KR101721684B1 - 바이폴라 정전척 - Google Patents

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KR101721684B1
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김영미
박동근
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(주)티티에스
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Abstract

본 발명은 바이폴라 정전척에 관한 것으로서, 엠보싱 형성 영역에 바이폴라 패턴을 집중시킴으로써 엠보싱 형성 영역에 척킹력이 극대화되도록 하는 바이폴라 정전척에 관한 것이다. 이를 위해 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및 양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며, 양전압이 공급되는 제1 전극층과 음전압이 공급되는 제2 전극층은 엠보싱과 동일선상에 위치하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척이 개시된다.

Description

바이폴라 정전척{Bipolar electrostatic chuck}
본 발명은 바이폴라 정전척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 엠보싱 형성 영역에 바이폴라 패턴을 집중시킴으로써 엠보싱 형성 영역에 척킹력이 극대화되도록 하는 바이폴라 정전척에 관한 것이다.
종래의 바이폴라 정전척은 정전척의 최상층에 엠보싱이 형성되어 있지 않으며, 엠보싱이 형성된 정전척은 일반적으로 쿨롱력 또는 존슨 라벡력을 이용하여 기판을 척킹(또는 흡착)하는 정전척에 형성된다. 바이폴라 정전척에 헬륨 가스를 공급하여 정전척을 냉각시키기 위해서는 엠보싱(10)이 필요하며 이때 도 1과 같이 정전척(100)의 최상층에 기판과 접촉하도록 엠보싱(10)을 형성할 수 있다.
바이폴라 정전척을 냉각시키기 위해 바이폴라 정전척(100)의 최상층에 엠보싱(10)이 형성된 경우 엠보싱(10) 하층(또는 하부)에 마련되는 바이폴라 전극층(130)이 엠보싱(10)의 배치를 고려하지 않고 패터닝 될 수 있으며, 그러한 경우에는 엠보싱(10)이 형성된 영역과 엠보싱(10)이 형성되지 않은 영역에서 상대적으로 기판을 고정하는 척킹력의 차이를 보이는 문제점이 있다.
또한, 바이폴라 정전척을 공정 중에 회전시킴으로써 정전척이 기울어지는 경우 어느 한 방향으로만 척킹력이 작용하면 상황에 따라 기판이 정전척으로부터 이탈될 수 있는 문제점이 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1402880(발명의 명칭 : 나뭇가지 형상의 전극패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를 이용한 기판 처리 방법) 대한민국 등록특허공보 제10-1316553(발명의 명칭 : 십자 모양의 전극 패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를 이용한 기판 처리 방법)
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 엠보싱이 형성된 영역에 척킹력을 극대화하고, 정전척을 공정 중에 회전시키는 경우에도 척킹력을 유지할 수 있는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적은, 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및 양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며, 양전압이 공급되는 제1 전극층과 음전압이 공급되는 제2 전극층은 엠보싱과 동일선상에 위치하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척을 제공함으로써 달성될 수 있다.
또한, 엠보층은 바이폴라 전극층에 비해 수직방향으로 상측에 위치되어 기판을 지지하며, 제1 전극층 및 제2 전극층은 엠보싱과 수평방향 또는 수직방향으로 동일선상에 위치하지 않도록 한다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 엠보싱과 가상의 동일층 상에서 서로 겹쳐지지 않도록 서로 이격되어 배치된다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 직선 라인으로 패턴 형성되며, 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 흡착력의 방향이 일방향으로 형성된다. 또한, 흡착력의 방향은 수평방향 또는 수직방향이고, 수평방향 및 수직방향이 서로 순차적 또는 비 순차적으로 배치됨으로써 정전척을 회전시에 흡착력이 유지되도록 한다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 적어도 일 영역이 곡선 라인으로 패턴 형성되며, 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 흡착력의 방향이 다방향으로 형성된다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 곡선 셀로 패턴 형성되며, 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 흡착력의 방향이 다방향으로 형성된다. 또한, 제1 전극층 및 제2 전극층이 곡선 셀로 패턴 형성됨으로써 정전기력 결핍 영역이 국부적으로 생성된다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 각각 직선 라인 패턴으로 형성된 제1 가지와 제1 가지로부터 분기된 제2 가지로 이루어지며, 제1 전극층 및 제2 전극층은 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 흡착력의 방향이 적어도 수직방향과 수평방향으로 형성된다.
또한, 엠보싱은 제1 전극층의 제1 가지와 제2 전극층의 제1 가지 사이 및 제1 전극층의 제2 가지와 제2 전극층의 제2 가지 사이에 배치된다.
또한, 제1 가지와 제2 가지는 서로 직교하도록 배치되며, 제1 전극층의 제1 가지와 제2 전극층의 제1 가지가 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고, 제1 전극층의 제2 가지와 제2 전극층의 제2 가지가 제1 가지의 순차적으로 배치 방향과 직교하는 방향으로 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 각각 직선 라인 패턴으로 형성된 제1 가지와 제1 가지로부터 분기된 곡선 라인 패턴으로 형성된 제2 가지로 이루어지며, 제1 전극층 및 제2 전극층은 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 흡착력의 방향이 엠보싱을 기준으로 방사상 방향으로 형성된다.
또한, 엠보싱은 제1 전극층의 제1 가지와 제2 전극층의 제1 가지 사이에 배치되며, 제1 전극층의 제2 가지와 제2 전극층의 제2 가지가 엠보싱을 가상의 동일층 상에서 둘러싸도록 배치된다.
또한, 제2 가지는 제1 가지의 분기점으로부터 제1 가지의 길이방향과 직교하는 방향으로 분기되며, 제1 전극층의 제1 가지와 제2 전극층의 제1 가지가 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고, 제1 전극층의 제2 가지와 제2 전극층의 제2 가지가 제1 가지의 순차적 배치 방향과 직교하는 방향으로 서로 순차적으로 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치된다.
