TW425593B - Apparatus for retaining a substrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same - Google Patents

Description

425593 A7 B7 绥濟部智慧时.4场8工消黄合作社印裝 五、發明説明（） 發明領域： 本發明係關於 '一半導體晶圓處理系統，特別是一種於 半導體晶圓處理系統中用以固定基材的電吸附/5-(electrostatic chuck) 3 發明背景： 靜電吸附座（electrostatic chuck)係在製程系統（例如 物理氣相沈積系統、化學氣相沈積系統以及蚀刻系統） 中，以靜電吸力固定基材（例如一半導體晶圓）。在一篇由 Toshiya Watanabe等人所申請，1992年5月26曰獲准， 且標題為"METHOD OF AND APPARATUS FOR APPLYING VOLTAGE TO ELECTROSTATIC CHUCK，，的美國專利 (5 1 1 7 1 2 1)中，例。靜電吸附 座一般包含一片或一塊嵌有一對電極的介電材料，該介電 材料例如伐化鋁I化合物（aluinina-:ti.tanium oxide Π 9 m n n 1LH il 1、、化 01 u-Πΐ i num二、聚醯』产胺 (R2lX.imide)以及其類似物質。根據Johnsen-rahbek效應或 是庫偷（c 〇 u 1 〇 m b i e)效應，當電壓施加於電極上時，基材就 會被靜電吸附在此靜電吸附座上。 為了在半導體晶圓處理系統的真空腔體中以靜電力 固定一晶圓，此靜電吸附座的珣瓷..體係直接 固定（例如藉由螺检）於一否ϋ献製淹上，此陶免 .體及金屬座具有不同的辨L脹數，而且因為陶瓷禮及金屬 座在製程中會歷經熱處理製程(thermaL πο.^)，所以 第4頁 ^5：尺度適用中國國家標芈（CNS ) ,\4^格(< 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再一,、；本頁) 裝. 訂 線 42559 3 五、發明説明（） —- 陶瓷體及金屬座會有不同的熱膨脹。不同的熱膨脹再加上 陶瓷體係直接固定於金屬座上’會導致陶瓷體的崩裂，同 (請先閱讀背面之注意事項再{ ‘本頁 時伴隨的是損失昂貴的陶瓷靜電吸附座。若更嚴重’則會 在陶瓷體崩裂時，導致製程中靜電吸附座上部份的晶圓損 壞。 ' 線 經濟部智慧財夜苟S工消#令作社印製

另外，在許多使用電漿輔助製程（p丨asma enhanced proq^trgT的半導體晶圓處理系統中，此金屬座係施加一 射频偏壓，所以此金屬座支撐的晶圓亦施加一相對於電漿 的偏壓。為了有效地對晶圓施加偏壓’此射頻能量係藉由 此靜電吸I座.耦..金莫兹^^^晨。因此，當耦合射 頻能量時，部份的射頻能量會耗損於陶瓷部份以及電極 上。為增加射頻能量耦合至晶圓的量，需將偏畜_^^碑.上 至蛛，斥不是私加泌^晨j。因 此，需要一嵌於陶瓷體中的高電流容量電極。將相當大且 相當厚的電極（即為可攜帶高電流容量電極）以及相當大的 饋槽（feedthrough)嵌入至此靜電吸附座的陶瓷體以傳送射 頻能量，可以達成上述目的。然而，這樣的靜電吸附座會 導致陶資;體因射頻電流而發熱，此發熱現象亦會導致陶瓷 體的职裂》為改善靜電吸附座中的受熱梯度（thermal gradient)以及避免陶瓷部份的崩裂，此陶瓷體必須相當地 厚。然而’陶瓷體做得越厚，耗損於陶瓷部份的射頻能量 .说越多’同時’藉由施加射頻能量至射頻電極而非金屬托 架所獲得的好處也跟著減少。