JPH1174336A

JPH1174336A - ウエハ支持部材

Info

Publication number: JPH1174336A
Application number: JP9235269A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Maehara; 達也前原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 1999-03-16
Anticipated expiration: 2017-08-29
Also published as: JP3771686B2

Abstract

(57)【要約】【課題】熱サイクルが加わってもセラミック基体１１の
破損や外部端子２の接合部における通電不良のない安定
した通電が可能なウエハ支持部材１を提供する。【解決手段】一主面をウエハの保持面とするセラミック
基体１１の内部に電極１２を備え、該電極１２を導出す
る外部端子２を上記セラミック基体１１にロウ付けして
なるウエハ支持部材１において、上記外部端子２の接合
側の端面に中空部２ａを設けるとともに、該中空部２ａ
に前記セラミック基体１１と同程度の熱膨張係数を有す
る応力緩和材３を挿嵌する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
表示装置の製造工程において、半導体ウエハや液晶用ガ
ラス基板等のウエハを保持するウエハ支持部材に関する
ものであり、特に繰り返し熱応力が加わっても安定して
通電することが可能なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハ（以下、ウエハと称す。）に成膜を施すＰ
ＶＤ装置やＣＶＤ装置などの成膜装置や、ウエハに微細
加工を施すドライエッチング装置においては、ウエハを
保持するためにサセプターや静電チャックなどのウエハ
支持部材が用いられている。

【０００３】例えば、図４に示すウエハ支持部材１０
は、サセプターと呼ばれるもので、円盤状をしたセラミ
ック基体１１からなり、その上面をウエハ３０の保持面
１１ａとするとともに、内部にヒータ電極１２を埋設し
てなり、このヒータ電極１２と電気的に接続される金属
製の外部端子２１を前記セラミック基体１１の下面に開
口する下穴１１ｂにロウ付けしたものがあった。なお、
上記外部端子２１は、ロウ付け時の残留応力を緩和する
ために、外径が２〜１５ｍｍ程度の中実の円柱状をした
ものが使用されていた。

【０００４】また、セラミック基体１１の下面には、前
記外部端子２１を包囲するように筒体１３がロウ付けに
より接合してあり、Ｏリング１７を介してチャンバー１
８に設置することで筒体１３の内側をチャンバー１８内
と気密にシールするようになっていた。

【０００５】なお、セラミック基体１１の下面には、外
部端子２１以外にセラミック基体１１の温度を測定する
熱電対２２やウエハ３０の温度を測定する測温用光ファ
イバー２３も設置されており、これらのリード線は筒体
１３の内側を通ってチャンバー１８外へ取り出されるよ
うになっていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする問題点】ところで、成膜装置
やドライエッチング装置では、上記ウエハ支持部材１０
のヒータ電極１２に通電し、１００〜３００℃、さらに
は６００℃程度の高温にウエハ３０を加熱して加工する
ことが多く、ウエハ支持部材１０には常温から上記加工
温度の範囲での熱サイクルが加わることになる。

【０００７】ところが、このような温度範囲での熱サイ
クルが加わると、外部端子２１とセラミック基体１１の
熱膨張差に伴う熱応力が接合部に集中し、セラミック基
体１１にクラックが発生して破損するとい問題点があっ
た。

【０００８】そこで、本件出願人は、図５に示すような
外部端子２１の接合側の端面に中空部２１ａを設けるこ
とで、外部端子２１の膨張に伴う熱応力を緩和してセラ
ミック基体１１の破損を防ぐことを先に提案した。

【０００９】しかしながら、外部端子２１に中空部２１
ａを設けたとしても、熱応力が、外部端子２１とセラミ
ック基体１１の下穴１１ｂとの接合部に集中して発生す
ることから、図６（ａ）に示すような外部端子２１の外
周壁２１ｂがクリープ変形して接合部に隙間が生じて通
電不良となったり、あるいは図６（ｂ）に示すようなロ
ウ材が外部端子２１の中空部２１ａの一部埋める結果、
セラミック基体１１にクラックが発生して破壊するとい
った問題点があった。

