KR100545670B1 - 반도체 제조설비의 진공 척 - Google Patents

반도체 제조설비의 진공 척 Download PDF

Info

Publication number
KR100545670B1
KR100545670B1 KR1020040083746A KR20040083746A KR100545670B1 KR 100545670 B1 KR100545670 B1 KR 100545670B1 KR 1020040083746 A KR1020040083746 A KR 1020040083746A KR 20040083746 A KR20040083746 A KR 20040083746A KR 100545670 B1 KR100545670 B1 KR 100545670B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
vacuum
wafer
vacuum chuck
tip
Prior art date
Application number
KR1020040083746A
Other languages
English (en)
Inventor
이두로
이준호
김동해
Original Assignee
코리아세미텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코리아세미텍 주식회사 filed Critical 코리아세미텍 주식회사
Priority to KR1020040083746A priority Critical patent/KR100545670B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100545670B1 publication Critical patent/KR100545670B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

본 발명은 진공 척의 상/하부면에 진공면을 형성하여 진공 척 및 웨이퍼를 진공의 압력을 이용하여 고정시키게 되므로 파티클 발생을 줄이면서도 웨이퍼의 평탄도를 높일 수 있는 반도체 제조설비의 진공 척에 관한 것으로서, 그 특징적인 구성은 소정의 두께를 갖으며 웨이퍼(W)와 유사한 형상으로 형성된 척몸체(101)와, 상기 웨이퍼(W)의 배면을 지지하도록 척몸체(101)의 상면에 형성된 다수개의 웨이퍼 고정용 팁(110)과, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110)에 의해서 형성된 상부 진공영역(111)의 둘레면을 차단하도록 척몸체(101)의 상면 둘레에 형성된 상부 외벽(112)과, 상기 척몸체(101)가 반도체 제조설비의 스테이지(200)에 고정되도록 척몸체(101)의 저면에 형성된 다수개의 척 고정용 팁(120)과, 상기 척 고정용 팁(120)에 의해서 형성된 하부 진공영역(121)의 둘레면을 차단하도록 척몸체(101)의 저면 둘레에 형성된 하부 외벽(122)과, 상기 상부 진공영역(111)에 진공압력이 전달되도록 척몸체(101)에 관통되게 형성된 진공홀(102)과, 상기 척몸체(101)의 상면에 안착된 웨이퍼(W)를 분리시키는 분리핀(203)이 이동되도록 척몸체(101)에 관통되게 형성된 분리핀 이동공(103)을 포함하여서 된 것이다.
진공 척, 웨이퍼, 팁, 진공 홀, 2단, 정삼각형

