JP4590031B2 - 被処理体の載置機構 - Google Patents
被処理体の載置機構 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4590031B2 JP4590031B2 JP2000224905A JP2000224905A JP4590031B2 JP 4590031 B2 JP4590031 B2 JP 4590031B2 JP 2000224905 A JP2000224905 A JP 2000224905A JP 2000224905 A JP2000224905 A JP 2000224905A JP 4590031 B2 JP4590031 B2 JP 4590031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- electrode
- detection circuit
- voltage power
- power source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 59
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 36
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 13
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 10
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、プラズマ処理装置に用いられる被処理体の載置機構に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ処理装置における被処理体の載置機構には静電チャックが用いられ、静電チャック上で半導体ウエハ等の被処理体を静電吸着して被処理体に所定のプラズマ処理を施すようにしている。被処理体の載置機構には例えば図5に示すように静電チャック内に設けられた電極板に直流高電圧を印加するタイプと、例えば図6に示すように静電チャックを支持するプラズマ発生用の電極に直流高電圧を印加するタイプの2種類がある。そこで、便宜上、前者の静電チャックを分離タイプと称し、後者を結合タイプと称する。
【0003】
分離タイプの被処理体の載置機構は、図5に示すように、被処理体(例えば、半導体ウエハ)を静電吸着する静電チャック1と、この静電チャック1を支持し且つ表面にアルマイト加工またはセラミック等の絶縁体でコーティングが施されたアルミニウムからなる下部電極2とを備えている、下部電極2の上方には上部電極3が配設され、両電極2、3は所定間隔を空けて平行に配置されている。また、下部電極2にはマッチング回路4を介して高周波電源5が接続され、高周波電源5から下部電極2に対して高周波電力を印加し、下部電極2と上部電極3間でプラズマPを発生させ、下部電極2の外周縁部に配置されたフォーカスリング2Aを介してプラズマPを半導体ウエハ上に集め、半導体ウエハに対して所定のプラズマ処理を施すようにしている。
【0004】
而して、上記静電チャック1は例えばポリイミド系樹脂、セラミックス等の絶縁性材料によって形成され、その内部には電極板1Aが設けられている。電極板1Aにはフィルタ回路6を介して直流電圧を印加する高電圧電源7が接続され、高電圧電源7から電極板1Aに直流高電圧を印加し、静電チャック1の表面で半導体ウエハを静電吸着するようにしている。フィルタ回路6は例えばコイル6A及びコンデンサ6Bを有し、高周波電源5からの高周波電流をカットし、高電圧電源7側に高周波電流が回り込まないようにしている。また、下部電極2には検出回路8が接続され、この検出回路8によって下部電極2に高周波電力を印加した時に下部電極2で発生する直流(DC)成分を測定するようにしている。検出回路8は、例えば、図5に示すように、コイル8A、抵抗8B及びコンデンサ8Cを有し、A点の直流成分を測定するようにしている。この際、高周波電源5からの高周波電流をカットし、A点に高周波電流が回り込まないようにしている。
【0005】
また、結合タイプの被処理体の載置機構は、図6に示すように、下部電極2が静電チャック1の電極板を兼ねている点を除き、分離タイプの被処理体の載置機構に準じて構成されている。即ち、下部電極2には高周波電源5及び高電圧電源7の双方が接続され、高周波電源5から下部電極2に高周波電力を印加することで上部電極3との間でプラズマPを発生させ、高電圧電源7から下部電極2に直流高電圧を印加することで静電チャック1に静電気を帯電させて半導体ウエハを静電吸着するようにしている。
【0006】
ところで、上記検出回路8はプラズマ処理時の下部電極2における直流成分の検出回路としての機能の他に、下部電極2やマッチング回路4内のキャパシタ成分に残留する電荷を除去する除電回路としての機能をも有している。この除電回路としての性質を利用して分離タイプの被処理体の載置機構の場合には検出回路8が下部電極2の寿命管理手段として使用されることがある。即ち、プラズマ処理を行っている間に、下部電極2の表面がスパッタを受けてアルマイト加工が削り取られて剥がれ、この剥がれた部分で下部電極2と上部電極3との間で閉回路が形成されて下部電極2から検出回路8側へ電流が流れる。この電流を検出回路8で測定すれば、その測定値の大きさによって下部電極2のスパッタによる剥がれ具合(消耗度)を把握することができ、ひいては下部電極2の寿命を管理することができる。検出回路8は下部電極2における直流成分を測定するためのものではあるが、直流成分は高周波電力をON/OFFする時や高電圧をON/OFFする時以外には理想的には0Vである。このため、プラズマ処理時に下部電極2を流れる電流がアルマイト加工の剥がれた部分を介して下部電極2を流れる電流として把握することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図5に示す分離タイプの被処理体の載置機構の場合には、プロセス条件によって半導体ウエハにプラズマ処理を施す間に例えば検出回路8が除電回路として機能し同図の矢印Iで示すように下部電極2から検出回路8へ電気が流れ込むため、下部電極2の電圧降下により下部電極2とフォーカスリング2Aとの間で電位差が生じ、この電位差に起因して下部電極2とフォーカスリング2Aなどの部品との間で異常放電を発生するという課題があった。これを回避するためには検出回路8を取り外せば、プラズマ処理時の異常放電は防止できるが、下部電極2に電荷が残留する弊害があり、また、メンテナンス時に下部電極2内の冷媒流路で冷媒を循環させたままにすると、冷媒と冷媒流路との摩擦により静電気が発生し下部電極2で帯電し、感電するという課題があった。
【0008】