또한, 제1 전극층 및 제2 전극층은 제1 전극층 및 제2 전극층이 좌우로 순차적으로 배치됨으로써 흡착력의 방향이 제1 다방향으로 형성되는 제1 흡착방향 영역과 제1 전극층 및 제2 전극층이 상하로 순차적으로 배치됨으로써 흡착력의 방향이 제1 다방향과는 다른 제2 다방향으로 형성되는 제2 흡착방향 영역을 순차적 또는 비 순차적으로 배치함으로써 정전척을 회전시에 흡착력이 유지되도록 한다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 엠보싱이 형성된 영역에 척킹력을 극대화할 수 있고, 정전척을 공정 중에 회전시키는 경우에도 척킹력을 유지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 바이폴라 정전척에 엠보싱을 형성함으로써 정전척의 냉각 성능을 더 높일 수 있는 효과가 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 바이폴라 정전척으로서 종래의 바이폴라 정전척에 비해 엠보싱이 형성되어 있으며, 전극층은 엠보싱에 대응하여 패터닝되지 않음을 도시한 도면이고,
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극층을 직선 라인 형상으로 패터닝하여 배치한 도면이고,
도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극층을 곡선 라인 형상으로 패터닝하여 배치한 도면이고,
도 6 및 도 7은 본 발명의 제 3실시예에 따른 전극층을 곡선 셀 형상으로 패터닝하여 배치한 도면이고,
도 8 및 도 9는 본 발명의 제 4실시예에 따른 전극층을 직선 라인 형상으로 패터닝하고, 메인가지와 서브가지로 분기되도록 패터닝한 도면이고,
도 10 및 도 11은 본 발명의 제 5실시예에 따른 전극층을 직선 라인 형상과 곡선 라인 형상으로 패터닝하고, 메인가지와 서브가지로 분기되도록 패터닝한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 바이폴라 정전척을 첨부된 도면을 참고하여 자세히 설명하기로 한다. 다만, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
정전척(100)은 반도체 또는 유리기판(이하에서는 기판으로 통칭하기로 한다)을 양극과 음극의 전극층을 이용하여 전기장을 형성함으로써 기판을 척킹하는 모듈이다. 이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 바이폴라 정전척을 첨부된 도면을 참고하여 자세히 설명하기로 한다. 다만, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위 내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
바이폴라 정전척은 일반적으로 모재(110), 하부 유전층(또는 하부 절연층, 120), 전극층(130), 및 상부 유전층(140)으로 대략 구성된다. 도 1에 도시된 바와 같이 모재(110)는 주로 알루미늄 기판으로 벌크타입으로 성형 제작되나, 모재의 소재 및 타입은 꼭 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양한 소재 및 타입이 충분히 참조될 수 있다. 모재(110)의 소재(또는 재료)는 상부층에 용사 코팅되는 절연층(120,140)의 소재에 따라 달라질 수 있다.
모재(110)에는 헬륨 가스를 흘릴 수 있는 헬륨 유로(30)가 형성되며, 헬륨 가스는 기판을 냉각시키기 위해 제공된다. 헬륨 가스는 도면에는 도시되어 있지 않으나 엠보싱(10) 또는 엠보스(10) 사이에 공급되어 기판을 냉각한다. 이하에서는 엠보싱(10)으로 설명하기로 한다. 따라서 후술하는 전극층(130)의 패턴 형상도 헬륨 가스의 유로에 따라 다양한 패턴을 가질 수 있다. 링부(또는 댐부,20)는 상부 유전층(140) 상측의 최외각 원주 둘레방향으로 일정 두께와 폭을 가지고 구비되며, 링부(20) 내측으로 엠보싱(10)이 일정한 두께와 폭 또는 지름을 가지고 형성됨으로써 기판이 링부(20)에 놓이게 된다. 기판을 냉각시킬 필요가 있는 경우에는 헬륨가스 유로(30)로 헬륨 가스를 공급함에 따라 엠보싱(10) 사이로 헬륨 가스가 공급되어 기판을 냉각한다. 기판과 링부(20)의 기밀에 따라 헬륨 가스의 공급량이 달라질 수 있다. 정전척의 기판과 링부(20)의 기밀을 잘 유지하기 위해서는 정전척의 척킹력(또는 흡착력)이 좋아야 한다. 또한, 엠보싱(10)이 형성된 영역은 엠보싱(10)이 없는 영역에 비해 정전척의 흡착력이 최대 50%까지 떨어지게 되므로 엠보싱(10)이 형성된 영역의 흡착력을 높이는 것이 필요하다. 이에 대해 본 발명에서는 엠보싱(10) 층의 하부에 위치한 전극층(130)의 패턴을 후술하는 바와 같이 형성함으로써 정전척의 흡착력을 향상시키도록 한다. 이때, 엠보싱(10)은 직경이 대략 0.3 ~ 2mm이고, 엠보싱(10)간 간격은 대략 3 ~ 20mm이고, 엠보싱(10)의 높이는 대략 30 ~70㎛일 수 있다.
