KR20170036165A - 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20170036165A
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강동주
김태환
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 진공을 이용한 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 지지 유닛은 플레이트; 및 플레이트 상에 돌출되어, 플레이트를 관통하는 진공 홀을 각각 포함하는 복수 개의 진공 핀을 포함하고, 복수 개의 진공 핀 각각은 기판과 접촉하는 기판 안착면을 포함한다.

Description

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE UNIT}
본 발명은 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 진공을 이용한 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘 칩에 지나지 않지만, 수천 만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항)을 포함하는 장치로서, 이 반도체 집적회로는 최종 완성에 이르기까지에는 사진 공정, 식각 공정, 증착 공정, 열처리 공정을 비롯한 수많은 제조 공정이 수반된다.
실리콘 단결정인 규소봉(잉곳:Ingot)은 수백 ㎛의 두께로 절단되어 그 한쪽 면이 거울같이 연마되어 실리콘 웨이퍼(Wafer)로 형성되는 데, 반도체의 집적회로는 실리콘 웨이퍼에 형성된다.
따라서, 안정적인 반도체 제조 공정을 수행하기 위해서는 반도체 제조 공정 중에 웨이퍼를 적절하게 고정시켜야 한다. 웨이퍼를 고정시키거나 이송시키기 위하여 사용되는 기판 지지 유닛으로는, 기계식 척, 정전기 척 또는 진공 척이 사용될 수 있다.
기계식 척은 그 지지표면에 대해 웨이퍼를 누르기 위해서 아암 또는 클램프를 갖고 있으며, 정전기 척은 웨이퍼와 금속 전극 또는 전극 쌍 간에 전압 차를 발생시키고 웨이퍼와 전극이 유전층에 의해 분리되도록 구성되며, 그리고 진공 척은 진공의 압력을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 흡착시키도록 구성된다.
반도체 칩 제조를 위한 기판 처리 공정 중에 발생되는 먼지, 이물질 혹은 부산물(이하, 파티클(particle)이라 약칭 함)은 웨이퍼가 안착되는 기판 지지 유닛의 안착면을 오염시킨다. 기판 지지 유닛의 안착 면이 오염된 상태로, 기판 지지 유닛의 안착 면에 웨이퍼가 안착될 경우, 디 포커스(Defocus)의 원인이 되어 반도체 생산에 막대한 손실을 초래한다.
웨이퍼와 기판 지지 유닛의 접촉면적을 최소화하는 경우, 상술한 디 포커스(Defocus)가 발생할 확률을 낮출 수 있다. 이에 따라, 반도체 칩 제조를 위한 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 반도체 칩 제조를 위한 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 지지 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 기판과의 접촉 면적을 최소화시킨 기판 지지 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 또 다른 과제는, 기판과의 접촉 면적을 최소화하면서도 기판의 편평도(flatness)를 높이고, 기판을 기판 안착면에 안정적으로 흡착시킬 수 있는 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상술한 기판 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛은 플레이트; 및 상기 플레이트 상에 돌출되어, 상기 플레이트를 관통하는 진공 홀을 각각 포함하는 복수 개의 진공 핀을 포함하고, 상기 복수 개의 진공 핀 각각은 기판과 접촉하는 기판 안착면을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 플레이트 상에 돌출된 복수 개의 지지 핀을 더 포함하고, 상기 복수 개의 지지 핀 각각은 상기 기판과 접촉하는 기판 지지면을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 기판 안착면과 상기 기판 지지면은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 지지 핀은 상기 플레이트의 가장자리와 인접하게 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀은, 상기 플레이트 상의 서클(circle) 라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 서클 라인은, 상기 플레이트의 내측에 배치된 제1 서클 라인, 상기 제1 서클 라인을 둘러싸는 제2 서클 라인, 상기 제2 서클 라인을 둘러싸는 제3 서클 라인 및 상기 플레이트의 가장자리에 인접하게 배치되고 상기 제3 서클 라인을 둘러싸는 제4 서클 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀 각각은 서로 동일 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀은, 제1 방향을 따라 연장되고 서로 평행한 복수 개의 선형 라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 플레이트와 상기 복수 개의 진공 핀은 탄화 규소(SiC)로 형성될 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리 영역을 포함하는 챔버; 상기 기판 처리 영역 내에 배치되고, 플레이트와 상기 플레이트 상에 돌출되어 상기 플레이트를 관통하는 진공 홀을 각각 포함하는 복수 개의 진공 핀을 포함하는 기판 지지 유닛; 및 상기 진공 홀과 연결되는 진공 펌프를 포함하고, 상기 복수 개의 진공 핀 각각은 기판과 접촉하는 기판 안착면을 포함하고, 상기 진공 펌프는 기판 안착면과 상기 기판을 흡착시키는 진공 압을 상기 진공 홀 내에 형성할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 