、 V 因此，f要一種陶瓷部份你當瀵，辩.頻％桠相錄靠近 ..... .' ---- 第5頁 本紙張尺度通财酬家標率（CNS U4規格U1QX297公楚） 425593 經濟部智慧財4'"R工消費合作仕印製 Α7 Β7 五、發明説明（） 晶圓、以及藏減*爲屬架』ped|Ls.ta1)的靜 ,.雷吸附座。 ‘ 發明目的及概述： 靜電吸附座包含一具有夾取電極（chucking elecm〇de)的陶 瓷體，此陶瓷體係嵌於作為射頻電極的金屬支撐（backin笔） 部份。整個陶瓷體、夾取電極以及金屬支撐部份的組合係 以.單一的燒 '纟^步驟所製成。此金屬支撐部份係設計成可直 接固定於一金屬托架，且此金屬支撐部份具有至少一個由 其延伸出來的孔洞。此陶t體包含至少一個延伸貫穿此孔 洞的部份。至少一個金屬電極嵌於此陶瓷體且和此金屬支 撐部份相隔離，至少一個與金屬電極為一體成形之金屬饋 槽（feedthrough)，嵌於陶资體中且延伸到貫穿金屬支撐部 份之孔洞的陶瓷部份。 在本發明中，此靜電吸附座的製造過程包含：同時 燒結陶瓷粉末以及金屬粉末以形成陶瓷體和金屬支撐部 份，以及成一整體的金屬電極及金屬饋槽。選擇熱膨脹係 數大致相同疋陶竞粉末及金屬粉末’然後在高溫高恩下同 時進行燒結以形成此數種材質之間的晶粒邊界键結’此鍵 結可使陶资體結合於整個界面的金屬支撐部份，以及使金 屬電極與金屬鎖槽嵌入於陶瓷體之中，於是，整個靜電吸 附座便製作完成。 使用本發明之靜電吸附座的基材處理裝置（例如 ________第 3肓_ 表紙張尺度^用^國國家標準（CNS ) Λ4規格--------- » * nn ^^^1 ^^^9 ^ϋυ —^ϋ - I - mV -- ,. i ^ T i -- -I : - . i 务 (請先聞讀背面之注意事項κ/ r本頁) ( 2559 3 A7 B7 五、發明説明（ m 濟 部 智 慧 η ί 局 f 合 社 印 % P V D裝置' c v D裝置、離子植入裝置以及半導體晶圓姓刻 裝置）’可以藉由傳統的螺拴（b〇U)、其他固定物（fastener) 或夾鉗（damp)將靜電吸附座固定於金屬托架 “全蟬杯.恕『，其具有抵ϋ尥鈦 膨脹係數，而且由氬„膨脹复數弟異j ^ ’另外’為形成—距離晶圓相同距離之射頻偏 壓電極，可施加偏壓於此金UH备。如此，陶瓷部份 就不須為了散逸射頻偏壓電極產生的熱能而做得太厚。此 外，為了有效地耦合射頻能量於其上，此電極（金屬支攆 #份)亦相當靠近於此晶圓’ 瓷部份中’所以流經射頻電應惠射瓷部 份發高熱。 圖式簡單說明： 本發明之詳細說明伴隨下列的圖示將更易於了解。 第ί.圖係本發明之靜電吸附座的掎視圖。 第2 ..圖係沿著第！圖中2_2剖面線（箭頭觀之）的剖面圖。 第3圖係一使用本靜電吸附座之ud半導體晶圓處理裝 置的剖面。 圖號對照說明 10 靜電吸 14 陶瓷體 16 底部 附座 12 金屬支,撐部份 15 頂部 20至23固定孔洞 t------ 第 7頁 本躲尺度剌f 請先閲讀背面之注意事項Χ+;本瓦') 裴 .訂 線 425593 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 A7 _______B7 五、發明説明（） 24、 25 孔 洞 26 上 部 27 ' 28 中 空 柱狀 元件 40 PVD 晶 圓 處 理 系 統 42 封 閉 腔 體 43 側 壁 44 底 部 45 沈 積 腔 體 46 氬 氣 48 靶 材 49 ' 50 固 定 裝置 52 負 直 流 電 壓 供 應 器 54 托 架 55 金 屬 底座 5 6 金 屬 管 58 ' 59 螺 栓 60 直 流 電 壓 供應 器 61、 62 導 線 56 中 空 金 屬 管 64 沈 積 環 66 沈 積 擋 板 68 遮 蔽 環 70 半 導 體 晶 圓 7 2 抽 氣 幫 浦 74 射 頻 源 供應 器 發明詳細說明： 第1圖與第2圖係描述本發明之靜電吸附座10的實 施例1此靜電吸附座1 0包含一金屬支撐部份1 2(或是支撐 盤）以及低阻值材質的物體（例如陶瓷體14)。