Description

반도체 제조설비의 진공 척{Vacuum Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment}
도 1은 종래 진공 척을 보인 사시도.
도 2는 종래 진공 척을 보인 평면도.
도 3은 종래 진공 척이 반도체 제조설비에 설치된 상태를 나타낸 단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명의 진공 척을 보인 사시도.
도 6은 본 발명의 진공 척을 보인 평면도.
도 7은 본 발명의 진공 척을 보인 저면도.
도 8은 본 발명의 진공 척이 반도체 제조설비에 설치된 상태를 나타낸 단면도.
도 9 및 도 10은 본 발명의 진공 척의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
도 11 및 도 12는 본 발명의 진공 척의 다른 실시예를 나타낸 평면도.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※
W : 웨이퍼 100 : 진공 척
101 : 척몸체 110 : 웨이퍼 고정용 팁
111 : 상부 진공영역 112 : 상부 외벽
112 : 진공홀 113 : 분리핀 이동공
120 : 척 고정용 팁 121 : 하부 진공영역
122 : 하부 외벽 200 : 스테이지
203 : 분리핀
본 발명은 반도체 제조설비의 진공 척에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공 척의 상부면은 물론, 하부면에 진공면을 형성하여 진공 척 및 웨이퍼를 진공의 압력을 이용하여 고정시키게 되므로 파티클 발생을 줄이면서도 웨이퍼의 평탄도를 높일 수 있는 반도체 제조설비의 진공 척에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘 칩에 지나지 않지만 그 안에는 수 천 만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항)이 가득 들은 장치로서, 이 반도체 집적회로는 최종 완성에 이르기까지에는 사진 공정, 식각 공정, 증착 공정, 열처리 공정을 비롯한 수많은 제조 공정이 수반된다.
실리콘 단결정인 규소봉(잉곳:Ingot)은 수백 ㎛의 두께로 절단되어 그 한쪽 면이 거울같이 연마되어 실리콘 웨이퍼(Wafer)로 형성되는 데, 반도체의 집적회로는 실리콘 웨이퍼에 형성된다.
반도체 제조 공정 중에 웨이퍼를 고정시키거나 이송시키기 위하여 사용되는 척에는 기계식 척과 정전기 척과 진공 척이 사용된다.
기계식 척은 그 지지표면에 대해 웨이퍼를 누르기 위해서 아암 또는 클램프 를 갖고 있으며, 정전기 척은 웨이퍼와 금속 전극 또는 전극 쌍 간에 전압 차를 발생시키고 웨이퍼와 전극이 유전 층에 의해 분리되도록 구성되며, 그리고 진공 척은 진공의 압력을 이용하여 웨이퍼를 안정적으로 흡착시키도록 구성된다.
반도체 칩 제조공정 중에 발생되는 먼지, 이물질 혹은 부산물(이하, 파티클(particle)이라 약칭 함)은 웨이퍼가 안착되는 척의 안착 면을 오염시킨다. 척의 안착 면이 오염된 상태로, 척의 안착 면에 웨이퍼가 안착될 경우, 디 포커스(De-focus)의 원인이 되어 반도체 생산에 막대한 손실을 초래한다.
한편, 포토 공정에서는 웨이퍼에 정밀한 포커스를 수행하기 위해서 진공 척을 사용하여 웨이퍼를 고정하는 데, 근래에는 진공 척의 안착 면에 소정높이를 갖는 팁(핀 혹은 돌기)을 일체로 형성하고, 이 팁에 웨이퍼를 접촉시키도록 구성하고 있다.
팁과 웨이퍼의 접촉면적은 어느 정도 줄일 수는 있지만, 팁과 웨이퍼와의 접촉면적을 무한정 줄이면 팁의 지지력이 저하되어 진공 척의 안착 면에 웨이퍼가 안정적으로 흡착되지 못하고 이탈되고 만다.
진공 척의 안착 면에 웨이퍼가 안정적으로 흡착되지 못하고 이탈될 경우, 반도체 제품의 불량을 초래하고 아울러 반도체 제품의 신뢰도를 하락시키며 반도체 제조 작업시간을 지연시킨다.
따라서, 웨이퍼와 팁의 접촉면적을 최소화하면서도, 웨이퍼의 평탄도를 높이고 안정적으로 웨이퍼를 진공 척의 안착 면에 흡착시키는 것은 반도체 제조공정의 진행과 반도체 제품의 신뢰도 및 웨이퍼의 양품을 결정하는 데에 매우 중요하다.
통상적으로 웨이퍼는 4,5,8,12인치(웨이퍼의 직경)와 같이 다양한 크기가 사용되고 있으며, 최근에는 웨이퍼의 직경이 증가되는 추세에 있다.
도 1은 종래 진공 척을 보인 사시도이고, 도 2는 종래 진공 척을 보인 평면도이며, 도 3은 종래 진공 척이 제조설비에 설치된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 1내지 도 3에 보인 바와 같이, 진공 척(10)의 직경은 고정시키고자 하는 웨이퍼(W)의 직경보다 조금 작게 제조하고 있다. 일예로 8인치(대략, 200mm) 웨이퍼(W)에 사용되는 진공 척(10)은 그 직경을 통상적으로 198mm로 하며, 이 진공 척(10)의 안착 면(11)에는 다수의 진공 홀(12)이 일정간격을 두고 연속 위치되어 있다.