플레이트 상에 돌출된 복수 개의 지지 핀을 더 포함하고, 상기 복수 개의 지지 핀 각각은 상기 기판과 접촉하는 기판 지지면을 포함하고, 상기 기판 안착면과 상기 기판 지지면은 동일 평면상에 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 지지 핀은 상기 플레이트의 가장자리와 인접하게 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀은, 제1 방향을 따라 연장되고 서로 평행한 복수 개의 선형 라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀은, 상기 플레이트 상의 서클(circle) 라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 유닛은 탄화규소(SiC)로 형성될 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지 유닛은 플레이트; 및 상기 플레이트 상에 돌출되어, 상기 플레이트를 관통하는 진공 홀을 각각 포함하는 복수 개의 진공 핀; 및 상기 플레이트 상에 돌출되어, 상기 플레이트의 가장자리와 인접하게 배치된 복수 개의 지지 핀을 포함하고, 상기 복수 개의 진공 핀 각각은 기판과 접촉하는 기판 안착면을 포함하고, 상기 복수 개의 지지 핀 각각은 상기 기판과 접촉하고, 상기 기판 안착면과 동일 평면을 형성하는 기판 지지면을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀과 상기 복수 개의 지지 핀은, 상기 플레이트 상의 복수 개의 서클(circle) 라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 서클 라인은, 상기 플레이트의 내측에 배치된 제1 서클 라인, 상기 제1 서클 라인을 둘러싸는 제2 서클 라인, 상기 제2 서클 라인을 둘러싸는 제3 서클 라인 및 상기 플레이트의 가장자리에 인접하게 배치되고 상기 제3 서클 라인을 둘러싸는 제4 서클 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 복수 개의 진공 핀은, 제1 방향을 따라 연장되고 서로 평행한 복수 개의 선형 라인을 따라 배치될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 있어서, 상기 플레이트와 상기 복수 개의 진공 핀은 탄화규소(SiC)로 형성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A선에 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 5는 도 4의 B-B선을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 12은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자나 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자나 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자나 구성요소를 다른 소자나 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자나 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자나 구성요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 발명의 실시예들에서는, 기판 지지 유닛이 진공 척(Chuck)인 것으로 가정하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 진공을 형성하는 다양한 종류의 기판 지지 유닛에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에서는, 기판이 원형의 웨이퍼(wafer)인 것으로 예를 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고, 사각형을 포함하는 .양한 향상의 웨이퍼에 적용 가능하다.
이하에서, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 도 2는 도 1의 A-A선에 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 지지 유닛(1)은 진공 핀(10) 및 플레이트(100)을 포함한다. 기판(W)은 플레이트(100)의 내측에 배치될 수 있다. 즉, 플레이트(100)의 직경은 기판(W)의 직경보다 다소 클 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
진공 핀(10)은 플레이트(100)의 상면에서 돌출되어 형성될 수 있다. 진공 핀(10)은 플레이트(100) 상에 복수 개 형성될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 진공 핀(10)이 플레이트(100) 상에 12 개 형성된 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 진공 핀(10)의 개수는 진공 핀(10)이 배치되는 플레이트(100)의 면적과, 플레이트(100) 상에 배치되는 기판(W)의 직경을 고려하여 필요에 따라 다양하게 선택될 수 있다.
진공 핀(10)은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 진공 핀(10)의 배치 밀도가 플레이트(100)의 내측에서는 높고, 플레이트(100)의 외측에서는 낮은 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 진공 핀(10)은 플레이트(100)의 상면 상에 다양한 배치 밀도를 가지고 배치될 수 있다.
진공 핀(10)의 형상은 도 1에 도시된 바와 같이, 플레이트(100)의 상면에서 바라봤을 때, 원형일 수 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 진공 핀(10)의 형상은 삼각형과 사각형을 포함하는 다각형의 형상일 수 있다.
진공 핀(10)은 플레이트(100)를 관통하는 진공 홀(h)를 포함할 수 있다. 진공 홀(h)은 후술하는 기판 처리 장치의 진공 펌프의 펌프 라인과 연결되어, 진공 홀(h) 내에 진공이 형성될 수 있다.