【００１０】また、このような問題点を少しでも緩和す
るために、外部端子２１としてセラミック基体１１との
熱膨張差が近似した金属を用いるなどの対策が提案され
ているが、低熱膨張金属のタングステンやモリブデンか
らなる外部端子２１では、上記加工温度に曝されると酸
化されるといった問題点もあった。

【００１１】さらに、このような問題点は、ヒータ電極
１２と電気的に接続される外部端子２１だけでなく、熱
サイクルが加わるような時には、ウエハ支持部材に内蔵
される静電吸着用やプラズマ発生用の電極と電気的に接
続される外部端子にもあった。

【００１２】

【問題点を解決するための手段】そこで、本発明は上記
問題点に鑑み、一主面をウエハの保持面とするセラミッ
ク基体の内部にヒータ用、静電吸着用、プラズマ発生用
の少なくとも一種の電極を備えてなり、該電極を導出す
る外部端子を上記セラミック基体に設けた下穴にロウ付
けしてなるウエハ支持部材において、上記セラミック基
体と外部端子との熱膨張差を６．０×１０^-6／℃以下と
するとともに、上記外部端子の接合側の端面に中空部を
設け、該中空部に前記セラミック基体と同程度の熱膨張
係数を有する応力緩和材を挿嵌せしめたことを特徴とす
る。

【００１３】また、本発明は、上記外部端子を耐酸化性
に優れるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＦｅ−Ｎｉ合金にて
形成したものである。

【００１４】

【作用】本発明のウエハ支持部材によれば、外部端子の
接合側の端面に中空部を設けるとともに、この中空部に
前記セラミック基体と同程度の熱膨張係数を有する応力
緩和材を挿嵌せしめたことにより、ウエハ支持部材が加
熱されたり、あるいは発熱してセラミック基体と外部端
子との接合部に熱応力が加わったとしても、この熱応力
を上記外部端子に設けた中空部により緩和することがで
きるため、セラミック基体の割れを防ぐことができると
ともに、外部端子の外周壁が内側に変形して導通不良を
起こすのを、前記セラミック基体と外部端子の中空部に
挿嵌した応力緩和材とで挟持し、外部端子が変形するこ
とによる導通不良を防ぐことができるため、常に安定し
た導通を図ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１６】図１はサセプタと呼ばれる本発明のウエハ
支持部材を成膜装置のチャンバー内に設置した状態を示
す概略断面図である。なお、従来と同一部分については
同一符号で示す。

【００１７】１はウエハ支持部材で、円板状をしたセラ
ミック基体１１からなり、その上面をウエハ３０の保持
面１１ａとするとともに、その内部にはヒータ電極１２
を埋設してあり、該ヒータ電極１２と電気的に接続され
る略円柱状をした外部端子２を、上記セラミック基体１
１の下面に設けた下穴１１ｂにロウ付け固定してある。

【００１８】このようなウエハ支持部材１を構成するセ
ラミック基体１１の材質としては、アルミナ、窒化アル
ミニウム、窒化珪素のいずれか一種を主成分とするセラ
ミックスを用いることができ、これらの中でも特に、９
９重量％以上のアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を主成分としシ
リカ（ＳｉＯ₂）、マグネシア（ＭｇＯ）、カルシア
（ＣａＯ）等の焼結助剤を含有するアルミナセラミック
スや、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とし周期律
表第２ａ族、第３ａ族元素の酸化物を０．５〜２０重量
％の範囲で含有する窒化アルミニウム質セラミックス、
あるいは９９．８重量％以上の窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）を主成分とする高純度の窒化アルミニウム質セラミ
ックスは、成膜装置やエッチング装置等において雰囲気
ガスとして使用されるフッ素系や塩素系の腐食性ガスに
対して優れた耐蝕性と耐プラズマ性を有することから好
適である。

【００１９】また、セラミック基体１１の下面には、前
記外部端子２を包囲するように筒体１３を接合してあ
り、Ｏリング１７を介してチャンバー１８に設置するこ
とで筒体１３の内部を気密にシールし、外部端子２がチ
ャンバー１８内に導入された腐食性ガスに曝されるのを
防止するようにしてある。

【００２０】なお、セラミック基体１１の下面には外部
端子２以外に、セラミック基体１１の温度を測定する熱
電対２２やウエハ３０の温度を測定する測温用光ファイ
バー２３も設置してあり、これらのリード線は筒体１３
の内側を通って外側へ導出するようにしてある。