모재(110)의 대략 중심부에는 Ti로 이루어진 파워로드부(50)가 구비되며, 파워로드부(50)는 후술하는 전극층(130)에 전원을 공급한다. 공급되는 전압은 대략3 ~ 5[kV]이다. 파워로드부(50)를 둘레방향으로 감싸는 세라믹 지지부(40)가 또한, 더 형성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 본딩층(또는 버퍼층)은 도면에는 도시되어 있지 않으나 모재(110) 표면에 일예로서 니켈-알루미늄 합금으로 용사 코팅될 수 있다. 본딩층은 모재(110)와 후술하는 하부 유전층(120) 사이에 용사 코팅되기 때문에 본딩층의 열팽창계수와 모재의 열팽창계수를 고려한 적절한 소재를 채택하는 것이 바람직하다. 따라서 본딩층에 용사 코팅되는 소재의 열팽창계수는 모재의 열팽창계수와 본딩층의 열팽창계수의 사이 값을 가지는 것이 바람직하다. 본딩층의 열팽창계수의 값에 따라 모재(110)와 하부 유전층(120)의 각 계면에서 크랙이 발생하지 않는다. 본딩층의 두께는 대략 20 ~ 100㎛ 사이 값을 가지는 것이 바람직하다. 다만, 상술한 본딩층은 필요에 따라 생략할 수 있다. 즉, 모재(110) 상부 표면에 하부 유전층(120)이 바로 용사코팅될 수 있다.
하부 유전층(120)은 도 1에 도시된 바와 같이 본딩층이 존재하는 경우에는 본딩층 상부 표면에 용사 코팅되고, 본딩층이 존재하지 않은 경우에는 모재(110) 상부 표면에 용사 코팅된다. 하부 유전층(120)은 모재와 서로 절연되도록 하는 층으로서 하부 절연층으로도 불리운다. 하부 유전층(120)은 세라믹재를 용사 코팅함으로써 이루어질 수 있으며, 사용환경에 따라 다양한 성분을 추가적으로 포함하여 혼합재를 사용하는 것도 가능하다. 하부 유전층(120)의 두께는 정전척에 가해지는 전압의 용량에 따라 달라질 수 있으나, 내전압 특성을 고려하여 대략 200 ~ 800㎛ 사이 값을 가지는 것이 바람직하다. 하부 유전층(120)의 두께가 너무 얇은 경우에는 정전척에 가해지는 고전압에 의해 절연 성능이 떨어지게 되므로 정전척의 전압 용량에 따라 일정한 두께를 가지는 것이 바람직하다. 하부 유전층(120)의 체적 저항은 누설전류를 최소화하고, 쿨롱력을 더 높이기 위해 최대한 높은 것이 바람직하나, 본 발명의 일실시예에서는 상온에서 1013 ~ 1016[Ωㆍ㎝] 사이 값을 가진다.
전극층(130)은 도 1에 도시된 바와 같이 하부 유전층(120) 상부 표면에 용사 코팅으로 형성되는 것이 바람직하며, 양전압이 공급되는 제1 전극층(131)과 음전압이 공급되는 제2 전극층(132)이 순차적으로 또는 교번적으로 형성되어 있다. 따라서 정전척에 전압을 공급하는 경우 양극에서 음극으로 정전기력이 발생되어 흡착력이 생성되며, 이러한 일반적인 원리는 종래의 바이폴라 정전척에서 충분히 참조될 수 있을 것이다. 이때, 전극층(130)에 사용되는 소재는 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo)이 바람직하나, 세라믹 소재와 열팽창계수가 동일한 소재를 사용하여 열 응력에 의한 크랙을 방지할 수 있다. 전극층(130)은 상술한 바와 같이 헬륨 유로가 지나가게 됨으로 헬륨 유로를 고려하여 다양한 패턴으로 용사 코팅될 수 있다. 전극층(130)의 두께는 충분히 정전기력을 발휘하도록 대략 20 ~ 70㎛ 사이 값을 가지는 것이 바람직하다.
한편, 상술한 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 바이폴라 정전척은 최상층에 엠보싱(10)이 형성되며, 엠보싱(10)이 형성됨에 따라 엠보싱이 형성된 영역에서는 척킹력이 떨어지게 된다. 이러한 이유는 엠보싱(10)은 진공이고 엠보싱(10)과 엠보싱(10) 사이 공간은 유전체이므로 엠보싱(10)이 위치한 곳에 척킹력이 떨어지게 된다. 따라서 엠보싱(10)이 형성된 영역에 바이폴라 패턴(이하에서는 양극과 음극의 패턴을 바이폴라 패턴이라 함)이 집중되도록 하여 척킹력을 높이도록 한다. 또한, 정전척(100)을 공정 중에 회전시키는 경우(일예로서 정전척이 기울어지도록 회전되는 경우) 정전척의 흡착력이 떨어지는 경우가 있다. 따라서 본 발명에서는 엠보싱 영역에 척킹력을 높이고, 정전척을 회전시키는 경우에도 척킹력을 유지하도록 하기 위해 이하에서 설명되는 정전척의 바이폴라 패턴을 형성한다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 전극층(230)의 바이폴라 패턴은 엠보싱(10)을 사이에 두고 양전압을 공급받는 제1 전극층(231)과 음전압을 공급받는 제2 전극층(232)이 순차적으로 또는 교번되어 일정 간격을 두고 수직방향으로 패터닝된다. 즉, 본 발명의 일실시예에서는 바이폴라 패턴이 엠보싱(10)과 겹치도록 패터닝 되지 않는다. 다만, 바람직하게는 엠보싱(10)과 바이폴라 패턴이 겹치지 않도록 하는 것이 좋으나, 바이폴라 패턴을 엠보싱(10) 바로 밑 부분에 패터닝되지 않도록 하고 일정 부분 엠보싱과 겹쳐지도록 할 수도 있다. 이때, 제1 전극층(231) 및 제2 전극층(232)은 직선 라인 패턴으로 형성된다. 엠보싱(10)은 전극층(230)의 상측에 위치하므로 본 발명의 설명에서는 필요에 따라 엠보싱(10) 또는 바이폴라 패턴 중 어느 하나를 다른 층으로 투영하여 가상의 동일층에 있다고 가정하여 설명할 수도 있다.