また、図6に示す結合タイプの被処理体の載置機構の場合には、高電圧電源7と検出回路8とで閉回路が形成されるため、同図に示すように高電圧電源7から検出回路8側へ常時電流が流れ込み、高電圧電源7から下部電極2への印加電圧が低下して静電チャック1の静電吸着機能が低下するという課題があった。また、これを回避するために検出回路8を取り外せば分離タイプの場合と同様に下部電極2で静電気が帯電する問題がある。
【0009】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、電極での電圧降下を防止することができると共に電極の寿命を管理することができる被処理体の載置機構を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載の被処理体の載置機構は、被処理体を静電吸着する静電チャックと、この静電チャックが装着された電極と、この電極に高周波電力を印加する高周波電源と、上記静電チャックに静電気力を発生させる直流高電圧電源と、上記電極に高周波電圧を印加して上記被処理体に所定のプラズマ処理を施す際に上記電極で発生する直流成分を検出する検出回路とを備えた被処理体の載置機構において、上記被処理体をプラズマ処理している時には上記検出回路と上記電極との接続を切り離し可能で、上記直流成分を検出する時または上記被処理体をプラズマ処理していない時には上記検出回路と上記電極を電気的に接続可能な切替手段を設けたことを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明の請求項2に記載の被処理体の載置機構は、請求項1に記載の発明において、上記静電チャック内に電極板を設け、この電極板に上記直流高電圧電源から直流電圧を印加して上記静電気力を発生させることを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明の請求項3に記載の被処理体の載置機構は、請求項1に記載の発明において、上記電極に上記直流高電圧電源から上記直流電圧を印加して上記静電気力を発生させることを特徴とするものである。
【0013】
また、本発明の請求項4に記載の被処理体の載置機構は、請求項3に記載の発明において、上記直流高電圧電源に過電流保護回路を設けたことを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明の請求項5に記載の被処理体の載置機構は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記電極の寿命を管理する手段として上記直流高電圧電源の電流をモニタする手段を設けたことを特徴とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図1〜図4に示す実施形態に基づいて本発明の被処理体の載置機構を分離タイプと結合タイプに分けて説明する。
まず本実施形態の分離タイプの被処理体の載置機構について説明する。この被処理体の載置機構10は、例えば図1に示すように、半導体ウエハWを静電吸着し且つポリイミド系樹脂、セラミック等の絶縁材料からなる静電チャック11と、この静電チャック11を支持し且つ表面がアルマイト加工またはセラミック等の絶縁体でコーティングが施されたアルミニウムからなる下部電極12と、この下部電極12にマッチング回路13を介して高周波電力を印加する高周波電源14と、静電チャック11内の電極板11Aにフィルタ回路15を介して直流電圧を印加する高電圧電源16とを備えている。下部電極12の上方には上部電極17が配設され、下部電極12と上部電極17は図示しない処理室内に所定間隔を空けて互いに平行に配置されている。また、下部電極12の外周縁部にはフォーカスリング(図示せず)が配設されている。従って、処理室内に所定のガスを供給し所定の真空度を保持した状態で、高周波電源14からマッチング回路13を介して下部電極12に高周波電力を印加すると共に高電圧電源16からフィルタ回路15を介して静電チャック11の電極板11Aに高電圧を印加すると、下部電極12と上部電極17間でプラズマを発生し、静電チャック11で静電吸着された半導体ウエハWに所定のプラズマ処理を施すことになる。
【0016】
上記被処理体の載置機構10には半導体ウエハWにプラズマ処理を施す際に下部電極12で発生する直流成分を検出する検出回路18が設けられている。この検出回路18は、コイル18A、抵抗18B及びコンデンサ18Cを備えている。更に、本実施形態ではコイル18Aと抵抗18Bの間にはリレースイッチ18Dが設けられている。このリレースイッチ18Dは外部から制御できるように構成されている。そして、プラズマ処理を行っている時で下部電極12とフォーカスリング等の部品との間において異常放電が起こりやすいプロセス条件ではリレースイッチ18Dは図1に実線で示すよう開いており、検出回路18内への直流電流の流入を遮断している。また、プラズマ処理を停止したり、プラズマ処理装置をメンテナンスする時にはリレースイッチ18Dは図1に破線で示すよう閉じ、検出回路18内へ電流が流れ込んで下部電極12から除電し、下部電極12での帯電を防止することができる。
【0017】
従って、異常放電が起こりやすいプロセス条件でプラズマ処理を行っている時には検出回路18のリレースイッチ18Dが開放されているため、検出回路18が下部電極12から分離、遮断され、下部電極12の電圧降下を防止し、下部電極12とフォーカスリング等の部品との間の異常放電を防止することができる。異常放電が起こりにくいプラズマ処理中に下部電極12のアルマイト加工の剥がれ具合を知りたい時にはリレースイッチ18Dを閉じ検出回路18を下部電極12に接続する。仮に、下部電極12がスパッタを受けてアルマイト加工の一部が削り取られていると、下部電極12でアルマイト加工の剥がれた部分と上部電極17間で閉回路が形成され、下部電極12から検出回路18内へ電流が流れ込み、測定点Aにおいてその電圧値をすることができる。この電圧値の増加の程度によって下部電極12のアルマイト加工部分の剥がれ具合を把握し、ひいては下部電極12の寿命を把握し、管理することができる。また、プラズマ処理装置をメンテナンスする時にはリレースイッチ18Dを閉じ検出回路18を下部電極12に接続し、検出回路18を除電回路として利用する。これによりメンテナンス時に下部電極12内で冷媒が循環し下部電極12において静電気が発生しても除電回路によって静電気を除去することができる。
【0018】
次に、本実施形態の結合タイプの被処理体の載置機構について説明する。この被処理体の載置機構20は、例えば図2に示すように、静電チャック21、下部電極22、マッチング回路23、高周波電源24、フィルタ回路25、高電圧電源26、フォーカスリング(図示せず)及び検出回路28を備えている点では上記実施形態と同様に構成されている。本実施形態では高電圧電源26を下部電極22に印加し、この下部電極22を静電チャック21の電極板として利用している点で上記実施形態とは相違する。検出回路28はコイル28A、抵抗28B、コンデンサ28C及びリレースイッチ(常開接点)28Dを備え、上記実施形態のものに準じて構成されている。