此陶瓷體1 4 係以下列方式嵌於金屬支撐部份1 2中。此金屬支撐部份 1 2 —般是個碟型的金屬物體，此碟型的金屬物體包含頂部 1 5、底部1 6以及數個固定孔洞（例如貫穿其中的四個孔洞 20、2 1、22及23)，孔洞20至23係用以容納螺合元件（例 如螺栓），藉由此螺合元件可使金屬.支撐部份1 2淚於第3 圖中的金屬座（描述於下）1同時連帶地使靜電吸附座1 〇 __ ____ 第 8頁 _—------ 卷紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格UiO X297公釐） 11 - I. — ,—1 杜衣 ，訂 線 (請先閔讀背面之注意事項再';本頁) f A7 -425593 五、發明説明（） '〜〜 嵌梦此金屬座。此金屬支撐部份12亦包含—對孔山4氣 25/其由頂部15延伸至底部16而貫穿。此陶党材料的物 體14包含一個大致為碟型的上部26以及兩個一體成形且 .垂玄.立下毯_1 申的元 圖可知’金屬饋槽（feedthn)ugh)33、34係嵌於較體Η 之上部26中，且部份的金屬饋槽33、34係&於中空枝狀 元件27與28之中。 此靜電吸附i 10 &含—對大致為半月形的金屬電極 3^、（3 以及兩個實心的柱狀金屬饋槽33、34，其中金屬 電極30與31係嵌於陶资體14的上部26’柱狀金屬饋槽 33、34分別與金屬電極3〇與31成—整體結構，且由中空 柱狀元件27、28的中心向下延伸。第2圖中值得注意的 是金屬饋槽33、34的一部份係嵌於陶瓷體丨4的上部26 之中，而另一部份則位於陶瓷體】4的中空柱狀元件27、 28中。 根據本發明的製造過程，此靜電吸附座係燒結成 單片且可整塊分解，如以下以及第3圖所述的，亦是可射 頻偏壓的靜電吸附座。 經濟部智慧財—局員工消費合作社印製 根據本發明，此靜電吸附座1 〇的製造過程係將金屬 粉末燒結以形成金屬支撐部份丨2、金屬電極3〇、3 1以及 金屬饋槽3 3、3 4，並且同時將陶瓷粉末燒結以形成陶瓷體 1 4。為避免金屬支撐部份八Μ陶瓷體【1 4^間的 異，用於燒結的粉 > 末必須選擇具有大致相 同的熱Ji—释例如，此金屬粉末可選擇熱膨脹係數約 本紙張尺度賴中國國家^^⑽）从祕（Ή〇χ^97公釐） ~ — -425593 Α7 Β7 五、發明説明（） ----------裝-- I · (請先閱讀背面之注意事項真I Γ本頁) 為5.2 X 10'6/Κ°的_^m〇iybdenum)粉末，而此陶瓷粉末可 選擇熱膨脹係數约為4.4 X ι〇·6/κ。的%^!^811111^1111111-nitride)粉末。此鉬粉末與氮化鋁粉末係置於一適當的鑄模 (mold)中’以產生如第1圖與第2圖所示的上述形狀。將 此鉬粉末與氮化鋁粉朱同時於攝氏1 2 〇 0度的溫度、以及 壓力約為1 0到1 〇 〇 B a r的條件下進行燒結，在燒結過程中 燒結粉末的晶粒邊界（grain boundary) 為 燒《ilik Ju^也與氬化鋁粉末之間的結合.„力。這將會使得陶 - 年於橫跨整個界面的全凰*樘部份二2_° 雖然在此較佳實施例中，此靜電吸附座係完全由燒結 而成的’但是在其他實施例中包含實心電極，以及在燒結 之前插入於陶瓷粉末中的個別饋槽。