【００２１】また、図２及び図３に示すように、本発明
のウエハ支持部材１によれば、上記円柱状をした外部端
子２の接合側の端面に、断面形状が円形をした中空部２
ａを形成するとともに、この中空部２ａには前記セラミ
ック基体１１と同程度の熱膨張係数を有する応力緩和材
３を挿嵌し、ロウ付け固定してある。

【００２２】即ち、ウエハ支持部材１に熱サイクルが加
わると、セラミック基体１１と外部端子２との接合部に
は熱応力が加わるのであるが、本発明は外部端子２の接
合側の端面に中空部２ａを形成してあることから、外部
端子２が外側へ膨張しようとするのを抑え、セラミック
基体１１にクラックが生じることを防ぐことができる。
ただし、外部端子２に中空部２ａを形成しただけでは、
ヤング率の低い外部端子２の外周壁２ｂが中空部２ａ側
に変形する結果、セラミック基体１１との間に隙間がで
きるために導通不良を生じる恐れがあるが、本発明では
外部端子２の中空部２ａに応力緩和材３を挿嵌して外周
壁２ｂが変形しようとするのをセラミック基体１１と応
力緩和材３とで拘束するようにしてあることから、導通
不良の発生を防ぎ、常に安定した導通を図ることができ
る。しかも、外部端子２の中空部２ａに応力緩和材３を
挿嵌することで、中空部２ａに接合材であるロウ材が充
填されることによるセラミック基体１１の割れも防ぐこ
とができる。

【００２３】ところで、このような応力緩和材３の材質
としては、セラミック基体１１との熱膨張差が２×１０
^-6／℃以下のものが良い。これは、応力緩和材３の熱膨
張係数が、セラミック基体１１との熱膨張差である２×
１０^-6／℃より大きいと、外部端子２が外側へ膨張しよ
うとするのを抑える効果が小さく、セラミック基体１１
を破損させる恐れがあるからであり、逆に、応力緩和材
３の熱膨張係数が、セラミック基体１１との熱膨張差で
ある２×１０^-6／℃より小さいと、外部端子２の外周壁
２ｂが内側へ変形しようとするのを拘束する効果が小さ
いために、導通不良を生じる恐れがあるからである。

【００２４】なお、具体的には熱膨張差が２×１０^-6／
℃以下となるように、セラミック基体１１と同様にアル
ミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素のいずれか一種を主
成分とするセラミックスを用いれば良く、好ましくはセ
ラミック基体１１と同じ主成分を有するセラミックス、
さらに好ましくはセラミック基体１１と同組成のセラミ
ックスにより形成すれば良い。

【００２５】また、外部端子２の外周壁２ｂの厚みｔと
応力緩和材３の直径Ｌとの比率が１：２未満では、接合
部に発生する熱応力を緩和する効果が乏しいため、比率
は１：２以上と厚みｔをできるだけ薄くすることが好ま
しい。

【００２６】さらに、外部端子２の材質としては耐酸化
性が高く、上記セラミック基体１１との熱膨張差が６×
１０^-6／℃以下の金属を用いることが必要である。これ
は、熱膨張差が６×１０^-6／℃を越えると、外部端子２
に中空部２ａを設け、該中空部２ａに応力緩和材３を挿
嵌したとしても、セラミック基体１１と外部端子２との
熱膨張差が大きすぎるためにロウ付け直後にセラミック
基体１１の下穴１１ｂにクラックが発生するからであ
る。

【００２７】具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金等を用いることができる。これらの合金は、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の熱膨張係数が８×１０^-6Ω・ｃ
ｍ、Ｆｅ−Ｎｉ合金の熱膨張係数が１１×１０^-6Ω・ｃ
ｍと、表１にセラミック基体１１を構成するセラミック
スの熱膨張係数を示すように、両者の熱膨張差を６×１
０^-6／℃以下とすることができるとともに、耐酸化性に
優れるため、外部端子２の材質として好適である。