진공 홀(12)은 진공 척(10) 내부를 관통하는 복수개의 진공라인(13)과 단일 영역으로 연결되며, 이 진공라인(13)은 진공압력을 발생시키는 진공펌프(도시하지 않음)와 연결되어 있다.
그리고 진공 척(10)의 안착 면(11) 중심부분에는 다수의 리프팅 홀(14)이 형성되고, 진공 척(10)의 안착 면(11) 테두리 부분에는 웨이퍼(W)의 배면이 접촉되는 외벽(15)이 형성되는 데, 외벽(15)의 안쪽에는 진공영역(V: Vacuum Zone)이 형성된다.
또한, 진공영역(V) 안쪽에 위치한 진공 척(10)의 안착 면(11)에는 소정높이를 갖고 웨이퍼(W) 배면을 지지하는 팁(16)이 원형 기둥형태로 일정간격을 두고 다수 형성되어 있다.
그리고 상기 진공 척(10)에는 그 진공 척(10)을 반도체 제조설비의 스테이지 (1)에 고정시킬 수 있도록 고정 볼트(2)가 끼워지는 고정공(17)이 형성되어 있다.
따라서, 종래의 진공 척(10)을 반도체 제조설비에 고정시킬 때에는 그 반도체 제조설비에 설치된 스테이지(1)의 상면에 진공 척(10)을 위치시킨 후 진공 척(10)의 상부에서 고정 볼트(2)를 끼워 결합하면 상기 고정볼트(2)는 스테이지(1)에 나사 결합되면서 진공 척(10)을 견고히 고정시키게 되는 것이다.
이러한 상태에서 웨이퍼(W)가 진공 척(10)의 안착 면(11)에 올려지면, 웨이퍼(W)가 팁(16)에 의해 지지되며 이때, 진공펌프가 작동하여 진공라인(13) 및 진공 홀(12)을 통해 공기를 흡입함으로써 진공영역(V) 내부가 진공된다. 진공영역(V)의 진공으로 인하여 웨이퍼(W)가 팁(16)에 지지된 상태로 진공 척(10)의 안착 면(11)에 흡착 고정된다.
웨이퍼(W)를 흡착함에 있어서, 웨이퍼(W)의 전체 평탄도를 높이기 위해서는 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 직경을 갖는 진공 척(10)을 사용하는 것이 이상적이지만, 이는 반도체 공정 중에 발생되는 웨이퍼(W)의 슬립 때문에 현실적으로 불가능하다.
또한 웨이퍼(W)의 전체 평탄도를 높이기 위해서는 그 웨이퍼(W)를 고정시키는 진공 척(10)의 평탄도가 균일하여야 하는 것이며, 종래의 웨이퍼는 고정볼트(2)에 의해서 고정되므로 상기 진공 척(10)을 소정의 두께 이상으로 제조하여야 하므로 을 진공 척(10)의 두께를 소형화하는데 한계가 있었다.
또한, 상기 진공 척(10)을 고정시키는 고정볼트(2)가 결합되는 부분의 결합력은 증가되지만 상기 고정볼트(2)의 결합부로부터 거리가 이격된 부분 즉 진공 척 (10)의 둘레부분의 결합력이 저하되므로 진공 척(10)의 평판도를 균일하게 유지하는데 한계가 있었다.
따라서, 웨이퍼와 팁의 접촉면적을 최소한으로 줄여 파티클 발생을 줄이면서도 웨이퍼 및 진공 척의 평탄도를 유지한 상태로 견고히 고정시킬 수 있는 진공 척이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 웨이퍼를 진공 흡착하는 진공 척의 배면에 그 진공 척을 반도체 제조설비의 안착부에 진공 흡착할 수 있도록 진공부를 형성하여 진공 척의 두께를 축소시킨 상태에서도 평탄도 및 고정력을 일정하게 유지할 수 있는 반도체 제조설비의 진공 척을 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 진공 척은 진공의 흡입력을 이용하여 웨이퍼를 고정시키도록 반도체 제조설비의 스테이지에 고정되는 진공 척에 있어서, 소정의 두께를 갖으며 웨이퍼와 유사한 형상으로 형성된 척몸체와, 상기 웨이퍼의 배면을 지지하도록 척몸체의 상면에 형성된 다수개의 웨이퍼 고정용 팁과, 상기 웨이퍼 고정용 팁에 의해서 형성된 상부 진공영역의 둘레면을 차단하도록 척몸체의 상면 둘레에 형성된 상부 외벽과, 상기 척몸체가 반도체 제조설비의 스테이지에 고정되도록 척몸체의 저면에 형성된 다수개의 척 고정용 팁과, 상기 척 고정용 팁에 의해서 형성된 하부 진공영역의 둘레면을 차단하도록 척몸체의 저면 둘레에 형성된 하부 외벽과, 상기 상부 진공영역에 진공압력이 전달되 도록 척몸체에 관통되게 형성된 진공홀과, 상기 척몸체의 상면에 안착된 웨이퍼를 분리시키는 분리핀이 이동되도록 척몸체에 관통되게 형성된 분리핀 이동공을 포함하여서 된 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 특징적인 구성을 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 진공 척을 보인 평면도이고, 도 7은 본 발명의 진공 척을 보인 저면도이며, 도 8은 본 발명의 진공 척이 반도체 제조설비에 설치된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 9 및 도 10은 본 발명의 진공 척의 다른 실시예를 나타낸 단면도이며, 도 11 및 도 12는 본 발명의 진공 척의 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.