진공 핀(10)은 기판 안착면(10a)과 기판 안착면(10a)와 플레이트(100)의 상면을 연결하는 외측면(10b)과 진공 홀(h)을 감싸는 내측면(10c)를 포함할 수 있다.
진공 핀(10)의 상면이 기판 안착면(10a)일 수 있으며, 기판 안착면(10a) 상에 기판(W)가 안착될 수 있다. 즉, 기판 안착면(10a)은 반도체 칩 제조 공정을 위한 기판 처리 공정 중에, 기판(W)과 직접 접촉하여 기판(W)을 지지할 수 있다.
진공 핀(10)의 외측면(10b)는 경사진 형태일 수 있다. 따라서, 진공 핀(10)은 하부 영역으로 갈수록 폭이 넓어질 수 있다. 이를 통해, 진공 핀(10)을 구조적으로 안정하게 유지할 수 있으며, 진공 핀(10)이 지지하는 기판(W)의 무게로 인해 진공 핀(10)이 무너지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 진공 핀(10)의 제조 과정에 있어서, 진공 핀(10)을 보다 용이하게 형성할 수 있다. 다만, 진공 핀(10)의 외측면(10b)의 기울기는 이에 제한되는 것은 아니다.
진공 핀(10)의 내측면(10c)는 진공 홀(h)을 감쌀 수 있다. 내측면(10c)는 단차를 가질 수 있으며, 이에 따라 진공 핀(10)의 내부에 배치된 진공 홀(h)의 폭도 일정하지 않을 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 진공 핀(10)의 기판 안착면(10a)는 제1 폭(W1)을 가질 수 있다. 제1 폭(W1)은 0.2 내지 0.4mm일 수 있으며, 본 실시예에서는 0.3mm일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 폭(W1)이 0.2 내지 0.4mm인 경우에, 가공 상태가 양호할 수 있고, 기판 안착면(10a) 상에 배치되는 기판(W)과의 접촉 면적을 최소화시킬 수 있다.
진공 핀(10)은 제1 높이(H1)을 가지고, 돌출된 형상일 수 있다. 제1 높이(H1)은 1.0 내지 1.4mm일 수 있으며, 본 실시예에서는 1.2mm일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 높이(H1)이 1.0 내지 1.4mm인 경우에, 가공 상태가 양호할 수 있고, 기판(W)과 플레이트(100)를 충분히 이격시킬 수 있다.
진공 핀(10)의 진공 홀(h)은 제1 직경(D1)과 제3 직경(D3)을 포함할 수 있다. 진공 홀(h)의 제1 직경(D1)은 플레이트(100)의 상면과 인접한 진공 홀(h) 영역의 직경일 수 있다. 제1 직경(D1)은 3mm 이상 일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 직경(D1)이 3mm 이상인 경우에, 기판(W)을 지지하기에 적절한 진공 압을 얻을 수 있다. 예를 들어, 제1 직경(D1)이 3mm 인 경우에, 진공 홀(h) 내에 -50Kpa 이하의 진공 압을 형성할 수 있다.
진공 홀(h)의 제3 직경(D3)은 플레이트(100)의 하면과 인접한 진공 홀(h) 영역의 직경일 수 있다. 진공 홀(h)의 제3 직경(D3)는 제1 직경(D1)보다 클 수 있다. 진공 홀(h)의 제3 직경(D3)을 가지는 영역은, 플레이트(100)의 하면에 형성된 진공 라인 영역일 수 있다. 즉, 상기 진공 라인을 통하여, 인접한 진공 홀(h)들이 서로 연결될 수 있다.
플레이트(100)의 하면 상에는 플레이트 실링부(110)가 배치될 수 있다. 플레이트 실링부(110)는 플레이트(100)와 분리되는 별도의 구성이거나, 플레이트(100)와 일체의 구성일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상은 기판 지지 유닛이 플레이트 실링부(110)를 미포함하는 경우 역시 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 기판 지지 유닛은 탄화 규소(SiC)로 형성될 수 있다. 탄화 규소(SiC)는 기계적 특성, 화학적 특성, 열적 특성 및 전기적 특성이 우수하므로, 기판 처리 장치의 기판 지지 유닛의 형성 재료로써 적합하다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 종류의 재료가 기판 지지 유닛의 제조에 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 기판 지지 유닛은 탄화 규소(SiC)로 형성된 경우에, 본 발명의 진공 핀(10)의 돌출된 형상은 탄화 규소로 형성된 플레이트(100)를 연마하여 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 지지 유닛은 진공 핀(10)의 기판 안착면(10a)으로 기판(W)을 지지함과 동시에, 진공 홀(h)을 이용하여 흡착할 수 있다. 따라서, 기판(W)과 기판 지지 유닛(1) 간의 접촉 면적을 최소화함과 동시에, 기판(W)을 안정적으로 고정하고 유지할 수 있다.