此蕷先形成的電極係 由鉬金屬薄板所形成的，或是由金屬網狀物（me.sh)所構 成。在熱循環（thermal eye ling)製程時，這類的薄板或網狀 物不會對陶竟部份造成過度的物理應力。 線 經濟部智慧財1^7¾工消費合作社卬製 金屬支撐部份12的厚度約為〗2釐米，陶瓷體14的 厚度約為3釐米，通常陶瓷體I 4的厚度比金屬支撐部份 1 2的厚度還薄。相較於習知技術中陶瓷體厚度為1 2至2 5 釐米的靜電吸附座來說，減少陶瓷的厚度可降低當射頻能 量經由陶瓷施加至晶圓時的損失。對於一個具有罐β過射 頻電極的習i爽取^.說，其陶瓷部份必須夠厚才能使 嵌入式射頻電極產生.的接，才能降低夾取裝置上的 熱梯度（thermai gradient)，能裂。然而 本發明_.氣接分的 ____ 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )|Λ4規格ί 210X297公楚） 42559 3五、發明説明（ A7 B7 經濟部智慧財^'局員工消費合作社印製 背面’所以陶受部份並不會被流經射頻電極的射頻電流所 加熱，而iL當固定於金屬托架日寺，此金屬托架可作為改善 陶党部份溫度分佈的散熱裝置（heat sink卜總之，本發明 之靜電吸附座的陶瓷部份係較習知的夾取裝置為薄。 第3圖係描述—PVD·晶圓處理系統4〇的橫截面結 構’此處理系統4 〇包含本發明的靜電吸附座1 〇。可以了 解的是本發明並不僅限定於PVD系統，且亦包含CVD系 統及蚀刻裝置’或是其他可使用本發明之靜電吸附座的裝 置。此處理系統4 0包含一個通常為中空、柱狀的圍壁4 2 , 此柱狀的園壁42又包含構成一沈積腔體45，通常為柱狀 的側壁43以及一體成形的底部44。此腔體内含有可離子 化的氣體（例如氬 <)。欲沈積物的把材（target)48，例如鈥 (titanium)，藉由適當的絕緣固定裝置49與50固定於圍壁 (enclosure)42的上方，藉由以柱狀側壁43為接地端，一 負直流電壓供應器5 2連結於此靶材4 8與柱狀側壁4 3之 間。此負直流電壓供應器5 2可於靶材4 8與腔體接地部份 之間建立一電場，此電場可將氬氣46解離成帶正電的氬 離子Ar+。包含金屬底座55的金屬托架54以習知技術固 定於圍壁42的底部。一中空金屬管56連結於金屬底座 5 5，此金屬底座5 5與金屬管5 6可以是由例如不.銹鋼材料 所構成的" 本發明藉由螺合元件54或是螺栓58、59將金屬支搏 部份1 2連結於金屬托架5 4，然後以此方式將靜電吸附座 1 〇直接連結於金屬托架5 4。可選擇性地將此金屬支撐部 第11頁_______ 本纸張尺度適用申國國家標準（CNS ) A4規格(:210 X 29"7公釐） (請先閎讀背面之注意事項1 ;「本頁) 裝· -丁 - -5 線 42559 3 A? B7 經濟部智慧財凌苟wk工消費合作社印製 五、發明説明（） 份1 2的周圍以金屬托架5 4夾住。提供一直流電壓供應器 60 ’然後由此直流電壓供應器60延伸出來的導線 (lead)61、62 ’經由中空金屬管56以及金屬托架54延伸 至金屬馈槽33、34« —適當的沈積環64置於金屬支撐部 份1 2周圍的頂部1 5上（亦如第二圖所示），並由陶瓷體1 4 向周圍延伸。一適當且通常為環型的沈積擋板（shield) 66， 藉由遮蔽環（shadow ring)68連結於圍壁42的内部上方以 及沈積環64。此沈積環64、沈積擋板66以及遮蔽環68 如同習知技術般，係用以避免不必要的沈積物沈積於柱狀 壁43、金屬支撐部份1 2以及陶瓷體1 4的内侧。 在此實施例中，藉由下列步驟將一半導體晶圓幻〇 .