【0019】
而して、本実施形態で用いられる検出回路28は上記実施形態のものとは作用効果面で共通点もあるが相違点もある。共通点はメンテナンス時にリレースイッチ28Dを閉じ検出回路28を下部電極22に接続することで検出回路28を除電回路として使用し、下部電極22での帯電を防止することである。その他の点ではいくつかの相違点がある。以下相違点について説明する。
【0020】
本実施形態ではプラズマ処理時にはリレースイッチ28Dを開き検出回路28と下部電極22の接続を解除すると共に検出回路28と高電圧電源26との接続を解除して除電回路としての機能を停止させる。これにより下部電極22での高電圧の電圧降下を防止して静電チャック21の静電吸着機能を保持することができる。ところが、検出回路28を下部電極22の寿命管理に使用する場合にリレースイッチ28Dを介して検出回路28と下部電極22を接続すると、従来技術でも説明したように検出回路28と高電圧電源26とで閉回路が形成され、下部電極22の直流成分を測定する代わりに高電圧電源26からの高い出力電圧を測定することになり、このままでは下部電極22の寿命管理に使用することができない。
【0021】
ところが、本発明者は、高電圧電源26の電流と下部電極22のバイアス電位Vdcとの間には密接に関連していることを見出した。例えば図3の(a)、(b)、(c)に示すように高電圧電源26の電流HV[A]と下部電極22のバイアス電位Vdcは互いに同期して変化し、しかも高電圧電源26あるいは高周波電源24を印加するとこれに同期して高電圧電流HV[A]とバイアス電位Vdcがそれぞれ変化することが判った。従って、下部電極22のアルマイト加工の剥がれた部分を介して下部電極22と上部電極27とで閉回路が形成され、図2の矢印で示すように下部電極22から高電圧電源26へ電流が流れ込むと高電圧電源26の電流HV[A]が変化することになる。そこで、本実施形態では検出回路28で高電圧電源26の電流HV[A]をモニタすることで間接的にアルマイト加工の剥がれた部分から流れ込む電流を間接的に把握し、その電流の大きさによって下部電極22の寿命を把握、管理することができるようにしている。また、図1に示す分離タイプの載置機構において、異常放電が起こりやすいプロセス条件で処理を行っている時に下部電極12の寿命を管理する場合にはこの電流HV[A]でモニタすることができる。
【0022】
また一方で、下部電極22のアルマイト加工部分の剥がれた部分を介して下部電極22と上部電極27との間で閉回路を形成すると、下部電極22に印加した高電圧の電圧降下をもたらし、静電チャック21が機能しなくなる可能性もある。しかも、アルマイト加工部分が剥がれた場合には下部電極22に印加された高電圧によって直流放電を起こす可能性もある。そこで、本実施形態では高電圧電源26に過電流保護回路29を設け、過電流保護回路29によって直流放電による過電流を検出した時に高電圧電源26を停止させるようにしている。更に、この過電流保護回路29における過電流検出信号に基づいて警報を発し、高周波電源24を停止させるようにしてある。
【0023】
従って、プラズマ処理を行っている時には検出回路28のリレースイッチ28Dが開き検出回路28と下部電極22の接続が解除されているため、下部電極22の高電圧の電圧降下を防止し、静電チャック21からの半導体ウエハWの剥離を防止することができ、また下部電極22とフォーカスリング等の部品との間の異常放電を防止することができる。また、下部電極22のアルマイト加工の剥がれ具合(寿命)を知りたい時にはリレースイッチ28Dを閉じ検出回路28を下部電極22に接続する。この時仮に、下部電極22がスパッタを受けてアルマイト加工の一部が削り取られていると、下部電極22と上部電極27間で閉回路が形成され、高電圧電源26の電流HV[A]をモニタし、測定点Aにおいてその電流HV[A]を測定し、この電流HV[A]の大きさによって下部電極22の寿命を把握し、ひいては下部電極22の寿命を把握、管理することができる。また、プラズマ処理装置をメンテナンスする時にはリレースイッチ28Dを閉じて検出回路28と下部電極22を接続し、検出回路28を除電回路として利用する。これによりメンテナンス時に下部電極22内で冷媒が循環し下部電極22において静電気が発生しても除電回路によって除電することができる。また、下部電極22のアルマイト加工の剥がれた部分で下部電極22の高電圧によって直流放電が起こったとしても過電流保護回路29によって高電圧電源26の過電流を検出し、高電圧電源26及び高周波電源24を停止させ、警報を発することができる。
【0024】
以上説明したように本実施形態によれば、異常放電が起こりやすい処理中には検出回路18、28を下部電極12、22から電気的に遮断し、直流成分を検出する時及び半導体ウエハWを処理していない時には検出回路18、28と下部電極12、22を電気的に接続するリレースイッチ18D、28Dを設けたため、以下の作用効果が奏し得られる。
▲1▼分離タイプの被処理体の載置機構10では、異常放電が起こりやすいプロセス条件でプラズマ処理を行っている時には検出回路18のリレースイッチ18Dが開放されて検出回路18と下部電極12の接続が解除されているため、下部電極12の電圧降下を防止し、下部電極12とフォーカスリング18等の部品との間の異常放電を防止することができる。また、異常放電を起こさないプロセス条件でプラズマ処理中に下部電極12のアルマイト加工の剥がれ具合を知りたい時にはリレースイッチ18Dを閉じ検出回路18と下部電極12を接続するため、測定点Aにおける電圧値の大きさによって下部電極12のアルマイト加工部分の剥がれ具合を把握し、ひいては下部電極12の寿命を把握し、管理することができる。また、異常放電が起こりやすいプロセス条件での下部電極12、22の寿命管理は、直流高電圧電源16の電流HV[A]をモニタすることにより行う。プラズマ処理装置をメンテナンスする時にはリレースイッチ18Dを閉じ検出回路18を下部電極12に接続し、検出回路18を除電回路として利用することができるため、メンテナンス時に下部電極12での帯電を防止することができる。
▲2▼結合タイプの被処理体の載置機構20では、プラズマ処理を行っている時には検出回路28のリレースイッチ28Dが開き検出回路28と下部電極22の接続が解除されているため、下部電極22の高電圧の電圧降下を防止し、静電チャック21からの半導体ウエハWの剥離を防止することができ、また下部電極22とフォーカスリング等の部品との間の異常放電を防止することができる。また、プラズマ処理中に下部電極22のアルマイト加工の剥がれ具合を知るには高電圧電源26の電流HV[A]をモニタすることで下部電極22の寿命を把握し、ひいては下部電極22の寿命を把握、管理することができる。また、プラズマ処理装置をメンテナンスする時にはリレースイッチ28Dを閉じて検出回路28と下部電極22を接続し、検出回路28を除電回路として利用することができ、下部電極22での帯電を防止することができる。