이어서, 도 3을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(2)은 도 1을 통해 설명한 기판 지지 유닛(1)과 비교하여, 진공 핀(1)의 외측면(10b)의 기울기가 수직인 점을 제외하고는 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 3을 참조하면, 기판 지지 유닛(2)은 진공 핀(10) 및 플레이트(100)를 포함할 수 있다. 진공 핀(10)은 기판 안착면(10a), 외측면(10b) 및 내측면(10c)을 포함할 수 있고, 진공 홀(h)을 포함할 수 있다.
진공 핀(10)의 외측면(10b)은 내측면(10c)과 동일한 기울기를 가질 수 있다. 진공 핀(10)의 외측면(10b)은 내측면(10c)과 대향할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 진공 핀(10)의 외측면(10b)의 기울기는 플레이트(100)의 상면과 수직일 수 있다. 이를 통해, 외측면(10b)의 길이를 짧게 하고, 나아가, 외측면(10b)의 면적을 작게 할 수 있다.
이어서, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 도 5는 도 4의 B-B선을 따라 절단한 단면도이다.
본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(3)은 도 1을 통해 설명한 기판 지지 유닛(1)과 비교하여, 지지 핀(20)을 더 포함하는 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(3)은 플레이트(100), 진공 핀(10) 및 지지 핀(20)을 포함한다.
지지 핀(20)은 돌출된 형상일 수 있다. 지지 핀(20)을 상면에서 바라본 형상은, 도 4에 도시된 바와 같이 원형일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 지지 핀(20)의 형상은 삼각형과 사각형을 포함하는 다각형의 형상일 수 있다.
지지 핀(20)은 플레이트(100) 상에 복수 개가 배치될 수 있다. 지지 핀(20)은 플레이트(100)의 가장자리와 인접하게 배치될 수 있다. 또한, 지지 핀(20)은 기판(W)의 가장자리와 인접하게 배치되어, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다.
지지 핀(20)은 플레이트(100) 상에 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
지지 핀(20)은 기판 지지면(20a)와 측면(20b)를 포함할 수 있다. 지지 핀(20)은 제2 높이(H2)를 가진 돌출된 형상일 수 있다. 즉, 지지 핀(20)의 기판 지지면(20a)과 플레이트(100)의 상면과의 거리는 제2 높이(H2)일 수 있다.
제2 높이(H2)는 1.0 내지 1.4mm일 수 있으며, 본 실시예에서는 1.2mm일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 높이(H2)가 1.0 내지 1.4mm인 경우에, 가공 상태가 양호할 수 있고, 기판(W)과 플레이트(100)를 충분히 이격시킬 수 있다.
또한, 지지 핀(20)의 제2 높이(H2)는 앞서 설명한 진공 핀(10)의 제1 높이(H1)과 동일할 수 있다. 이 경우, 지지 핀(20)의 기판 지지면(20a)과 진공 핀(10)의 기판 안착면(10a)은 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
지지 핀(20)의 기판 지지면(20a)의 폭은 제2 폭(D2)일 수 있다. 제2 폭(D2)는 1.0 내지 1.5mm일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 폭(D2)이 1.0 내지 1.5mm인 경우에, 가공 상태가 양호할 수 있고, 기판 지지면(20a) 상에 배치되는 기판(W)과의 접촉 면적을 최소화시킬 수 있다.
한편, 기판 지지 유닛(3)은 플레이트(100)의 가장 자리와 인접한 외곽 영역에만 지지 핀(20)을 포함할 수 있다. 이를 통해, 기판(W)과 기판 지지 유닛(3)과의 접촉 면적을 최소화 시킴과 동시에, 기판(W)의 가장자리가 처지는 형상을 방지하여, 기판(W)의 편평도(flatness)를 향상시킬 수 있다. 다만, 플레이트(100) 상에 배치되는 지지 핀(20)의 위치는 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 6을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(4)는 도 4를 통해 설명한 기판 지지 유닛(3)과 비교하여, 지지 핀(20)의 측면의 기울기를 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 6을 참조하면, 지지 핀(20)은 기판 지지면(20a)과 측면(20b)를 포함한다. 측면(20b)은 플레이트(100)의 상면과 수직인 기울기를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 지지 핀(20)은 플레이트(100)의 상면과 수직인 기울기를 가지는 측면(20b)을 포함하므로, 측면(20b)의 길이를 짧게하고, 그 면적을 최소화시킬 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(5)는 도 1을 통해 설명한 기판 지지 유닛(1)과 비교하여, 진공 핀(10)의 개수와 배치를 제외하고는 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 7을 참조하면, 기판 지지 유닛(7)은 플레이트(100)와 진공 핀(10)을 포함한다. 플레이트(100) 상에 진공 핀(10)이 배치될 수 있다.