제1 전극층(231)과 제2 전극층(232)에 양의 전압과 음의 전압을 각각 공급하는 경우에 정전기력(또는 척킹력, 흡착력)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 전극층(231)에서 제2 전극층(232)으로 형성되며, 본 발명에서는 수직방향으로 가정한다. 이때, 제1 전극층(231)에 양의 전압을 제2 전극층(232)에 음의 전압을 공급하는 것으로 가정하였으나 서로 반대의 전압을 공급하도록 하여 척킹력이 반대방향으로 향하도록 할 수도 있다. 도 2에 도시된 것 뿐만 아니라 후술하는 도면에 도시된 척킹력(F)의 표시는 가장 단순화하여 표시한 것으로서 정전기력의 방향은 필요에 따라 종래 선행기술에서 참조될 수 있을 것이다.
한편, 도 2의 바이폴라 패턴을 90도 회전하게 되면 바이폴라 패턴이 수평방향으로 패터닝되며, 정전기력은 제1 전극층(231)에서 제2 전극층(232)으로 수평방향으로 형성된다. 따라서 바이폴라 패턴의 배치 방향을 서로 달리함으로써 수직방향과 수평방향의 정전기력을 생성할 수 있으며 이러한 일실시예를 도 3에 도시하였다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이 수평방향과 수직방향 모두 정전기력이 생성되게 함으로써 정전척 회전시 척킹력이 수평방향과 수직방향 모두 생성되어 정전척의 척킹력이 유지되도록 할 수 있다. 다만, 도 3에 도시된 정전기력의 방향은 일실시예를 설명하기 위하여 도시하였을 뿐 도 3의 일실시예에 한정되지 않고 수직방향으로 정전기력이 형성되는 제1 흡착방향 영역(233)과 수평방향으로 정전기력이 형성되는 제2 흡착방향 영역(234)이 순차적으로 또는 비 순차적으로 형성되도록 할 수 있다. 즉, 제1 흡착방향 영역(233)이 전극층의 절반을 차지하고, 제2 흡착방향 영역(234)이 나머지 전극층의 절반을 차지하도록 할 수 있으며, 이러한 흡착방향 영역의 패턴 설계는 다양하게 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위에서 충분히 고려될 수 있다. 후술하는 도면에서도 흡착방향 영역의 패턴 설계도 동일하게 적용된다.
도 4에 도시된 바와 같이 전극층(430)의 바이폴라 패턴은 제1 전극층(431)과 제2 전극층(432)이 수평방향으로 엠보싱(10)을 사이에 두고 순차적으로 일정 간격을 두고 패터닝되며, 이때 제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)은 곡선 라인으로 패터닝된다. 전극층의 패턴을 도 2 및 도 3과 같이 직선 라인으로 패터닝하는 경우에는 척킹력의 방향이 수평방향 또는 수직방향으로 형성되나, 도 4와 같이 곡선 라인으로 전극층을 패터닝하는 경우에는 엠보싱(10)을 기준으로 방사상 방향으로 척킹력이 작용하여 다방향으로 척킹력이 생성된다. 제1 전극층(431)과 제2 전극층(432)은 엠보싱(10)이 위치하는 영역에서 엠보싱(10)을 둘러싸도록 패터닝되며, 바람직하게는 엠보싱(10)을 기준으로 가상의 원 또는 타원이 되도록 패턴닝된다. 엠보싱(10)이 위치한 영역에서의 바이폴라 패턴은 엠보싱(10)을 둘러싸도록 패터닝되며, 그 이외의 영역에서는 제1 전극층(431)과 제2 전극층(432)의 간격이 엠보싱(10)이 위치한 영역에서의 바이폴라 패턴간의 가장 긴 거리(d1)보다 짧게(d2) 형성된다.
한편, 도 4의 바이폴라 패턴을 90도 회전하게 되면 바이폴라 패턴이 수직방향으로 패터닝되며, 정전기력은 도 4의 정전기력 방향과 다른 방향으로 정전기력이 형성된다. 즉, 도 4에서는 수평방향의 정전기력을 포함하여 다방향으로 정전기력이 형성되기는 하나 수직방향의 정전기력이 생성되지 않는다, 반면에, 도 4의 바이폴라 패턴을 90도 회전하면 도 4의 정전기력과는 다른 방향으로 정전기력이 형성되며, 수직방향의 정전기력을 포함하여 다방향으로 정전기력이 생성된다. 따라서 바이폴라 패턴의 배치 방향을 서로 달리함으로써 다양한 방향으로 생성되는 정전기력을 생성할 수 있으며 이러한 일실시예를 도 5에 도시하였다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 수평방향을 포함한 제1 다방향 정전기력과 수직방향을 포함한 제2 다방향 정전기력을 모두 분포되게 함으로써 척킹력을 높일 뿐만 아니라 정전척 회전시 척킹력이 수평방향과 수직방향 모두 생성되어 정전척의 척킹력이 유지되도록 할 수 있다. 다만, 도 5에 도시된 정전기력의 방향은 일실시예를 설명하기 위하여 도시하였을 뿐 도 5의 일실시예에 한정되지 않고 수평방향을 포함한 제1 다방향 정전기력이 형성되는 제1 흡착방향 영역(433)과 수직방향을 포함한 제2 다방향 정전기력이 형성되는 제2 흡착방향 영역(434)이 순차적으로 또는 비 순차적으로 형성되도록 할 수 있다. 즉, 제1 흡착방향 영역(433)이 전극층의 절반을 차지하고, 제2 흡착방향 영역(434)이 나머지 전극층의 절반을 차지하도록 할 수 있으며, 이러한 흡착방향 영역의 패턴 설계는 다양하게 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위에서 충분히 고려될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이 전극층(630)의 바이폴라 패턴은 제1 전극층(631)과 제2 전극층(632)이 수평방향으로 엠보싱(10)을 사이에 두고 순차적으로 일정 간격을 두고 패터닝되며, 이때 제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)은 곡선 셀로 패터닝된다. 도 4에서는 바이폴라 패턴이 곡선 라인으로 형성되나 도 6에서는 곡선 라인이 아닌 곡선 셀로 형성된다. 본 발명의 일실시예에서 설명되는 라인은 미세 패턴일 수 있으나, 셀은 미세 패턴보다 패턴의 두께 및 폭 중 적어도 어느 하나가 더 두꺼울 수 있다. 전극층의 패턴을 도 2 및 도 3과 같이 직선 라인으로 패터닝하는 경우에는 척킹력의 방향이 수평방향 또는 수직방향으로 형성되나, 도 4 및 도 6과 같이 곡선 라인으로 전극층을 패터닝하는 경우에는 엠보싱(10)을 기준으로 방사상 방향으로 척킹력이 작용하여 다방향으로 척킹력이 생성된다. 제1 전극층(631)과 제2 전극층(632)은 엠보싱(10)이 위치하는 영역에서 엠보싱(10)을 둘러싸도록 패터닝되며, 바람직하게는 엠보싱(10)을 기준으로 가상의 원 또는 타원이 되도록 패턴닝된다. 엠보싱(10)이 위치한 영역에서의 바이폴라 패턴은 엠보싱(10)을 둘러싸도록 패터닝되며, 그 이외의 영역에서는 제1 전극층(431)과 제2 전극층(432)의 간격이 엠보싱(10)이 위치한 영역에서의 바이폴라 패턴간의 가장 긴 거리보다 짧게 형성된다(이 부분은 도 4 참조).
