項4のいずれかに記載のセラミックスと金属との
    構造体。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記
    載の構造体に於けるセラミックスの内部に電極を埋設し
    て構成されていることを特徴とする静電チャック装置。
  7. 【請求項7】 前記金属が加熱/冷却機構を有するア
    ルミニウム及びアルミニウム合金からなることを特徴と
    する請求項6に記載の静電チャック装置。
JP9332157A 1997-12-02 1997-12-02 セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置 Pending JPH11157953A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319614A (ja) * 2001-02-13 2002-10-31 Nihon Ceratec Co Ltd 静電チャック
US7220319B2 (en) 2002-04-16 2007-05-22 Canon Anelva Corporation Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
JP2010052015A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Nhk Spring Co Ltd 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体
JP2011086919A (ja) * 2009-09-17 2011-04-28 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製法
JP2017147278A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7479456B2 (en) * 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
JP4312372B2 (ja) * 2000-12-11 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャックおよびその製造方法
FR2818050B1 (fr) * 2000-12-12 2006-08-11 Semco Engineering Sa Dispositif de prehension electrostatique d'une tranche de composant electronique
JP3963788B2 (ja) * 2002-06-20 2007-08-22 信越化学工業株式会社 静電吸着機能を有する加熱装置
US20080314320A1 (en) * 2005-02-04 2008-12-25 Component Re-Engineering Company, Inc. Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters
US20070169703A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Brent Elliot Advanced ceramic heater for substrate processing
JP4994121B2 (ja) * 2006-08-10 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法
SE530400C2 (sv) * 2006-10-09 2008-05-20 Sandvik Intellectual Property Uppvärmningsenhet med ett motståndselement format som ett ledningsmönster
US20100177454A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck with dielectric inserts
US9048276B2 (en) * 2010-05-28 2015-06-02 Axcelis Technologies, Inc. Matched coefficient of thermal expansion for an electrostatic chuck
US8927910B2 (en) * 2011-04-29 2015-01-06 Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education, On Behalf Of The University Of Nevada, Reno High power-density plane-surface heating element
US9224626B2 (en) 2012-07-03 2015-12-29 Watlow Electric Manufacturing Company Composite substrate for layered heaters
US9673077B2 (en) 2012-07-03 2017-06-06 Watlow Electric Manufacturing Company Pedestal construction with low coefficient of thermal expansion top
JP5441020B1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-12 Toto株式会社 静電チャック
US20150062772A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc Barrier Layer For Electrostatic Chucks
WO2018006258A1 (en) * 2016-07-05 2018-01-11 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Bonding materials of dissimilar coefficients of thermal expansion
US20200035535A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Metal bonded electrostatic chuck for high power application

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059104B2 (ja) * 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
JPS59232693A (ja) * 1983-06-17 1984-12-27 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミツクと金属等との接合用クラツドろう材及びこれを用いたセラミツクと金属等との複合体
JPS60176443U (ja) * 1984-04-28 1985-11-22 増田 閃一 電界装置
US4770946A (en) * 1984-10-16 1988-09-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Surface-treated magnesium or magnesium alloy, and surface treatment process therefor
US4621761A (en) * 1984-12-04 1986-11-11 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for forming unusually strong joints between metals and ceramics by brazing at temperatures that do no exceed 750 degree C.
DE3681566D1 (de) * 1985-12-06 1991-10-24 Hitachi Ltd Keramiksinter mit hohem waermeausdehnungskoeffizient und ein verbundkoerper aus demselben und metall.
US4810563A (en) * 1986-03-14 1989-03-07 The Bergquist Company Thermally conductive, electrically insulative laminate
US4997698A (en) * 1987-05-04 1991-03-05 Allied-Signal, Inc. Ceramic coated metal substrates for electronic applications
US5103367A (en) * 1987-05-06 1992-04-07 Unisearch Limited Electrostatic chuck using A.C. field excitation
EP0339903B1 (en) * 1988-04-26 1993-10-06 Toto Ltd. Method of making dielectric ceramics for electrostatic chucks
JPH07120634B2 (ja) * 1988-12-27 1995-12-20 東京エレクトロン東北株式会社 処理装置
US5340783A (en) * 1989-01-30 1994-08-23 Lanxide Technology Company, Lp Method of producing self-supporting aluminum titanate composites and products relating thereto
EP0493089B1 (en) * 1990-12-25 1998-09-16 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and method for producing the same
US5470664A (en) * 1991-02-26 1995-11-28 Technology Applications Group Hard anodic coating for magnesium alloys
JPH06737A (ja) 1991-03-29 1994-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック基板
US5207437A (en) 1991-10-29 1993-05-04 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic wafer chuck
DE69231299T2 (de) * 1991-11-07 2001-01-18 Varian Semiconductor Equipment Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Halteplatte
US5256469A (en) * 1991-12-18 1993-10-26 General Electric Company Multi-layered, co-fired, ceramic-on-metal circuit board for microelectronic packaging
JP3450023B2 (ja) * 1992-01-24 2003-09-22 日本碍子株式会社 金属・セラミックス接合体およびそれを使用した金属セラミックス複合構造体とその製造方法
US5800618A (en) * 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
JP2749759B2 (ja) 1993-06-23 1998-05-13 信越化学工業株式会社 静電チャック付セラミックスヒーター
JPH07307377A (ja) 1993-12-27 1995-11-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック付セラミックスヒーター
EP0692156A1 (en) * 1994-01-31 1996-01-17 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with conformal insulator film
JP2647799B2 (ja) * 1994-02-04 1997-08-27 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター及びその製造方法
JP3356889B2 (ja) * 1994-08-26 2002-12-16 プラクスエア エス ティ テクノロジー インコーポレイテッド 耐久性に優れたハースロール
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
US5876119A (en) * 1995-12-19 1999-03-02 Applied Materials, Inc. In-situ substrate temperature measurement scheme in plasma reactor
US6159297A (en) * 1996-04-25 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber and processing method
US5720818A (en) * 1996-04-26 1998-02-24 Applied Materials, Inc. Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck
US5751537A (en) * 1996-05-02 1998-05-12 Applied Materials, Inc. Multielectrode electrostatic chuck with fuses
US6055150A (en) * 1996-05-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck having fuses in hollow cavities
JP4004086B2 (ja) 1996-07-22 2007-11-07 日本発条株式会社 静電チャック装置
US6104596A (en) * 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319614A (ja) * 2001-02-13 2002-10-31 Nihon Ceratec Co Ltd 静電チャック
US7220319B2 (en) 2002-04-16 2007-05-22 Canon Anelva Corporation Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
USRE42175E1 (en) 2002-04-16 2011-03-01 Canon Anelva Corporation Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
JP2010052015A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Nhk Spring Co Ltd 異材接合体の製造方法およびその方法による異材接合体
JP2011086919A (ja) * 2009-09-17 2011-04-28 Ngk Insulators Ltd 静電チャック及びその製法
JP2017147278A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置

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