여기에서 참조되는 바와 같이 본 발명의 진공 척(100)은 소정의 두께를 갖으며 웨이퍼(W)와 유사한 형상으로 형성된 척몸체(101)가 마련되어 있되, 상기 척몸체(101)의 직경은 웨이퍼(W)의 직경과 동일 내지 5mm 작게 형성하는 것이 바람직하다.
상기 척몸체(101)의 상면에는 상기 웨이퍼(W)의 배면을 지지하도록 다수개의 웨이퍼 고정용 팁(110)이 형성되어 있으며, 상기 척몸체(101)의 상면 둘레에는 웨이퍼 고정용 팁(110)에 의해서 형성된 상부 진공영역(111)의 둘레면을 차단하도록 상부 외벽(112)이 형성되어 있다.
한편, 상기 척몸체(101)의 저면에는 그 척몸체(101)가 반도체 제조설비의 스테이지(200)에 고정되도록 다수개의 척 고정용 팁(120)이 형성되어 있고, 상기 척 몸체(101)의 저면 둘레에는 척 고정용 팁(120)에 의해서 형성된 하부 진공영역(121)의 둘레면을 차단하도록 하부 외벽(122)이 형성되어 있다.
상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)은 단면형상이 원형을 원형으로 형성하되, 도 8에 나타낸 바와 같이 동일한 직경을 갖도록 형성하거나, 도 9에 나타낸 바와 같이 선단부의 직경은 작고 타단부의 직경은 큰 다단으로 형성할 수도 있으며, 도 10에 나타낸 바와 같이 선단부의 직경은 작고 타단부의 직경은 큰 원뿔 형상으로 형성하는 것도 무방하다.
또한 상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)을 형성 위치는 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이 동일한 간격을 유지하는 사각형으로 배열하거나, 도 11에 나타낸 바와 같이 정삼각형으로 배열하거나, 도 12에 나타낸 바와 같이 척몸체(101)의 중앙을 기점으로 동심원을 이루도록 배열하는 것도 가능하다.
그리고, 상기 척몸체(101)의 중앙에는 상부 진공영역(111)에 진공압력이 전달되도록 진공홀(102)이 관통되게 형성되어 있고, 상기 척몸체(101)의 상면에 안착된 웨이퍼(W)를 분리시키는 분리핀(203)이 이동되도록 분리핀 이동공(103)이 척몸체(101)에 관통되게 형성되어 있다.
한편, 상기 진공 척(100)의 재질은 실리콘, 이산화규소, 석영, 사파이어 및 세라믹 중 어느 하나를 사용하거나, 열팽창계수가 작은 재질을 사용하여도 무방하다.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 반도체 제조설비의 스테이지(200)에 본 발명의 진공 척(100)을 안착시 킨 상태에서 제 1 흡입공(201)을 통하여 진공력을 전달하면, 그 진공력은 진공 척(100)의 저면에 형성된 하부 진공영역(121)으로 전달되는 것이며, 상기 진공 척(100)의 저면에 형성된 하부 외벽(122)과 척 고정용 팁(120)의 선단면은 스테이지(200)에 긴밀히 접촉되므로 상기 진공 척(100)은 스테이지(200)의 상면에 흡입 고정되는 것이다.
상기 진공력은 진공 척(100)의 저면에 형성된 하부 진공영역(121)에 균일하게 작용하게 되므로 진공 척(100)의 평탄도를 유지하게 되는 것이며, 이때 웨이퍼(W)에 형성된 진공홀(102)과 스테이지(200)에 형성된 제 2 흡입공(202)이 일치되게 된다.
이러한 상태에서 진공 척(100)의 상면에 웨이퍼(W)를 안착시킨 후 제 2 흡입공(202)을 통하여 진공력을 전달하면 그 진공력은 진공 척(100)의 상면에 형성된 상부 진공영역(111)으로 전달되는 것이며, 상기 웨이퍼(W)의 저면은 진공 척(100)의 상면에 형성된 상부 외벽(112)과 웨이퍼 고정용 팁(110)의 선단면에 긴밀히 접촉되므로 상기 웨이퍼(W)는 진공 척(100)의 상면에 흡입 고정되는 것이다.
상기 진공력은 진공 척(100)의 상면에 형성된 상부 진공영역(111)에 균일하게 작용하게 되므로 웨이퍼(W)의 평탄도를 유지하게 되는 것이다.
이러한 상태에서 각종 공정을 수행하여 웨이퍼(W)를 가공하게 되는 것이며, 웨이퍼(W)의 가공이 완료된 후 그 웨이퍼(W)를 분리시킬 때에는 제 2 흡입공(202)을 통하여 전달되는 진공력을 해제한 후 분리핀 이동공(103)의 상부로 분리핀(203)이 노출되도록 상기 분리핀(203)을 상승시킨 후 별도의 이동수단(도면 미도시)을 이용하여 웨이퍼(W)를 분리시키는 것이다.