진공 핀(10)은 복수 개일 수 있으면, 서클(circle) 라인(L1, L2, L3, L4)을 따라 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 서클 라인(L1, L2, L3, L4)은 진공 핀(10)의 배치를 설명하기 위한 가상의 선이다. 즉, 서클 라인(L1, L2, L3, L4)은 플레이트(100) 상에 물리적으로 존재하는 선은 아니므로, 도면 상에 점선으로 도시하였다.
서클(circle) 라인은 제1 서클 라인(L1), 제2 서클 라인(L2), 제3 서클 라인(L3) 및 제4 서클 라인(L4)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 서클 라인은 플레이트(100) 상에 배치되는 진공 핀(10)의 개수를 고려하여, 더 적어지거나 많아질 수 있다.
제1 서클 라인(L1)은 플레이트(100)의 내측에 배치될 수 있다. 제1 서클 라인(L1)을 따라 3 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 서클 라인(L1)을 따라 배치된 진공 핀(10)들 각각은 인접한 진공 핀(10)과 제1 간격(G1)을 가지고 배치될 수 있다.
제2 서클 라인(L2)은 제1 서클 라인(L1)을 둘러쌀 수 있다. 제2 서클 라인(L2)을 따라 6 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 서클 라인(L2)을 따라 배치된 진공 핀(10)들 각각은 인접한 진공 핀(20)과 제2 간격(G2)을 가지고 배치될 수 있다.
제3 서클 라인(L3)은 제2 서클 라인(L2)을 둘러쌀 수 있다. 제3 서클 라인(L3)을 따라 6 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 서클 라인(L3)을 따라 배치된 진공 핀(10)들 각각은 인접한 진공 핀(20)과 제3 간격(G3)을 가지고 배치될 수 있다.
제4 서클 라인(L4)은 제3 서클 라인(L3)을 둘러쌀 수 있다. 제4 서클 라인(L4)을 따라 6 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제4 서클 라인(L4)을 따라 배치된 진공 핀(10)들 각각은 인접한 진공 핀(20)과 제4 간격(G4)을 가지고 배치될 수 있다.
제1 내지 제4 서클 라인(L1, L2, L3, L4)는 동일한 간격을 가지고 이격된 라인일 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 제1 내지 제4 서클 라인(L1, L2, L3, L4)을 따라 배치된 진공 핀(10)의 개수가 21 개인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 서클 라인을 따라 배치된 진공 핀(10)의 개수는, 서클 라인의 개수, 플레이트(100)의 면적 및 기판 지지 유닛(5)이 지지하는 기판(W)의 면적 등을 다양하게 고려하여 결정될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(5)이 포함하는 진공 핀(10)은 서클 라인을 따라 배치될 수 있다. 따라서, 플레이트(100)와 플레이트(100) 상부에 배치되는 기판(W)이 원형인 경우에, 기판(W)의 면적을 고려하여 진공 핀(10)을 보다 효율적으로 배치할 수 있다. 따라서, 기판(W)의 형상을 고려한 적절한 개수의 진공 핀(10)을 이용하여, 기판(W)을 보다 안정적으로 지지할 수 있다.
이어서, 도 8을 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(6)은 도 7를 통해 설명한 기판 지지 유닛(5)과 비교하여, 지지 핀(20)을 더 포함하는 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 또한, 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(6)은 도 4 및 도 5를 통해 설명한 기판 지지 유닛(3)과 비교하여 지지 핀(20)의 개수와 배치를 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 8을 참조하면, 기판 지지 유닛(6)은 플레이트(100), 진공 핀(10) 및 지지 핀(20)을 포함한다. 플레이트(100) 상에 진공 핀(10)과 지지 핀(20)이 배치될 수 있다.