【0025】
また、本実施形態によれば、分離タイプの被処理体の載置機構20の高電圧電源26に過電流保護回路29を設けたため、下部電極22のアルマイト加工の剥がれた部分で下部電極22の高電圧によって直流放電が起こったとしても過電流保護回路29によって高電圧電源26の過電流を検出し、高電圧電源26及び高周波電源24を停止させ、警報を発することができる。
【0026】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を適宜設計変更することができる。
【0027】
【発明の効果】
本発明の請求項1〜請求項3に記載の発明によれば、電極での電圧降下を防止することができると共に電極の寿命を管理することができる被処理体の載置機構を提供することができる。
【0028】
また、本発明の請求項4に記載の発明によれば、請求項3に記載の発明において、高電圧電源及び/または高周波電源を停止させ、あるいは警報を発することができる結合タイプの被処理体の載置機構を提供することができる。
【0029】
また、本発明の請求項5に記載の発明によれば、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、電極の寿命をモニタすることができる被処理体の載置機構を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の被処理体の載置機構の一実施形態で分離タイプのものを示す構成図である。
【図2】本発明の被処理体の載置機構の他の実施形態で結合タイプのものを示す構成図である。
【図3】(a)〜(c)は図2に示す結合タイプの被処理体の載置機構における、高電圧電源の電流と下部電極のバイアス電位との関係を示す図で、これらの電流及びバイアス電位が高電圧電源及び高周波電源のON、OFFに連動する状態を示すグラフである。
【図4】本発明の被処理体の載置機構の更に他の実施形態を示す構成図である。
【図5】従来の分離タイプの被処理体の載置機構の一例を示す構成図である。
【図6】従来の結合タイプの被処理体の載置機構の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
10、20 被処理体の載置機構
11、21 静電チャック
11A 電極板
12、22 下部電極(電極)
14、24 高周波電源
16、26 高電圧電源
18、28 検出回路
18A、28A リレースイッチ(切替手段)
29 過電流保護回路
W 半導体ウエハ(被処理体)
P プラズマ
Claims (5)
- 被処理体を静電吸着する静電チャックと、この静電チャックが装着された電極と、この電極に高周波電力を印加する高周波電源と、上記静電チャックに静電気力を発生させる直流高電圧電源と、上記電極に高周波電圧を印加して上記被処理体に所定のプラズマ処理を施す際に上記電極で発生する直流成分を検出する検出回路とを備えた被処理体の載置機構において、上記被処理体をプラズマ処理している時には上記検出回路と上記電極との接続を切り離し可能で、上記直流成分を検出する時または上記被処理体をプラズマ処理していない時には上記検出回路と上記電極を電気的に接続可能な切替手段を設けたことを特徴とする被処理体の載置機構。
- 上記静電チャック内に電極板を設け、この電極板に上記直流高電圧電源から直流電圧を印加して上記静電気力を発生させることを特徴とする請求項1に記載の被処理体の載置機構。
- 上記電極に上記直流高電圧電源から上記直流電圧を印加して上記静電気力を発生させることを特徴とする請求項1に記載の被処理体の載置機構。
- 上記直流高電圧電源に過電流保護回路を設けたことを特徴とする請求項3に記載の被処理体の載置機構。
- 上記電極の寿命を管理する手段として上記直流高電圧電源の電流をモニタする手段を設けたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の被処理体の載置機構。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000224905A JP4590031B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 被処理体の載置機構 |
TW090118182A TW495825B (en) | 2000-07-26 | 2001-07-25 | Holding system for object to be processed |
KR1020037001137A KR100892790B1 (ko) | 2000-07-26 | 2001-07-26 | 피처리체의 유지 기구, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
EP01984369A EP1324381B1 (en) | 2000-07-26 | 2001-07-26 | Workpiece holding mechanism |
PCT/JP2001/006420 WO2002009172A1 (fr) | 2000-07-26 | 2001-07-26 | Mecanisme de blocage d'une piece a usiner |
US10/343,022 US6878233B2 (en) | 2000-07-26 | 2001-07-26 | Workpiece holding mechanism |
US11/085,525 US7265963B2 (en) | 2000-07-26 | 2005-03-22 | Holding mechanism of object to be processed |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000224905A JP4590031B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 被処理体の載置機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002043402A JP2002043402A (ja) | 2002-02-08 |
JP4590031B2 true JP4590031B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=18718767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000224905A Expired - Lifetime JP4590031B2 (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | 被処理体の載置機構 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6878233B2 (ja) |