置 於靜電吸附座〖1 CM之上：降下金屬托架备土^然後藉由位於 反應腔體之一側的狹縫閥（slit valve)將半導體晶圓70置 於此靜電吸附座1 0之上。然後將此金屬托架5 4舉升至處 理位置（第3圖所示），然後電源供應器60經由金屬饋槽 33、34施加直流電壓於金屬電極3〇、31之上。根據 Watanabe專利所揭露的j〇hnsen-Rahbek效應，此半導體 晶圓7 0會被一適當的柚氣 幫浦.72用於沈積腔體45的排氣；一適當的射頻電源供應 器X 74 ▲結於点狀金屬管路泛y與接地端之間，如上所述， 射頻電源係趣合於此靜電吸附座1 〇的柱狀金屬管路5 6 金屬托Μ 5 4/χ及金屬支撐部份1 2。因此，此靜電吸附座 1 〇係一可射頻偏壓之靜電吸附座。 、 操作時，此直流電壓供應器52建立上述電場以將氣 本纸張尺度適用中ϋϋ·準（CNS)滅^77^ 297公趁) (錆先閲讀背面之注意事項i ?本頁) 裝 丁 ,-'ρ- 線 425593 A7 ____B7 _______ 五、發明説明（） 氣46離子化，然後產生帶正電荷的氬離子（Ar + )，此帶正 電荷的氬離子會被負偏壓的乾材48所吸引。此帶正電荷 的氬離子會撞擊靶材4 8，使部份的靶材移除然後沈積於此 半導體晶圓70的上表面。此射頻電源供應器74提供靜電 吸附座1 0以及半導體晶圓70的射頻偏壓，眾所皆知的， 此射頻偏壓可增強電漿以及沈積效率》 以下對本發明之靜電吸附座1 〇的鉍作一簡短的總 結’包含：陶瓷體1 4夠薄，所以可降低敏頻勞黾的耗j員， 尽及滅彳Ϊ頻電J供應.器之^ t恩專；將靜電吸附座1 0 固定於金屬托架以，係藉由盒^上撐^ 1丄v而不是藉 由丄4 1如此可以克服陶瓷體與金屬托架之間熱膨脹 係幕，輪㈣題；分別以相同熱膨脹係數之金屬粉末及陶 瓷粉末燒結成金屬支撐部份〗2與陶瓷體14，如此可以消 良胤·氣雜“^展JL啟〇 雖然在本發明中，上述的實施例係針對一具有半月形 電極之·靜電吸附座而言，然而本發明之電極的形狀與數量 並不限於此。此電極可以是任何形狀或是任何尺寸，而且 其數量可由單一電極之單極（m〇n〇p〇lar)靜電吸附座變化 經濟部智慧財產局ϊ®工消費合作Ti印災 I - - - - I- I— In ....... . . I......+I (請先閔讀背面之注意事項再ί·''ν本頁) 線 至具有數個電極，用以帶狀(z〇nal)吸附晶圓的靜電吸附 座。 任何不違背本發明之精神的變化及改良皆應包含在 本發明之範轉内。 ________第 13 頁 本纸乐尺度適用t國國家標準 ( CNsTmKTI 10X29?^^ )

Claims (1)

1. ^25593 A8 B8 CS D8 申請專利範圍 1. 一種固定基材之您3,該基材例如為丰導體晶圓’該裝 置至少包含： 導電體； 低阻值體 該導電體上 電體； 至少一個電極位於該低阻值體之該第—部分，且與 該導電體隔離； ' 一電性連結器連結於該電極，該電性連結器的第一 部分延伸穿過該低阻值體之該第一部分的部分，該 性連結器的第二部分延伸穿過該低阻值體之該第二 分’且該電性連結器與該導電體隔離· 2，如申請專利範圍第！項所述之(裝㉟，其中上述導電體 由燒結過的第一金屬所構成，其中上述低阻值：係 燒結過的陶竞材料所構成，其中上述電極係由燒結 的第二金屬所構成，其中上述電性連結器係由燒結 的第三金屬所構成，其中上述燒結過的陶瓷材料與 述燒結過的金屬具有大約相同之熱膨脹係數·。