지지 핀(20)은 복수 개이며, 제4 서클 라인(L4)을 따라 배치될 수 있다. 제4 서클 라인(L4)을 따라 배치된 복수 개의 지지 핀(20)은 서로 일정한 간격을 가지고 이격되어 배치될 수 있다. 지지 핀(20)은 제4 서클 라인(L4)을 따라 배치되면서, 진공 핀(10) 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 지지 핀(20) 7 개, 진공 핀(10) 21 개가 플레이트(100) 상에 배치된 것으로 되었지만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.
본 실시예에 있어서, 기판 지지 유닛(6)의 지지 핀(20)을 플레이트(100)의 가장 자리와 인접하게 배치한다. 이를 통해, 기판(W)의 편평도(flatness)를 향상시킴과 동시에, 기판(W)과 기판 지지 유닛(6) 간의 접촉 면적을 최소화시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 기판(W)이 200mm 웨이퍼인 경우에, 기판(W)과 진공 핀(10)의 기판 안착면(10a)과 지지 핀(20)의 기판 지지면(20a)간의 접촉면적은, 기판(W) 전체 면적의 0.4% 이하, 보다 상세하게는 0.39% 임을 확인할 수 있었다.
또한, 기판(W)의 편평도(flatness)에 있어서, 완전 평면을 의미하는 0을 기준으로, 기판(W) 편평도의 최대값과 최소값의 차이는 1.24㎛로 측정되어, 양호한 평평도를 가짐을 확인할 수 있었다.
즉, 본 발명에 따른 기판 지지 유닛(6)은 플레이트(100)의 가장 자리에 배치된 지지 핀(20), 서클 라인을 따라 배치된 진공 핀(10)을 이용하여, 기판(W)의 평평도를 양호하게 유지할 수 있고, 기판(W)과 기판 지지 유닛(6)의 접촉 면적을 최소화시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
이어서, 도 9를 참조하여 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(7)은 도 1을 통해 설명한 기판 지지 유닛(1)과 비교하여, 진공 핀(10)의 배치를 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 9를 참조하면, 기판 지지 유닛(7)은 플레이트(100)과 진공 핀(10)을 포함한다. 진공 핀(10)은 플레이트(100) 상에 배치될 수 있으며, 제1 진공 핀(11), 제2 진공핀(12) 및 제3 진공 핀(13)을 포함할 수 있다.
제1 진공 핀(11), 제2 진공핀(12) 및 제3 진공 핀(13)은 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(7)의 기술적 특징 중의 하나인 진공 핀(10)의 배치를 설명하기 위한 것이며, 앞선 실시예들에서 설명한 진공 핀(10)과 실질적으로 동일하다.
제1 진공 핀(11)은 점선으로 도시된 제1 영역(a1) 내에 배치될 수 있고, 제2 진공 핀(12)은 점선으로 도시된 제2 영역(a2) 내에 배치될 수 있고, 제3 진공 핀(13)은 점선으로 도시된 제3 영역(a3) 내에 배치될 수 있다.
제1 진공 핀(11)은 제1 영역(a1)의 중앙 지점에 배치될 수 있고, 제2 진공 핀(12)은 제2 영역(a2)의 중앙 지점에 배치될 수 있고, 제3 진공 핀(13)은 제3 영역(a3)의 중앙 지점에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 진공 핀(11), 제2 진공핀(12) 및 제3 진공 핀(13)은 서로 동일한 간격을 가지고 서로 이격되어 배치될 수 있다.
한편, 제1 영역(a1), 제2 영역(a2) 및 제3 영역(a3) 각각의 면적은 서로 동일할 수 있으며, 이 경우, 동일한 면적 영역 내에, 하나의 진공 핀(10)이 형성된 경우일 수 있다.
즉, 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(9)은 플레이트(100)의 면적을 고려하여 일정 영역 별로 하나의 진공 핀(10)을 배치할 수 있다. 즉, 하나의 진공 핀(10)이 가지는 진공 압과 지지력등을 고려하여, 플레이트(100) 상에 진공 핀(10)을 배치할 수 있다. 이에 따라, 다양한 사이즈의 웨이퍼가 기판(W)으로 제공되는 경우에도, 기판(W)과 진공 핀(10) 간의 적절한 흡착력을 유지할 수 있다.
이어서, 도 10을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(8)은 도 4를 통해 설명한 기판 지지 유닛(3)과 비교하여, 지지 핀(20)의 배치를 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 10을 참조하면, 기판 지지 유닛(8)은 플레이트(100), 진공 핀(10) 및 지지 핀(20)을 포함한다. 플레이트(100) 상에 진공 핀(10)과 지지 핀(20)이 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(8)은 상술한 실시예들과 비교하여, 플레이트(100)의 가장 자리와 인접한 영역뿐만 아니라, 플레이트(100)의 내측에도 지지 핀(20)이 배치될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(8)은 플레이트(100) 상부에 배치되는 기판(W)의 편평도(flatness)를 향상시킬 수 있다.