EP (1) | EP1324381B1 (ja) |
JP (1) | JP4590031B2 (ja) |
KR (1) | KR100892790B1 (ja) |
TW (1) | TW495825B (ja) |
WO (1) | WO2002009172A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11508555B2 (en) * | 2019-12-02 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode consumption amount measuring method |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001316818A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Canon Inc | 膜形成方法及び形成装置、並びにシリコン系膜、起電力素子及びそれを用いた太陽電池、センサー及び撮像素子 |
JP4590031B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置機構 |
JP4048412B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2008-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台の除電機構及び検査装置 |
JP4115155B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2008-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法 |
US7541283B2 (en) * | 2002-08-30 | 2009-06-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
KR20080107473A (ko) * | 2004-11-04 | 2008-12-10 | 가부시키가이샤 알박 | 정전 척 장치 |
US20060275931A1 (en) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asm Japan K.K. | Technology of detecting abnormal operation of plasma process |
JP4865352B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2012-02-01 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4674177B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US7993487B2 (en) | 2006-03-29 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method of measuring amount of radio-frequency current in plasma |
US7655110B2 (en) | 2006-03-29 | 2010-02-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP5107597B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4928817B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR100804787B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2008-02-20 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 능동 바이어스 제어 회로를 갖는 플라즈마 처리 장치 및 그제어 방법 |
KR100788956B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-12-27 | 에이피티씨 주식회사 | 정전척을 포함하는 플라즈마 공정 장비 |
DE202006020568U1 (de) * | 2006-06-30 | 2008-12-24 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Plasmaprozesssystem mit einer elektrostatischen Probenhalteanordnung |
KR101394337B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2014-05-13 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전척 |
US8343305B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-01-01 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for diagnosing status of parts in real time in plasma processing equipment |
US7884925B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-02-08 | Lam Research Corporation | Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials |
US8454027B2 (en) * | 2008-09-26 | 2013-06-04 | Lam Research Corporation | Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring |
JP5203986B2 (ja) * | 2009-01-19 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | フォーカスリングの加熱方法、プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
EP2390906A1 (en) * | 2010-05-26 | 2011-11-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for electrostatic discharge (ESD) reduction |
