JPH10206876A - 液晶表示基板 - Google Patents
液晶表示基板Info
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- JPH10206876A JPH10206876A JP773597A JP773597A JPH10206876A JP H10206876 A JPH10206876 A JP H10206876A JP 773597 A JP773597 A JP 773597A JP 773597 A JP773597 A JP 773597A JP H10206876 A JPH10206876 A JP H10206876A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の液晶表示基板は、真空装置内でも、
静電チャックを用いてステージに固定可能とすることを
目的とする。 【解決手段】 ガラス基板１の一方の表面には液晶パタ
ーン２が形成され、対向する他方の面（裏面）にＩＴＯ
膜（導電性薄膜）３が形成されている。
静電チャックを用いてステージに固定可能とすることを
目的とする。 【解決手段】 ガラス基板１の一方の表面には液晶パタ
ーン２が形成され、対向する他方の面（裏面）にＩＴＯ
膜（導電性薄膜）３が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空雰囲気を使用
する製造装置（スパッタ装置、ＣＶＤ(ChemicalVapor D
eposite)装置など）内のテーブルに、静電チャックによ
る固定を可能とする液晶表示基板に関する。
する製造装置（スパッタ装置、ＣＶＤ(ChemicalVapor D
eposite)装置など）内のテーブルに、静電チャックによ
る固定を可能とする液晶表示基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルは、一般に大きな液晶基
板から複数のパネルが得られるように製作される。この
液晶基板には、例えば３００×４００ｍｍ、３６０×４
６５ｍｍ、３７０×４７５ｍｍなどの大きさのものが用
いられ、さらに大きな６５０×５５０ｍｍのものも使用
され始めている。また、基板の厚みは、１．１ｍｍ、
０．７ｍｍのものが主に使用されている。この液晶基板
の構造は、一般に図７に示すように絶縁性のガラス基板
１の一方の面に導電性、半導電性、絶縁性の各薄膜によ
る液晶パターン２が形成されている。
板から複数のパネルが得られるように製作される。この
液晶基板には、例えば３００×４００ｍｍ、３６０×４
６５ｍｍ、３７０×４７５ｍｍなどの大きさのものが用
いられ、さらに大きな６５０×５５０ｍｍのものも使用
され始めている。また、基板の厚みは、１．１ｍｍ、
０．７ｍｍのものが主に使用されている。この液晶基板
の構造は、一般に図７に示すように絶縁性のガラス基板
１の一方の面に導電性、半導電性、絶縁性の各薄膜によ
る液晶パターン２が形成されている。
【０００３】この液晶基板の製造装置において、液晶基
板をステージに固定する方法として、大気雰囲気中で使
用される装置では、真空吸着が用いられる。図８は、こ
の真空吸着によって液晶基板１１をステージ８に固定し
た状態の断面を示す。吸着穴８ａが設けられたステージ
８の表面に液晶基板１１が載置され、外部真空源９によ
って減圧（−５００ｍｍＨｇ程度）されて、大気圧との
差圧によって吸着される。しかし、真空雰囲気中での液
晶基板のステージへの固定には、大気雰囲気中のように
真空吸着を使用できない。
板をステージに固定する方法として、大気雰囲気中で使
用される装置では、真空吸着が用いられる。図８は、こ
の真空吸着によって液晶基板１１をステージ８に固定し
た状態の断面を示す。吸着穴８ａが設けられたステージ
８の表面に液晶基板１１が載置され、外部真空源９によ
って減圧（−５００ｍｍＨｇ程度）されて、大気圧との
差圧によって吸着される。しかし、真空雰囲気中での液
晶基板のステージへの固定には、大気雰囲気中のように
真空吸着を使用できない。
【０００４】ところで、一般に真空雰囲気を用いるシリ
コンウェハーの製造装置では、シリコンウェハーの固定
に、正・負の電荷間に働くクーロン力によって吸着固定
する静電チャックを用いる。図９は、シリコンウェハー
１２を静電チャック４に固定した状態を示す。静電チャ
ック４上にシリコンウェハー１２が載置され、シリコン
ウェハー１２を接地する。そして外部電源６によって静
電チャック電極５に電圧が印加されると、静電チャック
表面に電荷が誘導され、静電気力によってシリコンウェ
ハー１２が吸着固定される。
コンウェハーの製造装置では、シリコンウェハーの固定
に、正・負の電荷間に働くクーロン力によって吸着固定
する静電チャックを用いる。図９は、シリコンウェハー
１２を静電チャック４に固定した状態を示す。静電チャ
ック４上にシリコンウェハー１２が載置され、シリコン
ウェハー１２を接地する。そして外部電源６によって静
電チャック電極５に電圧が印加されると、静電チャック