이어서, 도 11을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명한다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 지지 유닛을 설명하기 위한 개략적인 사시도이다. 본 실시예에 따른 기판 지지 유닛(9)은 도 8를 통해 설명한 기판 지지 유닛(6)과 비교하여, 진공 핀(10)과 지지 핀(20)의 배치를 제외하고 실질적으로 동일하다. 따라서, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 동일한 구성 요소에 대한 반복되는 설명은 생략할 수 있다.
도 11을 참조하면, 기판 지지 유닛(9)은 플레이트(100), 진공 핀(10) 및 지지 핀(20)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 플레이트(100) 상에 배치된 진공 핀(10)과 지지 핀(20)은 선형 라인을 따라 배치될 수 있다.
상기 선형 라인은 제5 내지 제9 선형 라인(L5, L6, L7, L8, L9)을 포함할 수 있다. 제5 내지 제9 선형 라인(L5, L6, L7, L8, L9) 각각은 제1 방향(Y1)으로 연장되며, 제2 방향(X1)을 따라 서로 평행할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제5 내지 제9 선형 라인(L5, L6, L7, L8, L9)은 진공 핀(10)과 지지 핀(20)의 배치를 설명하기 위한 가상의 선이다. 즉, 제5 내지 제9 선형 라인(L5, L6, L7, L8, L9)은 플레이트(100) 상에 물리적으로 존재하는 선은 아니므로, 도면 상에 점선으로 도시하였다.
보다 상세하게, 제5 선형 라인(L5)을 따라, 외측에 2 개의 지지 핀(20)과 내측에 3 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있고, 제6 선형 라인(L6)을 따라 외측에 2 개의 지지 핀(20)과 내측에 5 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있고, 제7 선형 라인(L7)을 따라 외측에 2 개의 지지 핀(20)과 내측에 7 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있고, 제8 선형 라인(L8)을 따라 외측에 2 개의 지지 핀(20)과 내측에 5 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있고, 제9 선형 라인(L9)을 따라 외측에 2 개의 지지 핀(20)과 내측에 3 개의 진공 핀(10)이 배치될 수 있다.
다만, 제5 내지 제9 선형 라인(L5, L6, L7, L8, L9)을 따라 배치된 진공 핀(10)과 지지 핀(20)의 개수는 이에 제한되는 것은 아니며, 기판 지지 유닛(9)이 지지하는 기판의 면적을 고려하여 다양하게 설계될 수 있다.
제5 내지 제9 선형 라인(L5, L6, L7, L8, L9) 상에 배치된 진공 핀(10)과 지지 핀(20)의 배치 형상은 중앙의 제7 선형 라인(L7)을 기준으로 서로 대칭될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 본 실시예에 있어서, 기판 지지 유닛(9)은 플레이트(100)의 면적을 고려하여, 진공 핀(10)과 지지 핀(20)을 선형 라인 상에 배치할 수 있다. 따라서, 다양한 사이즈의 웨이퍼를 포함하는 기판에 대응하여, 진공 핀(10)과 지지 핀(20)의 배치를 적절히 설계할 수 있다.
이어서, 도 12을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다.
도 12은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 12를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 챔버(200), 지지대(210), 지지판(220), 진공 펌프(230) 및 펌프 라인(240)을 포함한다. 또한, 기판(W)을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함한다. 기판 지지 유닛은 플레이트(100), 진공 핀(10), 지지 핀(20) 및 플레이트 실링부(110)를 포함하며, 상기 기판 지지 유닛은 앞서 설명한 실시예들에 따른 기판 지지 유닛(1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9) 중 어느 하나 또는 그들의 조합일 수 있다. 따라서, 기판 지지 유닛 및 기판 지지 유닛이 포함하는 플레이트(100), 진공 핀(10), 지지 핀(20) 및 플레이트 실링부(110)에 대한 설명은 생략한다.
기판 처리 장치(1000)의 챔버(200)는 내부에 기판(W)이 처리되는 기판 처리 영역(TA)를 포함할 수 있다. 도시되지 않았지만, 챔버(200)의 기판 처리 영역(TA)를 외부로 개방할 수 있는 커버를 포함할 수 있고, 기판(W)이 챔버(200)의 내부로 반입되거나, 반출될 수 있는 통로를 포함할 수 있다.