한편, 도 6의 바이폴라 패턴을 90도 회전하게 되면 바이폴라 패턴이 도 7과 같이 수직방향으로 패터닝되며, 정전기력은 도 6의 정전기력 방향과 다른 방향으로 정전기력이 형성된다. 즉, 도 6에서는 수평방향의 정전기력을 포함하여 다방향으로 정전기력이 형성되기는 하나 수직방향의 정전기력이 생성되지 않는다, 반면에, 도 7의 정전기력 방향은 도 6의 정전기력과는 다른 방향으로 정전기력이 형성되며, 수직방향의 정전기력을 포함하여 다방향으로 정전기력이 생성된다. 따라서 바이폴라 패턴의 배치 방향을 서로 달리함으로써 다양한 방향으로 생성되는 정전기력을 생성할 수 있다. 이러한 일실시예는 도 5와 동일하게 생각할 수 있으며 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 수평방향을 포함한 제1 다방향 정전기력과 수직방향을 포함한 제2 다방향 정전기력을 모두 분포되게 함으로써 척킹력을 높일 뿐만 아니라 정전척 회전시 척킹력이 수평방향과 수직방향 모두 생성되어 정전척의 척킹력이 유지되도록 할 수 있다.
특히, 도 6 및 도 7의 경우에는 각 전극층이 곡선 셀로 형성되기 때문에 도 4에 비해 정전기력이 발생하지 않는 정전기력 결핍 영역이 형성된다. 이러한 정전기력 결핍 영역은 곡선 셀로 형성된 제1 전극층(631)과 제2 전극층(632)의 폭 두께만큼 형성될 것이다. 또한, 곡선 셀도 유선 형상으로 되어 있기 때문에 정전기력 결핍 영역의 면적이 일정하지 않고 곡선 셀 형상을 따라 결핍영역이 형성될 것이다. 이러한 정전기력 결핍 영역은 기판을 바이폴라 정전척에서 떼어 놓는 경우(이러한 경우를 디척킹으로 정의한다) 유리하다. 즉, 바이폴라 정전척은 기판을 고정하기 위해서는 척킹력이 중요하기는 하나 척킹력이 너무 강한 경우 기판을 정전척으로부터 디척킹할 시에 문제가 발생한다. 따라서 도 6 및 도 7의 경우에는 척킹력과 디척킹이 적절하게 조합할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이 전극층(830)의 바이폴라 패턴은 제1 가지(831a,832a)와 제1 가지에서 분기된 제2 가지(831b,832b)로 나뉜다. 제1 전극층 및 제2 전극층의 제1 가지의 두께, 폭, 또는 길이와 제1 전극층 및 제2 전극층의 제2 가지의 두께, 폭, 또는 길이는 본 발명의 일실시예에서는 서로 동일하다고 가정하나, 필요에 따라 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위에서 서로 다르게 형성할 수 있다. 제1 가지와 제2 가지는 미세 직선라인 패턴으로 패터닝될 수 있다. 여기서 제1 전극층(831) 및 제2 전극층(832)의 제1 가지는 메인가지로, 제2 가지는 서브가지로서 서브가지는 메인가지의 분기점(835)에서 분기된다.