表面に電荷が誘導され、静電気力によってシリコンウェ
ハー１２が吸着固定される。
【０００５】しかし、液晶基板に用いられているガラス
基板は、シリコンウェハーのように半導電性でなく絶縁
性であるため、静電気力による静電チャックでは十分な
固定力を得ることができない。
基板は、シリコンウェハーのように半導電性でなく絶縁
性であるため、静電気力による静電チャックでは十分な
固定力を得ることができない。
【０００６】図１０は、静電チャック４上に液晶基板１
１が載置された状態を示し、液晶パターン２が接地され
ている。この状態で、外部電源６によって静電チャック
電極５に電圧が印加されると、図１１に示すように静電
チャック表面４ａに電荷（＋極性）が誘導され、この電
荷によって液晶パターン２には誘導電荷（−極性）が発
生する。しかし静電チャック表面４ａの電荷と液晶パタ
ーン２の誘導電荷とでは、ガラス基板１の厚さ（１．１
ｍｍまたは０．７ｍｍ）を隔てており、十分な静電気力
による固定力を得ることができない。また、ガラス基板
１は絶縁物であり、静電チャック４と接する面に十分な
電荷を発生させることができないため、静電チャック表
面４ａとガラス基板１との間の誘導電荷による静電気力
は期待できない。
１が載置された状態を示し、液晶パターン２が接地され
ている。この状態で、外部電源６によって静電チャック
電極５に電圧が印加されると、図１１に示すように静電
チャック表面４ａに電荷（＋極性）が誘導され、この電
荷によって液晶パターン２には誘導電荷（−極性）が発
生する。しかし静電チャック表面４ａの電荷と液晶パタ
ーン２の誘導電荷とでは、ガラス基板１の厚さ（１．１
ｍｍまたは０．７ｍｍ）を隔てており、十分な静電気力
による固定力を得ることができない。また、ガラス基板
１は絶縁物であり、静電チャック４と接する面に十分な
電荷を発生させることができないため、静電チャック表
面４ａとガラス基板１との間の誘導電荷による静電気力
は期待できない。
【０００７】このため、真空雰囲気を用いる液晶基板の
製造装置では、図１２に示すように液晶基板１１をステ
ージ１３に固定せずに載置するだけか、図１３に示すよ
うに器械的押さえ１４によってステージ１３に固定す
る。この器械的押さえ１４による固定の場合、ガラス基
板１表面に形成する薄膜パターン２のため、液晶基板１
１の周辺部のみを固定する。
製造装置では、図１２に示すように液晶基板１１をステ
ージ１３に固定せずに載置するだけか、図１３に示すよ
うに器械的押さえ１４によってステージ１３に固定す
る。この器械的押さえ１４による固定の場合、ガラス基
板１表面に形成する薄膜パターン２のため、液晶基板１
１の周辺部のみを固定する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
液晶基板は平坦度が悪く、真空雰囲気中で成膜するスパ
ッタ装置、ＣＶＤ装置などで、図１４、図１５に示すよ
うに、ステージ１３上に液晶基板１１を載置し、さらに
温度を上昇させると、固定せずに載置しただけの状態
や、器械的に周辺部のみをステージ１３に固定した状態
では、液晶基板１１に反りを生じ、成膜時に対極との間
で異常放電を生じやすい。さらに液晶基板の割れを生じ
る場合もある。
液晶基板は平坦度が悪く、真空雰囲気中で成膜するスパ
ッタ装置、ＣＶＤ装置などで、図１４、図１５に示すよ
うに、ステージ１３上に液晶基板１１を載置し、さらに
温度を上昇させると、固定せずに載置しただけの状態
や、器械的に周辺部のみをステージ１３に固定した状態
では、液晶基板１１に反りを生じ、成膜時に対極との間
で異常放電を生じやすい。さらに液晶基板の割れを生じ
る場合もある。
【０００９】また今後、液晶基板の大型化、薄板化が進
むと基板はさらに反り易くなる。このため、安定した成
膜を行うためには、基板のステージへの固定の平坦度が
重要であり、真空装置内での液晶基板の固定方法は重要
な課題である。
むと基板はさらに反り易くなる。このため、安定した成
膜を行うためには、基板のステージへの固定の平坦度が
重要であり、真空装置内での液晶基板の固定方法は重要
な課題である。
【００１０】そこで本発明は、上記従来の問題点を解消
すべくなされたものであり、静電気力による静電チャッ
クを用いて、真空装置内でもステージに十分な強度で固
定できるように、液晶パターンを形成する面の反対側の
面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成した液晶表示
基板を提供することを目的とする。
すべくなされたものであり、静電気力による静電チャッ
クを用いて、真空装置内でもステージに十分な強度で固
定できるように、液晶パターンを形成する面の反対側の
面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成した液晶表示
基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の請求項１に記載の液晶表示基板は、液晶パ