、 該低阻值體之第一部分位於至少部分的 且該低阻值體之第二部分延伸穿過該導 電 由 過 上 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 Φ~·\ a ' 未 頁 裝 訂 線 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 3_如申請專利範圍第2項所述之装置，其中上述第一金 屬、第二金屬以及第三金屬係燒結過的韵 (molybdenum)，.其中上述燒結過的陶资材料係燒結過 的氮化紹（aluminum-nitride) · 4‘如申請專利範圍$ 1項所述之皇f ’其中上述導電體係 *燒結過的第-金屬所構成，其中上述低阻值體係由 燒結過的陶刪所構成’且其中上述燒結過的陶宪 第14頁 8 8 8 8 ABCD 4^5593 六、申請專利範圍 材料與上述燒结過的第一金屬具有大約相同之熱膨脹 係敦為 (請先閲讀背面之注意事項再'^^'本頁) 5. 如申請專利範圍第4項所述之徵晃j，其中上述電極係一 金屬平板或一金屬網狀物（mesh)4 6. —靜電吸附座，用以靜電吸附一半導體晶圓，該靜電吸 附座至少包含： 一金屬體，包含一頂部與一底部，具該金屬體具有 至少一個垂直於該底部的孔洞，該孔洞自該頂部貫穿 並延伸該底部； 一陶瓷體，包含一上部’該上部位於至少部分的該 金屬體上’該陶瓷體亦包含一個中空柱狀部份，該中 $柱狀邵份係一趙成形’且向下垂直延伸貫穿形成於 該金屬體之該孔洞； 至少一個電極，該電極係嵌於該陶瓷體的該上部， 且隔離於該金屬體；且 經濟部中夬標隼局員工消費合作社印装 至少一個金屬饋槽（feedthrough)，該金屬馈槽由該 電極垂直向下延伸’該金屬饋槽係部份嵌於該陶竞體 的該上部’且該金屬饋槽係部份嵌於該陶瓷體的該中 空柱狀部份，和該中空柱狀部份為同心圓並向下延 伸，且該金屬饋槽未與該金屬體接觸。 7 ·如申請專利範圍第6⑹所述之靜電毯附《·^;其中上述金 屬體具有至少兩個孔洞，該孔洞自頂部垂直延伸自底 部，上述陶瓷體包含至少兩個中空柱狀元件，每 中空柱狀元件係一體成形，且藉由上述金屬體的該孔 洞個別向下垂直延伸，其中上述電極包含至少@ @ $ 第15頁 本紙张尺度適用中國國家揉牟（<：阳）六4規^格（21(^297公釐） 425593 会88 C8 ___________D8 六、申請專利範圍 極彼於上述陶完體的上述上部之中且與上述金屬體隔 離開來’上述金屬饋槽包含至少兩個金屬饋槽，該金 屬鎖槽由上述金屬電極經由上述柱狀部份垂直向下延 伸’且與上述金屬體隔離開來，上述至少兩個金屬饋 槽係用以連結該至少兩個電極至一吸附電塵源 (chucking v〇itage source). 8.如申請專利範圍帛6項所述之靜電吸附座，其中上述金 屬體係由燒結過的第一金屬所構成，其中上述陶瓷體 係由燒結過的陶瓷材料所構成，其中上述電極係由燒 結過的第二金屬所構成，其中上述金屬饋槽係由燒結 過的第二金屬所構成，其中上述燒結過的陶瓷材料與 上述燒結過的第一、第二及第三金屬具有大約相同的 熱膨脹係數* 9，如申请專利範圍第8項所述之靜電吸附座，其中上述第 一金屬、上述第二金屬以及上述第三金屬係鉬 (molybdenum) ’且上述陶瓷材料係氮化鋁㈤uminum· nitride) · .