제1 전극층(831)의 메인가지(831a)와 제2 전극층(832)의 메인가지(832a)는 서로 순차적으로 수평방향으로 이격되어 배치된다. 이때, 엠보싱(10)을 사이에 두고, 엠보싱과 가상의 동일층 상에서 서로 겹쳐지지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 수평방향으로 좌측에서 우측으로 순차적으로 배치될 때 양전압이 공급되는 메인가지부터 시작되거나(도 8 참조), 이와 반대로 음전압이 공급되는 메인가지부터 순차적으로 시작될 수도 있다(도면 미도시). 또한, 메인가지로부터 분기점(835)에서 분기된 서브가지는 메인가지의 길이방향에 대해 직교하도록 분기된다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이 제1 전극층(831)의 서브가지(831b)는 제1 전극층(831)의 메인가지(831a)에 대해 각 분기점(835)에서 수평방향으로 분기되어 제2 전극층(832)의 메인가지(832a)에 접촉하지 않도록 패터닝된다. 제2 전극층(832)의 서브가지(832b)는 제2 전극층(832)의 메인가지(832a)에 대해 각 분기점(835)에서 수평방향으로 분기되어 제1 전극층(831)의 메인가지(831a)에 접촉하지 않도록 패터닝된다. 다만, 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지도 엠보싱(10)을 사이에 두고 순차적으로 수직방향으로 이격되어 배치되며, 바람직하게는 엠보싱과 가상의 동일층 상에서 서로 겹쳐지지 않도록 배치되는 것이 바람직하다
분기점(835)은 각 메인가지의 길이방향으로 복수개 형성되며, 이 분기점(835)에서 수평방향으로 서브가지가 분기되며, 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지가 서로 순차적으로 교번되어 배치되도록 한다. 따라서, 제1 전극층의 서브가지(831b)에서 제2 전극층의 메인가지(832a)로 수평방향의 정전기력이 작용하며, 제1 전극층의 서브가지(831b)에서 제2 전극층의 서브가지(832b)로 수직방향의 정전기력이 작용함으로써 수평방향과 수직방향의 정전기력을 동시에 제공할 수 있다. 본 발명에서는 도 8 및 후술하는 도 10과 같은 구조를 피쉬본 구조라 명명한다. 피쉬본 구조는 메인가지와 서브가지로 이루어지며, 메인가지에서 서브가지가 분기되어 타측 메인가지에 접촉되지 않도록 패터닝되고, 엠보싱(10)을 사이에 두고 메인가지와 서브가지가 서로 다른 방향으로 순차적으로 교번되어 배치된다.
또한, 일예로서 제1 전극층(831)이 좌측 및 우측에 배치된 제2 전극층(832)의 사이에 위치하는 경우 제1 전극층의 서브가지가 순차적으로 메인가지의 길이방향을 따라 분기되고, 제1 전극층의 서브가지 사이에 제2 전극층의 서브가지가 배치되며, 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지 사이에 엠보싱(10)이 위치함으로써 엠보싱(10) 영역에 수평방향 및 수직방향의 정전기력이 발생되어 엠보싱(10) 영역의 흡착력을 더욱 크게 할 수 있다.
도 9는 도 8의 피쉬본 구조를 90도 회전한 것으로서 도 8과 동일하게 수평방향 및 수직방향의 정전기력을 제공하나 그 방향이 서로 다를 수 있음을 나타낸다. 이하 구조는 도 8의 설명에 갈음하기로 한다.
도 10에 도시된 바와 같이 전극층(930)의 바이폴라 패턴은 제1 가지(931a,932a)와 제1 가지에서 분기된 제2 가지(931b,932b)로 나뉜다. 제1 전극층 및 제2 전극층의 제1 가지의 두께, 폭, 또는 길이와 제1 전극층 및 제2 전극층의 제2 가지의 두께, 폭, 또는 길이는 본 발명의 일실시예에서는 서로 동일하다고 가정하나, 필요에 따라 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위에서 서로 다르게 형성할 수 있다. 제1 가지는 미세 직선라인 패턴으로, 제2 가지는 미세 곡선라인 패턴으로 패터닝될 수 있다. 여기서 제1 전극층(931) 및 제2 전극층(932)의 제1 가지는 메인가지로, 제2 가지는 서브가지로서 서브가지는 메인가지의 분기점(935)에서 분기된다.
제1 전극층(931)의 메인가지(931a)와 제2 전극층(932)의 메인가지(932a)는 서로 순차적으로 수평방향으로 이격되어 배치된다. 이때, 엠보싱(10)을 사이에 두고, 엠보싱과 가상의 동일층 상에서 서로 겹쳐지지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 수평방향으로 좌측에서 우측으로 순차적으로 배치될 때 양전압이 공급되는 메인가지부터 시작되거나(도 10 참조), 이와 반대로 음전압이 공급되는 메인가지부터 순차적으로 시작될 수도 있다(도면 미도시). 또한, 메인가지로부터 분기점(935)에서 분기된 서브가지는 메인가지의 길이방향과 직교하는 방향으로 곡선라인으로 분기된다. 즉, 도 10에 도시된 바와 같이 제1 전극층(931)의 서브가지(931b)는 제1 전극층(931)의 메인가지(931a)에 대해 각 분기점(835)에서 수평방향으로 곡선라인으로 분기되어 제2 전극층(932)의 메인가지(932a)에 접촉하지 않도록 패터닝된다. 제2 전극층(932)의 서브가지(932b)는 제2 전극층(932)의 메인가지(932a)에 대해 각 분기점(935)에서 수평방향으로 곡선라인으로 분기되어 제1 전극층(931)의 메인가지(931a)에 접촉하지 않도록 패터닝된다. 다만, 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지도 엠보싱(10)을 사이에 두고 순차적으로 수직방향으로 이격되어 배치되며, 바람직하게는 엠보싱과 가상의 동일층 상에서 서로 겹쳐지지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 제1 전극층의 서브가지는 엠보싱(10)을 기준으로 대략 위쪽으로 볼록한 반구형 형상이고, 제2 전극층의 서브가지는 엠보싱(10)을 기준으로 대략 아래쪽으로 볼록한 반구형 형상이다. 따라서 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지가 엠보싱(10)을 둘러싸도록 패터닝됨으로써 엠보싱(10)을 기준으로 정전기력이 방사상 방향으로 작용하도록 하여 척킹력을 높일 수 있다. 이때, 정전기력은 수직방향의 정전기력을 포함하여 방사상 방향으로 생성되며, 수평방향으로의 정전기력은 생성되지 않는다. 다만, 도 10의 바이폴라 패턴을 90도 회전하는 경우에는 수평방향의 정전기력을 포함하여 방사상 방향으로 정전기력이 생성된다.