【００２８】また、セラミック気体１１と外部端子２と
を接合するロウ材１４、及び外部端子２と応力緩和材３
を接合するロウ材１５の材質としては、高温中で溶融、
液化を生じないものを用いる必要があり、具体的にはＡ
ｇ−Ｃｕ系、Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｇ系等のロウを用いれば良
い。

【００２９】

【表１】

【００３０】以上のように、本実施形態では、ヒータ電
極１２を埋設したウエハ支持部材１を例にとって説明し
たが、本発明はヒータ電極１２と電気的に接続される外
部端子２だけに適用されるものではなく、例えば、静電
吸着用やプラズマ発生用の電極を備えたウエハ支持部材
であって、熱サイクルが加わる時には上記静電吸着用電
極やプラズマ発生用電極と電気的に接続される外部端子
にも好適なものである。

【００３１】（実施例１）外部端子２の材質を変えると
ともに、外部端子２の中空部２ａに応力緩和材３を設け
たものと設けていないウエハ支持部材１をそれぞれ用意
し、熱サイクル試験を行ったあとの外部端子２の接合状
態について測定した。

【００３２】本実験ではウエハ支持部材１を構成するセ
ラミック基体１１として、ＡｌＮ含有量が９９．９重量
％以上の窒化アルミニウム質セラミックスを用いた。

【００３３】この窒化アルミニウム質セラミックスから
なるウエハ支持部材１は、一次原料であるＡｌＮ粉末を
メタノールに混合して平均粒径１μｍ程度に粉砕した
後、１０％の有機バインダーを添加することにより泥漿
を得た。そして、この泥漿をドクターブレード法により
複数枚のグリーンシートを形成し、そのうち数枚積層し
たグリーンシート上にＷＣのペーストを印刷して配線パ
ターンを敷設したあと、残りのグリーンシートを積層し
てグリーンシート積層体を製作した。しかるのち、円板
状に切削加工を施したあと、窒素雰囲気にて２０００
℃、５時間程度の条件で焼成することで直径２００ｍｍ
程度のセラミック基体１１を得た。

【００３４】なお、得られたセラミック基体１１は比重
が３．２６ｇ／ｃｍ³と理論密度に対して十分な焼結密
度を有しており、その熱膨張係数は５×１０^-6／℃であ
った。

【００３５】次に、上記セラミック基体１１の上面に研
磨加工を施して保持面１１ａを形成するとともに、下面
に下穴１１ｂを穿孔し、該下穴１１ｂに外部端子２をＣ
ｕ−Ａｇ−Ｔｉ系のロウ材を用いてロウ付け固定した。

【００３６】外部端子２の寸法は、外径６ｍｍ、長さ１
５ｍｍ、中空部２ａの内径３ｍｍ、深さ８ｍｍとし、材
質として以下に示す４種類の金属を用いた。

【００３７】Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金熱膨張率８ ×１０^-6／℃ Ｆｅ−Ｎｉ合金熱膨張率１１ ×１０^-6／℃ ステンレス（ＳＵＳ３０４）熱膨張率１３．５×１０^-6／℃ タングステン（Ｗ）熱膨張率５．２×１０^-6／℃ また、応力緩和材３には、上記セラミック基体１１と同
じ窒化アルミニウム質セラミックスからなり、長さ８ｍ
ｍ、外径３ｍｍのものを使用した。

【００３８】そして、これらのウエハ支持部材１を用い
て、ＰＶＤ装置中で、常温から５５０℃の熱サイクルを
５０回加えた後の接合部における通電不良の有無とセラ
ミック基体１１の破損の有無を測定した。

【００３９】それぞれの結果を表２に示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】この結果、表２より判るように、応力緩和
材３のないものは、外部端子２の外周壁２ｂが中空部２
ａ側に変形して接合部に隙間が発生して通電不良を生じ
た。また、応力緩和材３の有るものでも、外部端子２と
セラミック基体１１との熱膨張差が６×１０^-6／℃より
大きいものでは、外部端子２の接合時にセラミック基体
１１にクラックが発生した。

【００４２】さらに、外部端子２としてタングステンを
用いたものでは、耐酸化性が悪く実用上使用不可能であ
った。

【００４３】これに対し、外部端子２とセラミック基体
１１との熱膨張差が６×１０^-6／℃以下であり、かつ応
力緩和材３を備えたものは、いずれもセラミック基体１
１にクラックを生じたり、導通不良を生じることがな
く、安定した通電が可能であった。