이때 제 1 흡입공(201)에는 진공력이 연속적으로 전달되므로 진공 척(100)은 스테이지(200)에 고정된 상태를 유지하게 되는 것이다.
따라서, 본 발명의 진공 척(100)은 웨이퍼(W)의 고정은 물론, 진공 척(100)을 스테이지(200)에 고정시킬 때에는 진공력을 이용하게 되므로 진공 척(100)의 두께를 최소화하면서도 평탄도를 유지할 수 있게되는 것이다.
또한, 웨이퍼(W)와 진공 척(100)의 접촉면을 최소화하여 파티클 발생을 줄여 불량품 생산을 방지하게 되는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 배면을 흡입 고정하는 진공척을 반도체 제조설비에 고정시킬 때 진공력을 이용하여 고정시키게 되므로 진공척의 평탄도를 일정하게 유지하게 되는 특유의 효과가 있다.
또한 본 발명은 스테이지와 진공척의 접촉면 및 진공척과 웨이퍼의 접촉면을 최소화하여 파티클의 발생을 줄일 수 있게되는 특유의 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 진공의 흡입력을 이용하여 웨이퍼(W)를 고정시키도록 반도체 제조설비의 스테이지에 고정되는 진공 척에 있어서,
    소정의 두께를 갖으며 웨이퍼(W)와 유사한 형상으로 형성된 척몸체(101)와, 상기 웨이퍼(W)의 배면을 지지하도록 척몸체(101)의 상면에 형성된 다수개의 웨이퍼 고정용 팁(110)과, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110)에 의해서 형성된 상부 진공영역(111)의 둘레면을 차단하도록 척몸체(101)의 상면 둘레에 형성된 상부 외벽(112)과, 상기 척몸체(101)가 반도체 제조설비의 스테이지(200)에 고정되도록 척몸체(101)의 저면에 형성된 다수개의 척 고정용 팁(120)과, 상기 척 고정용 팁(120)에 의해서 형성된 하부 진공영역(121)의 둘레면을 차단하도록 척몸체(101)의 저면 둘레에 형성된 하부 외벽(122)과, 상기 상부 진공영역(111)에 진공압력이 전달되도록 척몸체(101)에 관통되게 형성된 진공홀(102)과, 상기 척몸체(101)의 상면에 안착된 웨이퍼(W)를 분리시키는 분리핀(203)이 이동되도록 척몸체(101)에 관통되게 형성된 분리핀 이동공(103)을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 척몸체(101)의 직경은 웨이퍼(W)의 직경과 동일 내지 5mm 작게 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)은 단 면형상이 원형을 갖으며 선단부의 직경은 작고 타단부의 직경은 큰 다단으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)은 단면형상이 원형을 갖으며 선단부의 직경은 작고 타단부의 직경은 큰 원뿔 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)은 동일한 간격을 유지하도록 사각형으로 배열됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)은 정삼각형으로 배열됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 고정용 팁(110) 및 척 고정용 팁(120)은 척몸체(101)의 중앙으로부터 동심원을 이루도록 원형으로 배열됨을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 척(100)의 재질은 실리콘임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 척(100)의 재질은 이산화규소임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 척(100)의 재질은 석영임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 척(100)의 재질은 사파이어임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 진공 척(100)의 재질은 세라믹임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 척.
KR1020040083746A 2004-10-19 2004-10-19 반도체 제조설비의 진공 척 KR100545670B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040083746A KR100545670B1 (ko) 2004-10-19 2004-10-19 반도체 제조설비의 진공 척