ターンを形成するためのガラス基板において、液晶パタ
ーンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜または半
導体薄膜を形成したことを特徴とする構成を有する。
め、本発明の請求項１に記載の液晶表示基板は、液晶パ
ターンを形成するためのガラス基板において、液晶パタ
ーンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜または半
導体薄膜を形成したことを特徴とする構成を有する。
【００１２】本発明の請求項２に記載の液晶表示基板
は、請求項１に記載の液晶表示基板を構成する手段にお
いて、前記導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性で
あることを特徴とする。
は、請求項１に記載の液晶表示基板を構成する手段にお
いて、前記導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性で
あることを特徴とする。
【００１３】上記の構成によって、本発明の請求項１に
記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成する面の反
対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成したの
で、静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに
十分な強度で固定できる。
記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成する面の反
対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成したの
で、静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに
十分な強度で固定できる。
【００１４】本発明の請求項２に記載の液晶表示基板
は、導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であるの
で、後のパターン形成工程にて、背面露光が必要となっ
た場合でも、導電性薄膜または半導体薄膜を除去する必
要がない。
は、導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であるの
で、後のパターン形成工程にて、背面露光が必要となっ
た場合でも、導電性薄膜または半導体薄膜を除去する必
要がない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態
の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）
は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パ
ターン２が形成され、対向する他方の面（裏面）全体に
ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜（導電性薄膜）３が形成さ
れている。
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態
の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）
は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パ
ターン２が形成され、対向する他方の面（裏面）全体に
ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜（導電性薄膜）３が形成さ
れている。
【００１６】図２は、本実施の形態の液晶表示基板１０
を静電チャック４上に載置した状態を示し、ＩＴＯ膜３
が接地されている。この状態で、外部電源６によって静
電チャック電極５に電圧が印加されると、図３に示すよ
うに静電チャック電極５に印加された電圧によって、静
電チャック表面４ａに電荷（＋極性）が誘導され、この
電荷によってＩＴＯ膜３には反対の極性の誘導電荷（−
極性）が発生する。このため、静電チャック表面４ａの
電荷とＩＴＯ膜３の誘導電荷との間の静電気力で吸着力
を生ずる。
を静電チャック４上に載置した状態を示し、ＩＴＯ膜３
が接地されている。この状態で、外部電源６によって静
電チャック電極５に電圧が印加されると、図３に示すよ
うに静電チャック電極５に印加された電圧によって、静
電チャック表面４ａに電荷（＋極性）が誘導され、この
電荷によってＩＴＯ膜３には反対の極性の誘導電荷（−
極性）が発生する。このため、静電チャック表面４ａの
電荷とＩＴＯ膜３の誘導電荷との間の静電気力で吸着力
を生ずる。
【００１７】次に図４に示す構成で、プッシュゲージ７
を用いて、液晶表示基板１０と静電チャック４との吸着
固定強度の測定を行った。液晶表示基板１０を静電チャ