【００４４】（実施例２）次に、外部端子２の材質をFe
-Ni-Co合金とし、外部端子２の中空部２ａに直径Ｌの異
なる応力緩和材３を挿嵌した図１のウエハ支持部材１を
用意し、ＰＶＤ装置中で、常温から５５０℃の熱サイク
ルを加えた時の耐久性について測定を行った。なお、セ
ラミック基体１１及び応力緩和材３には実施例１と同じ
窒化アルミニウム質セラミックスを用いた。

【００４５】結果は表３に示すように、外部端子２の外
周壁２ｂの厚みｔが応力緩和材３の直径Ｌに対して薄く
なるにつれて、耐久性を高められることが判る。そし
て、外部端子２の外周壁２ｂの厚みｔと応力緩和材３の
直径Ｌとの比率が１：１以上あれば５０サイクル以上の
耐久性があり、１：２以上あれば２００サイクル以上の
熱サイクルにも耐え得るものとできることが判った。

【００４６】

【表３】

【００４７】（実施例３）次に、セラミック基板１１と
応力緩和材３をアルミナセラミックスで形成し、その他
は実施例１と同様にしてウエハ支持部材１を試作した。

【００４８】本実験ではウエハ支持部材１を構成するセ
ラミック基体１１として、Ａｌ₂Ｏ₃含有量が９９．９
重量％のアルミナセラミックスを用いた。

【００４９】このアルミナセラミックスからなるウエハ
支持部材１は、一次原料であるＡｌ₂Ｏ₃粉末を水に混
合して平均粒径０．５μｍ程度に粉砕した後、１０％の
有機バインダーを添加することにより泥漿を得た。そし
て、この泥漿をドクターブレード法により複数枚のグリ
ーンシートを形成し、そのうち数枚積層したグリーンシ
ート上にＷＣのペーストを印刷して配線パターンを敷設
したあと、残りのグリーンシートを積層してグリーンシ
ート積層体を製作した。しかるのち、円板状に切削加工
を施したあと、大気雰囲気にて１６８０℃、５時間程度
の条件で焼成することで直径２００ｍｍ程度のセラミッ
ク基体１１を得た。

【００５０】なお、得られたセラミック基体１１は比重
が３．９ｇ／ｃｍ³と理論密度に対して十分な焼結密度
を有しており、その熱膨張係数は７．１×１０^-6／℃で
あった。

【００５１】次に、上記セラミック基体１１の上面に研
磨加工を施して保持面１１ａを形成するとともに、下面
に下穴１１ｂを穿孔し、該下穴１１ｂに外部端子２をＣ
ｕ−Ａｇ−Ｔｉ系のロウ材を用いてロウ付け固定した。

【００５２】外部端子２の寸法は、外径６ｍｍ、長さ１
５ｍｍ、中空部２ａの内径３ｍｍ、深さ８ｍｍとし、材
質として以下に示す４種類の金属を用いた。

【００５３】Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金熱膨張率８ ×１０^-6／℃ Ｆｅ−Ｎｉ合金熱膨張率１１ ×１０^-6／℃ ステンレス（ＳＵＳ３０４）熱膨張率１３．５×１０^-6／℃ モリブデン（Ｍｏ）熱膨張率５．８×１０^-6／℃ また、応力緩和材３には、上記セラミック基体１１と同
じアルミナセラミックスからなり、長さ８ｍｍ、外径３
ｍｍのものを使用した。

【００５４】そして、これらのウエハ支持部材１を用い
て、ＰＶＤ装置中で、常温から５５０℃の熱サイクルを
５０回加えた後の接合部における通電不良の有無とセラ
ミック基体１１の破損の有無を測定した。

【００５５】それぞれの結果を表４に示す。

【００５６】

【表４】

【００５７】この結果、実施例１と同様に、応力緩和材
３を持たないものは、外部端子２の外周壁２ｂが中空部
２ａ側に変形して接合部に隙間が発生して通電不良が発
生し、応力緩和材３を備えたものでも、外部端子２とセ
ラミック基体１１との熱膨張差が６×１０^-6／℃より大
きいものでは、外部端子２の接合時にセラミック基体１
１にクラックが発生した。