분기점(935)은 각 메인가지의 길이방향으로 복수개 형성되며, 이 분기점(935)에서 수평방향으로 서브가지가 분기되며, 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지가 서로 순차적으로 교번되어 배치되도록 한다. 본 발명에서는 도 8 및 후술하는 도 10과 같은 구조를 피쉬본 구조라 명명한다. 피쉬본 구조는 메인가지와 서브가지로 이루어지며, 메인가지에서 서브가지가 분기되어 타측 메인가지에 접촉되지 않도록 패터닝되고, 엠보싱(10)을 사이에 두고 메인가지와 서브가지가 서로 다른 방향으로 순차적으로 교번되어 배치된다. 즉 메인가지는 수평방향으로 서로 이격되어 배치되고, 서브가지는 수직방향으로 서로 이격되어 배치된다.
또한, 일예로서 제1 전극층(931)이 좌측 및 우측에 배치된 제2 전극층(932)의 사이에 위치하는 경우 제1 전극층의 서브가지가 순차적으로 메인가지의 길이방향을 따라 분기되고, 제1 전극층의 서브가지 사이에 제2 전극층의 서브가지가 배치되며, 제1 전극층의 서브가지와 제2 전극층의 서브가지 사이에 엠보싱(10)이 위치함으로써 엠보싱(10) 영역에 방사상 방향으로 정전기력이 발생되어 엠보싱(10) 영역의 흡착력을 더욱 크게 할 수 있다.
한편, 도 10의 바이폴라 패턴을 90도 회전하게 되면 정전기력은 도 10의 정전기력 방향과 다른 방향으로 정전기력이 형성된다. 즉, 도 10에서는 수직방향의 정전기력을 포함하여 다방향 또는 방사상 방향으로 정전기력이 형성되는 반면에, 도 10의 바이폴라 패턴을 90도 회전하면 도 10의 정전기력과는 다른 방향으로 정전기력이 형성되며, 수평방향의 정전기력을 포함하여 다방향 또는 방사상 방향으로 정전기력이 생성된다. 따라서 바이폴라 패턴의 배치 방향을 서로 달리함으로써 다양한 방향으로 생성되는 정전기력을 생성할 수 있으며 이러한 일실시예를 도 11에 도시하였다. 즉, 도 11에 도시된 바와 같이 수직방향을 포함한 제1 다방향 정전기력과 수평방향을 포함한 제2 다방향 정전기력을 모두 분포되게 함으로써 척킹력을 높일 뿐만 아니라 정전척 회전시 척킹력이 수평방향과 수직방향 모두 생성되어 정전척의 척킹력이 유지되도록 할 수 있다. 다만, 도 11에 도시된 정전기력의 방향은 일실시예를 설명하기 위하여 도시하였을 뿐 도 11의 일실시예에 한정되지 않고 수직방향을 포함한 제1 다방향 정전기력이 형성되는 제1 흡착방향 영역(933)과 수평방향을 포함한 제2 다방향 정전기력이 형성되는 제2 흡착방향 영역(934)이 순차적으로 또는 비 순차적으로 형성되도록 할 수 있다. 즉, 제1 흡착방향 영역(933)이 전극층의 절반을 차지하고, 제2 흡착방향 영역(934)이 나머지 전극층의 절반을 차지하도록 할 수 있으며, 이러한 흡착방향 영역의 패턴 설계는 다양하게 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위에서 충분히 고려될 수 있다.
상부 유전층(140)은 전극층(130) 상부 표면에 용사 코팅된다. 이때, 전극층(130)의 바이폴라 패턴 사이 공간을 메우며 감싸도록 용사 코팅될 수도 있다. 전극층(130)은 하부 유전층(120)과 상부 유전층(140)에 의해 샌드위치 구조로 배치되며, 하부 및 상부 유전층(120,140)의 유전율에 상응하는 정전기력을 발생시킨다.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
10 : 엠보싱
20 : 링부(댐부)
30 : 헬륨가스유로
40 : 세라믹 지지부
50 : 파워로드부
100 : 정전척
110 : 모재
120 : 하부 유전층
130 : 전극층
131 : 제1 전극층(양전압 공급층)
132 : 제2 전극층(음전압 공급층)
140 : 상부 유전층
230 : 전극층
231 : 제1 전극층
232 : 제2 전극층
233 : 제1 흡착방향 영역(흡착력 방향 : 수직방향)
234 : 제2 흡착방향 영역(흡착력 방향 : 수평방향)
430 : 전극층
431 : 제1 전극층
432 : 제2 전극층
433 : 제1 흡착방향 영역(흡착력 방향 : 수평방향을 포함한 제1 다방향)
434 : 제2 흡착방향 영역(흡착력 방향 : 수직방향을 포함한 제2 다방향)
630 : 전극층
631 : 제1 전극층
632 : 제2 전극층
830 : 전극층
831 : 제1 전극층(양전압 공급층)
831a : 제1 가지(메인 가지)
831b : 제2 가지(서브 가지)
832 : 제2 전극층(음전압 공급층)
832a : 제1 가지(메인 가지)
832b : 제2 가지(서브 가지)
835 : 분기점
930 : 전극층
931 : 제1 전극층(양전압 공급층)
931a : 제1 가지(메인 가지)
931b : 제2 가지(서브 가지)
932 : 제2 전극층(음전압 공급층)
932a : 제1 가지(메인 가지)
932b : 제2 가지(서브 가지)
933 : 제1 흡착방향 영역(흡착력 방향 : 수직방향을 포함한 제1 다방향)
934 : 제2 흡착방향 영역(흡착력 방향 : 수평방향을 포함한 제2 다방향)
935 : 분기점

Claims (16)

  1. 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및
    양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 상기 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며,
    상기 양전압이 공급되는 제1 전극층과 상기 음전압이 공급되는 제2 전극층은 상기 엠보싱과 적어도 일부 영역이 동일선상에 위치하지 않도록 하며,
    상기 흡착력의 방향이 제1 방향으로 형성되는 제1 흡착방향 영역과 상기 흡착력의 방향이 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 형성되는 제2 흡착방향 영역이 형성됨으로써 정전척의 회전시에 흡착력이 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 엠보층은 상기 바이폴라 전극층에 비해 수직방향으로 상측에 위치되어 상기 기판을 지지하며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은,
    상기 엠보싱과 수평방향 또는 수직방향으로 동일선상에 위치하지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은,
    상기 엠보싱과 가상의 동일층 상에서 서로 겹쳐지지 않도록 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은,
    직선 라인으로 패턴 형성되며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층이 좌우로 순차적으로 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 제1 방향으로 형성되며, 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층이 상하로 순차적으로 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 형성되며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 상기 제1 방향 및 제2 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 흡착력의 방향 중 제1 방향은 수평방향이고, 상기 제2 방향은 수직방향이며,