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040083746A KR100545670B1 (ko) 2004-10-19 2004-10-19 반도체 제조설비의 진공 척

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100545670B1 true KR100545670B1 (ko) 2006-01-24

Family

ID=37178349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040083746A KR100545670B1 (ko) 2004-10-19 2004-10-19 반도체 제조설비의 진공 척

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100545670B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101166430B1 (ko) 2010-12-20 2012-07-19 쿠어스텍아시아 유한회사 반도체 웨이퍼 진공 고정용 포러스 척
KR20180002859A (ko) * 2015-12-18 2018-01-08 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 기판유지장치, 기판유지부재 및 기판유지방법
KR102293249B1 (ko) * 2021-05-17 2021-08-25 (주)티와이 변압기용 철심 스텝 자동 분리 및 적층하는 시스템

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101166430B1 (ko) 2010-12-20 2012-07-19 쿠어스텍아시아 유한회사 반도체 웨이퍼 진공 고정용 포러스 척
KR20180002859A (ko) * 2015-12-18 2018-01-08 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 기판유지장치, 기판유지부재 및 기판유지방법
KR102071123B1 (ko) 2015-12-18 2020-01-29 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 기판유지장치, 기판유지부재 및 기판유지방법
KR102293249B1 (ko) * 2021-05-17 2021-08-25 (주)티와이 변압기용 철심 스텝 자동 분리 및 적층하는 시스템
WO2022244935A1 (ko) * 2021-05-17 2022-11-24 (주)티와이 변압기용 철심 스텝 자동 분리 및 적층하는 시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10431489B2 (en) Substrate support apparatus having reduced substrate particle generation
TWI398916B (zh) 用以剝離電子組件的方法及設備
JP6463278B2 (ja) 半導体ウェハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置
US10889097B2 (en) Wafer debonding system and method
JP2009525601A (ja) ウェハ個片切断用支持体
KR20140043678A (ko) 척 테이블
JPH1022184A (ja) 基板張り合わせ装置
JP2000208447A (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2012156163A (ja) 半導体製造装置
JP2011192663A (ja) 実装方法及び実装装置
JP5887633B1 (ja) 半導体片の製造方法
TWI701753B (zh) 工件結合設備、控制結合波的傳播之方法以及工件結合系統
JP2009117567A (ja) 真空チャック
JP2002280330A (ja) チップ状部品のピックアップ方法
JPH09270453A (ja) チップ剥離装置
KR100545670B1 (ko) 반도체 제조설비의 진공 척
JPH06204324A (ja) ウエハチャック
KR20170036165A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP4238669B2 (ja) エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP2003282690A (ja) 静電チャック
KR20140124948A (ko) 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척
KR100462565B1 (ko) 반도체 제조설비의 진공 척
JP2006303101A (ja) 貼り合わせウエーハの製造方法及びそれに用いる剥離用治具
KR200273741Y1 (ko) 반도체 제조설비의 진공 척
KR200405748Y1 (ko) 다공질 실리콘을 이용한 이중 구조의 진공 척

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131202

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170111

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180219

Year of fee payment: 13