ック４上に載置して、ＩＴＯ膜３を接地し、外部電源６
によって静電チャック電極５に電圧を印加し、プッシュ
ゲージ７に力を加える。そして、液晶表示基板１０が動
き始める最小のプッシュゲージの値（固定力）を測定し
た。その結果を表１に示す。
を用いて、液晶表示基板１０と静電チャック４との吸着
固定強度の測定を行った。液晶表示基板１０を静電チャ
ック４上に載置して、ＩＴＯ膜３を接地し、外部電源６
によって静電チャック電極５に電圧を印加し、プッシュ
ゲージ７に力を加える。そして、液晶表示基板１０が動
き始める最小のプッシュゲージの値（固定力）を測定し
た。その結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】この測定結果から、静電チャックに与える
電圧が１５０〜２００Ｖ程度で、製造工程にて必要な固
定強度が得られる。さらに液晶表示基板１０が、ステー
ジとしての静電チャック４に密着し、反りを生じなくな
る。
電圧が１５０〜２００Ｖ程度で、製造工程にて必要な固
定強度が得られる。さらに液晶表示基板１０が、ステー
ジとしての静電チャック４に密着し、反りを生じなくな
る。
【００２０】本実施の形態の液晶表示基板１０は、裏面
に形成する導電性薄膜としてＩＴＯ膜３を用いているの
で光透過性が高く、後のパターン形成工程にて背面露光
が必要となった場合でも、ＩＴＯ膜３を除去せずに、そ
のまま処理を行うことができる。
に形成する導電性薄膜としてＩＴＯ膜３を用いているの
で光透過性が高く、後のパターン形成工程にて背面露光
が必要となった場合でも、ＩＴＯ膜３を除去せずに、そ
のまま処理を行うことができる。
【００２１】また本実施の形態の液晶表示基板では、導
電性薄膜としてＩＴＯ膜を用いたが、他の導電性薄膜ま
たは半導体薄膜でも、同様の吸着効果が得られる。ま
た、裏面に形成する導電性薄膜または半導体薄膜は、真
空装置を用いた製造工程後、除去しても良いし、残した
まま液晶表示パネルとしても良い。
電性薄膜としてＩＴＯ膜を用いたが、他の導電性薄膜ま
たは半導体薄膜でも、同様の吸着効果が得られる。ま
た、裏面に形成する導電性薄膜または半導体薄膜は、真
空装置を用いた製造工程後、除去しても良いし、残した
まま液晶表示パネルとしても良い。
【００２２】次に図５は、本発明の他の実施の形態の液
晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏
面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パター
ン２が形成され、対向する他方の面に部分的にＩＴＯ膜
３ａが形成されている例である。
晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏
面図である。ガラス基板１の一方の表面には液晶パター
ン２が形成され、対向する他方の面に部分的にＩＴＯ膜
３ａが形成されている例である。
【００２３】次に図６は、本発明のさらに他の実施の形
態の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、
（ｂ）は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には
液晶パターン２が形成され、対向する他方の面の周辺部
にＩＴＯ膜３ｂが形成されている例である。
態の液晶表示基板の図であって、（ａ）は側面図、
（ｂ）は裏面図である。ガラス基板１の一方の表面には
液晶パターン２が形成され、対向する他方の面の周辺部
にＩＴＯ膜３ｂが形成されている例である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の請求項１に
記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成する面の反
対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成したの
で、静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに
十分な強度で固定できる。このため、スパッタ装置、Ｃ
ＶＤ装置などで、温度を上昇させて処理しても、液晶基
板に反りを生じなくなり、その結果、成膜精度を向上さ
せ、さらに成膜時に対極との間で異常放電を生じにくく
なる。
記載の液晶表示基板は、液晶パターンを形成する面の反
対側の面に、導電性薄膜または半導体薄膜を形成したの
で、静電チャックを用いて、真空装置内でもステージに
十分な強度で固定できる。このため、スパッタ装置、Ｃ
ＶＤ装置などで、温度を上昇させて処理しても、液晶基
板に反りを生じなくなり、その結果、成膜精度を向上さ
せ、さらに成膜時に対極との間で異常放電を生じにくく
なる。
【００２５】本発明の請求項２に記載の液晶表示基板
は、導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であるの
で、後のパターン形成工程にて、背面露光が必要となっ