    상기 수평방향 및 수직방향이 서로 순차적 또는 비 순차적으로 배치됨으로써 상기 정전척의 회전시에 흡착력이 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  6. 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및
    양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 상기 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며,
    상기 양전압이 공급되는 제1 전극층과 상기 음전압이 공급되는 제2 전극층은 상기 엠보싱과 적어도 일부 영역이 동일선상에 위치하지 않도록 하며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 적어도 일 영역이 곡선 라인으로 패턴 형성되며,
    상기 흡착력의 방향이 제1 방사상 방향으로 형성되는 제1 흡착방향 영역과 상기 흡착력의 방향이 상기 제1 방사상 방향과는 다른 제2 방사상 방향으로 형성되는 제2 흡착방향 영역이 형성됨으로써 정전척의 회전시에 흡착력이 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  7. 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및
    양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 상기 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며,
    상기 양전압이 공급되는 제1 전극층과 상기 음전압이 공급되는 제2 전극층은 상기 엠보싱과 적어도 일부 영역이 동일선상에 위치하지 않도록 하며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은,
    곡선 셀로 패턴 형성되며,
    서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 방사상 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  8. 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및
    양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 상기 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며,
    상기 양전압이 공급되는 제1 전극층과 상기 음전압이 공급되는 제2 전극층은 상기 엠보싱과 적어도 일부 영역이 동일선상에 위치하지 않도록 하며,
    상기 흡착력의 방향이 제1 다방향으로 형성되는 제1 흡착방향 영역과 상기 흡착력의 방향이 상기 제1 다방향과는 적어도 일부가 다른 방향으로 형성되는 제2 다방향으로 형성되는 제2 흡착방향 영역이 형성됨으로써 정전척의 회전시에 흡착력이 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 각각 직선 라인 패턴으로 형성된 제1 가지와 상기 제1 가지로부터 분기된 제2 가지로 이루어지며,
    상기 엠보싱은 상기 제1 전극층의 제1 가지와 상기 제2 전극층의 제1 가지 사이 및 상기 제1 전극층의 제2 가지와 상기 제2 전극층의 제2 가지 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 가지와 상기 제2 가지는 서로 직교하도록 배치되며,
    상기 제1 전극층의 제1 가지와 상기 제2 전극층의 제1 가지가 서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고,
    상기 제1 전극층의 제2 가지와 상기 제2 전극층의 제2 가지가 상기 제1 가지의 순차적으로 배치 방향과 직교하는 방향으로 서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  11. 기판이 지지되는 엠보싱이 형성된 엠보층, 및
    양전압과 음전압이 각각 공급됨으로써 상기 기판을 흡착하는 흡착력이 생성되는 바이폴라 전극층을 포함하며,
    상기 양전압이 공급되는 제1 전극층과 상기 음전압이 공급되는 제2 전극층은 상기 엠보싱과 적어도 일부 영역이 동일선상에 위치하지 않도록 하며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 각각 직선 라인 패턴으로 형성된 제1 가지와 상기 제1 가지로부터 분기된 곡선 라인 패턴으로 형성된 제2 가지로 이루어지며,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 상기 엠보싱을 기준으로 방사상 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 엠보싱은 상기 제1 전극층의 제1 가지와 상기 제2 전극층의 제1 가지 사이에 배치되며,
    상기 제1 전극층의 제2 가지와 상기 제2 전극층의 제2 가지가 상기 엠보싱을 가상의 동일층 상에서 둘러싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 가지는 상기 제1 가지의 분기점으로부터 상기 제1 가지의 길이방향과 직교하는 방향으로 분기되며,
    상기 제1 전극층의 제1 가지와 상기 제2 전극층의 제1 가지가 서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고,
    상기 제1 전극층의 제2 가지와 상기 제2 전극층의 제2 가지가 상기 제1 가지의 순차적 배치 방향과 직교하는 방향으로 서로 순차적으로 상기 엠보싱을 사이에 두고 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  14. 제 6 항, 제 7 항, 및 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층이 좌우로 순차적으로 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 제1 방사상 방향으로 형성되는 제1 흡착방향 영역과
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층이 상하로 순차적으로 배치됨으로써 상기 흡착력의 방향이 상기 제1 방사상 방향과는 다른 제2 방사상 방향으로 형성되는 제2 흡착방향 영역이 순차적 또는 비 순차적으로 배치됨으로써 상기 정전척의 회전시에 흡착력이 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층이 곡선 셀로 패턴 형성됨으로써 정전기력 결핍 영역이 국부적으로 생성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 정전기력 결핍 영역은,
    상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층의 적어도 곡선 셀 면적만큼 생성되는 것을 특징으로 하는 바이폴라 정전척.
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