【００５８】さらに、外部端子２としてモリブデンを用
いたものでは、耐酸化性が悪く実用上使用不可能であっ
た。

【００５９】これに対し、外部端子２とセラミック基体
１１との熱膨張差が６×１０^-6／℃以下であり、かつ応
力緩和材３を備えたものは、いずれもセラミック基体１
１にクラックを生じたり、導通不良を生じることがなか
った。

【００６０】（実施例４）さらに、外部端子２の材質を
Fe-Ni-Co合金とし、外部端子２の中空部２ａに直径Ｌの
異なる応力緩和材３を挿嵌した図１のウエハ支持部材１
を用意し、ＰＶＤ装置中で、常温から５５０℃の熱サイ
クルを加えた時の耐久性について測定を行った。なお、
セラミック基体１１及び応力緩和材３には実施例３と同
じアルミナセラミックスを用いた。

【００６１】結果は表５に示すように、外部端子２の外
周壁２ｂの厚みｔが応力緩和材３の直径Ｌに対して薄く
なるにつれて、耐久性を高められることが判る。そし
て、外部端子２の外周壁２ｂの厚みｔと応力緩和材３の
直径Ｌとの比率が１：１以上あれば５０サイクル以上の
耐久性があり、１：２以上あれば２００サイクル以上の
熱サイクルにも耐え得るものとできることが判った。

【００６２】

【表５】

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一主面
をウエハの保持面とするセラミック基体の内部に電極を
備えてなり、該電極を導出する金属製の外部端子を上記
セラミック基体に設けた下穴にロウ付けしてなるウエハ
支持部材において、上記セラミック基体と外部端子との
熱膨張差を６．０×１０^-6／℃以下とするとともに、上
記外部端子の接合側の端面に中空部を設け、該中空部に
前記セラミック基体と同程度の熱膨張係数を有する応力
緩和材を挿嵌せしめたことにより、熱サイクルが加わっ
てもセラミック基体を破損させたり、通電不良を生じる
ことがない。

【００６４】また、本発明によれば、外部端子を耐酸化
性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金又はＦｅ−Ｎｉ合金に
より形成してあることから、高温に曝されたとしても腐
食することがない。

【００６５】その為、長期間わたって安定した通電が可
能なウエハ支持部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】サセプタと呼ばれる本発明のウエハ支持部材を
成膜装置のチャンバー内に設置した状態を示す概略断面
図である。

【図２】本発明のウエハ支持部材における外部端子の接
合部を拡大した断面図である。

【図３】本発明のウエハ支持部材における外部端子と応
力緩和材を示す斜視図である。

【図４】サセプタと呼ばれる従来のウエハ支持部材を成
膜装置のチャンバー内に設置した状態を示す概略断面図
である。

【図５】従来のウエハ支持部材における外部端子の接合
部を拡大した断面図である。

【図６】（ａ）（ｂ）は従来のウエハ支持部材における
外部端子の接合部における不良の状態を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・ウエハ支持部材、２・・・外部端子、２ａ・・
・中空部、２ｂ・・・外周壁、３・・・応力緩和材、１
１・・・セラミック基体、１１ａ・・・保持面、１１ｂ
・・・下穴、１２・・・ヒータ電極、１３・・・筒体、
１７・・・Ｏリング、１８・・・チャンバー、２２・・
・熱電対、２３・・・測温用光ファイバー２３、３０・
・・ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一主面をウエハの保持面とするセラミック
基体の内部に電極を備えてなり、該電極を導出する金属
製の外部端子を上記セラミック基体に設けた下穴にロウ
付けしてなるウエハ支持部材において、上記セラミック
基体と外部端子との熱膨張差を６．０×１０^-6／℃以下
とするとともに、上記外部端子の接合側の端面に中空部
を設け、該中空部に前記セラミック基体と同程度の熱膨
張係数を有する応力緩和材を挿嵌せしめたことを特徴と
するウエハ支持部材。
【請求項２】上記外部端子の材質が、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ
合金又はＦｅ−Ｎｉ合金であることを特徴とする請求項
１に記載のウエハ支持部材。