た場合でも、導電性薄膜または半導体薄膜を除去する必
要がない。
は、導電性薄膜または半導体薄膜が、光透過性であるの
で、後のパターン形成工程にて、背面露光が必要となっ
た場合でも、導電性薄膜または半導体薄膜を除去する必
要がない。
【図１】本発明の実施の形態の液晶表示基板の図であっ
て、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
て、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
【図２】本発明の液晶表示基板を静電チャック上に載置
した状態を示す図である。
した状態を示す図である。
【図３】静電チャック表面と液晶表示基板の誘導電荷を
示す図である。
示す図である。
【図４】プッシュゲージを用いた吸着固定強度測定の構
成図である。
成図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の液晶表示基板の図で
あって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
あって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態の液晶表示基板の図で
あって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
あって、（ａ）は側面図、（ｂ）は裏面図である。
【図７】液晶基板の構造を示す図である。
【図８】液晶基板をステージに吸着固定した状態の断面
図である。
図である。
【図９】シリコンウェハーを静電チャックに固定した状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図１０】静電チャック上に液晶基板を載置した状態を
示す図である。
示す図である。
【図１１】静電チャック表面と液晶基板に電荷が誘導さ
れた状態を示す図である。
れた状態を示す図である。
【図１２】液晶基板をステージに載置した状態を示す図
である。
である。
【図１３】液晶基板を器械的にステージに固定した状態
を示す図である。
を示す図である。
【図１４】ステージ上の液晶基板の反りの状態を示す図
である。
である。
【図１５】ステージ上の液晶基板の反りの状態を示す図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ 液晶パターン ３ ＩＴＯ膜（導電性薄膜） ４ 静電チャック ５ 静電チャック電極 ６ 外部電源 ７ プッシュゲージ １０ 液晶表示基板
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶パターンを形成するためのガラス基
板において、 液晶パターンを形成する面の反対側の面に、導電性薄膜
または半導体薄膜を形成したことを特徴とする液晶表示
基板。 - 【請求項２】 前記導電性薄膜または半導体薄膜が、光
透過性であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表
示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00773597A JP3625003B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 液晶表示基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00773597A JP3625003B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 液晶表示基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10206876A true JPH10206876A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3625003B2 JP3625003B2 (ja) | 2005-03-02 |
Family
ID=11673970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00773597A Expired - Fee Related JP3625003B2 (ja) | 1997-01-20 | 1997-01-20 | 液晶表示基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3625003B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-01-20 JP JP00773597A patent/JP3625003B2/ja not_active Expired - Fee Related
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