EP2594119B1 (en) | 2010-07-16 | 2016-03-23 | Hypertherm, Inc | Failure event detection in a plasma arc torch |
US9761883B2 (en) | 2011-11-03 | 2017-09-12 | Johnson Controls Technology Company | Battery grid with varied corrosion resistance |
CN103811261B (zh) * | 2012-11-13 | 2016-08-24 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 降低晶圆漏电流的结构及设置该结构的等离子体处理室 |
US9984911B2 (en) * | 2014-12-11 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck design for high temperature RF applications |
JP6496579B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2019-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US9754769B2 (en) * | 2015-09-15 | 2017-09-05 | Lam Research Corporation | Metrology methods to detect plasma in wafer cavity and use of the metrology for station-to-station and tool-to-tool matching |
US10435789B2 (en) * | 2016-12-06 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate treatment apparatus |
US10714372B2 (en) | 2017-09-20 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | System for coupling a voltage to portions of a substrate |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
JP6785377B2 (ja) * | 2018-05-28 | 2020-11-18 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
CN118315254A (zh) | 2019-01-22 | 2024-07-09 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
JP7466432B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び消耗量測定方法 |
US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06151373A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Canon Inc | 半導体デバイス製造装置 |
JP2000092877A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置、及び真空処理方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100290748B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
US5557215A (en) * | 1993-05-12 | 1996-09-17 | Tokyo Electron Limited | Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus |
US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
US5459632A (en) * | 1994-03-07 | 1995-10-17 | Applied Materials, Inc. | Releasing a workpiece from an electrostatic chuck |
US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
TW293231B (ja) * | 1994-04-27 | 1996-12-11 | Aneruba Kk | |
US5708556A (en) * | 1995-07-10 | 1998-01-13 | Watkins Johnson Company | Electrostatic chuck assembly |
US5882492A (en) * | 1996-06-21 | 1999-03-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | A.C. plasma processing system |
US6214162B1 (en) * | 1996-09-27 | 2001-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US5886865A (en) * | 1998-03-17 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck |
JP2000049216A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 |
JP4590031B2 (ja) * | 2000-07-26 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置機構 |
KR100368116B1 (ko) * | 2000-08-07 | 2003-01-15 | 삼성전자 주식회사 | 반도체설비의 정전척 구동전원 자동 방전장치 |