나아가, 챔버(200)는 기판 처리 영역(TA)의 온도를 측정할 수 있는 온도 측정부를 포함할 수 있으며, 기판 처리 장치(1000)의 종류에 따라 다양한 구성을 추가적으로 포함할 수 있다.
즉, 기판 처리 장치(1000)는 사진 공정, 식각 공정, 증착 공정, 열처리 공정을 비롯한 다양한 종류 제조 공정을 수행할 수 있으며, 예를 들어, 기판 처리 장치(1000)가 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치인 경우에는, 플라즈마 공급부, 가스 공급부 및 가스 배기부, 감압부, 플라즈마 형성을 위한 전극, 기판으로 플라즈마를 집중시키기 위한 포커스링 및 가열부를 더 포함할 수 있다.
기판 지지 유닛 및 기판 지지 유닛이 포함하는 플레이트(100), 진공 핀(10), 지지 핀(20) 및 플레이트 실링부(110)는 지지대(210)로 지지판(220)과 연결될 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 지지대(210)와 지지판(220)으로 지면 상에 고정될 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 유닛이 지지대(210)와 바로 연결된 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 상기 기판 지지 유닛과 지지대(210) 사이에는 추가적인 구성이 배치될 수 있다.
진공 펌프(230)은 진공 홀(h)과 연결된 펌프 라인(240)을 이용하여, 진공 홀(h) 내에 진공 압을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 진공 홀(h) 내에 존재하는 공기(a)는 화살표 방향을 따라 펌프 라인(240)을 통과하여, 진공 펌프(230)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 이를 통하여, 기판(W)과 진공 핀(10) 사이에 진공을 이용한 흡착이 형상될 수 있다.
본 실시에에 있어서, 기판(W)이 진공 핀(10) 및 지지 핀(20)과 다소 이격되어 있는 것으로 도시되었지만, 이는 발명의 설명을 위한 것으로, 기판(W)과 진공 핀(10) 및 지지 핀(20)은 서로 접촉할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 진공 핀
20: 지지 핀
100: 플레이
200: 챔버

Claims (10)

  1. 플레이트; 및
    상기 플레이트 상에 돌출되어, 상기 플레이트를 관통하는 진공 홀을 각각 포함하는 복수 개의 진공 핀을 포함하고,
    상기 복수 개의 진공 핀 각각은 기판과 접촉하는 기판 안착면을 포함하는 기판 지지 유닛.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 플레이트 상에 돌출된 복수 개의 지지 핀을 더 포함하고,
    상기 복수 개의 지지 핀 각각은 상기 기판과 접촉하는 기판 지지면을 포함하는 기판 지지 유닛.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 기판 안착면과 상기 기판 지지면은 동일 평면 상에 배치되는 기판 지지 유닛.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 복수 개의 지지 핀은 상기 플레이트의 가장자리와 인접하게 배치되는 기판 지지 유닛.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 진공 핀은, 상기 플레이트 상의 서클(circle) 라인을 따라 배치된 기판 지지 유닛.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 서클 라인은, 상기 플레이트의 내측에 배치된 제1 서클 라인, 상기 제1 서클 라인을 둘러싸는 제2 서클 라인, 상기 제2 서클 라인을 둘러싸는 제3 서클 라인 및 상기 플레이트의 가장자리에 인접하게 배치되고 상기 제3 서클 라인을 둘러싸는 제4 서클 라인을 포함하는 기판 지지 유닛.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 진공 핀 각각은 서로 동일 간격으로 이격되어 배치된 기판 지지 유닛.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 진공 핀은, 제1 방향을 따라 연장되고 서로 평행한 복수 개의 선형 라인을 따라 배치된 기판 지지 유닛.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 플레이트와 상기 복수 개의 진공 핀은 탄화 규소(SiC)로 형성된 기판 지지 유닛.
  10. 기판 처리 영역을 포함하는 챔버;
    상기 기판 처리 영역 내에 배치되고, 플레이트와 상기 플레이트 상에 돌출되어 상기 플레이트를 관통하는 진공 홀을 각각 포함하는 복수 개의 진공 핀을 포함하는 기판 지지 유닛; 및
    상기 진공 홀과 연결되는 진공 펌프를 포함하고,
    상기 복수 개의 진공 핀 각각은 기판과 접촉하는 기판 안착면을 포함하고,
    상기 진공 펌프는 기판 안착면과 상기 기판을 흡착시키는 진공 압을 상기 진공 홀 내에 형성하는 기판 처리 장치.
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