經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 1 0-如申請專利範園第8項所述之靜雷级附丨直，其中上述 金屬體具有第一厚度，上述陶瓷體的上述上部具有第 二厚度，且該第二厚度小於該第一厚度* 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項所述之靜雷吸附座，其中上述 第一厚度約為1 2mm，上述第二厚度約為3mm、 12 —種靜電吸附座，固定於一金屬托架上，該靜電吸附 _ 第16肓__ 本紙張尺度適用中國國家橾準{ CNS > A4規格（210X297^釐） "" 4 2 6 5 3 3 as . B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 座於底材處理過程中以靜電吸附底材，該底材例如為 半導體晶圓，該靜電吸附座至少包含： 一陶瓷體以及一金屬支撐物，該陶瓷體被固定於該 金屬支撐物，且該金屬支撐物係用以固定於一金屬托 架，該金屬支撐物具有至少一個延伸的孔洞，且該陶 瓷體具有至少一延伸部，該延伸部貫穿該孔洞； 至少一個金屬電極，該至少一個金屬電極係嵌於該 陶瓷體中，且與該金屬支撐物隔離； 至少一個金屬饋槽，該金屬饋槽與該至少一個金屬 電極為一整體結構，且該金屬饋槽嵌於並延伸該陶瓷 體的一部份且延伸到該孔洞中· 1 3 ·如申請專利範園第12項所述之靜電吸附座，其中上述 金屬支撐物具有至少兩個延伸的孔洞，上述陶瓷體具 有至少兩個延伸部，該延伸部貫穿該孔洞，上述至少 一個金屬電極至少包含兩個金屬電極嵌於上述陶瓷體 中，且與上述金屬支撐物隔離，上述至少一個金屬饋 槽包含至少兩個金屬馈槽分別與該至少兩個金屬電極 為整體結構’且該至少兩個金屬饋槽分別延伸經過該 至少兩部分之上述陶瓷體之該孔洞* 經濟部令央標準局員工消f合作社印製 14·如申請專利範圍第ι2項所述之靜電吸附座，其中上述 陶资體係由燒結過的陶瓷所構成，上述金屬支撐物係 由燒結過的第一金屬燒結所構成，上述至少一個金屬 電極以及上述至少一個金屬饋槽係由燒結過的第二金 屬所構成的整體結構’該燒結過的陶瓷 '該燒結過的 第~金屬以及該燒結過的第二金屬具有大約相同的膨 胳係數，且同時於溫度攝氏約為丨22度，壓力約為i 〇 _ 第17耳 本張適家揉準（CNS )八视^ ( 21()><297公着' ^ 1 425593 鉍 C8 D8 申請專利範圍 到1 0OBar下進行燒結，以使該燒結過的陶瓷與該燒結 過的第一金屬以及該燒結過的第二金屬產生結合_。 請 先 閏 讀 背 Si 之 注 意 事 項 再 1 5.如申請專利範圍第1 4項所述之靜電吸附座，其中上述 燒結過陶瓷係為氮化鋁（aluminum-nitride)，且上述燒 結過的第一金屬以及上述燒結過的第二金屬係為燒結 過的 4目（molybdenum) » 1 6.如申請專利範圍第所述之靜電吸附座，其中上述 金屬支撐物係連結於一射頻電源供應器，且上述陶免 體具有一厚度，該厚度足以降低射頻能量的損失。 訂 17·如申請專利範圍第16項所述之靜其中上述 陶瓷體的厚度約為3 mm，且上述金屬支撐物的厚度約 為 1 2mm » 18.—種製造靜電吸附座的方法，至少包含下列步驟： 燒结第一金屬粉末以形成一金屬體，該金屬體具有 —頂部及一底部，該金屬體具有至少一個由該頂部垂 直延伸至該底部的孔洞； 經濟郜中央櫺隼局員工消費合作杜印策 燒結第一陶瓷粉末以形成一陶瓷體，該陶資;體具有 一上部，該上部至少有一部份位於該金屬體之上，陶 瓷體更具有至少一個一體形成，且向下垂，直延伸的中 空柱狀元件，該中空柱狀元件延伸於該金屬體的該孔 洞之中； 燒結第二金屬粉末以形成至少一個金屬電極，該金 屬電極係歲於該陶瓷體的該上部，且與該金屬體隔 離；及 第18頁 本紙法尺度適用中國國家揉準（CNS )人衫兄格（2I0X297公釐） ABCD 425593 TV、申請專利把圍 支撐部份具有第一厚度，上述陶瓷體的上述上部係為 一類似碟型的陶瓷物體，上述陶瓷體的上述上部具有 第二厚度，且該第一厚度大於該第二厚度《Ρ 第21頁 本紙浪尺度適用中國國家揉隼（CNS ) A4規格（210X297公釐）