JP3665265B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JP3977114B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | プラズマ処理装置 |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000224905A patent/JP4590031B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-25 TW TW090118182A patent/TW495825B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-26 KR KR1020037001137A patent/KR100892790B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-26 EP EP01984369A patent/EP1324381B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-26 WO PCT/JP2001/006420 patent/WO2002009172A1/ja active Application Filing
- 2001-07-26 US US10/343,022 patent/US6878233B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-22 US US11/085,525 patent/US7265963B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06151373A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Canon Inc | 半導体デバイス製造装置 |
JP2000092877A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置、及び真空処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11508555B2 (en) * | 2019-12-02 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode consumption amount measuring method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100892790B1 (ko) | 2009-04-10 |
US20030145950A1 (en) | 2003-08-07 |
KR20030022315A (ko) | 2003-03-15 |
US20050162805A1 (en) | 2005-07-28 |
WO2002009172A1 (fr) | 2002-01-31 |
EP1324381A1 (en) | 2003-07-02 |
EP1324381B1 (en) | 2012-09-26 |
US6878233B2 (en) | 2005-04-12 |
TW495825B (en) | 2002-07-21 |
JP2002043402A (ja) | 2002-02-08 |
EP1324381A4 (en) | 2009-12-23 |
US7265963B2 (en) | 2007-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4590031B2 (ja) | 被処理体の載置機構 | |
KR100487823B1 (ko) | 캐소드페데스탈의dc전위를능동적으로제어하기위한장치및그방법 | |
AU645792B2 (en) | Arc diverter | |
JP4674177B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US6373681B2 (en) | Electrostatic chuck, and method of and apparatus for processing sample using the chuck | |
US6557248B1 (en) | Method of fabricating an electrostatic chuck | |
KR20160140420A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 기판 박리 검지 방법 | |
US6304424B1 (en) | Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system | |
KR20000071664A (ko) | 반도체 웨이퍼 프로세스 장치에서 지지 표면을 회복시키는방법 및 장치 | |
JP2013502718A (ja) | ウエハバイアス電位を測定するための方法および装置 | |
US7541283B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP2007165915A (ja) | ワークピースを保持する双極静電チャック | |
TW200403786A (en) | Method for performing real time arcing detection | |
WO2012090430A1 (ja) | 静電吸着装置 | |
WO2007014160A2 (en) | Method and apparatus for in-situ substrate surface arc detection | |
JP2015072825A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP3733448B2 (ja) | プラズマ処理方法および装置並びに基板脱離方法及び印加電圧の制御装置 | |
JPH07211768A (ja) | 静電吸着装置の保持状態確認方法 | |
JP2011187881A (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JPH077071A (ja) | 静電チャック | |
JP2005310945A (ja) | 半導体製造装置およびウェハの静電吸着方法・除電方法 | |
KR102648459B1 (ko) | 정전 흡착 장치 및 제전 방법 | |
JPH10284471A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPS63308340A (ja) | 静電チャックの絶縁破壊検出装置 | |
JP2000092877A (ja) | 真空処理装置、及び真空処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070726 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100831 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4590031 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |