JPH0243752A - 静電チャック型ウエハホルダ - Google Patents
静電チャック型ウエハホルダInfo
- Publication number
- JPH0243752A JPH0243752A JP63195124A JP19512488A JPH0243752A JP H0243752 A JPH0243752 A JP H0243752A JP 63195124 A JP63195124 A JP 63195124A JP 19512488 A JP19512488 A JP 19512488A JP H0243752 A JPH0243752 A JP H0243752A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- insulating film
- electrodes
- positioning
- chuck type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、静電チャック型ウェハホルダ、特に半導体の
製造行程において、ウェハを真空中等にて位置決めして
処理を行う必要がある装置の静電チャック型ウェハホル
ダに関する。
製造行程において、ウェハを真空中等にて位置決めして
処理を行う必要がある装置の静電チャック型ウェハホル
ダに関する。
従来の技術としては、例えば日経メカニカル１９８６．
６．１６号３３ページに記載されている静電チャック型
ウェハホルダがある。
６．１６号３３ページに記載されている静電チャック型
ウェハホルダがある。
従来の静電チャック型ウェハホルダは、絶縁体のベース
と、前記ベース上に分割して形成された電極と、前記電
極上に形成された絶縁膜とを含んで構成される。
と、前記ベース上に分割して形成された電極と、前記電
極上に形成された絶縁膜とを含んで構成される。
次に従来の静電チャック型ウェハホルダについて図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
第２図は、従来の静電チャック型ウェハホルタの一例を
示す斜視図である。第２図に示す静電チャック型ウェハ
ホルダは、絶縁体のベース１と、ベース１上に形成され
た電極２．３と、電極２．３上に形成された絶縁膜４と
を含んでいる。
示す斜視図である。第２図に示す静電チャック型ウェハ
ホルダは、絶縁体のベース１と、ベース１上に形成され
た電極２．３と、電極２．３上に形成された絶縁膜４と
を含んでいる。
次に従来の静電チャック型ウェハホルダをさらに詳しく
説明する。
説明する。
ベース１は研磨等により良く平坦に仕上けられたセラミ
ックス等の絶縁物であり、本ベース１上面に蒸着等で形
成された電極２．３が設けられる。電極２，３には、電
圧を加えるための電線６．７が接続されており、さらに
電線６，７には、電極間に電圧を供給するための電源８
が接続されている。また電極２．３の上面には、セラミ
ックス等により形成されかつ高い平面度に仕上げられた
絶縁膜４が設けられている。
ックス等の絶縁物であり、本ベース１上面に蒸着等で形
成された電極２．３が設けられる。電極２，３には、電
圧を加えるための電線６．７が接続されており、さらに
電線６，７には、電極間に電圧を供給するための電源８
が接続されている。また電極２．３の上面には、セラミ
ックス等により形成されかつ高い平面度に仕上げられた
絶縁膜４が設けられている。
ここで絶縁膜４上に試料であるウェハ９を載置し、電極
間に電圧を供給すると電極２，３とウェハ９との間に正
負の電荷が発生し、両者が静電的に吸着し、ウェハ９が
固定される。
間に電圧を供給すると電極２，３とウェハ９との間に正
負の電荷が発生し、両者が静電的に吸着し、ウェハ９が
固定される。
上述した従来の静電チャック型ウェハホルダは、ウェハ
を固定する絶縁膜上面が平坦となっているので、ウェハ
を載置した場合、ウェハと絶縁膜の間隙に空気が残り、
エアーフィルムが発生しウェハを規定位置に位置決めし
固定しにくいという欠点があった。
を固定する絶縁膜上面が平坦となっているので、ウェハ
を載置した場合、ウェハと絶縁膜の間隙に空気が残り、
エアーフィルムが発生しウェハを規定位置に位置決めし
固定しにくいという欠点があった。
本発明の静電チャック型ウェハホルダは、絶縁体のベー
スと、前記ベース上に分割して形成された電極と、前記
電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に設け
られウェハを位置決めする位置決めビンとを含んで構成
される。
スと、前記ベース上に分割して形成された電極と、前記
電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上部に設け
られウェハを位置決めする位置決めビンとを含んで構成
される。
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１図に示す静電チャック型ウェハホルダは、絶縁体の
ベース１と、ベース１上に形成された電極２．３と、電
極２．３上に形成された絶縁膜４と、絶縁膜４の上部に
設けられウェハを位置決めする位置決めビン５とを含ん
で構成される。
ベース１と、ベース１上に形成された電極２．３と、電
極２．３上に形成された絶縁膜４と、絶縁膜４の上部に
設けられウェハを位置決めする位置決めビン５とを含ん
で構成される。
次に本実施例の構成をさらに詳しく説明する。
ベース１は研磨等により良く平坦に仕上げられたセラミ
ックス等の絶縁物であり、本ベース１上面に蒸着等で形
成された電ｆｉ２．３が設けられる。電極２．３には、
電圧を加えるための電線６．７が接続されており、さら
に電線６．７には、電極間に電圧を供給するための電源
８が接続されている。また電極２．３の上面には、セラ
ミックス等により形成されかつ高い平面度に仕上げられ
な絶縁膜４が設けられている。また絶縁膜４の上面には
、試料であるウェハ９のオリエンテションフラット部９
ａ及びウェハの外周部９ｂに当接しウェハを絶縁Ｍ４上
に位置決めする位置決めビン５ａ、５ｂが設けられてい
る。
ックス等の絶縁物であり、本ベース１上面に蒸着等で形
成された電ｆｉ２．３が設けられる。電極２．３には、
電圧を加えるための電線６．７が接続されており、さら
に電線６．７には、電極間に電圧を供給するための電源
８が接続されている。また電極２．３の上面には、セラ
ミックス等により形成されかつ高い平面度に仕上げられ
な絶縁膜４が設けられている。また絶縁膜４の上面には
、試料であるウェハ９のオリエンテションフラット部９
ａ及びウェハの外周部９ｂに当接しウェハを絶縁Ｍ４上
に位置決めする位置決めビン５ａ、５ｂが設けられてい
る。
ここで絶縁膜４上にウェハ９を載置し、ウェハ９を位置
決めビン５ａ、５ｂに押接し位置決めした後、電極間に
電圧を供給すると電極２，３とウェハ９との間に正負の
電荷が発生し、両者が静電的に吸着し、ウェハ９が規定
位置に固定される。
決めビン５ａ、５ｂに押接し位置決めした後、電極間に
電圧を供給すると電極２，３とウェハ９との間に正負の
電荷が発生し、両者が静電的に吸着し、ウェハ９が規定
位置に固定される。
本発明の静電チャック型ウェハホルダは、ウェハを固定
する絶縁膜上面に位置決めビンを追設することにより、
ウェハを位置決めビンに押接し載置することができたた
め、エアーフィルムが発生した場合でもウェハの位置決
めが容易にでき、ウェハを規定位置に位置決めして固定
できるという効果がある。
する絶縁膜上面に位置決めビンを追設することにより、
ウェハを位置決めビンに押接し載置することができたた
め、エアーフィルムが発生した場合でもウェハの位置決
めが容易にでき、ウェハを規定位置に位置決めして固定
できるという効果がある。
第１図は、本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は、
従来の静電チャック型ウェハホルダの一例を示す斜視図
である。
従来の静電チャック型ウェハホルダの一例を示す斜視図
である。
１・・・ベース、２．３・・・電極、４・・・絶縁膜、
５・・・位置決めビン、６，７・・・電線、８・・・電
源、９・・・ウェハ。
５・・・位置決めビン、６，７・・・電線、８・・・電
源、９・・・ウェハ。
Claims (1)
- 絶縁体のベースと、前記ベース上に分割して形成された
電極と、前記電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜
の上部に設けられウェハを位置決めする位置決めピンと
を含むことを特徴とする静電チャック型ウェハホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63195124A JPH0243752A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 静電チャック型ウエハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63195124A JPH0243752A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 静電チャック型ウエハホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243752A true JPH0243752A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16335889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63195124A Pending JPH0243752A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 静電チャック型ウエハホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243752A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133443U (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-11 | 京セラ株式会社 | セラミツク製静電チヤツク |
| JPH08274150A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 静電吸着ステージ |
| US6084653A (en) * | 1996-04-17 | 2000-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having an active matrix substrate with thermosetting inter-layer insulating film with a thickness of greater than 2 μM |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63195124A patent/JPH0243752A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133443U (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-11 | 京セラ株式会社 | セラミツク製静電チヤツク |
| JPH08274150A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Nec Corp | 静電吸着ステージ |
| US6084653A (en) * | 1996-04-17 | 2000-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having an active matrix substrate with thermosetting inter-layer insulating film with a thickness of greater than 2 μM |
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